JPH0236176A - ピリダジン化合物および液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規な液晶化合物及び該液晶化合物を含む液晶
組成物に関する。

又本明３［書に於いて液晶化合物とは、それ自体で液晶
相を呈することが検知されなくとも液晶組成物の構成成
分として有用な化合物を意味する。

従来の技術及び問題点 液晶表示素子の表示方式として、現在広く実用化されて
いるものは、ねじれネマチック型（ＴＮ型）および動的
散乱型（ＤＳ型）である。これらはネマチック液晶を、
主成分としたネマチック液晶セルによる表示である。従
来のネマチック液晶セルの短所のひとつに、応答速度が
遅く、たかだか数ｍ５ｅｃのオーダーの応答速度しか得
られないという事実があげられる。そして、このことが
ネマチック液晶セルの応用範囲をせばめる一因となって
いる。しかし、最近に至ってスメクチックＣ晶セルを用
いれば、より高速な応答が得られるということがわかっ
てきた。

光学活性なスメクチック液晶の中には、強誘電性を示す
ものがあることが、明らかになってきており、その利用
に関して、大きな期待が寄せられつつある。強誘電性を
示す液晶すなわち強誘電性液晶は、１９７５年Ｒ，Ｂ、
Ｍｅｙｅｒらにより合成され、４−（４−ｎ−デシルオ
キシベンジリデンアミノ）ケイ皮酸−２−メチルブチル
エステル（以下、ＤＯＢＡＭＢＣと略記する。）を代表
例とする化合物であり、その、カイラルスメクチックＣ
相（以下、ＳｍＣ本相と略記する。）において、強誘電
性を示すことを特徴とするものである（Ｊ、Ｐｈｙｓｉ
ｑｕｅ、３６．Ｌ−６９（１９７５））。

近年、Ｎ、Ａ、Ｃ１ａｒｋら（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌ
ｅｔｔ、３６，８９　（１９８０））によって、ＤＯＢ
ＡＭＢＣの薄膜セルにおいて、μｓｅｃオーダーの高速
応答性が、見出されたことを契機に、強誘電性液晶はそ
の高速応答性を利用して液晶テレビ等のデイスプレィ用
のみならず、光プリンターヘッド、光フーリエ変換素子
、ライトバルブ等のオプトエレクトロニクス関連素子の
素材泪にも使用可能な材料として注目を集めている。

ピリダジン系３環化合物についてはＧ、Ｗ、Ｇｒａｙら
によって下記化合物（“■”）が、報告されている（Ｚ
、Ｃｈｅｍ、１９８６２６　（１）　　２ｌ−２３）他
、チッソ株式会社によって下記化合物（ＩＹ） 本 が報告されているが上記諸物性を全て満足させるような
強誘電性液晶組成物を得るには至っていない。

発明が解決しようとする課題 ＤＯＢＡＭＢＣは自発分極が小さく、またシッフ塩基で
あるため、その物理的化学的安定性に難がある。そこで
１強誘電性液晶材料として、物理的化学的に安定な種々
の化合物が探索さ九てきた６そして現在、強誘電性液晶
素材の開発は、高速応答性、配向性、高いコントラスト
、メモリー性、しきい値付性、さらにこれらの諸物性の
温度依存性等の実用特性の最適化にその主力がうつって
きている。

しかし、現在知られている強誘電性液晶は単独では、上
記実用特性を発現させるのに十分な程の大きい自発分極
、低い粘性、長いらせんピッチ、適当なチルト角、等の
諸物性を室温域を含む広い温度範囲で示すものはない。

そこで実際には、大きい自発分極を持つあるいは誘起す
る化合物、低粘性の化合物、らせんピッチが互いに逆の
化合物等数種類の物質を混合して上′ｆｉ！諸特性を最
適化すべく検討が行われている６また、高速応答し、十
分に広い温度範囲で１ｉｆｉ誘電性を示す液晶組成物を
得るためには、 １、骨格的に高速応答すると考えられる低粘度な化合物
。

２、温度範囲が広＜Ｓｃ本相を示す温度範囲の上限が高
い化合物。

３、温度範囲が広＜Ｓｃ相を示す温度範囲の上限が高い
化合物。

等の開発は非常に重要な課題である。

問題点を解決するための手段 本発明者らは、上述のような問題点を解決するために種
々の液晶物質を探索し、温度域の点から３環であること
、さらに高速応答という点からこれら３環が直結してい
る方が有利であると考え本発明に到達した。

