JPS6364649A - スタンパの製造方法 - Google Patents
スタンパの製造方法Info
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- JPS6364649A JPS6364649A JP20834686A JP20834686A JPS6364649A JP S6364649 A JPS6364649 A JP S6364649A JP 20834686 A JP20834686 A JP 20834686A JP 20834686 A JP20834686 A JP 20834686A JP S6364649 A JPS6364649 A JP S6364649A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光記録媒体、光磁気記録媒体等の光情報記録媒
体用のスタンパ及びその製造方法に関する。
体用のスタンパ及びその製造方法に関する。
近年、大容量メモリーの一つとして、光メモリの研究が
活発である。
活発である。
該光メモリ用ディスク原盤の製造プロセスは、ｖスタ’
Ｊ ングプロセスと呼ばれ、日経メカニカル１９８４年
４月３日号 Ｐ７５ あるいはＮａｔｉｏｎａｌ
Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ Ｖｏｌ、２
９ Ｎｏ、５ Ｏｃｔ、１９８３ Ｐ２Ｏ３に詳
細に記されている。
Ｊ ングプロセスと呼ばれ、日経メカニカル１９８４年
４月３日号 Ｐ７５ あるいはＮａｔｉｏｎａｌ
Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ Ｖｏｌ、２
９ Ｎｏ、５ Ｏｃｔ、１９８３ Ｐ２Ｏ３に詳
細に記されている。
その基本プロセスは、ガラス原盤の研摩、レジスト塗布
、レーザカッティング、現像、導体化処理、ニッケル電
鋳の工程を経るものである。なお前記参考文献中では、
マスターを製造後凹凸パターンの反転したマザー盤を製
造し、これを基に再度電鋳によりスタンパを複製するプ
ロセスが記述されて−るが、マスターをスタンパとして
も使用上問題はなく、説明も簡略化される為、ここでは
マスターをスタンパとすることで説明する。
、レーザカッティング、現像、導体化処理、ニッケル電
鋳の工程を経るものである。なお前記参考文献中では、
マスターを製造後凹凸パターンの反転したマザー盤を製
造し、これを基に再度電鋳によりスタンパを複製するプ
ロセスが記述されて−るが、マスターをスタンパとして
も使用上問題はなく、説明も簡略化される為、ここでは
マスターをスタンパとすることで説明する。
しかし前述の従来技術では、ニッケル電鋳時に導体化処
′理を施゛したガラス原盤の、内周端部又は外周端部の
いずれか一方を負電極として電鋳を行なう、従ってガラ
ス原盤とフォトレジストの密、層性が不充分であり、こ
の為高温（５０〜６０’Ｏ）酸性浴中での電鋳工程で７
オトレジスト膜が剥離したり、一部浮きが発生する。
′理を施゛したガラス原盤の、内周端部又は外周端部の
いずれか一方を負電極として電鋳を行なう、従ってガラ
ス原盤とフォトレジストの密、層性が不充分であり、こ
の為高温（５０〜６０’Ｏ）酸性浴中での電鋳工程で７
オトレジスト膜が剥離したり、一部浮きが発生する。
その結果、スタンパにシミやキズ等の欠陥を生じ良品が
得られないという問題点を有する。
得られないという問題点を有する。
七−こて本発明は、このような問題点を解決するもので
その目的とするところは、フォトレジストとガラス原盤
の密着性を向上し、究極的にシミやキズ等の無いスタン
パ及びその製造方法を提供することにある。
その目的とするところは、フォトレジストとガラス原盤
の密着性を向上し、究極的にシミやキズ等の無いスタン
パ及びその製造方法を提供することにある。
不発明は、鏡面研摩されたガラス原盤を、シランカップ
