JPH0243380A - 光ディスク基板成形用金型及びその製造方法 - Google Patents
光ディスク基板成形用金型及びその製造方法Info
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- JPH0243380A JPH0243380A JP63193109A JP19310988A JPH0243380A JP H0243380 A JPH0243380 A JP H0243380A JP 63193109 A JP63193109 A JP 63193109A JP 19310988 A JP19310988 A JP 19310988A JP H0243380 A JPH0243380 A JP H0243380A
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- JP
- Japan
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- layer
- forming
- metal layer
- positive photoresist
- substrate
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は光ディスク基板用の成形金型及びその製造方法
に関する。
に関する。
（従来の技術）
光ディスク基板は、通常、射出成形法、射出圧縮成形法
、及び２Ｐ法により製造されている。
、及び２Ｐ法により製造されている。
従来、光ディスク基板を前述した射出成形法などにより
複製する場合、成形用金型としてニッケル電鋳法により
作製されるニッケルスタンパが主として用いられてきた
。このニッケルスタンパは、ガラス基板上にポジ型フォ
トレジストを均一に塗布し、レーザ光によりグルーブ又
は／及びピット状のパターンを露光し、現像して露光部
のポジ型フォトレジストを除去した後、蒸着、スパッタ
などにより全面に金属薄膜を形成し、更にニッケルめっ
き液中で電鋳することにより製造されている。
複製する場合、成形用金型としてニッケル電鋳法により
作製されるニッケルスタンパが主として用いられてきた
。このニッケルスタンパは、ガラス基板上にポジ型フォ
トレジストを均一に塗布し、レーザ光によりグルーブ又
は／及びピット状のパターンを露光し、現像して露光部
のポジ型フォトレジストを除去した後、蒸着、スパッタ
などにより全面に金属薄膜を形成し、更にニッケルめっ
き液中で電鋳することにより製造されている。
このようにニッケル電鋳法で作製されるスタンパは厚さ
約０．３ｍｍと非常に薄いものであるため、射出成形時
の熱膨張によりスタンパにたわみが生しることがある。
約０．３ｍｍと非常に薄いものであるため、射出成形時
の熱膨張によりスタンパにたわみが生しることがある。
しかも、射出充填された樹脂は冷却時にスタンパと密着
した状態で収縮する。このため、複製される光ディスク
基板の信号面側の平坦性が損なわれるなどの問題かあっ
た。
した状態で収縮する。このため、複製される光ディスク
基板の信号面側の平坦性が損なわれるなどの問題かあっ
た。
これらの問題を解決する手段として、例えば特公昭８２
−４１８５２号には、第５図に示すようにはがね製の円
盤１をエツチングするなどしてその表面に直接グルーブ
又は／及びピット状のパターン２を形成し、光ディスク
基板成形用金型を製造する方法が開示されている。
−４１８５２号には、第５図に示すようにはがね製の円
盤１をエツチングするなどしてその表面に直接グルーブ
又は／及びピット状のパターン２を形成し、光ディスク
基板成形用金型を製造する方法が開示されている。
しかしながら、この方法ではパターン２の深さを制御す
るのが困難である。また、金型材料としてスタバックス
鋼などのはがねを使用するため、精密研磨を行っても微
小な凹凸が残って平滑な面が得られず、これから複製し
た光ディスク基板のＣ／Ｎが低下してしまうなどの問題
がある。
るのが困難である。また、金型材料としてスタバックス
鋼などのはがねを使用するため、精密研磨を行っても微
小な凹凸が残って平滑な面が得られず、これから複製し
た光ディスク基板のＣ／Ｎが低下してしまうなどの問題
がある。
また、第６図に示すように、はがね製の円盤１上にスパ
ッタリングなどによりエツチング可能な金属薄膜を形成
し、この金属薄膜をエツチングしてグルーブ又は／及び
ピット状のパターン３を形成するという方法も知られて
いる。
ッタリングなどによりエツチング可能な金属薄膜を形成
し、この金属薄膜をエツチングしてグルーブ又は／及び
