JPH0240132A - ハードディスク用基板の再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、基板上に形成される磁性層を除去してハード
ディスク用基板を再生するハードディスク用基板の再生
方法に関するものである。

〔発明の概要］ 本発明は、ハードディスクの磁性層を除去するのに無機酸溶液又は無機酸に有機物を添加した溶液を用いることにより、下地層を傷めることなく〔従来の技術〕

例えば、コンピュータ等の記憶媒体としては、ランダム
アクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く用いられ
ており、なかでも応答性に優れること、記憶容量が多い
こと等から、基板にＡ１合金やＡＩ！、−Ｍｇ合金ある
いはガラス板、プラスチック板等の硬質材料を用いた磁
気ディスクが固定ディスクあるいは外部ディスクとして
使用されるようになっている。

上記ハードディスクは、例えば磁気ディスク用のＡｊ！
−Ｍｇ合金基板等の上にＮｊ−Ｐメツキ層あるいはアル
マイト処理層が下地層として形成され、その上に記録再
生に関与する磁性層と該磁性層を保護するカーボン被膜
等による保護膜層が順次スパッタリングや蒸着等により
被着されて形成される。このハードディスクは、円周方
向に高速で回転して同心円上の多数のトラックに情報の
記録再生を行うものである。

ところで、このように形成されるハードディスクにあっ
ては、磁性層の脱刷がれやクラックの発生等により不良
品となる率が高く、歩留りの点で問題がある。ここで、
上記不良品となったハードディスクを単に捨ててしまう
と、該ハードディスクを構成するＡＮ−Ｍｇ合金基板が
非常に高価なものであるために製造コストの大幅な上智
をもたらすことになる。このため、基板だけは再生して
使用することが行われている。

上記不良品となったハードディスクを再生するには、記
録再生特性に関与する前述の磁性層、保護膜層を除去し
、再び下地層であるＮ１−Ｐメツキ層を露出させる必要
がある。上記Ｎ１−Ｐメツキ層を露出させるには、例え
ば、研磨材により保護膜層、磁性層を削り取るポリシン
グ加工等が挙げられる。

〔発明が解決しようとする課題］ ところが、上記ポリシング加工により前記保護膜層、磁
性層を除去しようとすると、保護膜層であるカーボン被
膜層の硬度が高いために研磨材が滑って容易に該保護膜
層を除去することができず、基板表面にはポリシング加
工によるボリシングむらが残ってしまう。特に、ボリシ
ングむらが大きいときには、基板までもが削り取られて
しまう虞れがある。

そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、下地層を何ら傷めることなく保護膜層及
び磁性層を確実に除去し、ハードディスク用基板の再生
品の歩留りを向上させるハードディスク用基板の再生方
法を提供することを目的とするものである。

（課題を解決するための手段〕 本発明者等は上記の目的を達成するために、鋭意研究を
重ねた結果、磁性層を除去するのに無機酸溶液又は無機
酸に有機物を添加した溶液が有効であるとの知見を得て
本発明を完成するに至った。

本発明のハードディスク用基板の再生方法は、基板上に
下地層を介して磁性層を形成してなるハードディスクの
前記磁性層を無機Ｍ溶液又はｆＩ＃機酸に有機物を添加
した溶液により除去することを特徴とするものである。

上記無機酸としては、例えばリン酸、硫酸、塩酸、無水
クロム酸、ビロリン酸等が挙げられる。

一方、有機物としては、例えばグリシン　グリセリン等
が挙げられる。

また磁性層を除去するムこは、無機酸溶液又は無機酸に
有機物を添加した溶液に不良品となったハードディスク
を単に浸漬させても良いし、あるいはこれらの溶液に浸
漬させるとともに電圧を印加してもよい。

上記ハードディスクを単に浸漬させる場合には例えば、
次のような無機酸溶液又は無機酸に有機物を添加した溶
液を使用するとよい。かかる溶液を例示すれば、 ■水とリン酸と無水クロム酸とからなり該溶液の温度が
８０〜９５°Ｃである溶液。この溶液の場合には、ハー
ドディスクを１０〜６０秒間浸漬させるとよい。

■水と硫酸とからなり該硫酸が溶液全体の４０〜５０％
である溶液であって、該溶液の温度が５０〜７５℃であ
る溶液。この溶液の場合には、ハードディスクを３〜５
分間浸漬させるとよい。

