JPH03274731A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03274731A JPH03274731A JP7413090A JP7413090A JPH03274731A JP H03274731 A JPH03274731 A JP H03274731A JP 7413090 A JP7413090 A JP 7413090A JP 7413090 A JP7413090 A JP 7413090A JP H03274731 A JPH03274731 A JP H03274731A
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- Japan
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- semiconductor device
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置に関し、その電極配線のとりわけ、
最終電極配線の表面保護膜材料・構成とその構造に関す
る。
最終電極配線の表面保護膜材料・構成とその構造に関す
る。
を従来の技術］
従来、半導体装置の最終電極配線には、第２図に断面図
で示す如く、５ｉｌｌから成る基板上に、５１０２１２
等から成る層間絶縁膜を介してＡ１等から成る電極１３
、の配線が成され、該電極１３上には、ＣＶ Ｄの５１
３Ｎ４１４が電極１３間に挟まれて形成されて成るのが
通例であった。
で示す如く、５ｉｌｌから成る基板上に、５１０２１２
等から成る層間絶縁膜を介してＡ１等から成る電極１３
、の配線が成され、該電極１３上には、ＣＶ Ｄの５１
３Ｎ４１４が電極１３間に挟まれて形成されて成るのが
通例であった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によると、たとえ、電極１３上に
、薄い３ｉ０２膜をＣＶ Ｄて形成後、薄いＳｉ３Ｎ４
膜をＣＶＤて形成し、表面を凹凸に形成したとしてち、
電極１３の間隙に誘電率が５１０２の３９に対しＳｉ３
Ｎ＋の１２と云う高い誘電率の物質を挟んだ形となり、
電極間の電気容量が増大し、電極における信号伝帳速度
を遅延させると云う課題があった。
、薄い３ｉ０２膜をＣＶ Ｄて形成後、薄いＳｉ３Ｎ４
膜をＣＶＤて形成し、表面を凹凸に形成したとしてち、
電極１３の間隙に誘電率が５１０２の３９に対しＳｉ３
Ｎ＋の１２と云う高い誘電率の物質を挟んだ形となり、
電極間の電気容量が増大し、電極における信号伝帳速度
を遅延させると云う課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、とりわけ、
半導体装置における最終電極配線の信号伝帳速度を極力
遅延させない、表面保護膜の材料構成・構造を提供する
事を目的とする。
半導体装置における最終電極配線の信号伝帳速度を極力
遅延させない、表面保護膜の材料構成・構造を提供する
事を目的とする。
［課題を解決するための手段１
上記課題を解決する為に、本発明は、半導体装置に関し
、集積回路装置の少なくとち最終電極配線表面にＣＶＤ
５ ｉ Ｏ□膜を電極間隙を埋めて形成し、且つその表
面をほぼ平滑になる様に形成した後、ＣＶＤＳｉ、Ｎ４
膜を形成する手段を取る。
、集積回路装置の少なくとち最終電極配線表面にＣＶＤ
５ ｉ Ｏ□膜を電極間隙を埋めて形成し、且つその表
面をほぼ平滑になる様に形成した後、ＣＶＤＳｉ、Ｎ４
膜を形成する手段を取る。
［実 施 例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の要部の断
面図である。すなわち、Ｓｉｌなる基板上には眉間絶縁
膜としての５ｉＯｚ２が、形成され、該ＳｉＯ＊２上に
、電極３が形成され、該電極３の表面に、電極間隙を埋
め、且つその表面がほぼ平滑になる様に、Ｓ ｉ Ｏ２
膜を形成する訳であるが、該Ｓｉｎ、膜は、主として、
ＣＶＤ法によるＣ Ｖ Ｄ Ｓ ｉ Ｏ２４として記載
はされているが、エッチ・バック法による表面平滑化や
ＳＯＧ膜形成する表面平滑化処理を施して表面をほぼ平
滑にし、その後、プラズマＣＶＤ法等により、５ｉｓＮ
−５の膜を形成する。
面図である。すなわち、Ｓｉｌなる基板上には眉間絶縁
膜としての５ｉＯｚ２が、形成され、該ＳｉＯ＊２上に
、電極３が形成され、該電極３の表面に、電極間隙を埋
め、且つその表面がほぼ平滑になる様に、Ｓ ｉ Ｏ２
膜を形成する訳であるが、該Ｓｉｎ、膜は、主として、
ＣＶＤ法によるＣ Ｖ Ｄ Ｓ ｉ Ｏ２４として記載
はされているが、エッチ・バック法による表面平滑化や
ＳＯＧ膜形成する表面平滑化処理を施して表面をほぼ平
滑にし、その後、プラズマＣＶＤ法等により、５ｉｓＮ
−５の膜を形成する。
尚、ＣＶＤ５ｉ０．４は更に誘電率の低い他の絶縁材料
、例えばポリイミド等の有機合成材料膜であっても良い
。
、例えばポリイミド等の有機合成材料膜であっても良い
。
［発明の効果１
本発明により半導体集積回路装置における信号伝帳速度
の速い、電極配線構造を得ることができる効果がある。
の速い、電極配線構造を得ることができる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例を示す半導体装置の断面図
であり、第２図は 従来技術の一例を示す半導体装置の
断面図である。 ｌ、 １１ ２、１２ ３、１３ ４ ・ ５、１４ ・ Ｓｉ ・ Ｓ ｉ Ｏｗ ・電極 ・ＣＶ Ｄ Ｓ ｉ Ｏ２ ・５ｉａＮ＜ 以上
であり、第２図は 従来技術の一例を示す半導体装置の
断面図である。 ｌ、 １１ ２、１２ ３、１３ ４ ・ ５、１４ ・ Ｓｉ ・ Ｓ ｉ Ｏｗ ・電極 ・ＣＶ Ｄ Ｓ ｉ Ｏ２ ・５ｉａＮ＜ 以上
Claims (1)
- 集積回路装置の少なくとも最終電極配線表面には、Ｃ
ＶＤＳｉＯ＿２膜から成る表面保護膜を電極間隙を埋め
て、且つその表面がほぼ平滑になる様に形成した後、Ｃ
ＶＤＳｉ＿３Ｎ＿４膜から成る表面保護膜をほぼ平滑に
形成して成る事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7413090A JPH03274731A (ja) | 1990-03-24 | 1990-03-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7413090A JPH03274731A (ja) | 1990-03-24 | 1990-03-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03274731A true JPH03274731A (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=13538302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7413090A Pending JPH03274731A (ja) | 1990-03-24 | 1990-03-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03274731A (ja) |
-
1990
- 1990-03-24 JP JP7413090A patent/JPH03274731A/ja active Pending
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