JPS5929112B2 - スパッタ蒸着法 - Google Patents
スパッタ蒸着法Info
- Publication number
- JPS5929112B2 JPS5929112B2 JP10598980A JP10598980A JPS5929112B2 JP S5929112 B2 JPS5929112 B2 JP S5929112B2 JP 10598980 A JP10598980 A JP 10598980A JP 10598980 A JP10598980 A JP 10598980A JP S5929112 B2 JPS5929112 B2 JP S5929112B2
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- JP
- Japan
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- light
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- sputter deposition
- introduction hole
- deposition method
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- Expired
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/547—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパッタ蒸着法に関するもので、透明なスパッ
タ蒸着膜を均一な膜厚分布で形成することのできる方法
を提供することを目的とする。
タ蒸着膜を均一な膜厚分布で形成することのできる方法
を提供することを目的とする。
従来蒸着膜の蒸着中の膜厚モニタは例えば水晶共振子上
に蒸着膜を付着させ、蒸着膜の付着による共振周波数の
変化から述めたり、あるいは被膜を付着すべき基板上に
光を導き、基板面及びこの基板に付着した薄膜表面から
の反射する上記光の相互干渉強度から求めたりしていた
。第１図は従来の光相互干渉を用いたスパッタ蒸着装置
と膜厚モニタ装置の要部を示し、１はターゲット電極、
２はこのターゲット電極１を取り囲む基板ホールダ、６
はスパッタ装置基台を示す。
に蒸着膜を付着させ、蒸着膜の付着による共振周波数の
変化から述めたり、あるいは被膜を付着すべき基板上に
光を導き、基板面及びこの基板に付着した薄膜表面から
の反射する上記光の相互干渉強度から求めたりしていた
。第１図は従来の光相互干渉を用いたスパッタ蒸着装置
と膜厚モニタ装置の要部を示し、１はターゲット電極、
２はこのターゲット電極１を取り囲む基板ホールダ、６
はスパッタ装置基台を示す。
蒸着すべき基板３は基板ホールダ２上に保持する。この
場合、上記基板ホールダ２に光導入孔４を設け、この光
導入孔４を介して光線５を外部から導入し、基板３の表
面に導く、基板３表面から反射した光は再び上記光導入
孔４を通して外部に導出し、この反射光の強度の時間的
変化を蒸着中に観測すると、例えば第２図のごとき振動
特性が得られ、この振動の周期より蒸着膜の蒸着中の膜
厚が得られる。第２図において、ｎは蒸着膜における光
の屈折率、λは導入光線の光の波長を示す。この種の膜
厚モニタ装置は、透明な蒸着膜の膜厚モニタ用として有
効であるが、導入孔付近では蒸着膜の膜厚分布が大きく
なり、均一な膜厚の被膜を基板上に形成するには導入孔
近くには基板を配置できなく、そのため基板の加工数が
減少するという欠点があつた。本発明は斯かる問題に対
処すべく為されたもので、以下本発明を実施例を示す図
面に基づいて説明する。
場合、上記基板ホールダ２に光導入孔４を設け、この光
導入孔４を介して光線５を外部から導入し、基板３の表
面に導く、基板３表面から反射した光は再び上記光導入
孔４を通して外部に導出し、この反射光の強度の時間的
変化を蒸着中に観測すると、例えば第２図のごとき振動
特性が得られ、この振動の周期より蒸着膜の蒸着中の膜
厚が得られる。第２図において、ｎは蒸着膜における光
の屈折率、λは導入光線の光の波長を示す。この種の膜
厚モニタ装置は、透明な蒸着膜の膜厚モニタ用として有
効であるが、導入孔付近では蒸着膜の膜厚分布が大きく
なり、均一な膜厚の被膜を基板上に形成するには導入孔
近くには基板を配置できなく、そのため基板の加工数が
減少するという欠点があつた。本発明は斯かる問題に対
処すべく為されたもので、以下本発明を実施例を示す図
面に基づいて説明する。
即ち本発明は前記第１図に示す装置において、第３図に
示すように基板ホールダ２１の光導入孔２２の存在によ
る膜厚分布の発生を、該光導入孔２２に導電性のガラス
２３を取り付けることにより防止し、基板ホールダ２１
への基板の充填数を増加させるようにしたものである。