即ち１本発明は骨格的に低粘度であると考えられるＳｃ
本液晶化合物およびＳｃ液晶化合物であって、Ｓｃ本（
Ｓｃ）相を示す温度範囲が広くその上限も非常に高い化
合物を提供することを可能にしたものである。

即ち本発明は、一般式（Ｉ） （上式中、Ｒ１は直鎖または分岐の１−１８のアルキル
基を示し、Ｒ２は、光学活性なハロゲン化アルキル基、
または酸素原子１個を含む光学活性なアルキル基を示し
、ＡおよびＢは　単結合、−０−−ｃｏｏ−−ｏｃｏ−
または−ｏｃｏｏ−を示すものとする）で表される光学
活性なフェニルピリダジン化合物。

一般式（ＩＩ） Ｒ３−Ｄ−＜ＥＥ＞　−ｇ；ｚ　−■−Ｅ−Ｒ４＜　ｎ
　）（上式中、Ｒ３、Ｒ４は直鎖または分岐の炭素数１
−１８（但し、Ｒ３、Ｒ４の少なくとも一方は炭素数４
以上）のアルキル基を示し、ＤおよびＥは　単結合。

−〇−−〇〇〇−−〇〇〇−または一〇〇〇〇−を示し
、ＤおよびＥのψなくとも一方は一〇−−〇〇〇−１−
ＯＣＯ−または−ｏｃｏｏ−を示すものとする）で表さ
れるフェニルピリダジン化合物及びそれを含有する液晶
組成物に関する。

Ｒ−■ ″９ ＣＨ３ −Ｃ）−０ＣＯ−ＣＨ−ＣＨ−Ｃ２）１左本発明の化合
物の代表例を以下に示す。

Ｒ−■ 一零 −■　−０ＣＯ−ＣＨ−ＣＨ−Ｃ２１（ダＲ・■ Ｆ　　　ＣＨ３ −９）−〇−０ＣＯ″ＣトＣＨ−Ｃ：２Ｈ，Ｓ”Ｒ−■ 一％　−■−０ＣＯ−ＣＨ−ＣＨ−ＣＨ３（１ｏ） Ｒ−（） 一檜 −　ＣＤ　　−０−ＣＨ２−ＣＨ−ＣＨ−Ｃ２ＨりＨ３ ＣＨ３ ＲＯ−〇−需 −０−０ＣＯ−ＣＩ−ＣＨ−Ｃ２Ｈ＆ ＲＯ−■ −（）−０ＣＯ−ＣＩ−ＣＨ−Ｃ２Ｈ，Ｓ’Ｈ３ 真 （２１）ＲＯ−■ −　■−ｏＣｏ−Ｃ）Ｉ−ｃトＣ２ＨｙＲＯ−■ Ｃ）ｌヨ Ｃ）１３ ＣＩ　　ＣＨａ Ｃ）１３ ＲＯ−０ ″ｇ ＣＨ３ 書 −■　−０−ＣＨ２−ＣＩ−ＯＲ’ ０１’１ｅＨａ Ｒ−■ −０−Ｏ−ＣＨ３ Ｒ−（） 一〇−０−Ｃ４８９ （３１）ＲＯ−■ 一肯 ０にｅＭｅ −＜Ｅ；ｐ　−０−ＣＨ２−ＣＨ−ＣＨ−ＣＨ３−Ｏ ″７＞ −０−ＯＣＯ７Ｃ＋Ｈ’？ （３８）　Ｒ−ｏ−＠　−０−Ｏ−ＣＨ２−ＣＩ（Ｃ）
Ｉ？）２（３９）Ｒ−■−♀−■−０−Ｃ２Ｈダ（４０
）Ｒ−■−♀−０−ＯＣＯＯ−Ｒ’（４１）Ｒ−０−■
−君−■−０−ＣＨ３（４２）　Ｒ−０−■−ｉ　−０
−０−Ｃ４Ｎ’？（４３）　Ｒ−０−■−需−Ｃ）　−
０ＣＯ−Ｃ４Ｈ９（４４）　Ｒ−０−〇−需−■−０−
Ｃ）！２−ＣＨ（ＣＨ３）２（４５）　Ｒ−０−Ｏｏ　
　−９−（）　−０−Ｃ２Ｈ５’（４６）　Ｒ−０−（
）−需−■−０ＣＯＯ−Ｒ’（但し上式中、Ｒは炭素数
４−１８の直鎖のアルキル基を示し、Ｒ′は炭素数１−
８の直鎖のアルキル基を示す。

