JPH023636A - アミノブテンジカルボン酸誘導体の製造法 - Google Patents
アミノブテンジカルボン酸誘導体の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は除草剤等製造の有用な中間体であるアミノブテ
ンジカルボン酸誘導体の新規な製造法に関するものであ
る。
ンジカルボン酸誘導体の新規な製造法に関するものであ
る。
(従来の技術と発明が解決しようとする課題)近年様々
の有望な除草剤がピリジン−2,3−ジカルボン酸誘導
体を原料として開発されており、例えば米国特許4.4
39.607号で公知である。本発明者は最近このピリ
ジン−2,3−ジカルボン[導体をアミノブテンジカル
ボン酸誘導体(I>とエノン類から簡便に合成する新規
な方法を開発した(特願昭62−171730)。
の有望な除草剤がピリジン−2,3−ジカルボン酸誘導
体を原料として開発されており、例えば米国特許4.4
39.607号で公知である。本発明者は最近このピリ
ジン−2,3−ジカルボン[導体をアミノブテンジカル
ボン酸誘導体(I>とエノン類から簡便に合成する新規
な方法を開発した(特願昭62−171730)。
しかしながら既知のアミノブテンジカルボン酸誘導体の
合成法は必ずしも工業的に有利なものではない。
合成法は必ずしも工業的に有利なものではない。
例えば既知の合成法の1つはオキサル酢酸エステルをト
ルエン還流下アンモニアガスと反応させるもの[G、
Domschke、 Chem、 Ber、 、 98
.2920 (1965) ]であるが、オキサル酢酸
エステルを合成する際取扱上注意を要する金属ナトリウ
ムか比較的高価なナトリウムアルコラードを水分を充分
排除しながら用いなければならない上に、アンモニアガ
スとの反応が50%前後の収率でしか進行しない。
ルエン還流下アンモニアガスと反応させるもの[G、
Domschke、 Chem、 Ber、 、 98
.2920 (1965) ]であるが、オキサル酢酸
エステルを合成する際取扱上注意を要する金属ナトリウ
ムか比較的高価なナトリウムアルコラードを水分を充分
排除しながら用いなければならない上に、アンモニアガ
スとの反応が50%前後の収率でしか進行しない。
別の既知の合成法として、アセチレンジカルボン!X導
体にアンモニアを付加させる方法[R,HU isge
n et a 1. 、 Chem、 Ber、 、
99.2526(1966) ;s。
体にアンモニアを付加させる方法[R,HU isge
n et a 1. 、 Chem、 Ber、 、
99.2526(1966) ;s。
S、Washburne et al、、J、Hete
rocyclic Chem、、12゜369(197
5);H,G、Voronkov、Zeitschri
ft der Chem。
rocyclic Chem、、12゜369(197
5);H,G、Voronkov、Zeitschri
ft der Chem。
、21,324(1981) ]があるが、アアセチレ
ンジカルボボン誘導体はマレインM等から数工程をかけ
て合成しなければならない欠点がある。
ンジカルボボン誘導体はマレインM等から数工程をかけ
て合成しなければならない欠点がある。
更にもう・1つの既知合成法は、ジブロムコハク酸誘導
体をアセトニトリル中トリエチルアミンの存在下アンモ
ニアと反応させる方法[V、 1. Harkovet
al、、Zh、Org、Khim、、17.1180
(1981)、cf c、^、95゜168492x
]であるが、この方法には比較的高価な臭素を用いるこ
と及び常にアジリジンジカルボン醒誘導体が副生ずるこ
と等の欠点がある。
体をアセトニトリル中トリエチルアミンの存在下アンモ
ニアと反応させる方法[V、 1. Harkovet
al、、Zh、Org、Khim、、17.1180
(1981)、cf c、^、95゜168492x
]であるが、この方法には比較的高価な臭素を用いるこ
と及び常にアジリジンジカルボン醒誘導体が副生ずるこ
と等の欠点がある。
以上の如く既知のアミノブテンジカルボン酸誘導体の合
成法は必ずしも工業的に有利なものではない。
成法は必ずしも工業的に有利なものではない。
(発明の目的)
本発明は上述の欠点を改若するためのものであって、安
価で容易に入手できる出発物質から短い工程でしかも好
