JPH024237U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH024237U JPH024237U JP8271288U JP8271288U JPH024237U JP H024237 U JPH024237 U JP H024237U JP 8271288 U JP8271288 U JP 8271288U JP 8271288 U JP8271288 U JP 8271288U JP H024237 U JPH024237 U JP H024237U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dry etching
- electrode
- etching device
- semiconductor substrate
- thermocouple
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図および第２図はそれぞれ本考案の実施例
を説明するための断面図である。 尚、図において、１……熱電対、２……温調器
、３……電極、４……排気口、５……真空チヤン
バー、６……半導体基板、７……対向電極、８…
…真空チヤンバー、９……対向上部電極、１０…
…熱電体、１１……ガス温調器、１２……シーケ
ンサー、１３……下部電極、１４……半導体基板
、である。
を説明するための断面図である。 尚、図において、１……熱電対、２……温調器
、３……電極、４……排気口、５……真空チヤン
バー、６……半導体基板、７……対向電極、８…
…真空チヤンバー、９……対向上部電極、１０…
…熱電体、１１……ガス温調器、１２……シーケ
ンサー、１３……下部電極、１４……半導体基板
、である。
Claims (1)
- 高真空を維持するための排気管と高周波電力を
印加する電極を設けたチヤンバー内に導入管より
ガスを供給したプラズマを発生させて半導体基板
表面の薄膜をエツチングするドライエツチング装
置において、該半導体基板を支持する電極表面近
傍に温測用熱電対を設置したことを特徴とするド
ライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8271288U JPH024237U (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8271288U JPH024237U (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH024237U true JPH024237U (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=31307455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8271288U Pending JPH024237U (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH024237U (ja) |
-
1988
- 1988-06-21 JP JP8271288U patent/JPH024237U/ja active Pending