リング剤で表面処理し、フォトレジストを塗布した後、
信号としての凹凸パターンをレーザ光の照射により形成
し、次いで導体化処理を行なった後、ニッケル電鋳を行
なうスタンパの製造において、前記導体化処理を施した
ガラス原盤の、内周端部及び外周端部を共通の負電極と
してもッケル電鋳を行なう事を特徴とする。
リング剤で表面処理し、フォトレジストを塗布した後、
信号としての凹凸パターンをレーザ光の照射により形成
し、次いで導体化処理を行なった後、ニッケル電鋳を行
なうスタンパの製造において、前記導体化処理を施した
ガラス原盤の、内周端部及び外周端部を共通の負電極と
してもッケル電鋳を行なう事を特徴とする。
以下実施例に基づき本発明について具体的に説明する。
実施例−１
鏡面研摩した直径２００ ｔｗｓ ｗ内径１０聰、厚さ
６ＩＩＩＩＩツガラス原盤なＨＭＤＳ（ヘキサメチルジ
シラサザン）の雰囲気中にさらし乾燥後、ポジ型フォト
レジストＡＺ−１３５０（米国シラプレー社＃りをスピ
ンコータで７００Ｘの厚さにコートし、レーザカッティ
ングマシンによりレーザ光を照射し、半径２３〜６３圏
の範囲に、巾α８μｍ。
６ＩＩＩＩＩツガラス原盤なＨＭＤＳ（ヘキサメチルジ
シラサザン）の雰囲気中にさらし乾燥後、ポジ型フォト
レジストＡＺ−１３５０（米国シラプレー社＃りをスピ
ンコータで７００Ｘの厚さにコートし、レーザカッティ
ングマシンによりレーザ光を照射し、半径２３〜６３圏
の範囲に、巾α８μｍ。
ピッチ１．６μｍでスパイラル状に感光させた後現像し
て、深さ７ｏｏＸ、巾ＣＬｆ３μｒｎ、ピッチ１．６μ
ｍの溝を有するガラス原盤とする。
て、深さ７ｏｏＸ、巾ＣＬｆ３μｒｎ、ピッチ１．６μ
ｍの溝を有するガラス原盤とする。
該ガラス原盤なマグネトロンスパッタ装置にセットし、
ニッケルを７ｏｏｉ直流スパツタする。
ニッケルを７ｏｏｉ直流スパツタする。
かかる導体化処理を施したガラス原盤を、スルファミン
酸ニッケル浴中で電鋳を行なう。
酸ニッケル浴中で電鋳を行なう。
第１図（α）は、この時のガラス原盤のセット状況を示
す上面図で、第１図（ｂ）は断面図である。
す上面図で、第１図（ｂ）は断面図である。
１はガラス、２は溝形成部、３はセンタービン、４は電
極板、５は押えネジ、６はガイドリング、７はリード線
である。
極板、５は押えネジ、６はガイドリング、７はリード線
である。
ガラス１にセンターピン２をセットし、電極板４及びガ
イドリング６をセットした後、押えネジ５で固定し、溝
形成部２を正極に対向し、リード線７より通電する。
イドリング６をセットした後、押えネジ５で固定し、溝
形成部２を正極に対向し、リード線７より通電する。
浴温は６０℃、ニッケル濃度は５５０ ？／１． 。
通電電流は［ＬＩＡ／ｄｊからスタートし、１０分後に
５Ａ／Ｊ、２０分後に１５Ａ／Ｊ、５０分後に３０Ａ／
−となる様直線的に増加させた。
５Ａ／Ｊ、２０分後に１５Ａ／Ｊ、５０分後に３０Ａ／
−となる様直線的に増加させた。
２時間後に厚さＣＬ５ｔｔｕｒｒのスタンパが得られ、
電鋳工程での膜浮きもなく、シミ、キズ等の無−極めて
表面状態の良好な品質であった。
電鋳工程での膜浮きもなく、シミ、キズ等の無−極めて
表面状態の良好な品質であった。
実施例−２
鏡面研摩した直径２００１１１１ ＋内径１（１＋ｍ、
厚さ６ｍのガラス原盤をＢＳＡＣビスアセトアシド）の
雰囲気中にさらし乾燥後、ざジ型フォトレジス）ＡＺ−
１３５０（米国シラプレー社製゛）をスピンコータで５
ｓｏＸの厚さにコートし、レーザカッティングマシンに
よりレーザ光を照・射し、半径２３〜６３ＩＩＩＩＩの
範囲に、巾（１８μｍ、ピッチ２．５μｍでスパイラル
状に感光させた後現像して、深さａｓａｉ、巾１８μｍ
、ピッチ２．５μｍの溝を有するガラス原盤とする。
゛ 該ガラス原盤に、無電解ニッケルメッキにより７００〜
１ｏｏｏｘのニッケル層を形成する。
厚さ６ｍのガラス原盤をＢＳＡＣビスアセトアシド）の
