JPH024055B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気ギヤツプの形成法に関するもので
ある。

従来例の構成とその問題点 磁気ヘツドの分野において、その磁気ギヤツプ
を再現性よくかつ生産性よく形成することが強く
望まれており、近年そのスペーサ薄膜をスパツタ
蒸着法で形成することが広く行なわれるようにな
つている。このような方法で薄膜を形成する場
合、その膜厚をモニタする必要がある。

従来蒸着膜の蒸着中の膜厚モニタは例えば水晶
共振子上に蒸着膜を付着させ、蒸着膜の付着によ
る共振周波数の変化から求めたり、あるいは被膜
を付着すべき基板上に光を導き、基板面及びこの
基板に付着した薄膜表面からの反射する上記光の
相互干渉強度から求めたりしていた。

第１図は従来の光相互干渉を用いたスパツタ蒸
着装置と膜厚モニタ装置の要部を示し、１はター
ゲツト電極、２はこのターゲツト電極１を取り囲
む基板ホールダ、６はスパツタ装置基台を示す。
蒸着すべき基板３は基板ホールダ２上に保持す
る。この場合、上記基板ホールダ２に光導入孔４
を設け、この光導入孔４を介して光線５を外部か
ら導入し、基板３の表面に導く。基板３表面から
反射した光は再び上記光導入孔４を通して外部に
導出し、この反射光の強度の時間的変化を蒸着中
に観測すると、例えば第２図のごとき振動特性が
得られ、この振動の周期より蒸着膜の蒸着中の膜
厚が得られる。第２図において、ｎは蒸着膜にお
ける光の屈折率、λは導入光線の光の波長を示
す。この種の膜厚モニタ装置は、透明な蒸着膜の
膜厚モニタ用として有効であるが、導入孔付近で
は蒸着膜の膜厚分布が大きくなり、均一な膜厚の
被膜を基板上に形成するには導入孔近くには基板
を配置できなく、そのため基板の加工数が減少す
るという欠点があつた。特に磁気ヘツドの磁気ギ
ヤツプをスペーサ薄膜で形成する場合、極めて均
一な膜厚分布が要求され、上記欠点の解決が要望
されている。

発明の目的 本発明は上記従来の欠点を解消するもので、均
一なギヤツプ長を有する磁気ギヤツプを、再現性
よくかつ生産性よく形成することのできる磁気ギ
ヤツプの形成法を提供することを目的とする。

発明の構成 上記目的を達成するため、本発明の１対の高透
磁率磁性体の少なくとも一方の表面に低透磁率物
質のガラス薄層を沈着させ、前記１対の高透磁率
磁性体を前記低透磁率物質のガラス薄層を介して
接合して磁気ヘツドの磁気ギヤツプを形成するに
際して、前記ガラス薄層の沈着方法として、少な
くともターゲツト電極と、前記ターゲツト電極を
取り囲み内面に高透磁率の基板が配置される基板
ホールダとを用いるスパツタ蒸着法を用い、かつ
前記基板ホールダに光導入孔を設け、前記光導入
孔に導電性の透明ガラスを挿入して設け、少なく
ともスパツタ蒸着時に光導入孔から導入した光を
前記基板表面に導き、前記基板表面及びこの基板
に付着したガラス薄層表面から反射する前記光の
相互干渉強度から前記ガラス薄層の膜厚をモニタ
するものである。