本発明の化合物と配合して強誘電性液晶組成物とするの
に適当な化合物としては１例えば次の１゜、２．．３．
に示すような化合物である。

１、本出願人らが、過去開発した強誘電性液晶である。

特開昭６０−６７４５３．特開昭６０−６７５８６、特
開昭６０−１６８７８０、特開昭６０−１６８７８１．
特開昭６０−２１８３５８、特願昭５９−１８９２３２
、特願昭６０−２２９２０、特１１１昭６０−８７０３
４、特［昭６０−１１７０５３、特願昭６０−１４４１
３６、特願昭６０−１６２６５４、特願昭６０−１６２
６５６゜特願昭６０−２！５０３３５、特願昭６０−２
９１１７９に開示されている化合物。

２、スメクチックＣ相を有する、例えば次のような化合
物群。

アルコキシビフェニルカルボン酸アルキルエステル、ア
ルキルカルボニルオキシビフェニルカルボン酸アルキル
エステル、アルコキシ安息香酸アルコキシフェニルエス
テル、アルコキシ安息香酸アルキルオキシカルボニルフ
ェニルエステル、アルコキシ安息香酸アルコキシアルコ
キシフェニルエステル、アルコキシ安息香酸アルコキシ
ビフェニルエステル、アルコキシビフェニルカルボン酸
アルコキシフェニルエステル、アルキル安息沓酸アルコ
キシビフェニルエステル、アルキルビフェニルカルボン
酸アルコキシフェニルエステル、アルコキシ安息香酸ア
ルキルビフェニルエステル。

アルコキシビフェニルカルボン酸アルキルフェニルエス
テル、アルキルカルボニルオキシ安息香酸アルコキシビ
フェニルエステル、アルキルカルボニルオキシビフェニ
ルカルボン酸アルコキシフェニルエステル、アルコキシ
安息香酸アルキルカルボニルオキシビフェニルエステル
、アルコキシビフェニルカルボン酸アルキルカルボニル
オキシフェニルエステル、５−アルキル−２−（４’　
−アルコキシフェニル）ピリミジン、５−アルコキシ−
２−（４’−アルコキシフェニル）ピリミジン、５−ア
ルキル−２−（４’　−アルキルカルボニルオキシフェ
ニル）ピリミジン、５−アルコキシ−２−（４’　−ア
ルキルカルボニルオキシフェニル）ピリミジン、５−ア
ルキル−２−（４’　−アルキルオキシカルボニルフェ
ニル）ピリミジン、５−アルコキシ−２−（４’　−ア
ルキルオキシカルボニルフェニル）ピリミジン、５−ア
ルキル−２−（４′−アルコキシフェニル）ピラジン、
５−アルコキシ−２−（４’−アルコキシフェニル）ピ
ラジン、５−アルキル−２−（４’　−アルキルカルボ
ニルオキシフェニル）ピラジン、５−アルコキシ−２−
（４’　−アルキルカルボニルオキシフェニル）ピラジ
ン、５−アルキル−２−（４″アルキルオキシカルボニ
ルフエニル）ピラジン、５−アルコキシ−２−（４’　
−アルキルオキシカルボニルフェニル）ピラジン、５−
　（４’　−アルキルフェニル）−２−（４”−アルコ
キシフェニル）ピリミジン、５−（４’　−アルコキシ
フェニル）−２−（４”−アルコキシフェニル）ピリミ
ジン、５−（４’−アルキルフェニル）−２−（４”−
アルキルカルボニルオキシフェニル）ピリミジン、５−
（４’−アルコキシフェニル）−２−（４”−アルキル
カルボニルオキシフェニル）ピリミジン、５−（４’−
アルキルフェニル）−２−（４”−アルキルオキシカル
ボニルフェニル）ピリミジン、５−（４’　−アルコキ
シフェニル）−２−（４”−アルキルオキシカルボニル
フェニル）ピリミジン、５−　（４’　−アルコキシフ
ェニル）−２−（４”−アルコキシフェニルカルボニル
オキシ）ピリミジン、５−　（４’　−アルキルフェニ
ル）−２−（４”−アルコキシフェニルカルボニルオキ
シ）ピリミジン、５−　（４’　−アルコキシフェニル
）−２−（４”−アルキルフェニルカルボニルオキシ）
ピリミジン、５−（４’　−アルキルフェニル）−２−
（４”−アルキルフェニルカルボニルオキシ）ピリミジ
ン、５−　（４’アルキルフエニル）−２−（４”−ア
ルコキシフェニル）−１，２，４−トリアジン、５−　
（４’アルコキシフエニル）−２−（４”−アルコキシ
フェニル）−１，２，４−４リアジン、５−（４’−ア
ルキルフェニル）−２−（４”−アルキルカルボニルオ
キシフェニル）−１，２，４−トリアジン、５−（４’
　−アルコキシフェニル）−２−（４”−アルキルカル
ボニルオキシフェニル）−１，２，４−）ソアジン、５
−（４’　−アルキルフェニル）−２−（４”−アルキ
ルオキシカルボニルフェニル）−１，２，４−１リアジ
ン、５−（４’−アルコキシフェニル）−２−（４”−
アルキルオキシカルボニルフェニル）−１，２゜４−ト
リアジン等 ３．２．に挙げた化合物群のアルキル基、アルコキシ基
、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボ
ニル基の部分に不斉炭素を導入することにより、カイラ
ルスメクチックＣ相を示す強誘電性液晶とした化合物群
。

