JPH023626Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 技術分野 本考案はフイルムキヤリア方式の半導体装置に
関する。

背景技術 混成集積回路装置等の製造に用いられるフイル
ムキヤリアに支持された半導体装置の一例を第１
図及び第２図に示す。図において１はポリイミド
等の長尺のフイルムで、両側縁に沿つてスプロケ
ツト孔１ａが穿設され、中央部に一直線状に一定
の間隔で矩形乃至方形の第１の透孔１ｂが穿設さ
れ、さらに第１の透孔１ｂの周囲に各辺に対応し
て第２の透孔１ｃが穿設されている。２はフイル
ム１の透孔１ｂ，１ｃを塞ぐように貼り付けた銅
箔をエツチングして第１の透孔１ｂ内に一端が位
置し、第２の透孔１ｃを横切つて形成した複数の
リードで、金や錫等の共晶化し易い金属あるいは
半田付けし易い金属にてメツキされている。３は
第１の透孔１ｂ内に挿入した半導体ペレツトで、
一主面３ａに側周面に沿つて複数のバンプ電極４
が形成されている。このバンプ電極４はリード２
と対応し、接合性の良好な金属で形成されてい
る。そして半田付けあるいは熱圧着によりバンプ
電極４がリード２に接続されている。

この半導体ペレツト３にリード２を接続した半
導体装置は、第２の透孔１ｃ内でリード２を切断
すると共に各第２の透孔１ｃ，１ｃ間の連結部分
を切断して個々の半導体装置に分離され、混成集
積回路装置等の基板に供給されリード２の遊端が
基板上の導電パターンに一括して接続される。こ
の供給はフイルム１が可撓性があるためロール巻
きした状態で実施でき自動化が容易であるという
利点がある。

ところでフイルム１をロール巻きした状態や一
直線上に引き延ばした状態でも半導体ペレツト３
に外力が加えられると、例えば第３図に示すよう
にリード２が変形し、半導体ペレツト３が傾いて
半導体ペレツト３の周縁部とリード２が近接乃至
接触して耐電圧の低下や短絡事故の原因となつた
り、リード２がバンプ電極４から剥離して断線事
故を起すことがあつて、一般的にリード２と半導
体ペレツト３の一主面３ａ間に樹脂をコーテイン
グしてリード２と半導体ペレツト３の不所望部分
の近接や接触を防止している。

この樹脂コーテイングは第４図に示すように半
導体ペレツト３の中央部上方にノズル５を配置
し、このノズル５から粘度調整された樹脂６を定
量滴下供給して半導体ペレツト３の主面３ａ上に
広げるようにしていた。

ところが、この方法では図示例のように樹脂層
６ａが主面３ａ中央部で盛り上り、周縁部分で厚
みが薄くなるという問題があつた。この主面３ａ
の中央部の厚みは、樹脂６の粘度、供給量、硬化
速度等により変化するが、厳密な定量供給が困難
な上、粘度が高いと広がる途中で硬化が進行して
中央部が厚く周縁部が薄い状態となつて絶縁が不
完全となるだけでなく半導体装置の厚みＨが規格
を越えることがあつた。一方粘度が低いと広がり
性は良好であるがペレツト３からこぼれ易くな
り、またノズル５から樹脂の糸を引き易く、フイ
ルム１上の不所望部分を汚すことがあり、さらに
はペレツト側周面と隣接する部分の樹脂が薄くな
つて耐電圧低下等の問題を完全に除くことができ
なかつた。

また半導体装置はフイルム１上に連続的に形成
されているため厚みが規格を越えたものがあつて
も交換することができず、フイルム１を切断して
不良半導体装置を除去しフイルム１を継ぎ合せた
り、外形寸法不良のまま出荷せざるを得なかつ
た。

考案の開示 目 的 本考案は上記問題点に鑑み提案されたもので、
樹脂の盛上りをなくし半導体ペレツト周縁部の絶
縁を完全にした半導体装置を提供する。

構 成 本考案は一主面の周縁に沿つて複数のバンプ電
極を形成した半導体ペレツトの各バンプ電極にリ
ボン状リードの一端を接続したものにおいて、上
記半導体ペレツトのバンプ電極に沿つて環状の樹
脂層を形成したことを特徴とする。

考案の実施例 以下に本考案の実施例を第１図半導体装置に適
用し、第５図及び第６図から説明する。図におい
て第１図及び第２図と同一符号は同一物を示し説
明を省略する。本考案の特徴は樹脂層７にある。
即ち樹脂層７は半導体ペレツト３′の一主面３
a′上にバンプ電極４に沿つて環状に形成されてい
る。第５図実施例では半導体ペレツト３′の中央
部に凹部８を設け凹部８と外周面で囲まれた主面
３ａ上に樹脂を供給することにより環状の樹脂層
７を形成している。

従来の半導体装置では第７図に示すように半導
体ペレツト３に対して樹脂６の接触角θ、樹脂６
の接触長さＬに対して樹脂６の厚みｔが決定さ
れ、バンプ電極４位置での樹脂の厚みも薄かつた
のに対し、第５図装置では第８図に示すように従
来と同じ接触角θに対し、樹脂７の接触長さL′が
従来の半分以下となり樹脂７の厚みt′が薄くでき
る。反面樹脂７の頂点がバンプ電極４に近接する
ため樹脂７がリード２と主面３a′の間に入り込み
易くなる。

そのため、樹脂層７の盛り上りが小さく、半導
体装置の厚みを一定値以下に規制し易く、またペ
レツト側周面と隣接する部分の樹脂層を厚く形成
でき、リードの変形による耐電圧の低下や短絡事
故を防止できる。

第９図及び第１０図は本考案の他の実施例を示
すもので、第５図装置と同一符号は同一物を示し
説明を省略する。第５図装置と相異するのは半導
体ペレツト３″で、その一主面３a″の中央部に樹
脂７に対して濡れ性の劣る部材９を被着し、一主
面３a″上の部材９と側周面との間に環状の樹脂層
７を形成している。

これによれば第５図半導体装置と同様の効果が
得られる他、樹脂を半導体ペレツトの中央に供給
することができ、また樹脂の粘度に応じて部材７
の面積を変え樹脂の拡がりを一様にすることもで
きる。

尚、本考案は上記実施例にのみ限定されること
なく、例えば、第５図装置の凹部８の代りに穴を
穿設してもよい。

考案の効果 以上のように本考案によれば、耐電圧の低下や
短絡事故を防止して、厚みを規定値以下に規制し
た半導体装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はフイルムキヤリアに支持された半導体
装置の平面図、第２図は第１図Ａ−Ａ断面図、第
３図は第１図半導体装置の問題点を示す側断面
図、第４図は樹脂コーテイングを示す側断面図、
第５図は本考案の一実施例を示す平面図、第６図
は第５図の側断面図、第７図は従来の樹脂コーテ
イング状態を示す側面図、第８図は本考案による
半導体装置の樹脂コーテイング状態を示す側面
図、第９図は本考案の他の実施例を示す平面図、
第１０図は第９図装置の側断面図を示す。 ２……リード、３′，３″……半導体ペレツト、
３a′，３a″……一主面、４……バンプ電極、７…
…樹脂層。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 一主面の周縁に沿つて複数のバンプ電極を形成
   した半導体ペレツトの各バンプ電極にリボン状リ
   ードの一端を接続したものにおいて、上記半導体
   ペレツトのバンプ電極に沿つて環状の樹脂層を形
   成したことを特徴とする半導体装置。