収率にアミノブテンジカルボン酸誘導体を製造する方法
の提供を目的とするものである。
価で容易に入手できる出発物質から短い工程でしかも好
収率にアミノブテンジカルボン酸誘導体を製造する方法
の提供を目的とするものである。
(発明の構成)
本発明は下記一般式(I)で表わされるアミノブテンジ
カルボンM誘導体を製造するに際し、下記一般式(II
)で表わされるクロロブテンジカルボン[導体とアンモ
ニアを反応させることを特徴とするアミノブテンジカル
ボン酸誘導体の製造法である。
カルボンM誘導体を製造するに際し、下記一般式(II
)で表わされるクロロブテンジカルボン[導体とアンモ
ニアを反応させることを特徴とするアミノブテンジカル
ボン酸誘導体の製造法である。
R1OOCCH=C(NH2)COOR2(1)R10
0CCI−!=C(C1) COOR2(I)(但し
上記一般式(I>、(II)において、R1゜R2は夫
々炭素数1〜4の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表
わし、互いに同一でも異っていてもよい。) 本発明において、一般式(II)で表わされるりロロブ
テンジカルボン酸誘導体(以下クロロブテンジカルボン
酸誘導体(II)という。)の塩素はビニロガス(vi
nylogous)なりロロ炭醒エステルであるため、
エステルがアンモニアと反応するより早くアンモニアで
置換され、一般式(I)で表わされるアミノブテンジカ
ルボン[導体(以下アミノブテンジカルボン!!J¥H
水(I>という。
0CCI−!=C(C1) COOR2(I)(但し
上記一般式(I>、(II)において、R1゜R2は夫
々炭素数1〜4の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表
わし、互いに同一でも異っていてもよい。) 本発明において、一般式(II)で表わされるりロロブ
テンジカルボン酸誘導体(以下クロロブテンジカルボン
酸誘導体(II)という。)の塩素はビニロガス(vi
nylogous)なりロロ炭醒エステルであるため、
エステルがアンモニアと反応するより早くアンモニアで
置換され、一般式(I)で表わされるアミノブテンジカ
ルボン[導体(以下アミノブテンジカルボン!!J¥H
水(I>という。
)を与える。
本発明の特徴は、安価なマレイン酸ジエステル類と塩素
からほぼ定量的に得られるジクロロコハク酸誘導体より
公知の方法で高収率で得られるクロロブテンジカルボン
酸誘導体(II>を原料とすること、アンモニアとの反
応かクロロブテンジカルボン7p導体<n>から起るの
でアジリジン系化合物を副生しないこと及びアミノブテ
ンジカルボン酸誘導体が好収率で純度よく得られること
でおる。
からほぼ定量的に得られるジクロロコハク酸誘導体より
公知の方法で高収率で得られるクロロブテンジカルボン
酸誘導体(II>を原料とすること、アンモニアとの反
応かクロロブテンジカルボン7p導体<n>から起るの
でアジリジン系化合物を副生しないこと及びアミノブテ
ンジカルボン酸誘導体が好収率で純度よく得られること
でおる。
更に本発明は、マレイン酸ジエステル類の塩素化反応か
ら合成したジクロロコハク酸誘導体(III)を塩基と
反応させてクロロブテンジカルボン酸誘導体(II)を
生成させ、これとアンモニアとの反応によりアミノブテ
ンジカルボン酸誘導体(I)を生成ざUる一連の反応を
同一のハロゲン化炭化水素溶媒を用いて行うことが可能
である。特に塩基としてアンモニアを使用すればジクロ
ロコハク酸誘導体(III)より1工程でアミノブテン
ジカルボン酸誘導体(1)が得られる。このようにマレ
イン酸ジエステル類から最終生成物まで反応の各段階で
生成物を精製することなしに各段階で得られた粗生成物
のハロゲン化炭化水素溶液をそのまま次の段階の反応に
供することが可能であり、好収率でアミノブテンジカル
ボン酸誘導体(I>を得ることができる。
ら合成したジクロロコハク酸誘導体(III)を塩基と
反応させてクロロブテンジカルボン酸誘導体(II)を
生成させ、これとアンモニアとの反応によりアミノブテ
ンジカルボン酸誘導体(I)を生成ざUる一連の反応を
同一のハロゲン化炭化水素溶媒を用いて行うことが可能
である。特に塩基としてアンモニアを使用すればジクロ
ロコハク酸誘導体(III)より1工程でアミノブテン