ピット状のパターン３を形成するという方法も知られて
いる。
しかし、この方法ではパターン３の深さの制御の問題は
解決できるが、下地の円盤１の微小な凹凸が残るので、
やはり複製した光ディスク基板のＣ／Ｎが低下してしま
う。また、円盤１とバタン３を構成する金属薄膜との密
着性が悪く、パターン３が剥離するなどして金型寿命が
短いという問題が新たに発生していた。
解決できるが、下地の円盤１の微小な凹凸が残るので、
やはり複製した光ディスク基板のＣ／Ｎが低下してしま
う。また、円盤１とバタン３を構成する金属薄膜との密
着性が悪く、パターン３が剥離するなどして金型寿命が
短いという問題が新たに発生していた。
更に、前述したいずれの方法でも、使用されたフォトレ
ジスト材料は最終的には完全に取り除かなければならな
いが、円盤１に微小な凹凸かあるとフォトレジスト材料
を除去しにくいという問題がある。
ジスト材料は最終的には完全に取り除かなければならな
いが、円盤１に微小な凹凸かあるとフォトレジスト材料
を除去しにくいという問題がある。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、表面が平滑で、かつ寿命の長０光ディスク基板成形
用金型及びその製造方法を提供することを目的とする。
り、表面が平滑で、かつ寿命の長０光ディスク基板成形
用金型及びその製造方法を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明に係る光ディスク基板成形用金型には２種類のタ
イプがある。
イプがある。
第１のタイプの光ディスク基板成形用金型は、はがね製
の基板と、該基板上に形成された精密研磨可能な第１の
金属層と、該第１の金属層上に形成されたグルーブ又は
／及びピ・ソト状の高硬度層とを具備したことを特徴と
するものである。
の基板と、該基板上に形成された精密研磨可能な第１の
金属層と、該第１の金属層上に形成されたグルーブ又は
／及びピ・ソト状の高硬度層とを具備したことを特徴と
するものである。
第１のタイプの光ディスク基板成形用金型を製造する方
法としては、以下に示す３種類の方法がある。
法としては、以下に示す３種類の方法がある。
第１の方法は、はがね製の基板の片面にめっきにより第
１の金属層を形成し、その表面を精密研磨する工程と、
該第１の金属層上にポジ型フォトレジスト層を形成し、
レーザー光によりグルーブ又は／及びピット状に感光さ
せ、現像して露光部のポジ型フォトレジストを除去する
工程と、未露光部のポジ型フォトレジストをマスクとし
てめっきによりグルーブ又は／及びピット状の高硬度層
を形成し、未露光部のポジ型フォトレジストを除去する
工程とを具備したことを特徴とするものである。
１の金属層を形成し、その表面を精密研磨する工程と、
該第１の金属層上にポジ型フォトレジスト層を形成し、
レーザー光によりグルーブ又は／及びピット状に感光さ
せ、現像して露光部のポジ型フォトレジストを除去する
工程と、未露光部のポジ型フォトレジストをマスクとし
てめっきによりグルーブ又は／及びピット状の高硬度層
を形成し、未露光部のポジ型フォトレジストを除去する
工程とを具備したことを特徴とするものである。
第２の方法は、はがね製の基板の片面にめっきにより第
１の金属層を形成し、その表面を精密研磨する工程と、
該第１の金属層上に光吸収層及びポジ型フォトレジスト
層を順次形成し、レーザー光によりグルーブ又は／及び
ピット状に感光させ現像して露光部のポジ型フォトレジ
スト及び光吸収層を除去する工程と、蒸着又はスパッタ
により全面に高硬度層を形成する工程と、未露光部のポ
ジ型フォトレジスト及び光吸収層を除去するとともにポ
ジ型フォトレジスト上の高硬度層をリフトオフして、グ
ルーブ又は／及びピット状の高硬度層を残存させる工程
とを具備したことを特徴とするものである。
１の金属層を形成し、その表面を精密研磨する工程と、
該第１の金属層上に光吸収層及びポジ型フォトレジスト
層を順次形成し、レーザー光によりグルーブ又は／及び
ピット状に感光させ現像して露光部のポジ型フォトレジ
スト及び光吸収層を除去する工程と、蒸着又はスパッタ
により全面に高硬度層を形成する工程と、未露光部のポ
ジ型フォトレジスト及び光吸収層を除去するとともにポ
ジ型フォトレジスト上の高硬度層をリフトオフして、グ
ルーブ又は／及びピット状の高硬度層を残存させる工程
とを具備したことを特徴とするものである。
第３の方法は、はがね製の基板の片面にめっきにより第
１の金属層を形成し、その表面を精密研磨する工程と、
該第１の金属層上にアルミニウム層又は鉛層を形成する
