JPH0243335B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ 産業上の利用分野 本発明は、半導体技術で使用されるマスクを除
去するための装置に関するものである。

Ｂ 従来技術 シリコン・ウエーハの製造において、はんだ接
点のパターンを形成するために通常接点マスクが
使用される。ウエーハ上にはんだ（tin lead）接
点を形成するためには、ウエーハにマスクをか
け、マスクとウエーハの複合物を、はんだ蒸気室
内に露出する。はんだはマスクの穴を通してウエ
ーハ上に蒸着し、マスクの穴のパターンどおりの
はんだ接点を形成する。

この工程の結果、はんだはマスクとウエーハを
接着する。はんだはマスクとウエーハの相対する
表面を部分的に覆い、その程度はマスクのパター
ンによる。マスクをウエーハから除去するには、
従来は手でウエーハからマスクをはがす方法が用
いられていた。

ウエーハからマスクを手ではがす方法は、作業
員に頼る方法であり、管理された均一な、しかも
再現性のある結果を得るのは容易でない。この手
を用いる方法による収率の問題は主として、作業
員がウエーハからマスクをはがす際、マスクもし
くはウエーハ、またはその両方に損傷を与えるこ
とが原因である。この損傷によりウエーハの収率
が低下し、さらに、通常は洗浄して再使用するマ
スクが損傷し、再使用できなくなるため、最終製
品のコストが上昇する。

ウエーハの収率を上げ、マスクの再使用を増大
させるためには、作業員の細心の注意が必要とな
る。このため作業時間、人件費および作業員の訓
練費が増大する。さらに、作業員の細心の注意に
もかかわらず、結果の十分な改善は保証されな
い。このように、はんだを蒸着したウエーハから
マスクを除去する従来の方法では、収率が低下
し、コストおよび作業時間が増大する。

Ｃ 発明が解決しようとする問題点 本発明の主目的は、マスクまたはウエーハを損
傷することなく、ウエーハからマスクを除去する
手段を提供することにある。

本発明の他の目的は、作業員に頼らない、ウエ
ーハからマスクを除去する手段を提供することに
ある。

本発明の他の目的は、ウエーハからマスクを除
去するための、管理された均一な、再現性のある
方法を提供することにある。

Ｄ 問題点を解決するための手段 本発明によるマスク除去装置は、接着された半
導体ウエーハの外縁からはみ出たマスクを均一に
繰返し除去する。本装置は、真空室を有するベー
スと、同ベースの上面に設けた真空チヤツクと、
真空室と真空源とを分離する真空バルブと、マス
クに向つて上方に伸びる垂直ピンを有するマスク
排出装置と、始動レバーを有する。

作業中は、接着したマスクとウエーハの複合品
をベースの上面に置いた後、レバーを用いて真空
バルブを開く。このレバーは同時にマスク排出装
置のプレートを引上げ、垂直ピンをマスクに接触
させ、マスクをウエーハの上面から引離す力を与
える。レバーをゆるめると、真空バルブが閉じ、
ウエーハは装置から除去される。次に新しいマス
クとウエーハの複合品をベースの表面に置き、分
離工程が繰返される。

Ｅ 実施例 本発明の実施例を、第１図および第２図に示す
例を用いて説明する。第１図および第２図で、マ
スク除去装置１０は、真空室を有するベース２２
を含む。真空室２６はベース２２の表面上に開口
している。

好ましい形態では、真空チヤツク２３が、従来
の手段によつて前記ベース２２の上面に取付けら
れている。この真空チヤツク２３はまた、前記真
空室２６に接続されており、真空室が真空になる
と、真空チヤツクが半導体ウエーハ１２等の工作
物を、所定の位置に保持できるようになる。真空
チヤツクの目的は真空を広い範囲に拡げるため
で、これによりウエーハに伝達される応力が減少
する。本発明の代替実施例では、工作物ホルダと
して、真空チヤツクに代る手段も使用することが
できる。かかる工作物ホルダの例として、電磁弁
で始動、停止を行う従来の機械式クランプがあ
る。真空チヤツク２３の上面の周囲には、真空シ
ール１３が置かれている。このシールには通常Ｏ
リング、角リング、または従来の弾力性シールが
用いられる。作業中はウエーハ１２はシール１３
上に置かれ、ウエーハに伝達される機械的応力を
最小にする。

本実施例では、真空ライン２１が、真空源（図
示されていない）を真空室２６に接続している。
真空室２６と真空ライン２１との間には、真空バ
ルブ２０が置かれている。好ましい形態の真空バ
ルブは、バイアス・スプリング１４により常時閉
の状態に保たれている垂直真空バルブ２０であ
る。第１図では、バイアス・スプリング１４およ
びバルブ２０は、常時閉の位置にあり、第２図で
は、バイアス・スプリング１４およびバルブ２０
は開の位置にある。

真空バルブは電磁弁またはスイツチ等の従来の
方法により始動、停止を行うことができる。好ま
しい始動の手段はピボツト・ピン１７により、ベ
ース２２に適切に取付けたレバー１６である。ピ
ボツト・ピンはシヨルダ・スクリユー、ボルト、
その他の周知の支持用金具でよく、レバー・アー
ムの支点として作用する。

レバー１６は垂直バルブ２０と噛合う端部２４
を有する。レバー１６に力を加えて、ピボツト・
ピン１７を中心に回転させると、レバー１６の端
部２４は、常時閉の真空バルブ２０を開く。