雰囲気中にさらし乾燥後、ざジ型フォトレジス）ＡＺ−
１３５０（米国シラプレー社製゛）をスピンコータで５
ｓｏＸの厚さにコートし、レーザカッティングマシンに
よりレーザ光を照・射し、半径２３〜６３ＩＩＩＩＩの
範囲に、巾（１８μｍ、ピッチ２．５μｍでスパイラル
状に感光させた後現像して、深さａｓａｉ、巾１８μｍ
、ピッチ２．５μｍの溝を有するガラス原盤とする。
゛ 該ガラス原盤に、無電解ニッケルメッキにより７００〜
１ｏｏｏｘのニッケル層を形成する。
かかる導体化処理を施したガラス原盤を、１５重量％の
スルファミン酸溶液で処理した後、スルファミン酸ニッ
ケル（四水和物） ５００ ｒｉｆｔ 。
スルファミン酸溶液で処理した後、スルファミン酸ニッ
ケル（四水和物） ５００ ｒｉｆｔ 。
塩化ニッケル（六水和物） ｓ ｔ７ｘ 、はう酸５０
ｆ／２．ピット防止剤α５ ｆ／ｆｔからなる浴中に、
電解ニッケルベレットを添加し電鋳を行なう。
ｆ／２．ピット防止剤α５ ｆ／ｆｔからなる浴中に、
電解ニッケルベレットを添加し電鋳を行なう。
第２図（α）は、この時のガラス原盤のセット状況を示
す上面図で、第２図（ｂ）は断面図、第２図（Ｃ）は下
面図である。
す上面図で、第２図（ｂ）は断面図、第２図（Ｃ）は下
面図である。
１１はガラス、１２は溝形成部、１３はセンタービン、
１４は電極板、１５は押えネジ、１６はクランプ、１７
はリード線である。
１４は電極板、１５は押えネジ、１６はクランプ、１７
はリード線である。
内周部はガラス１１にセンタービン１３をセットシ、電
極板１４をセットして押えネジ１５で固定する。外周部
は同じく電極板１４を、クランプ１６により固定する。
極板１４をセットして押えネジ１５で固定する。外周部
は同じく電極板１４を、クランプ１６により固定する。
溝形成１１１２を正極に対向し、リード線１７より通電
する。
する。
浴温は５０℃９通１！電流はα１Ａ／ｄｊからスタート
し、１０分後にＩＯＡ／ｄｊ、２０分後に２０Ａ／ｄｊ
、 ５０分後に５０ Ａ／ｄｊとなる様直線的に増り
口させた。
し、１０分後にＩＯＡ／ｄｊ、２０分後に２０Ａ／ｄｊ
、 ５０分後に５０ Ａ／ｄｊとなる様直線的に増り
口させた。
約２時間で厚さα３隔のスタンパが得られ、シミ、キス
等の無い極めて良好な品質であった。
等の無い極めて良好な品質であった。
実施例−３
鏡面研摩した直径２００ ＋ｍ 、内径１０ ｔｍ 、
厚さ６臘のガラス原盤をＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラ
サザン）のボイリング蒸気中にさらし乾燥後、ポジ型フ
ォトレジストＡＺ−１５５０（米国シラプレー社製）を
スピンコータで７５０人の厚さにコートし、レーザカッ
ティングマシンによりレーザ光を照射し、半径２３〜６
５ｒｒｍの範囲に、巾α８μｍ、ピッチ１．６μｍでス
パイラル状に感光させた後現像して、深さ７５０Ｘ、巾
α８μｍ。
厚さ６臘のガラス原盤をＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラ
サザン）のボイリング蒸気中にさらし乾燥後、ポジ型フ
ォトレジストＡＺ−１５５０（米国シラプレー社製）を
スピンコータで７５０人の厚さにコートし、レーザカッ
ティングマシンによりレーザ光を照射し、半径２３〜６
５ｒｒｍの範囲に、巾α８μｍ、ピッチ１．６μｍでス
パイラル状に感光させた後現像して、深さ７５０Ｘ、巾
α８μｍ。
ピッチ１．６μｍの溝を有するガラス原盤とする。
該ガラス原盤を真空蒸着装置にセットし、クロムを１０
〜ｓｏＸ成膜した後、ニッケルを７００又・成膜する。
〜ｓｏＸ成膜した後、ニッケルを７００又・成膜する。
かかる導体化処理を施したガラス原盤を、２０重量％の
スルファミン酸溶液で処理した後、スルファミン酸ニッ
ケル（四水和物）ａ５ｏｙ／Ｘ。
スルファミン酸溶液で処理した後、スルファミン酸ニッ
ケル（四水和物）ａ５ｏｙ／Ｘ。