■水と塩酸とグリシリンからなり該塩酸が溶液全体の４
０〜５０％である溶液であって、該溶液の温度が常温〜
５０°Ｃである溶液。

■水と塩酸とからなり該塩酸が溶液全体の２０％である
溶液であって、該溶液の温度が常温である溶液。この溶
液の場合には、ハードディスクを３〜１０秒間浸漬させ
ることが好ましい。

■水、硫酸、ロッシェル塩とからなり該硫酸が溶液全体
の１０％、ロッシェル塩９８　ｇ／ｌである溶液であっ
て、該溶液の温度が７０〜８０°Ｃである溶液。

■水と塩酸とからなり、該塩酸が溶液全体の１０〜５０
％である溶液。この溶液の場合には該溶液の温度を７０
〜８０°Ｃに設定することが好ましい。

等である。

一方、電圧を印加して再生を行う場合には、例えば次の
ような溶液が好適である。かかる溶液を例示すれば、 ■水、リン酸、硫酸、無水クロム酸からなる溶液。

この溶液の場合には、該溶液の温度を７０〜１１０°Ｃ
とし、１〜ＩＯＡ／ｄｍ２の電流密度を印加するとよい
。

■水と硫酸からなり該硫酸が溶液全体の７０％である溶
液。この溶液の場合には、該溶液の温度を常温とし、１
〜５Ａ／ｄｍ２の電流密度を印加することが好ましい。

■水と硫酸とクロム酸を飽和させた溶液であって、該硫
酸を６０％とした溶液。この溶液の場合には、該溶液の
温度を常温とするのが好ましい。

■塩酸と有機物であるグリセリンとからなり、該塩酸が
溶液全体の２５％、グリセリン７５％である溶液。この
溶液の場合には、該溶液の温度を常温とし、１．５Ａ／
ｄｍ２の電流密度を印加することが好ましい。

■水、硫酸、ピロリン酸、無水クロム酸からなり、該硫
酸が溶液全体の１５％、ピロリン酸６３％。

無水クロム酸１０％である溶液。この溶液の場合には、
該溶液の温度を５０〜７０°Ｃとし、１０〜２ＯＡ／ｄ
ｍ２の電流密度を印加することが好ましい。

■水と硫酸からなり、該硫酸が溶液全体の２５〜５０％
である溶液。この溶液の場合には、該溶液の温度を常温
とし、１０〜２０Ａ／ｄｍ”の電流密度を印加すること
が好適である。

なお、王水や硝酸はいずれも無機酸であるが、ハードデ
ィスクを再生するには好適ではない。すなわち、上記王
水や硝酸を用いると、硝酸根（Ｎｏ、−）が基板上に残
留し、これによりＡＩ！。

Ｍｇ合金基板の品質（物性）やスパッタリング装置等に
悪影響を及ぼす。さらには、Ａｉ地までもが腐食される
虞れがあり、再度、基板上に下地層を形成しなくてはな
らず作業工程が余分にかかり生産性の向上が図れないか
らである。

〔作用〕

磁性層が形成されてなるノ＼−ドディスクを無機酸溶液
又は無機酸に有機物を添加した溶液に浸漬すると、これ
ら溶液と磁性層とが化学反応（工・ンチング）を起こし
、当該ノ＼−ドディスクの基板上に形成される磁性層は
確実に除去される。

また、上記磁性層が除去された基板の表面、すなわち下
地層は上記溶液により腐食される虞れもなく、さらには
上記下地層上には酸根等が残留することもない。

したがって、上記ハードディスクの下地層は何ら悪影響
を受けることなく磁性層等が除去されるので、得られる
ハードディスク用基板の再生品の歩留りが向上する。

〔実施例〕

以下、本発明を適用した具体的な一実施例を図面を参照
しながら説明する。

災旌桝上 先ず、本実施例で再生されるノ＼−ドディスクは、第１
図に示すように、Ａ１合金、ＡＩＶ、−Ｍｇ合金等の硬
質材料よりなる円板状の基板（１）上にＮｉＰメツキ層
またはアルマイト処理層よりなる下地層（２）が形成さ
れ、その上に記録再生に関与する磁性層（３）がスパッ
タリングや蒸着等により被膜されている。そして、上記
磁性層（３）上に該磁性層（３）を保護するための例え
ばカーボン被膜層よりなる保護膜層（４）が形成された
ものである。

