JPH02307247A - 多層配線法 - Google Patents
多層配線法Info
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- JPH02307247A JPH02307247A JP12941389A JP12941389A JPH02307247A JP H02307247 A JPH02307247 A JP H02307247A JP 12941389 A JP12941389 A JP 12941389A JP 12941389 A JP12941389 A JP 12941389A JP H02307247 A JPH02307247 A JP H02307247A
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- Japan
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- electrode wiring
- air
- isolated
- multilayer wiring
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は多層配線における電極表面の保護膜形成法に関
する。
する。
［従来の技術］
従来、エアー・アイソレーションされた多層配線表面に
絶縁保護膜が形成される事はなかった。
絶縁保護膜が形成される事はなかった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によると配線間にショートが発生
するという課題が・あった。
するという課題が・あった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、エアー・ア
イソレーションされた多層配線のショートを防止する新
らしい多層配線法を提供する事を目的とする。
イソレーションされた多層配線のショートを防止する新
らしい多層配線法を提供する事を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決する為に、本発明は多層配線法に関し、
エアー・アイソレーションした多層配線表面に絶縁保護
膜を形成する手段を取る。
エアー・アイソレーションした多層配線表面に絶縁保護
膜を形成する手段を取る。
［実施例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す多層配線の断面図であ
る。すなわち、Ｓｉ基板１の表面に形成されたＳ ｉ
Ｏ□膜２０表面にはＡｔ、Ｏｕ、ｓｉ、Ｗ、ＷＳｉ、Ｔ
ｉ、Ｔｉ５ｉｌおよびＴｉＮ等から成る第１の電極配線
３が形成され、該第１の電極配線６上にはＡｔ、Ｏｕ、
Ｓｉ、Ｗ、ＷＳｉ、Ｔｉ、ＴｉＳｉ、およびＴｉＮ等か
ら成る桁電極６等を介し、あるいは通して、Ａ４．Ｏｕ
。
る。すなわち、Ｓｉ基板１の表面に形成されたＳ ｉ
Ｏ□膜２０表面にはＡｔ、Ｏｕ、ｓｉ、Ｗ、ＷＳｉ、Ｔ
ｉ、Ｔｉ５ｉｌおよびＴｉＮ等から成る第１の電極配線
３が形成され、該第１の電極配線６上にはＡｔ、Ｏｕ、
Ｓｉ、Ｗ、ＷＳｉ、Ｔｉ、ＴｉＳｉ、およびＴｉＮ等か
ら成る桁電極６等を介し、あるいは通して、Ａ４．Ｏｕ
。
Ｓｉ、Ｗ、ＷＳｉ、Ｔｉ、ＴｉＳｉ、およびＴｌＮ等か
ら成る第２の電極配線８がエアー・アイソレーションさ
れて形成されて成るに際し、前記第２の電極配線８１桁
配線６およびバンド部５を除（第１の電極配線３等の表
面には５ｉｎ２膜。
ら成る第２の電極配線８がエアー・アイソレーションさ
れて形成されて成るに際し、前記第２の電極配線８１桁
配線６およびバンド部５を除（第１の電極配線３等の表
面には５ｉｎ２膜。
Ｓ ｉａＮ＋膜＊ Ａ ｔ２０ｓ ＩＮあるいはポリイ
ミド膜等の合成樹脂膜等の薄い絶縁膜４，７および９等
が全表面あるいは部分表面に形成されて成る。
ミド膜等の合成樹脂膜等の薄い絶縁膜４，７および９等
が全表面あるいは部分表面に形成されて成る。
本発明は上記実施例の如（Ｓｉ半導体集積回路装置のエ
アー・アイソレーション多層配線に主として用いられる
が、ＧａＡＳ等の化合物半導体集積回路装置やジョセフ
ソン集積回路装置あるいはプリント板配線等にも用いる
事ができる事は云うまでもない。
アー・アイソレーション多層配線に主として用いられる
が、ＧａＡＳ等の化合物半導体集積回路装置やジョセフ
ソン集積回路装置あるいはプリント板配線等にも用いる
事ができる事は云うまでもない。
［発明の効果］
本発明により、高速電子回路装置に適したエアー・アイ
ソレーションされた多層配線のショート不良をな（する
事ができる効果がある。
ソレーションされた多層配線のショート不良をな（する
事ができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す多層配線の断面図であ
る。 １・・・・・・・・・Ｓ１基板 ２・・・・・・・・・ＳｉＯ□膜 ５・・・・・・・・・第１の電極配線 ４．７，９・・・・・・絶縁膜 ５・・・・・・・・・パッド部 ６・・・・・・・・・桁電極 ８・・・・・・・・・第２の電極配線 以上
る。 １・・・・・・・・・Ｓ１基板 ２・・・・・・・・・ＳｉＯ□膜 ５・・・・・・・・・第１の電極配線 ４．７，９・・・・・・絶縁膜 ５・・・・・・・・・パッド部 ６・・・・・・・・・桁電極 ８・・・・・・・・・第２の電極配線 以上
Claims (1)
- エアー・アイソレーションされた多層配線表面には絶縁
