JPH01200635A - 配線保護膜 - Google Patents
配線保護膜Info
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- JPH01200635A JPH01200635A JP2525188A JP2525188A JPH01200635A JP H01200635 A JPH01200635 A JP H01200635A JP 2525188 A JP2525188 A JP 2525188A JP 2525188 A JP2525188 A JP 2525188A JP H01200635 A JPH01200635 A JP H01200635A
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- wiring
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- wiring protection
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- Pending
Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプリント板の配線、とりわけ集積回路装置の配
線の保護１ｆ！ｉ！構造に関する。
線の保護１ｆ！ｉ！構造に関する。
従来、集積回路装置の電極配線の層間絶縁膜や表面保循
膜としてポリイミド膜、を用いる場合があり、プリント
配線の表面保護にもポリイミド膜を用いる場合があった
。
膜としてポリイミド膜、を用いる場合があり、プリント
配線の表面保護にもポリイミド膜を用いる場合があった
。
しかし、上記従来技術によると、ポリイミド膜は、配線
の機械的損傷や応力によるマイグレーシ曹ン断線等の防
止には役立つが、吸湿等によるアルミニウムや銅配線の
腐蝕等の問題点の解決には至らないのが現状である。
の機械的損傷や応力によるマイグレーシ曹ン断線等の防
止には役立つが、吸湿等によるアルミニウムや銅配線の
腐蝕等の問題点の解決には至らないのが現状である。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、配線の耐
蝕性を向上するための保護膜構造を提供する事を目的と
する。
蝕性を向上するための保護膜構造を提供する事を目的と
する。
上記問題点を、解決するために、本発明は配線保護膜に
関し、絶縁基板上に形成された電極配線の少くとも一部
を含む表面にはポリイミド膜が形成されて成ると共に、
該ポリイミド膜表面には少くととも窒化珪素を含む保護
膜を形成する手段をとる。
関し、絶縁基板上に形成された電極配線の少くとも一部
を含む表面にはポリイミド膜が形成されて成ると共に、
該ポリイミド膜表面には少くととも窒化珪素を含む保護
膜を形成する手段をとる。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す配線保護膜構造である
。すなわち、半導体集積回路の場合はシリコン等の半導
体から成る基板１０表面に酸化珪素膜、窒化珪素膜ある
いはポリイミド膜等から成る第１の絶縁膜２０表面に、
アルミニウム配線、あるいはアルミニウムとシリサイド
の多層配線あるいは銅配線等から成る電極配線３の表面
には、ポリイミド膜５が前記電極配線の少くとも一部（
歪緩和の為にＳ極配線３０表面あるいは表面の一部のみ
ポリイミド膜を形成する場合がある）を含む表面に形成
されて、該ポリイミド膜５の表面に窒化珪素あるいは窒
化珪素と酸化珪素の混合あるいは多層材から成る窒化珪
素膜６をプラズマや光ＣＶＤ法等により全面に形成し、
パッド部４やスクライプ部のポリイミド膜５の側面に迄
、前記窒化珪素膜６を形成したものである。尚、基板１
及び第１の絶縁膜２は、プリント板の場合にはガラス・
エポキシ樹脂やベークライトである。
。すなわち、半導体集積回路の場合はシリコン等の半導
体から成る基板１０表面に酸化珪素膜、窒化珪素膜ある
いはポリイミド膜等から成る第１の絶縁膜２０表面に、
アルミニウム配線、あるいはアルミニウムとシリサイド
の多層配線あるいは銅配線等から成る電極配線３の表面
には、ポリイミド膜５が前記電極配線の少くとも一部（
歪緩和の為にＳ極配線３０表面あるいは表面の一部のみ
ポリイミド膜を形成する場合がある）を含む表面に形成
されて、該ポリイミド膜５の表面に窒化珪素あるいは窒
化珪素と酸化珪素の混合あるいは多層材から成る窒化珪
素膜６をプラズマや光ＣＶＤ法等により全面に形成し、
パッド部４やスクライプ部のポリイミド膜５の側面に迄
、前記窒化珪素膜６を形成したものである。尚、基板１
及び第１の絶縁膜２は、プリント板の場合にはガラス・
エポキシ樹脂やベークライトである。
本発明により、プリント板や集積回路装置の電極配−の
耐湿、耐蝕性を向上できる効果がある。
耐湿、耐蝕性を向上できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す配線保り膜構造を示す
図である。 １・・・・・・・・・基 板 ２・・・・・・・・・第１の絶縁膜 ３・・・・・・・・・電極配線 ４・・・・・・・・・パッド部 ５・・・・・・・・・ポリイ ミ ド膜６・・・・・・
・・・窒化珪素膜 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最上 務（他１名）
図である。 １・・・・・・・・・基 板 ２・・・・・・・・・第１の絶縁膜 ３・・・・・・・・・電極配線 ４・・・・・・・・・パッド部 ５・・・・・・・・・ポリイ ミ ド膜６・・・・・・
・・・窒化珪素膜 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最上 務（他１名）
Claims (1)
- 絶縁基板上に形成された電極配線の少くとも一部を含
む表面にはポリイミド膜が形成されて成ると共に、該ポ
リイミド膜表面には少くとも窒化珪素を含む保護膜が形
成されて成る事を特徴とする配線保護膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2525188A JPH01200635A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 配線保護膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2525188A JPH01200635A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 配線保護膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200635A true JPH01200635A (ja) | 1989-08-11 |
Family
ID=12160779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2525188A Pending JPH01200635A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 配線保護膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01200635A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014033053A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Toyota Motor Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2016207707A (ja) * | 2015-04-16 | 2016-12-08 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP2525188A patent/JPH01200635A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014033053A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Toyota Motor Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US9082778B2 (en) | 2012-08-02 | 2015-07-14 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method of same |
| JP2016207707A (ja) * | 2015-04-16 | 2016-12-08 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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