この場合導電性のガラス２３として表面が透明導電膜で
被膜された透明ガラス板を用いることができる。又光導
入孔２２を通る光線２４としてはＨｅ−Ｎｅレーザが実
用的である。以上のように光導入孔２２に導電性のガラ
ス２３を取り付けることにより第４図に示すような特性
を得ることができる。第４図は直径１０？の円筒型基板
ホールダに直径１０ｍｍの光導入孔を設けたときの光導
入孔付近の膜厚分布を示し、（イ）は空間光導入孔を用
いた従来例、（口）は本発明にかかる導電性ガラスを光
導入孔に挿入して取り付けた場合を示す。光導入孔付近
の膜厚分布は本発明によつて皆無になることが確認され
る。膜厚分布が減少することの理由は主として光導入孔
付近の電界の乱れが導電性ガラスの存在により減少し、
均一なスパツタリング放電が保持されるためと考えられ
る。ところで本発明のスパツタ蒸着法は磁気ヘツド、例
えばビデオ信号用高精度磁気ヘツドの磁気ギヤツプの形
成に有用である。
示すように基板ホールダ２１の光導入孔２２の存在によ
る膜厚分布の発生を、該光導入孔２２に導電性のガラス
２３を取り付けることにより防止し、基板ホールダ２１
への基板の充填数を増加させるようにしたものである。
この場合導電性のガラス２３として表面が透明導電膜で
被膜された透明ガラス板を用いることができる。又光導
入孔２２を通る光線２４としてはＨｅ−Ｎｅレーザが実
用的である。以上のように光導入孔２２に導電性のガラ
ス２３を取り付けることにより第４図に示すような特性
を得ることができる。第４図は直径１０？の円筒型基板
ホールダに直径１０ｍｍの光導入孔を設けたときの光導
入孔付近の膜厚分布を示し、（イ）は空間光導入孔を用
いた従来例、（口）は本発明にかかる導電性ガラスを光
導入孔に挿入して取り付けた場合を示す。光導入孔付近
の膜厚分布は本発明によつて皆無になることが確認され
る。膜厚分布が減少することの理由は主として光導入孔
付近の電界の乱れが導電性ガラスの存在により減少し、
均一なスパツタリング放電が保持されるためと考えられ
る。ところで本発明のスパツタ蒸着法は磁気ヘツド、例
えばビデオ信号用高精度磁気ヘツドの磁気ギヤツプの形
成に有用である。
第５図〜第７図に示す具体実施例について説明する。第
５図において１対の例えばフエライト等の高透磁率磁性
体３１，３１の少なくとも一方の表面３２，３２に、第
６図に示すように低透磁率物質のガラス、例えば硼硅酸
ガラスの薄層３３，３３を厚さ例えば０，３μｍで上述
のように膜厚をモニタしながら付着する。この場合、膜
厚精度は５０人〜１００Å以下にする。これら１対の高
透磁率磁性体３１，３１同士を上記ガラス薄層３３，３
３を介して接合し、これらをスライスして第７図に示す
ような磁気ギヤツプ３４を有する磁気コアを形成する。
通常これにコイル３５を巻き、磁気ヘツドを形成する。
この場合、磁気ギヤツプ３４の幅はほぼガラス薄層３３
，３３の厚みに相当し、サブミクロン範囲である。又加
工精度は５０λ〜１００λ以下を要求されるから、膜厚
分布も３％以下を要求される。従来の技術はこれらの精
度を満足した量産技術としては不充分であるが、本発明
のスパツタ蒸着法ではこれが可能になる。以上説明した
ように本発明によれば、光導入孔に導電性の透明ガラス
を挿入するようにしたので、光導入孔付近の電界の乱れ
を除去でき、光導入孔付近の膜厚分布を改善できる。
５図において１対の例えばフエライト等の高透磁率磁性
体３１，３１の少なくとも一方の表面３２，３２に、第
６図に示すように低透磁率物質のガラス、例えば硼硅酸
ガラスの薄層３３，３３を厚さ例えば０，３μｍで上述
のように膜厚をモニタしながら付着する。この場合、膜
厚精度は５０人〜１００Å以下にする。これら１対の高
透磁率磁性体３１，３１同士を上記ガラス薄層３３，３
３を介して接合し、これらをスライスして第７図に示す
ような磁気ギヤツプ３４を有する磁気コアを形成する。
通常これにコイル３５を巻き、磁気ヘツドを形成する。
この場合、磁気ギヤツプ３４の幅はほぼガラス薄層３３
，３３の厚みに相当し、サブミクロン範囲である。又加
工精度は５０λ〜１００λ以下を要求されるから、膜厚
分布も３％以下を要求される。従来の技術はこれらの精
度を満足した量産技術としては不充分であるが、本発明
のスパツタ蒸着法ではこれが可能になる。以上説明した
ように本発明によれば、光導入孔に導電性の透明ガラス
を挿入するようにしたので、光導入孔付近の電界の乱れ
を除去でき、光導入孔付近の膜厚分布を改善できる。
したがつて、透明なスパツタ蒸着膜を極めて高精度に均
一な膜厚分布で形成でき、その工業的利用価値は極めて
大である。
一な膜厚分布で形成でき、その工業的利用価値は極めて
大である。
第１図は従来例を示す断面図、第２図は従来例の特性図
、第３図は本発明の基本実施例を示す要部断面図、第４
図は本発明の特性図、第５図〜第７図は本発明の具体実
施例における磁気ヘツドの製造順序を示す説明図である