本発明の化合物である（Ｉ）、（ＩＩ）式で表わされる
化合物は次のように合成される。

一般式（Ｉ）、（ＩＩ）で表わされる化合物は、例えば
次のようにして合成することができる。

Ｈ，Ｚａｓｃｈｋｅらの方法（Ｚ、Ｃｈａｍ、１７　３
３３　　（１９７７）により合成した３−クロル−６−
（４’−アルキルフェニル）−ピリダジンとｐ−ブロモ
アニソールより調製したＰ−アニシルマグネシウムブロ
マイドをＴＨＦ中、Ｎｉ触媒でグリニヤールカップリン
グさせ、　３−　（ｐ−アニシル）−６−（４’　−ア
ルキルフェニル）−ピリダジンを得る。これを臭化水素
酸−！ｌ′酸中で加熱還流することにより３−（ｐ−ヒ
ドロキシフェニル）−６−（４’−アルキルフェニル）
−ピリダジンを得る。そしてこの化合物とカルボン酸ク
ロライドをピリジン等の３級アミン存在下、縮合させた
り、アルキルハライドあるいはアルコールのトシレート
とＷｉｌｌｉａｍｓｏｎ合成を行なうことにより得るこ
とができる。

作用 本発明の化合物はスメクチックＣ相を示す。本発明の化
合物は、ピリダジン骨格を有し、本発明の化合物を含む
強誘電性液晶配合物は高速応答する６本発明の化合物の
うちあるものは光学活性を持たないため、該化合物を配
合する際、らせんピッチ等の物性に縛られること無く自
由に強誘電性液晶配合物の中で使用することができる。

また本発明の化合物は、Ｓｃ本（Ｓ　ｃ）相を示す温度
範囲の上限が非常に高いため、応答速度を損うことなく
強誘電性液晶配合物の温度域の上限を拡大することが可
能である。さらに本発明の化合物は。

誘電率異方性が負であると考えられるためＡＣスタビラ
イズ駆動法にも適している。

実施例 以下実施例により、本発明の化合物につき更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるも
のではない。

以下、Ｃ，Ｓｘ、Ｓｃ、Ｓｃ木、　ＳＡ、　Ｎ、　Ｎ本
、■相はそれぞれ、結晶相、はっきり同定できないスメ
クチック相、スメクチックＣ相、カイラルスメクチック
Ｃ相、スメクチックＡ相、ネマチック相、カイラルネマ
チック相、等労相を示す。

本発明の化合物の精製は、シリカゲルクロマトグラフィ
ー及びアルコールまたはヘキサンによる再結晶によって
行った。以下に示す相転移点の測定値は、物質の純度に
より若干の影響を受けることもありうる。

実施例１ ３−アニシルー６−（４’　−オクチルフェニル）−ピ
リダジン（ア）の合成 ２時間、室温で２時間攪はんした。反応溶液を半分の容
積に濃縮し、氷冷することにより結晶を析出させ、これ
をろ取して粗生成物を得、これを２−プロパツールより
再結晶することにより目的化合物（ア）１２．２７ｇを
得た。