塩化ニッケル（六水和物） ７ ？／ｆｌ 、はう酸３
５１／１．ビット防止剤０．５？／λからなる浴中に、
電解ニッケルペレットを添加しｉａ鋳を行なう。
５１／１．ビット防止剤０．５？／λからなる浴中に、
電解ニッケルペレットを添加しｉａ鋳を行なう。
ガラス原盤のセットは実施例１と同様に行ない浴温は５
５℃２通電電流はＱ、ＩＡ／−からスタートし、２０分
後に１５Ａ／Ｊ、４０分後に３０Ａ／−となる様直線的
に増加させた。
５℃２通電電流はＱ、ＩＡ／−からスタートし、２０分
後に１５Ａ／Ｊ、４０分後に３０Ａ／−となる様直線的
に増加させた。
約２時間で厚さ０ＬＳＨのスタンパが得られ、シミ、キ
ズ等の無い極めて良好な品質であった。
ズ等の無い極めて良好な品質であった。
かくして得られた実施例１〜３のスタンパを、ｉ径５．
２５インチ、厚さ１．２閣のポリカーボネート樹脂のデ
ィスクの射出成形に使用したところ、いずれのスタンパ
も５００シヨツト目と５０００シヨツト目、更にｉ ｏ
ｏｏｏシ１ット目のディスクにおいて、溝形状に殆んど
有意差はなく、良好な表面状、報を示した。
２５インチ、厚さ１．２閣のポリカーボネート樹脂のデ
ィスクの射出成形に使用したところ、いずれのスタンパ
も５００シヨツト目と５０００シヨツト目、更にｉ ｏ
ｏｏｏシ１ット目のディスクにおいて、溝形状に殆んど
有意差はなく、良好な表面状、報を示した。
〔発明の効果〕
以上詳述した如く、本発明によれば、鏡面研摩されたガ
ラス原盤を、シランカップリング剤で表面処理し、フォ
トレジストを塗布した後、信号としての凹凸パターンを
レーザ光の照射により形成し、次いで導体化処理を行な
った後、ニッケル電鋳を行なうスタンパの製造において
、前記導体化処理を施したガラス原盤の、内周端部及び
外周端部を共通の負電極としてニッケル電鋳を行なう事
により、表面にシミやキズの無いスタンパが得られ、光
情報記録媒体用サブストレートの品質向上に顕著な効果
を有する。
ラス原盤を、シランカップリング剤で表面処理し、フォ
トレジストを塗布した後、信号としての凹凸パターンを
レーザ光の照射により形成し、次いで導体化処理を行な
った後、ニッケル電鋳を行なうスタンパの製造において
、前記導体化処理を施したガラス原盤の、内周端部及び
外周端部を共通の負電極としてニッケル電鋳を行なう事
により、表面にシミやキズの無いスタンパが得られ、光
情報記録媒体用サブストレートの品質向上に顕著な効果
を有する。
又、スタンパの厚さの均一性が高く、内部欠陥が少ない
為、前記サブストレートの射出成形時、スタンパ一枚当
シの平均射出処理量が多いという効果をも有する。
為、前記サブストレートの射出成形時、スタンパ一枚当
シの平均射出処理量が多いという効果をも有する。
なお本発明の基本的な主旨は、導体化処理を施したガラ
ス原盤の、内周端部及び外周端部を共通の負電極として
ニッケル電鋳を行なう工程にありその前後の工程に依存
しない。
ス原盤の、内周端部及び外周端部を共通の負電極として
ニッケル電鋳を行なう工程にありその前後の工程に依存
しない。
従って、実施例中では、シランカップリング剤としてＨ
ＭＤＳ 、ＢＳＡの場合を例にあげて説明したが、他の
シランカップリング剤でも可能であり、フォトレジスト
としてはざジ型のＡＺ−１３５０を例にあげて説明した
が、他のポジ型フォトレジスト、あるいはネガ型フォト
レジストでも可能である。
ＭＤＳ 、ＢＳＡの場合を例にあげて説明したが、他の
シランカップリング剤でも可能であり、フォトレジスト
としてはざジ型のＡＺ−１３５０を例にあげて説明した
が、他のポジ型フォトレジスト、あるいはネガ型フォト
レジストでも可能である。
又、ニッケル電鋳の条件は、本実施例の浴組成浴温、通
電条件以外でも充分その効果が発揮され良好なスタンパ
が得られた。
電条件以外でも充分その効果が発揮され良好なスタンパ
が得られた。
第１図（αン及びＣｂ）は本発明の実施例における、導