ジカルボン酸誘導体(1)が得られる。このようにマレ
イン酸ジエステル類から最終生成物まで反応の各段階で
生成物を精製することなしに各段階で得られた粗生成物
のハロゲン化炭化水素溶液をそのまま次の段階の反応に
供することが可能であり、好収率でアミノブテンジカル
ボン酸誘導体(I>を得ることができる。
本発明に用いられるクロロブテンジカルボン酸誘導体(
II)は一般式(II)のR1,R2が互いに同一でも
異なっていてもよく夫々炭素数1〜4の直鎮状又は分岐
鎖状のアルキル基であるものである。
II)は一般式(II)のR1,R2が互いに同一でも
異なっていてもよく夫々炭素数1〜4の直鎮状又は分岐
鎖状のアルキル基であるものである。
上記クロロブテンジカルボン酸誘導体(II)の一般式
([)におけるR1.R2のアルキル基の例としては、
メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブ
チル、イソブチル、 5ec−ブチル及びtert−
ブチル基を挙げることができる。
([)におけるR1.R2のアルキル基の例としては、
メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブ
チル、イソブチル、 5ec−ブチル及びtert−
ブチル基を挙げることができる。
クロロブテンジカルボン酸誘導体(I)の好ましい具体
例としては、クロロブテンジカルボン酸ジメチルエステ
ル エチルエステル ソプロピルエステル、クロロブテンジカルボン酸ジーn
−ブチルエステル等が挙げられる。
例としては、クロロブテンジカルボン酸ジメチルエステ
ル エチルエステル ソプロピルエステル、クロロブテンジカルボン酸ジーn
−ブチルエステル等が挙げられる。
クロロブテンジカルボン[導イ水(II>の一般式(I
I)におけるR1 、R2が前記以外のアルキル基.フ
ェニル基,ペンシル基等であるものは対応するアルコー
ル(又はフェノール)の1モル当り価格が前記01〜C
4アルキル塁のアルコールより比較的高価であること、
塩素化の際副反応物が多いこと等の為工業的には有利で
ない。
I)におけるR1 、R2が前記以外のアルキル基.フ
ェニル基,ペンシル基等であるものは対応するアルコー
ル(又はフェノール)の1モル当り価格が前記01〜C
4アルキル塁のアルコールより比較的高価であること、
塩素化の際副反応物が多いこと等の為工業的には有利で
ない。
本発明におけるアミン基導入の試剤としては、市販のア
ンモニア水及びアンモニアガスが望ましい。アンモニア
水は、濃度5〜30重量%のものが用いられ、アンモニ
アガスとしては、圧力0.1〜10気圧のものが用いら
れる。
ンモニア水及びアンモニアガスが望ましい。アンモニア
水は、濃度5〜30重量%のものが用いられ、アンモニ
アガスとしては、圧力0.1〜10気圧のものが用いら
れる。
アンモニア使用量はクロロブテンジカルボン酸誘導体(
II)に対してモル比で通常1:0.1〜10であり、
好ましくは1: 1〜5、更に好ましくは1:2〜4の
範囲である。
II)に対してモル比で通常1:0.1〜10であり、
好ましくは1: 1〜5、更に好ましくは1:2〜4の
範囲である。
本発明の実施に際しクロロブテンジカルボン酸誘導体(
II)を無溶媒で又は反応溶媒に溶解し、これに所定量
のアンモニア水を添加又は所定圧力のアンモニアガスを
導入しながら反応させる。
II)を無溶媒で又は反応溶媒に溶解し、これに所定量
のアンモニア水を添加又は所定圧力のアンモニアガスを
導入しながら反応させる。
本発明の反応溶媒としては、エーテル、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン等のエーテル類、塩化メチレン、四塩
化炭素,ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類或い
はベンゼン、トルエン、ヘキサン等の炭化水素類か好ま
しく、これらは単独又は2種類以上の混合物として使用
することができる。メタノール、イソプロパツール等の
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケ1
〜ン類或いは酢酸エチル等のエステル類は副反応を生起
させるので好ましくない。
ラン、ジオキサン等のエーテル類、塩化メチレン、四塩