上記磁性層（３）には、従来から公知のものが何れも使
用でき、例えばＣｏ、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃ。

Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｎｉオキサイ
ド等が使用される。

このハードディスクは、応答性に優れるとともにランダ
ムアクセスが可能で、円周方向に高速で回転して同心円
上の多数のトラックに情報の記録再生を行うものである
。

上記ハードディスクを再生するには、以下のようにして
行われる。

先ず、第２図に示すように、底面に空気を放出する浴撹
拌用パイプ（５）が配設されてなる琺瑯やセラミックス
あるいは金属等よりなる浴槽（６）を用意し、該浴槽（
６）内に所定液面となるまで無機酸溶液（７）を満たず
。

上記浴撹拌用パイプ（５）は上記浴槽（６）内の無機酸
溶液（７）を撹拌するためのものであるから、該パイプ
（５）から放出される空気は当該浴撹拌用パイプ（５）
の周面あるいは端面のいずれから放出されるかたちでも
よい。この浴撹拌用パイプ（５）を浴槽（６）内の底面
に配設することで、上記無機酸溶液（７）は常に浴槽（
６）内で撹拌されることになる。

なお、上記浴槽（６）内の無機酸溶液（７）を撹拌する
には上記浴撹拌用パイプ（５）のみならず、例えばプロ
ペラ等を用いて該無機酸溶液（７）を撹拌させるように
してもよく、さらには、ポンプ等により該無機酸溶液（
７）を循環させるようにしてもよい。また、これらを単
独で使用してもよく、さらにはこれらを組み合わせて使
用してもよい。

上記無機酸溶液（７）には、リン酸３００〜５００　ｍ
ｌ　／　ｌ　、硫酸３００〜４００ｍｌ／ｌ、無水クロ
ム酸５〜１０ｇ／４２．水２００ｍｆｌ／１．からなる
浴を用い、該浴の温度を７０〜１１０°Ｃとした。上記
リン酸、硫酸、無水クロム酸はいずれも一般的に使用さ
れる酸であるので、王水等とは異なり安価に無機酸溶液
（７）が作れ、しかも浴の管理が容易となる。

次に、前記ハードディスク（８）を所定間隔で複数配列
し固定したハードディスク取付は部材（９）を前記無機
酸溶液（７）中に浸漬する。

上記ハードディスク取付は部材（９）は、例えば導電性
を有する材料からなり棒状に形成されたもので、先のハ
ードディスク（８）の中心孔を挿通させチャッキング等
の手段により該ハードディスク（８）を固定するもので
ある。また、上記ハードディスク取付は部材（９）は、
軸心方向に回転するようになされており、この結果、当
該ハードディスク（８）は該ハードディスク取付は部材
（９）とともに無機酸溶液（７）中で円周方向に回転す
るようになっている。これによれば、上記ハードディス
ク（８）と無機酸溶液（７）との電気化学反応がむらな
く行われる。また、上記ハードディスク取付は部材（９
）の一端部には正電極（１０）が接続され、これにより
前記ハードディスク（８）と導通するようになされてい
る。すなわち、上記ハードディスク（８）は基板（１）
がＡＮ−Ｍｇ合金により形成されているので、上記正電
極（１０）と電気的に導通が図れることになる。

次に、上記各ハードディスク（８）を挾み込むようにそ
れぞれ負電極（１１）を前記ハードディスク（８）間に
臨ませ、前記正電極（１０）と負電極（１１）間に電圧
を印加する。

なお本実施例では、１〜ＩＯＡ／ｄｍ２の電流密度を前
記正電極（１０）と負電極（１１）間に印加し、処理時
間を３〜１０分とした。

この結果、上記ハードディスク（８）と無機酸溶液（７
）とが電気化学反応（電解研磨）を起こし、上記ハード
ディスク（８）の保護膜層（４）と磁性層（３）とが確
実に上記無機酸溶液（７）により除去される。これによ
り、上記ハードディスク（８）は、基板（１）上の下地
層（２）が露出して再生され、ノ＼−ドディスク用基板
となる。また、本実施例によれば、前記保護膜層（４）
および磁性層（３）の除去ポイントを正確に把握するこ
とができる。したがって、上記保護膜層（４）および磁
性層（３）の除去ポイントを予め測定しておけば、作業
性や生産性等の向上が図れる。