。 ２１・・・・・・基本ホールダ、２２・・・・・・光導
入孔、２３・・・・・・導電性ガラス、２４・・・・・
・光線、３１・・・・・・高透磁率磁性体、３２・・・
・・・表面、３３・・・・・・ガラス薄層、３４・・・
・・・磁気ギヤツプ。
、第３図は本発明の基本実施例を示す要部断面図、第４
図は本発明の特性図、第５図〜第７図は本発明の具体実
施例における磁気ヘツドの製造順序を示す説明図である
。 ２１・・・・・・基本ホールダ、２２・・・・・・光導
入孔、２３・・・・・・導電性ガラス、２４・・・・・
・光線、３１・・・・・・高透磁率磁性体、３２・・・
・・・表面、３３・・・・・・ガラス薄層、３４・・・
・・・磁気ギヤツプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくともターゲット電極と、前記ターゲット電極
を取り囲み内面に基板が配置される基板ホールダとを用
いるスパッタ蒸着法において、前記基板ホールダに光導
入孔を設け、前記光導入孔に導電性の透明ガラスを挿入
して設け、スパッタ蒸着中に前記光導入孔から導入した
光を前記基板表面に導き、前記基板表面及びこの基板に
付着した薄膜表面から反射する前記光の相互干渉強度か
らスパッタ蒸着膜の膜厚をモニタすることを特徴とする
スパッタ蒸着法。 ２ 膜厚モニタに用いる光としてＨｅ−Ｎｅレーザを用
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のスパ
ッタ蒸着法。 ３ 導電性の透明ガラスとして表面を透明導電膜で被覆
された透明ガラス板を用いることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のスパッタ蒸着法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10598980A JPS5929112B2 (ja) | 1980-07-31 | 1980-07-31 | スパッタ蒸着法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10598980A JPS5929112B2 (ja) | 1980-07-31 | 1980-07-31 | スパッタ蒸着法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59010581A Division JPS59139125A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 磁気ギャップの形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5732369A JPS5732369A (en) | 1982-02-22 |
| JPS5929112B2 true JPS5929112B2 (ja) | 1984-07-18 |
Family
ID=14422131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10598980A Expired JPS5929112B2 (ja) | 1980-07-31 | 1980-07-31 | スパッタ蒸着法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5929112B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617914U (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-18 | ヤンマー農機株式会社 | 直播機における施肥播種装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61294618A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-25 | Toshiba Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
-
1980
- 1980-07-31 JP JP10598980A patent/JPS5929112B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617914U (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-18 | ヤンマー農機株式会社 | 直播機における施肥播種装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5732369A (en) | 1982-02-22 |
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