化炭素,ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類或い
はベンゼン、トルエン、ヘキサン等の炭化水素類か好ま
しく、これらは単独又は2種類以上の混合物として使用
することができる。メタノール、イソプロパツール等の
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケ1
〜ン類或いは酢酸エチル等のエステル類は副反応を生起
させるので好ましくない。
本発明の反応温度は20〜100°Cでおり、好ましく
は20〜70’Cの範囲である。100℃以上の反応温
度では副反応が顕著になるので好ましくない。またアン
モニアの揮散を防ぐため加圧下に反応を行うのが好まし
い。
は20〜70’Cの範囲である。100℃以上の反応温
度では副反応が顕著になるので好ましくない。またアン
モニアの揮散を防ぐため加圧下に反応を行うのが好まし
い。
反応後アミノブテンジカルボン酸誘導体(I)は溶媒抽
出、蒸留、クロマトグラフィー等の慣用の精製手段によ
って容易に高純度で得ることができる。またこれらの精
製手段を経ることなく過剰のアンモニアを除去した後の
粗生成物をそのまま本出願人の特願昭62−17173
0の方法に拠りエノン類と好ましくは酸触媒存在下に反
応させてピリジン−23−ジカルボン酸誘導体に導くこ
とも可能である。
出、蒸留、クロマトグラフィー等の慣用の精製手段によ
って容易に高純度で得ることができる。またこれらの精
製手段を経ることなく過剰のアンモニアを除去した後の
粗生成物をそのまま本出願人の特願昭62−17173
0の方法に拠りエノン類と好ましくは酸触媒存在下に反
応させてピリジン−23−ジカルボン酸誘導体に導くこ
とも可能である。
本発明のクロロブテンジカルボン酸誘導体(II)は、
対応するマレイン酸ジエステル類から公知の方法に従っ
て定量的に得られる一般式%式% (R1,R2は夫々炭素数1〜4の直鎖状又は分岐鎖状
のアルキル基を表わし、互いに同一でも異っていてもよ
い。)で表わされるジクロロコハク酸誘導体(以下ジク
ロロコハク酸誘導体(III)という。)を既知の方法
で塩基と反応させることにより高収率に得ることかでき
るものである。
対応するマレイン酸ジエステル類から公知の方法に従っ
て定量的に得られる一般式%式% (R1,R2は夫々炭素数1〜4の直鎖状又は分岐鎖状
のアルキル基を表わし、互いに同一でも異っていてもよ
い。)で表わされるジクロロコハク酸誘導体(以下ジク
ロロコハク酸誘導体(III)という。)を既知の方法
で塩基と反応させることにより高収率に得ることかでき
るものである。
すなわち、まず一般式
%式%
炭素数1〜4の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表わ
す。)で表わされるマレイン酸ジエステル類を例えば特
公昭46−21564号の方法に従ってハロゲン化炭化
水素溶媒中アルコールの存在下に温度−10〜+35°
Cにて塩素と反応させることによりほぼ定量的にジクロ
ロコハク酸誘導体(III>が得られる。この際用いら
れるハロゲン化炭化水素の例としては四塩化炭素、ジク
ロロエタン、クロロホルム、クロロベンピン等が挙げら
れる。アルコールとしては炭素@1〜5の直鎖状又は分
岐鎖状のちのが好ましく、メタノール、エタノール、イ
ソアミルアルコール等が例示され、アルコールの使用量
は通常マレイン酸ジエステル類に対して0.1〜5重量
%である。一方塩素の使用量は通常マレイン酸ジエステ
ル類1モルに対して1〜2モルである。
す。)で表わされるマレイン酸ジエステル類を例えば特
公昭46−21564号の方法に従ってハロゲン化炭化
水素溶媒中アルコールの存在下に温度−10〜+35°
Cにて塩素と反応させることによりほぼ定量的にジクロ
ロコハク酸誘導体(III>が得られる。この際用いら
れるハロゲン化炭化水素の例としては四塩化炭素、ジク
ロロエタン、クロロホルム、クロロベンピン等が挙げら
れる。アルコールとしては炭素@1〜5の直鎖状又は分
岐鎖状のちのが好ましく、メタノール、エタノール、イ
ソアミルアルコール等が例示され、アルコールの使用量
は通常マレイン酸ジエステル類に対して0.1〜5重量
%である。一方塩素の使用量は通常マレイン酸ジエステ
ル類1モルに対して1〜2モルである。