レバー１６はバルブ２０に噛合うと同時に、排
出装置２７の水平プレート１９とも噛合い、プレ
ート１９に上向きの力を加える。水平プレート１
９の周囲には複数の垂直延長部１８が取付けられ
ている。この好ましい形態は４本の垂直ピン１８
である。各ピンはプレート１９の中心から、ウエ
ーハ１２の半径より大きく、マスク１１の半径よ
りは小さい距離だけ離して設けられている。これ
により、水平プレート１９がレバー１６の端部２
４によつて引上げられるとピン１８がマスク１１
の周縁部に接触する。ピン１８の間隔をこのよう
にするのは、マスク１１がウエーハ１２の縁部か
ら張り出しているためで、ピンをこのような間隔
で設けるとピンが確実にマスクに接触する。

代替例では、第３図に示すように突起部２５を
有するプレート１９を使用する。各突起部２５に
は、垂直ピンが取付けられている。プレート１９
の中心とピンとの間隔は、ウエーハ１２の半径よ
り大きく、マスク１１の半径より小さい。水平プ
レート１９から延びた垂直延長部１８の連続バン
ド等の、他の代替例も考えることができる。

Ｆ 作用 上記のマスク除去装置１０の作用は次のとおり
である。第１図は、マスク除去装置の最初の位置
を示す。ウエーハ１２およびマスク１１の複合品
をウエーハ１２が真空チヤツク１５の表面と接触
するように置く。この時点ではウエーハ１２は、
すずおよび鉛のはんだ等でマスク１１と接着して
いる。はんだはウエーハ１２とマスク１１の相対
する表面の間に分布している。はんだの形状はマ
スクのパターンと同じである。

マスクとウエーハの複合物をシール１３の上に
置いた後、レバー１６に力を加えてマスク除去装
置１０を始動させる。レバー１６を押すと、第２
図に示すように、端部２４が上方に動いてバルブ
２０を常時閉の位置から上方に移動して、真空室
２６に通じる通路を形成する。その通路が形成さ
れると、真空ライン２１中の真空は真空チヤツク
２３内に及び、真空チヤツク２３の上面１５の周
囲のシール１３上にあるマスクとウエーハの複合
物を吸着する。ウエーハ１２はこのようにしてシ
ール１３と接触し、所定の位置に固定される。

レバーの縁部２４は、プレート１９も引上げ
る。このようにして、排出装置２７のプレート１
９は、ウエーハ１２が所定の位置に固定されると
同時に引上げられる。プレート１９が引上げられ
ると、これに取付けた垂直ピン１８はマスク１１
の下面に接触する。これにより、ウエーハ１２は
所定の位置に固定され、マスク１１の下面に対す
る垂直ピン１８の上向きの力により、マスク１１
がウエーハ１２から分離される。

ウエーハ１２からのマスク１１の分離は、本マ
スク除去装置１０の使用により、均一で再現性の
ある方法で行われる。本発明によれば、マスク１
１にもウエーハ１２にも損傷を生じない。したが
つて、収率は上昇し、製造コストおよび時間は減
少する。

ウエーハ１２からマスク１１を、真空の力と、
垂直ピン１８による垂直の上向きの力を同時に与
える機械的な操作によつて分離した後、レバー１
６を戻す。

レバー１６を戻すと、常時閉にするバイアス・
スプリング１４がバルブ２０を元の常時閉の位置
に戻し、これにより、真空室２６に通じる通路が
閉じ、真空ライン１１を通じて真空源への通路が
閉ざされる。真空室２３は大気中に開放され、こ
の時点でウエーハ１２は真空で吸引されなくな
り、簡単に取外すことができる。ウエーハ１２を
取外した後、次の接着したウエーハ１２とマスク
１１の複合品を第１図に示すように、真空チヤツ
ク１５上に置く。次に上記の操作を繰返す。

Ｇ 発明の効果 以上のように、本発明によれば、マスクまたは
ウエーハを損傷することなく、且つ作業員に依存
せず、管理された均一な、再現性のあるマスク除
去動作を行う装置が与えられる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のマスク除去装置の一実施例
で、装置が始動する前の状態を示す正面図、第２
図は、本発明のマスク除去装置の一実施例で、装
置が始動した後の状態を示す正面図、第３図は、
マスク排出装置の代りの実施例の詳細を示す平面
図である。 １０……マスク除去装置、１１……マスク、１
２……ウエーハ、１６……レバー、２２……ベー
ス、２３……真空チヤツク、２６……真空室。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体ウエーハを所定の位置に保持するため
   に前記ウエーハに保持力を与える手段と、 前記ウエーハの外縁部を越えて延びるマスクの
   部分に、前記保持力と反対方向の力を与える手段
   とを具備し、 前記の反対方向に力を与えるのと同時に、前記
   の保持力により前記ウエーハを固定する複合動作
   により前記マスクを前記半導体ウエーハから分離
   することを特徴とする、 半導体ウエーハの外縁部からはみ出したマスク
   を除去するためのマスク除去装置。 ２ 前記の保持力を与える手段が、真空手段であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
   の装置。 ３ 前記の保持力と反対方向の力を与える手段
   が、前記ウエーハの半径より大きく、前記マスク
   の半径より小さい間隔を置いて設けられ、前記ウ
   エーハに向つて上方に延出する複数の垂直ピンを
   取付けた水平プレートを有する排出装置と、 前記排出装置のピンが、前記マスクに上向きに
   強力に接触するように前記排出装置を引上げるア
   クチユエータからなることを特徴とする、 特許請求の範囲第２項に記載の装置。