三つロフラスコに金属マグネシウム１．Ｌｏｇを入れ窒
素置換した後、テトラヒドロフラン（以下ＴＨＦと略す
、）５ｍｌを加えた。これに、ｐ−ブロモアニソール８
．５ｇをＴＨＦｌｏｍｌに溶かした溶液を注射器より滴
下し、室温で攪はんすることによりｐ−アニシルマグネ
シウムブロマイドを調製した。この際、激しく発熱する
ため、適宜氷冷した。三つロフラスコに３−クロル−６
−（４′−オクチルフェニル）−ピリダジン１３゜７５
ｇを入れ窒素置換した後、ＴＨＦ２００ｍｌ、ビス（１
，３−ジフェニルホスフィノプロパン）ニッケル（ｎ）
クロライド０．２ｇを加え水冷下攪はんした。この溶液
に先はど調製したｐ−アニシルマグネシウムブロマイド
を滴下し、水浴下で実施例２ ３−（４’−ブトキシフェニル）−６−（４”−オクチ
ルフェニル）−ピリダジン（イ）の合成３−アニシルー
６−（４’　−オクチルフェニル）−ピリダジン（ア）
３ｇに４７％臭化水素酸４５ｍ１．酢酸４５ｍ１を加え
８時間還流した。反応溶液を氷冷し析出した粗結晶をろ
取し、水５０ｍ１、クロロホルム１００ｍ１で洗浄後乾
燥した。

この粗結晶をエタノールに溶解させ、活性炭を加えてし
ばらく放置することにより脱色し、活性炭をろ刑した後
、ろ液を濃縮し、さらにエタノールより再結晶すること
により３−　（４’　−ヒドロキシフェニル）−６−（
４”　−オクチルフェニル）−ピリダジンを得た。

３−（４’−ヒドロキシフェニル）−６−（４”−オク
チルフェニル）−ピリダジン０．５ｇをＮ。

Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦと略す。

）１０ｍｌに溶解し６０％水素化ナトリウム６１ｍｇを
加えて室温で３ｏ分攪はんした。これにブチルブロマイ
ド０．１９ｇを加え６０℃に加熱し３０分反応させた。

室温に戻し終夜放置し、析出した結晶をろ取し、２−プ
ロパツールより再結晶することにより目的化合物（イ）
０．２８ｇを得た。

実施例３ ３−（４’　−（１”　−クロル−２″−メチルブチル
カルボニルオキシ）フェニル）−６−（４’″−オクチ
ルフェニル）−ピリダジン（つ）の合成 ＣＩ　　ＣＨ３ 本零 ３−（４’−ヒドロキシフェニル）−６−（４”−オク
チルフェニル）−ピリダジン０．５ｇを四塩化炭素１０
ｍ１に分散させ、（Ｓ、５）−２−クロル−３−メチル
ペンタン酸クロライド０．２３ｇ、ピリジン０．３３ｇ
を加え室温で反応させた。反応溶液をＩＮ＠ｌ！ｆｔ３
０ｍ１に注ぎ２０ｍ１のクロロホルムで３回抽出し、ク
ロロホルム層を濃縮後、フラッシュクロマトにより精製
し、２−プロパツールより再結晶することにより目的化
合物（つ）０．２ｇを得た。

実施例４ ３−　（４’　−ブチルカルボニルオキシフェニル）−
６−（４″−オクチルフェニル）−ピリダジン（１）の
合成 ＣｇＨｔ７−Ｃ）　−＠　−■−０ＣＯ−Ｃ４Ｈ’？　
　　　　（工）３−　（４’−ヒドロキシフェニル）−
６−（４”−オクチルフェニル）−ピリダジン０．５ｇ
とペンタン酸クロライド０．１７ｇを実施例３と同様の
方法で縮合させることにより目的化合物（１）８０ｍｇ
を得た。

ことにより目的化合物（オ）１．９５ｇを得た。

実施例６ ３−　（４’　−（２”　−クロル−３″　−メチルペ
ンチルオキシ）フェニル）−６−（４”　’オクチルフ
ェニル）−ピリダジン（力）の合成実施例５ ３−　（４’　−（２”　−メチルブチルオキシメチレ
ンカルボニルオキシ）フェニル）−６−（４”−オクチ
ルフェニル）−ピリダジン（オ）の合成 ｆＪＨＩＴ−■−＠　−■−０ＣＯＣＨ２０ＣＨ２ＣＨ
（ＣＨ３）Ｃ２Ｈｆｆ本　　（オ） ３−（４’−ヒドロキシフェニル）−６−（４目−オク
チルフェニル）−ピリダジン２ｇと２−メチルブチルオ
キシメチレンカルボン酸クロライド０．９１ｇを実施例
３と同様の方法で縮合させるｆＪＨＩＴ−０−１９−■
−０−０８２−ＣＩ−ＣＨ−Ｃ２Ｈ５（力）本章 ３−（４’−ヒドロキシフェニル）−６−（４”−オク
チルフェニル）−ピリダジン１ｇと（Ｓ。