上記マレイン酸ジエステル類の一般式中R1R2のアル
キル基の例としてはメチル、エチル。
キル基の例としてはメチル、エチル。
n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル
、 5ec−ブチル及びtert−ブチル基を挙げる
ことができる。これらR1、R2の基を有するマレイン
酸ジエステル類の好ましい具体例としては、マレイン酸
ジメチルエステル、マレイン酸ジエチルエステル、マレ
イン酸ジイソプロピルエステル、マレイン酸ジ−n−ブ
チルエステル等を挙げることができ、これらマレイン酸
ジエステル類と塩素から得られるジクロロコハクr!i
誘導体(III)の対応する例としてはジクロロコハク
酸ジメチルエステル、ジクロロコハタ酸ジエチルエステ
ル。
、 5ec−ブチル及びtert−ブチル基を挙げる
ことができる。これらR1、R2の基を有するマレイン
酸ジエステル類の好ましい具体例としては、マレイン酸
ジメチルエステル、マレイン酸ジエチルエステル、マレ
イン酸ジイソプロピルエステル、マレイン酸ジ−n−ブ
チルエステル等を挙げることができ、これらマレイン酸
ジエステル類と塩素から得られるジクロロコハクr!i
誘導体(III)の対応する例としてはジクロロコハク
酸ジメチルエステル、ジクロロコハタ酸ジエチルエステ
ル。
ジクロロコハク酸ジイソプロピルエステル、ジクロロコ
ハク酸ジn−ブチルエステル等が挙げられる。
ハク酸ジn−ブチルエステル等が挙げられる。
次いでこれらジクロロコハク酸誘導体(III)を既知
の方法により有機溶媒中塩基と反応させることにより高
収率でクロロブテンジカルボン酸誘導体(II)が得ら
れる。この際用いられる有機溶媒としては酢震エチル等
のエステル類、エーテル。
の方法により有機溶媒中塩基と反応させることにより高
収率でクロロブテンジカルボン酸誘導体(II)が得ら
れる。この際用いられる有機溶媒としては酢震エチル等
のエステル類、エーテル。
ジオキサン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン。
ヘキサン等の炭化水素類又は四塩化炭素、ジクロロエタ
ン等のハロゲン化炭化水素類等が挙げられる。これらの
うちでジクロロコハク酸誘導体(III)の合成にも用
いられるハロゲン化炭化水素類が引続いて用いられる点
で有利でおる。またJAWとしては本漬化ナトリウム等
のアルカリ金属水藤化物又は炭酸カリウム等のアルカリ
金属炭醸塩の濃度1重量%〜飽和濃度の水溶液、濃度5
〜30重徂%重量ンモニア水、圧力0.1〜10気圧の
アンモニアガス又はトリエチルアミン、D8U等のアミ
ン類が挙げられ、これらの1種又は2種以上を併用する
こともできる。特にアンモニアを使用すればジクロロコ
ハク酸誘導体(■)より1工程でアミノブテンジカルボ
ン酸誘導1本(I>を得ることができる。塩基の使用量
は通常ジクロロコハク酸誘導体(■)1モルにつき1〜
5モルでよい。反応温度は10〜50’Cの範囲である
。
ン等のハロゲン化炭化水素類等が挙げられる。これらの
うちでジクロロコハク酸誘導体(III)の合成にも用
いられるハロゲン化炭化水素類が引続いて用いられる点
で有利でおる。またJAWとしては本漬化ナトリウム等
のアルカリ金属水藤化物又は炭酸カリウム等のアルカリ
金属炭醸塩の濃度1重量%〜飽和濃度の水溶液、濃度5
〜30重徂%重量ンモニア水、圧力0.1〜10気圧の
アンモニアガス又はトリエチルアミン、D8U等のアミ
ン類が挙げられ、これらの1種又は2種以上を併用する
こともできる。特にアンモニアを使用すればジクロロコ
ハク酸誘導体(■)より1工程でアミノブテンジカルボ
ン酸誘導1本(I>を得ることができる。塩基の使用量
は通常ジクロロコハク酸誘導体(■)1モルにつき1〜
5モルでよい。反応温度は10〜50’Cの範囲である
。
この場合塩基と反応させるジクロロコハクr!i誘導体
(III)は前段においてマレイン酸ジエステル類と塩
素の反応から得られたハロゲン化炭化水素溶液をそのま
ま単離精製なしに反応に用いることができ、高収率でク
ロロブテンジカルボン酸誘導体(II)が得られる。更
にこのクロロブテンジカルボンr!i誘導体(II>の
ハロゲン化炭化水素溶液は単離精製することなしに次の
アンモニアとの反応に供することができる。
(III)は前段においてマレイン酸ジエステル類と塩