ここで、上記再生されたハードディスク用基板すなわち
アルマイト処理層を下地層（２）とした場合の表面粗さ
を測定した。その結果を第３図に示す。

なお本実施例では、磁性層を形成する前のアルマイト処
理層を下地層（２）とするハードディスク用基板の表面
粗さについても同様に測定した。その結果を第４図に示
す。

上記再生処理を施したハードディスク用基板の下地層（
２）　の表面粗さは、磁性層（３）を形成する前のハー
ドディスク用基板の下地層（２）の表面粗さと略同じ値
となっている。この結果から上記保護膜層（４）および
磁性Ｎ（３）は上記下地層（２）から確実に除去され、
且つ当該下地層（２）は何ら前記無機酸溶液（７）によ
り腐食されていないことを示す。すなわち、上記再生処
理が施されたハードディスク用基板は、磁性層（３）形
成前のハードディスク用基板と略同程度の状態まで再生
されたと言える。したがって、ハードディスク用基板の
再生品の歩留りが向上し、さらにはＡｌ地までが腐食さ
れることがないので再度、下地層（２）を形成する必要
がなく生産性の向上が図れる。

また、Ｎ１−Ｐメツキ層を下地層（２）としたハードデ
ィスク用基板についても同様に表面粗さを測定した。

この結果、第５図に示す再生処理を施したハードディス
ク用基板の表面粗さは、第６図に示す磁性層（３）形成
前のハードディスク用基板の表面粗さと略同じ値が得ら
れた。すなわち、Ｎ１−Ｐメツキ層を下地層（２）とし
て形成したハードディスク用基板にあっても、やはり先
のアルマイト処理層を施したハードディスク用基板と同
様に磁性層形成前のハードディスク用基板の状態まで再
生されたと言える。したがって、本実施例の再生方法に
よれば、下地層（２）がアルマイト処理層であってもＮ
１−Ｐメツキ層であってもいずれも磁性層形成前のハー
ドディスク用基板の状態と同程度まで再生される。

尖施皿Ｉ 本実施例によりハードディスクを再生するには、以下の
ようにして行われる。

先ず、先の実施例１と同様の再生方法により保護膜層（
４）および磁性層（３）を除去する。なお、この再生方
法は先の再生方法と同じであるのでその説明は省略する
。

次に、上記保護膜層（４）および磁性層（３）が除去さ
れたハードディスク用基板を水等により水洗し前記無機
酸溶液（７）を除去する。

次いで、リン酸３５　ｍｌ　／　ｌ　、無水クロム酸２
０〜３０ｇ／ｌよりなり、浴温度が８０〜９５°Ｃの浴
中に電圧を印加することなく単に前記ハードディスク用
基板を浸漬させる。なお、上記ハードディスク用基板を
浸漬させるに当たっては、当該基板を上下動または回転
させる等の揺動操作を行うとよい。

上記リン酸や無水クロム酸等は何れも一般的に使用され
る酸であるので、安価に浴が作れ、しかも浴の管理が容
易である。本実施例では、上記ハードディスク用基板を
１０〜６０秒間上記組成からなる浴中に浸漬させた。

この結果、先のハードディスク用基板の下地層（２）上
より除去しきれなかった表面酸化物等が上記組成の浴に
より確実に除去され、安定した処理表面が得られる。し
たがって、より一層磁性層形成前のハードディスク用基
板の状態に近いハードディスク用基板が再生される。ま
た、上記再生処理後のハードディスク用基板の表面粗さ
を測定したところ、先の実施例１と同様、磁性層形成前
のハードディスク用基板の表面粗さと略同じ値が得られ
た。したがって、この再生方法によれば、何ら下地層（
２）を傷めることなく保護膜層（４）および磁性層（３
）を確実に除去することができる。