５）−２−クロロ−３−メチルペンタノールのｐ−トル
エンスルホン酸エステル０．８ｇを実施例２と同様の方
法で反応させることにより目的化合物（力）０．１９ｇ
を得た。

実施例７ ３−　（４’　−（２”　−メトキシ−３″−メチルペ
ンチルオキシ）フェニル）−６−（４”　’−オクチル
フェニル）−ピリダジン（キ）の合成Ｃｇ１１１’７−
■−♀−■−〇−ＣＨ２−ＣＩ−ＣＨ−ＣＩＨｋ　（キ
）本章 ３−（４’−ヒドロキシフェニル）−６−（４”−オク
チルフェニル）−ピリダジン１ｇと（Ｓ。

５）−２−メトキシ−３−メチルペンタノールのｐ−）
ルエンスルホン酸エステル０．８ｇを実施例２と同様の
方法で反応させることにより目的化合物（キ）０．５９
ｇを得た。

実施例８ ３−（４’　−エトキシフェニル）−６−（４”−オク
チルフェニル）−ピリダジン（り）の合成−オクチルフ
ェニル）−ピリダジン０．５ｇとヨー化エチル０．２１
７ｇを実施例２と同様の方法で反応させることにより目
的化合物（り）ｏ、３ｇを得た。

実施例９ ３−　（４’−イソブチルオキシフェニル）−６−（４
″−オクチルフェニル）−ピリダジン（ケ）の合成 ３−（４’−ヒドロキシフェニル）−６−（４”−オク
チルフェニル）−ピリダジン０．５ｇとヨー化イソブチ
ル０．１８ｇを実施例２と同様の方法で反応させること
により目的化合物（ケ）０゜２ｇを得た６ ３−　（４’−ヒドロキシフェニル）−６−（４”実施
例１−９の化合物の相転移点を一括して表１に示す。

実施例１０ 本発明の化合物とスメクチックＣ相を示す化合物及びカ
イラルスメクチックＣ相を示す化合物を次の様に配合す
ることにより強誘電性液晶配合物（Ｘ）を得た。

（Ｉｓ、２Ｓ）−４”　　−（４’　　−オクチルオキ
シフェニル）フェニル　１−クロロ−２−メチルペンタ
ン酸エステル　　　　　　　１８ｗｔ％５−へブチル−
２−（４’−デシルオキシ）ピリミジン　　　　　　　
　　　　２１．６ｗｔ％４′−ブチルオキシフェニル−
４−オクチルオキシ安り９．香酸エステル　　　　　７
．２ｗｔ％４′−ノニルオキシフェニル−４−オクチル
オキシ安息香酸エステル　　　　　７．２ｗｔ％３−　
（４’　−（２”　−クロル−３″　−メチルペンチル
オキシ）フェニル）−６−（４”　’オクチルフェニル
）−ピリダジン　　２　ｗ　ｔ％３−（４’　−エトキ
シフェニル）−６−（４”−オクチルフェニル）−ピリ
ダジン １．６ｗｔ％ ５−へブチル−２−（４’−ノニルオキシ）ピリミジン １４．４ｗｔ％ ３−　（４’−オクチルフェニル）−６−オクチルピリ
ダジン　　　　　　　　　６．４ｗｔ％５−ノニル−２
−（４’−ノニルオキシ）ピリミジン　　　　　　　　
　　　　２１，６ｗｔ％配合物（Ｃ）の相転移点は以下
に示す通りであった。

Ｓｃ本−５Ａ相転移点 ４８℃ ５Ａ−Ｎ＊相転移点 ６３℃ Ｎ＊ｉ相転移点 ６６℃ また、ポリイミドをスピンコードしてラビングしたＩＴ
○ガラスで構成したギャップ２．０μｍのセルに配合物
（Ｘ）を封入し等労相から０．２℃／ｍｉｎの速度で徐
冷することにより、配向したセルが得られた。このセル
に２０ＶＰ−ｐの矩形波を印加して偏光ｌＩＩ微鏡下で
電気光学効果を観察した。非常にはつきりしたコントラ
ストを示し。

この化合物が液晶デイスプレーに応用できることが証明
された。また、このセルの応答速度を光半導体を用いて
測定したところ、電圧を印加してから透過光量が９ｏ％
変化するまでの応答速度は、２８℃において４０μＳｅ
Ｑと高速であった。