素の反応から得られたハロゲン化炭化水素溶液をそのま
ま単離精製なしに反応に用いることができ、高収率でク
ロロブテンジカルボン酸誘導体(II)が得られる。更
にこのクロロブテンジカルボンr!i誘導体(II>の
ハロゲン化炭化水素溶液は単離精製することなしに次の
アンモニアとの反応に供することができる。
以下実施例により本発明を更に詳細に説明する。
尚例中の反応率はガスクロマトグラフィー分析における
クロロブテンジカルボン酸誘導体(II)の生成率又は
消失率で示す。
クロロブテンジカルボン酸誘導体(II)の生成率又は
消失率で示す。
実施例1
5(7!封管中にジクロロコハク酸ジエチルエステル5
.Oqと四塩化炭素18.57をとり、アンモニアガス
を3気圧で導入しながら40℃で反応させた。3時間で
クロロブテンジカルボン酸ジエチルエステルの分析から
97.8%の反応率に達したところで、引続いて65℃
でアンモニアガスを3気圧で導入しながら反応させた。
.Oqと四塩化炭素18.57をとり、アンモニアガス
を3気圧で導入しながら40℃で反応させた。3時間で
クロロブテンジカルボン酸ジエチルエステルの分析から
97.8%の反応率に達したところで、引続いて65℃
でアンモニアガスを3気圧で導入しながら反応させた。
18時間で95%の反応率に達したところで反応を終了
し、沈殿物を濾過、洗浄した後が液を濃縮した。
し、沈殿物を濾過、洗浄した後が液を濃縮した。
残渣をシリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィー(
エーテル−ヘキサン混合液で溶出)に付し、アミノブテ
ンジカルボン酸ジエチルエステル2.67(lを得た(
収率70.1%)。
エーテル−ヘキサン混合液で溶出)に付し、アミノブテ
ンジカルボン酸ジエチルエステル2.67(lを得た(
収率70.1%)。
実施例2
マレイン酸ジ−n−ブチルエステル5.卸を四塩化炭素
20Inlと95%エタノール0.2戒の混合液に溶解
し、15〜20℃で塩素ガス1.9gを導入し、同温度
で95%の反応率が達成されるまで攪拌した。
20Inlと95%エタノール0.2戒の混合液に溶解
し、15〜20℃で塩素ガス1.9gを導入し、同温度
で95%の反応率が達成されるまで攪拌した。
反応液に窒素ガスを吹き込んで過剰の塩素を追い出した
後、反応液を50m1封管中に移し、濃アンモニア水6
、Omlを加えて封じ35℃に加温した。
後、反応液を50m1封管中に移し、濃アンモニア水6
、Omlを加えて封じ35℃に加温した。
3.5時間後にクロロブテンジカルボン酸ジ−n−ブチ
ルエステルの分析から96.8%の反応率に達した。引
続いて65℃で反応させ94%の反応率に達したところ
で冷却し層分離した後有機液層を濃縮した。残渣をシリ
カゲルを用いるカラムクロマトグラフィー(エーテル−
ヘキサン混合液で溶出)にイ寸し、アミノブテンジカル
ボン酸ジ−n−ブチルエステル3.96gを得た(収率
71.5%)。
ルエステルの分析から96.8%の反応率に達した。引
続いて65℃で反応させ94%の反応率に達したところ
で冷却し層分離した後有機液層を濃縮した。残渣をシリ
カゲルを用いるカラムクロマトグラフィー(エーテル−
ヘキサン混合液で溶出)にイ寸し、アミノブテンジカル
ボン酸ジ−n−ブチルエステル3.96gを得た(収率
71.5%)。
実施例3
50d封管中にクロロブテンジカルボン酸ジメチルエス
テルs、ogと四塩化炭素257をとり、アンモニアガ
スを2気圧で導入しながら50℃で反応させた。95%
の反応率に達したところで反応を終了し、実施例1と同
様にシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、ア
ミノブテンジカルボン酸ジメチルエステル2.OL;J
@得た(収率45.2%)。
テルs、ogと四塩化炭素257をとり、アンモニアガ
スを2気圧で導入しながら50℃で反応させた。95%
の反応率に達したところで反応を終了し、実施例1と同
様にシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、ア
ミノブテンジカルボン酸ジメチルエステル2.OL;J
@得た(収率45.2%)。
実施例4
実施例2と同様にマレイン酸ジ−n−ブチルエステルを