体化処理済のガラス原盤に電鋳を行なう時のガラス原盤
のセット状況を示す上面図及び断面図。 第２図（α）及び（ｂ）は本発明の他の実施例における
、導体化処理済のガラろＷ、盤に電鋳を行なう時のガラ
ス原盤のセット状況を示す上面図及び断面図。 以上 勇 １ 図 （（１） 名 １ 図 （ｂ）
体化処理済のガラス原盤に電鋳を行なう時のガラス原盤
のセット状況を示す上面図及び断面図。 第２図（α）及び（ｂ）は本発明の他の実施例における
、導体化処理済のガラろＷ、盤に電鋳を行なう時のガラ
ス原盤のセット状況を示す上面図及び断面図。 以上 勇 １ 図 （（１） 名 １ 図 （ｂ）
Claims (1)
- 鏡面研摩されたガラス原盤を、シランカップリング剤で
表面処理し、フォトレジストを塗布した後、信号として
の凹凸パターンをレーザ光の照射により形成し、次いで
導体化処理を行なった後、ニッケル電鋳を行なうスタン
パの製造方法において、前記導体化処理を施したガラス
原盤の、内周端部及び外周端部を共通の負電極としてニ
ッケル電鋳を行なう事を特徴とするスタンパの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20834686A JPS6364649A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20834686A JPS6364649A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6364649A true JPS6364649A (ja) | 1988-03-23 |
Family
ID=16554753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20834686A Pending JPS6364649A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6364649A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028393A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-11 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体用金属原盤の製造方法 |
| JPH031968U (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-10 | ||
| JP2015197948A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 株式会社Ｇｓユアサ | 放電ランプ及びこの放電ランプを用いた光照射装置 |
-
1986
- 1986-09-04 JP JP20834686A patent/JPS6364649A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028393A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-11 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体用金属原盤の製造方法 |
| JPH031968U (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-10 | ||
| JP2015197948A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 株式会社Ｇｓユアサ | 放電ランプ及びこの放電ランプを用いた光照射装置 |
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