実施例の説明 以下、本発明の一実施例について、図面に基づ
いて説明する。

即ち本発明は前記第１図に示す装置において、
磁気ヘツドの磁気ギヤツプを形成するに際して、
第３図に示すように基板ホールダ２１の光導入孔
２２の存在による膜厚分布の発生を、該光導入孔
２２に導電性のガラス２３を取り付けることによ
り防止し、基板ホールダ２１への基板の充填数を
増加させるようにしたものである。この場合導電
性のガラス２３として表面が透明導電膜で被膜さ
れた透明ガラス板を用いることができる。又光導
入孔２２を通る光線２４としてはHe―Neレーザ
光が実用的である。以上のように光導入孔２２に
導電性のガラス２３を取り付けることにより第４
図に示すような特性を得ることができる。第４図
は直径10cmの円筒型基板ホールダに直径10mmの光
導入孔を設けたときの光導入孔付近の膜厚分布を
示し、(イ)は空間光導入孔を用いた従来例、(ロ)は本
発明にかかる導電性ガラスを光導入孔に挿入して
取り付けた場合を示す。光導入孔付近の膜厚分布
は本発明によつて皆無になることが確認される。
膜厚分布が減少することの理由は主として光導入
孔付近の電界の乱れが導電性ガラスの存在により
減少し、均一なスパツタリング放電が保持される
ためと考えられる。

ところでこのスパツタ蒸着法は磁気ヘツド、例
えばビデオ信号高精度磁気ヘツドの形成に用いる
磁気ギヤツプの加工に有効である。第５図〜第７
図を用いてより具体的に説明する。第５図におい
て１対の例えばフエライト等の高透磁率磁性体３
１，３１の少なくとも一方の表面３２，３２に、
第６図に示すように低透磁率物質のガラス、例え
ば硼硅酸ガラスの薄層３３，３３を厚さ例えば
0.3μｍで上述のように膜厚をモニタしながら付着
する。この場合、膜厚精度は50Å〜100Å以下に
する。これら１対の高透磁率磁性体３１，３１同
士を上記ガラス薄層３３，３３を介して接合し、
これらをスライスして第７図に示すような磁気ギ
ヤツプ３４を有する磁気コアを形成する。通常こ
れにコイル３５を巻き、磁気ヘツドを形成する。
この場合、磁気ギヤツプ３４の幅はほぼガラス薄
層３３，３３の厚みに相当し、サブミクロン範囲
である。又加工精度は50Å〜100Å以下を要求さ
れるから、膜厚分布も３％以下を要求される。従
来の技術はこれらの精度を満足した量産技術とし
ては不充分であるが、上記スパツタ蒸着法ではこ
れが可能になる。

発明の効果 以上説明したように本発明によれば、寸法精度
の高いギヤツプを有する磁気ヘツドの磁気ギヤツ
プを再現性よくかつ生産性よく形成することがで
き、その工業的利用価値は極めて大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例を示す断面図、第２図は従来例
の特性図、第３図は本発明の基本実施例を示す要
部断面図、第４図は本発明の特性図、第５図〜第
７図は本発明の具体実施例における磁気ヘツドの
製造順序を示す説明図である。 ２１…基本ホールダ、２２…光導入孔、２３…
導電性ガラス、２４…光線、３１…高透磁率磁性
体、３２…表面、３３…ガラス薄層、３４…磁気
ギヤツプ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ １対の高透磁率磁性体の少なくとも一方の表
   面に低透磁率物質のガラス薄層を沈着させ、前記
   １対の高透磁率磁性体を前記低透磁率物質のガラ
   ス薄層を介して接合して磁気ヘツドの磁気ギヤツ
   プを形成するに際して、前記ガラス薄層の沈着方
   法として、少なくともターゲツト電極と、前記タ
   ーゲツト電極を取り囲み内面に高透磁率の基板が
   配置される基板ホールダとを用いるスパツタ蒸着
   法を用い、かつ前記基板ホールダに光導入孔を設
   け、前記光導入孔に導電性の透明ガラスを挿入し
   て設け、少なくともスパツタ蒸着時に光導入孔か
   ら導入した光を前記基板表面に導き、前記基板表
   面及びこの基板に付着したガラス薄層表面から反
   射する前記光の相互干渉強度から前記ガラス薄層
   の膜厚をモニタすることを特徴とする磁気ギヤツ
   プの形成法。 ２ 膜厚モニタに用いる光としてHe―Neレーザ
   を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の磁気ギヤツプの形成法。 ３ 導電性の透明ガラスとして表面を透明導電膜
   で被覆された透明ガラス板を用いることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の磁気ギヤツプの
   形成法。