保護膜が形成されて成る事を特徴とする多層配線法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12941389A JPH02307247A (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | 多層配線法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12941389A JPH02307247A (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | 多層配線法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02307247A true JPH02307247A (ja) | 1990-12-20 |
Family
ID=15008921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12941389A Pending JPH02307247A (ja) | 1989-05-23 | 1989-05-23 | 多層配線法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02307247A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806181B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-10-19 | Fujitsu Quantum Devices Limited | Method of fabricating an air bridge |
| WO2008097724A3 (en) * | 2007-02-07 | 2008-11-20 | Raytheon Co | Passivation layer for a circuit device and method of manufacture |
| US8148830B2 (en) | 2007-02-07 | 2012-04-03 | Raytheon Company | Environmental protection coating system and method |
| JP2012104647A (ja) * | 2010-11-10 | 2012-05-31 | Fujitsu Ltd | 配線基板の製造方法及び配線基板 |
-
1989
- 1989-05-23 JP JP12941389A patent/JPH02307247A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806181B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-10-19 | Fujitsu Quantum Devices Limited | Method of fabricating an air bridge |
| WO2008097724A3 (en) * | 2007-02-07 | 2008-11-20 | Raytheon Co | Passivation layer for a circuit device and method of manufacture |
| JP2010518627A (ja) * | 2007-02-07 | 2010-05-27 | レイセオン カンパニー | 回路素子用の保護膜及び該保護膜の作製方法 |
| US7767589B2 (en) | 2007-02-07 | 2010-08-03 | Raytheon Company | Passivation layer for a circuit device and method of manufacture |
| US7902083B2 (en) | 2007-02-07 | 2011-03-08 | Raytheon Company | Passivation layer for a circuit device and method of manufacture |
| US8148830B2 (en) | 2007-02-07 | 2012-04-03 | Raytheon Company | Environmental protection coating system and method |
| EP2385546A3 (en) * | 2007-02-07 | 2012-05-02 | Raytheon Company | Passivation layer for a circuit device and method of manufacture |
| US8173906B2 (en) | 2007-02-07 | 2012-05-08 | Raytheon Company | Environmental protection coating system and method |
| US8319112B2 (en) | 2007-02-07 | 2012-11-27 | Raytheon Company | Environmental protection coating system and method |
| USRE44303E1 (en) | 2007-02-07 | 2013-06-18 | Raytheon Company | Passivation layer for a circuit device and method of manufacture |
| US8857050B2 (en) | 2007-02-07 | 2014-10-14 | Raytheon Company | Methods of making an environment protection coating system |
| JP2012104647A (ja) * | 2010-11-10 | 2012-05-31 | Fujitsu Ltd | 配線基板の製造方法及び配線基板 |
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