なお本実施例の再生方法は、ハードディスク用基板を再
生するのみならず、−船釣に行われている鉄やＮｉ合金
上の電解研磨にも適用することができる。

尖隻桝主 本実施例によりハードディスクを再生するには、以下の
ようにして行われる。

先ず、無機酸溶液を浴とし、該無機酸溶液が所定液面ま
で満たされた浴槽を用意する。

上記無機酸溶液は、水と硫酸とからなり、該硫酸が浴全
体の４０〜５０％である浴であって、該浴温度が５０〜
７５°Ｃのものである。

上記硫酸はやはり一般的に使用される酸であるから浴を
安価に作れ、しかも浴の管理が容易となる。また、上記
浴槽には先の実施例１のものと同様のものを使用するが
、本実施例では電圧を印加しないので第２図に示す正電
極（１０）および負電極（１１）を取り外して使用する
。したがって、本実施例では、設備の簡略化が図れると
ともに作業性の向上も図れる。

次いで、上記浴槽内に前述のハードディスク（８）を浸
漬させる。なお本実施例では、上記ハードディスク（８
）を３〜１５分浸漬させ、先の第１の実施例と同様に浴
を撹拌させた。

この結果、上記ハードディスク（８）と無機酸溶液とが
化学反応（エツチング）を起こし、上記ハードディスク
（８）の保護膜層（４）と磁性層（３）とが上記無機酸
溶液により確実に除去される。これにより、上記ハード
ディスク（８）は、基板（１）上の下地層（２）が露出
して再生されたハードディスク用基板となる。

次いで、上記ハードディスク用基板を水等により水洗し
、先の無機酸溶液等を洗い流す。

次に、水と塩酸と有機物であるグリシリンとからなり、
該塩酸が浴全体の４０〜５０％、グリシリン２０ｇ／ｊ
２である浴を用意し、該浴温度を常温度〜５０°Ｃとし
て浴槽内に所定液面となるまで満たず。

上記有機物は、何らハードディスクの下地層（２）を侵
すことないものであり、さらには毒性のないものである
。また、」１記有機物の添加量は浴全体に対して若干添
加すれば足りる。

そして、上記浴槽内に前記ハードディスク用基板を浸漬
させる。なお、上記ハードディスク用基板を浸漬させる
に当たっては、上記浴槽内で該ハードディスク用基板を
上下動または回転させる等の揺動操作を行う。

すると、先の工程で除去しきれなかった残留物や表面酸
化物等が確実に除去され、安定した処理表面が得られる
。これによれば、上記ハードディスク用基板は、より一
層磁性層形成前のハードディスク用基板と同じ状態まで
再生される。

最後に、上記ハードディスク用基板を乾燥させて水等を
除去し再生を終了する。

本実施例により再生されたハードディスク用基板の表面
粗さは、やはり先の実施例のものと同様、磁性層形成前
のハードディスク用基板の表面粗さと路間し値が得られ
た。したがって、本実施例の再生方法によれば、下地層
（２）を何ら傷めることなく保護膜層（４）および磁性
層（３）を確実に除去することができ、該ハードディス
ク用基板の再生品の歩留りが向上する。

〔発明の効果〕 以上の説明からも明らかなように、本発明のハードディ
スク用基板の再生方法によれば、ハードディスクを無機
酸溶液又は無機酸に有機物を添加した溶液に浸漬させる
ことにより、下地層を何ら傷めることなく確実に保護膜
層および磁性層を除去することができ、磁性層形成前の
ハードディスク用基板と路間−の状態まで再生すること
ができる。したがって、該ハードディスク用基板の再生
歩留りが向上し、その工業的価値は大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は再生されるハードディスクの一例を示す要部拡
大断面図である。 第２図はハードディスク用基板の再生に使用する浴槽の
一例を示す模式図である。 第３図及び第４図は下地層がアルマイト処理層であるハ
ードディスク用基板の表面粗さを示す特性図であり、第
３図は再生処理後、第４図は磁性層形成前の表面粗さを
それぞれ示す。 第５図及び第６図は下地層がＮ１−Ｐメツキ層であるハ
ードディスク用基板の表面粗さを示す特性図であり、第
５図は再生処理後、第６図は磁性層形成前の表面粗さを
それぞれ示す。 ・基板 ・下地層 ・磁性層 ・保護膜層 ・無機酸溶液 ・ハードディスク

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に下地層を介して磁性層を形成してなるハードデ
   ィスクの前記磁性層を無機酸溶液又は無機酸に有機物を
   添加した溶液により除去することを特徴とするハードデ
   ィスク用基板の再生方法。