また、自発分極は２１．９ｎＣ／ａｍ２であった。

本発明の化合物はカイラルスメクチックＣ相あるいはス
メクチックＣ相を示す。そして本発明の化合物は、実施
例に示したようにＳｃ＊相、Ｓｃ相を示す温度域が広く
、その温度の上限が非常に高い。

また本発明の化合物は、ＤＯＢＡＭＢＣ等と異なりシッ
プ塩基を持たないため化学的に安定である。

また本発明の化合物は、スメクチック液晶となるので、
熱書込レーザー等の記憶型表示素子用に眉いることも可
能である。

【図面の簡単な説明】

図１は実施例（８）で得た化合物（り）のＮＭＲスペク
トルを示す。

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. （１） 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （上式中、Ｒ１は直鎖または分岐の炭素数１−１８のア
   ルキル基を示し、Ｒ２は、光学活性なハロゲン化アルキ
   ル基、または酸素原子１個を含む光学活性なアルキル基
   を示し、ＡおよびＢは単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−
   ＯＣＯ−または−ＯＣＯＯ−を示すものとする）で表さ
   れる光学活性なピリダジン化合物。
2. （２） 一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （上式中、Ｒ３、Ｒ４は直鎖または分岐の炭素数１−１
   ８［但し、Ｒ３、Ｒ４の少なくとも一方は炭素数４以上
   ］のアルキル基を示し、ＤおよびＥは　単結合、−Ｏ−
   、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−または−ＯＣＯＯ−を示し、
   ＤおよびＥの少なくとも一方は−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−
   ＯＣＯ−または−ＯＣＯＯ−を示すものとする）で表さ
   れる光学活性でないピリダジン化合物。
3. （３） 請求項（１）記載の一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （上式中、Ｒ１は直鎖または分岐の炭素数１−１８のア
   ルキル基を示し、Ｒ２は、光学活性なハロゲン化アルキ
   ル基、または酸素原子１個を含む光学活性なアルキル基
   を示し、ＡおよびＢは単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−
   ＯＣＯ−または−ＯＣＯＯ−を示すものとする）で表さ
   れる光学活性なピリダジン化合物を少なくとも一種含有
   することを特徴とする液晶組成物。
4. （４） 請求項（２）記載の一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （上式中、Ｒ３、Ｒ４は直鎖または分岐の炭素数１−１
   ８［但し、Ｒ３、Ｒ４の少なくとも一方は炭素数４以上
   ］のアルキル基を示し、ＤおよびＥは　単結合、−Ｏ−
   、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−または−ＯＣＯＯ−を示し、
   ＤおよびＥの少なくとも一方は−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−
   ＯＣＯ−または−ＯＣＯＯ−を示すものとする）で表さ
   れる光学活性でないピリダジン化合物を少なくとも一種
   含有することを特徴とする液晶組成物。
5. （５） 請求項（１）記載の一般式（ I ）で表される光学活性
   なピリダジン化合物と、次式（III）で表される光学活
   性でないスメクチックＣ液晶を少なくとも一種含有する
   ことを特徴とする液晶組成物。 Ｒ５−Ｐｈ−Ｐｙ−Ｒ６（III） （上式中、−Ｐｈ−は、１，４−フェニレン基を、−Ｐ
   ｙ−は、２，５−ピリミジル基を、Ｒ５、Ｒ６は直鎖ア
   ルキル基、直鎖アルコキシ基、直鎖アシルオキシ基又は
   直鎖アルコキシカルボニル基を示す、但しＲ５、Ｒ６の
   少なくとも一方は直鎖アルキル基を示すものとする。）
   で表される化合物。
6. （６） 請求項（２）記載の一般式（II）で表される光学活性で
   ないピリダジン化合物と、上式（III）で表される光学
   活性でないスメクチックＣ液晶を少なくとも一種含有す
   ることを特徴とする液晶組成物。
7. （７） 請求項（１）記載の一般式（ I ）で表される光学活性
   なピリダジン化合物と、次式（IV）で表される光学活性
   でないスメクチックＣ液晶を少なくとも一種含有するこ
   とを特徴とする液晶組成物。 Ｒ７−Ｐｈ−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｒ８（IV） （上式中、−Ｐｈ−は１，４−フェニレン基を、Ｒ７、
   Ｒ８は直鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基、直鎖アシル