四基化炭素中塩素化し、濃縮してジクロロコハク酸ジー
n−ブチルエステルの粗生成物を得た。
四基化炭素中塩素化し、濃縮してジクロロコハク酸ジー
n−ブチルエステルの粗生成物を得た。
このものをトルエン20m1に溶解し、50d封管中濃
アンモニア水6.Omlと40℃で反応させた。4時間
後にクロロブテンジカルボン酸ジ−n−ブチルエステル
の分析から98.9%の反応率に達した。引続いて65
°Cで反応させ25時間後に96.4%の反応率に達し
たところで反応を終了し、実施例2と同様の後処理及び
シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、アミノ
ブテンジカルボン酸ジ−n−ブチルエステル3.520
を得た(収率63.6%)。
アンモニア水6.Omlと40℃で反応させた。4時間
後にクロロブテンジカルボン酸ジ−n−ブチルエステル
の分析から98.9%の反応率に達した。引続いて65
°Cで反応させ25時間後に96.4%の反応率に達し
たところで反応を終了し、実施例2と同様の後処理及び
シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、アミノ
ブテンジカルボン酸ジ−n−ブチルエステル3.520
を得た(収率63.6%)。
実施例5
クロロブテンジカルボン酸ジ−n−ブチルエステル10
.0(Jに28%アンモニア水iom1を加え、封管中
35℃で攪拌した。12時間で96.9%の反応率に達
したので、四塩化炭素で抽出し抽出液を屹燥した。
.0(Jに28%アンモニア水iom1を加え、封管中
35℃で攪拌した。12時間で96.9%の反応率に達
したので、四塩化炭素で抽出し抽出液を屹燥した。
溶媒を留去して得た残渣をシリカゲルを用いるカラムク
ロマトグラフィー(エーテル−ヘキサン混合液で溶出)
に付し、アミノブテンジカルボン酸ジ−n−ブチルエス
テル6、34gを得た(収率68.6%)。
ロマトグラフィー(エーテル−ヘキサン混合液で溶出)
に付し、アミノブテンジカルボン酸ジ−n−ブチルエス
テル6、34gを得た(収率68.6%)。
(発明の効果)
本発明法によれば原料として工業的に有利に製造するこ
とができ、かつ入手容易なりロロブテンジカルボン酸誘
導体とアンモニアを用い、−段階反応で好収率で純度の
高いアミノブテンジカルボン酸誘導体を合成することが
できる。またマレイン酸ジエステル類よりジクロロコハ
ク酸誘導体。
とができ、かつ入手容易なりロロブテンジカルボン酸誘
導体とアンモニアを用い、−段階反応で好収率で純度の
高いアミノブテンジカルボン酸誘導体を合成することが
できる。またマレイン酸ジエステル類よりジクロロコハ
ク酸誘導体。
クロロブテンジカルボン酸誘導体を経てアミノブテンジ
カルボン酸誘導体を合成する場合は各生成物を精製する
ことなく、同一の有機溶媒溶液中で行うことができるの
で工業的に極めて有利である。
カルボン酸誘導体を合成する場合は各生成物を精製する
ことなく、同一の有機溶媒溶液中で行うことができるの
で工業的に極めて有利である。
この際特にジクロロコハク酸誘導体よりクロロブテンジ
カルボン[導体の生成反応にアンモニアを用いれば、そ
のまま継続して後段のアミノブテンジカルボン酸誘導体
の生成反応に利用することができ工程の合理化を図るこ
とができる。
カルボン[導体の生成反応にアンモニアを用いれば、そ
のまま継続して後段のアミノブテンジカルボン酸誘導体
の生成反応に利用することができ工程の合理化を図るこ
とができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)下記一般式( I )で表わされるアミノブテンジ
カルボン酸誘導体を製造するに際し、下記一般式(II)
で表わされるクロロブテンジカルボン酸誘導体とアンモ
ニアを反応させることを特徴とするアミノブテンジカル
ボン酸誘導体の製造法。 R^1OOCCH=C(NH_2)COOR^2( I
)R^1OOCCH=C(Cl)COOR^2(II)(
但し上記一般式( I )、(II)において、R^1、R
^2は夫々炭素数1〜4の直鎖状又は分岐鎖状のアルキ
ル基を表わし、互いに同一でも異つていてもよい。) (2)一般式(II)で表わされるクロロブテンジカルボ
ン酸誘導体が下記一般式(III)で表わされるジクロロ
コハク酸誘導体を塩基と反応させて得られるものである