   オキシ基又は直鎖アルコキシカルボニル基を示す。）で
   表される化合物。
8. （８） 請求項（２）記載の一般式（II）で表される光学活性で
   ないピリダジン化合物と、上式（IV）で表される光学活
   性でないスメクチックＣ液晶を少なくとも一種含有する
   ことを特徴とする液晶組成物。
9. （９） 請求項（１）記載の一般式（ I ）で表される光学活性
   なピリダジン化合物と、次式（Ｖ）で表される光学活性
   でないスメクチックＣ液晶を少なくとも一種含有するこ
   とを特徴とする液晶組成物。 Ｒ９−Ｐｈ−Ｐｈ−Ｒ１０（Ｖ） （上式中、−Ｐｈ−は１，４−フェニレン基を、Ｒ９、
   Ｒ１０は直鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基、直鎖アシ
   ルオキシ基又は直鎖アルコキシカルボニル基を示す。）
   で表される化合物。
10. （１０） 請求項（２）記載の一般式（II）で表される光学活性で
    ないピリダジン化合物と、上式（Ｖ）で表される光学活
    性でないスメクチックＣ液晶を少なくとも一種含有する
    ことを特徴とする液晶組成物。
11. （１１） 請求項（１）記載の一般式（ I ）で表される光学活性
    なピリダジン化合物と、次式（VI）で表される光学活性
    でないスメクチックＣ液晶を少なくとも一種含有するこ
    とを特徴とする液晶組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （VI） （上式中、Ｒ１１、Ｒ１２は直鎖アルキル基、直鎖アル
    コキシ基、直鎖アシルオキシ基又は直鎖アルコキシカル
    ボニル基を示す。）で表される化合物。
12. （１２） 請求項（２）記載の一般式（II）で表される光学活性で
    ないピリダジン化合物と、上式（VI）で表される光学活
    性でないスメクチックＣ液晶を少なくとも一種含有する
    ことを特徴とする液晶組成物。
13. （１３） 請求項（１）記載の一般式（ I ）で表される光学活性
    なピリダジン化合物を少なくとも一種と、請求項（２）
    記載の一般式（II）で表される光学活性でないピリダジ
    ン化合物を少なくとも一種含有することを特徴とする液
    晶組成物。
14. （１４） 請求項（４）、（６）、（８）、（１０）、（１２）記
    載の液晶組成物と、光学活性な化合物を少なくとも一種
    含有することを特徴とする液晶組成物。
15. （１５） カイラルスメクチックＣ相とカイラルネマチック相の両
    方を有することを特徴とした、請求項（３）、（５）、
    （７）、（９）、（１１）、（１３）、（１４）項記載
    の液晶組成物。
16. （１６） カイラルネマチック相のある温度においてピッチが無限
    大に発散することを特徴とする請求項（１５）記載の液
    晶組成物。
17. （１７）カイラルスメクチックＣ相のある温度において
    ピッチが２μｍ以上であることを特徴とする請求項（１
    ５）記載の液晶組成物。
18. （１８）室温において自発分極が１０ｎＣ／ｃｍ＾２以
    上であることを特徴とする請求項（１５）記載の液晶組
    成物。
19. （１９）カイラル物質が一般式（VII） ▲数式、化学式、表等があります▼（VII） （但し、上式に於いて、Ｒ１３は直鎖又は分岐の炭素数
    １−１８のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコ
    キシアルキル基、又はアラルキル基を示し、Ｒ１４はア
    ルキル基を示し、＊は光学活性な炭素原子を示す、また
    、ａ、ｂ、ｃは０、１、または２でしかもａ＋ｂ＋ｃが
    ２以上であり、Ｅは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−
    Ｏ−ＣＯＯ−、−Ｏ−ＣＨ２−、または−ＯＣＯ−を示
    し、Ｊ、Ｌは、単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｎ
    ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ
    ２−または−ＣＨ＝ＣＨ−を示し、Ｚは、−ＣＯＯ−Ｃ
    Ｈ２−、−Ｏ−ＣＯＯ−ＣＨ２−、−Ｏ−ＣＨ２−また
    は−ＯＣＯ−を示しＸ、Ｙ、Ｚ、は１，４−フェニレン
    基、２，５−ピリミジン基、２，５−ピラジン基または
    ベンゼン環に、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基、メチル
    基を１個またはそれ以上置換した１，４−フェニレン基
    を表す。） で、表される化合物であることを特徴とした、請求項（
    １４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）記載
    の液晶組成物。