請求項1に記載の製造法。 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (但し上記一般式(III)において、R^1、R^2は
夫々炭素数1〜4の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を
表わし、互いに同一でも異っていてもよい。)(3)塩
基としてアンモニアを使用する請求項2に記載の製造法
。 (4)一般式(III)で表わされるジクロロコハク酸誘
導体が対応するマレイン酸ジエステル類にハロゲン化炭
化水素溶液中アルコールの存在下塩素を付加させて得ら
れるものである請求項2に記載の製造法。 (5)一般式(II)で表わされるクロロブテンジカルボ
ン酸誘導体が対応するマレイン酸ジエステル類にハロゲ
ン化炭化水素溶液中アルコールの存在下塩素を付加させ
て生成する一般式(III)で表わされるジクロロコハク
酸誘導体をそのまま同じハロゲン化炭化水素溶液中で塩
基と反応させて得られたものである請求項1に記載の方
法。 (6)下記一般式( I )で表わされるアミノブテンジ
カルボン酸誘導体を製造するに際し、対応するマレイン
酸ジエステル類にハロゲン化炭化水素溶液中アルコール
の存在下塩素を付加させて生成する下記一般式(III)
で表わされるジクロロコハク酸誘導体をそのまま同じハ
ロゲン化炭化水素溶液中でアンモニアと反応させ、生成
する下記一般式(II)で表わされるクロロブテンジカル
ボン酸誘導体をそのまま同じハロゲン化炭化水素溶液中
でアンモニアと反応させることを特徴とするアミノブテ
ンジカルボン酸誘導体の製造法。R^1OOCCH=C
(NH_2)COOR^2( I )R^1OOCCH=
C(Cl)COOR^2(II)▲数式、化学式、表等が
あります▼(III) (但し上記一般式において、R^1、R^2は夫々炭素
数1〜4の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表わし、
互いに同一でも異っていてもよい。)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14914888A JPH0713051B2 (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | アミノブテンジカルボン酸誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14914888A JPH0713051B2 (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | アミノブテンジカルボン酸誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023636A true JPH023636A (ja) | 1990-01-09 |
| JPH0713051B2 JPH0713051B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=15468826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14914888A Expired - Fee Related JPH0713051B2 (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | アミノブテンジカルボン酸誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713051B2 (ja) |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP14914888A patent/JPH0713051B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0713051B2 (ja) | 1995-02-15 |
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|---|---|---|---|
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