工程と、該アルミニウム層又は鉛層上にポジ型フォトレ
ジスト層を形成しく必要に応じて光吸収層を下層として
形成）、レーザー光によりグルーブ又は／及びピット状
に感光させ、現像して露光部のポジ型フォトレジストを
除去し、更に露出したアルミニウム層又は鉛層を除去す
る工程と、蒸着又はスパッタにより全面に高硬度層を形
成する工程と、未露光部のポジ型フォトレジスト及びア
ルミニウム層又は鉛層を除去するとともにポジ型フォト
レジスト上の高硬度層をリフトオフして、グルーブ又は
／及びピット状の高硬度層を残存させる工程とを具備し
たことを特徴とするものである。
１の金属層を形成し、その表面を精密研磨する工程と、
該第１の金属層上にアルミニウム層又は鉛層を形成する
工程と、該アルミニウム層又は鉛層上にポジ型フォトレ
ジスト層を形成しく必要に応じて光吸収層を下層として
形成）、レーザー光によりグルーブ又は／及びピット状
に感光させ、現像して露光部のポジ型フォトレジストを
除去し、更に露出したアルミニウム層又は鉛層を除去す
る工程と、蒸着又はスパッタにより全面に高硬度層を形
成する工程と、未露光部のポジ型フォトレジスト及びア
ルミニウム層又は鉛層を除去するとともにポジ型フォト
レジスト上の高硬度層をリフトオフして、グルーブ又は
／及びピット状の高硬度層を残存させる工程とを具備し
たことを特徴とするものである。
第２のタイプの光ディスク基板成形用金型は、はがね製
の基板と、該基板上に形成された精密研磨可能な第１の
金属層と、該第１の金属層上に形成された第１の金属層
と密着性の良い第２の金属層と、該第２の金属層上に形
成されたグルーブ又は／及びピット状の高硬度層とを具
備したことを特徴とするものである。
の基板と、該基板上に形成された精密研磨可能な第１の
金属層と、該第１の金属層上に形成された第１の金属層
と密着性の良い第２の金属層と、該第２の金属層上に形
成されたグルーブ又は／及びピット状の高硬度層とを具
備したことを特徴とするものである。
第２のタイプの光ディスク基板成形用金型を製造する方
法は、はがね製の基板の片面にめっきにより第１の金属
層を形成し、その表面を精密研磨する工程と、該第１の
金属層上に蒸着又はスパッタにより第２の金属層を形成
する工程と、該第２の金属層上に蒸着又はスパッタによ
り高硬度層を形成する工程と、該高硬度層上にネガ型フ
ォトレジスト層を形成し、レーザー光によりグルーブ又
は／及びピット状に感光させ、現像して未露光部のネガ
型フォトレジストを除去する工程と、露光部のネガ型フ
ォトレジストをマスクとして、高硬度層はエツチングす
るが第２の金属層はエツチングしないエツチング液によ
り高硬度層をエツチングしてグルーブ又は／及びピット
状の高硬度層を残存させ、露光部のネガ型フォトレジス
トを除去する工程とを具備したことを特徴とするもので
ある。
法は、はがね製の基板の片面にめっきにより第１の金属
層を形成し、その表面を精密研磨する工程と、該第１の
金属層上に蒸着又はスパッタにより第２の金属層を形成
する工程と、該第２の金属層上に蒸着又はスパッタによ
り高硬度層を形成する工程と、該高硬度層上にネガ型フ
ォトレジスト層を形成し、レーザー光によりグルーブ又
は／及びピット状に感光させ、現像して未露光部のネガ
型フォトレジストを除去する工程と、露光部のネガ型フ
ォトレジストをマスクとして、高硬度層はエツチングす
るが第２の金属層はエツチングしないエツチング液によ
り高硬度層をエツチングしてグルーブ又は／及びピット
状の高硬度層を残存させ、露光部のネガ型フォトレジス
トを除去する工程とを具備したことを特徴とするもので
ある。
本発明に係る第１のタイプの光ディスク基板成形用金型
において、はがね製の基板上に形成される精密研磨可能
な第１の金属層としては、例えばＮ１−Ｐ合金やＮｉが
用いられる。これらの金属はめっきにより形成され、は
がねとの密着性が良好である。また、第１の金属層上に
形成される高硬度層としては、例えばＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ
。
において、はがね製の基板上に形成される精密研磨可能
な第１の金属層としては、例えばＮ１−Ｐ合金やＮｉが
用いられる。これらの金属はめっきにより形成され、は
がねとの密着性が良好である。また、第１の金属層上に
形成される高硬度層としては、例えばＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ
。
Ｓｉ３Ｎ４などが用いられる。これらはめっきやスパッ
タリングにより形成され、第１の金属層との密着性が良
好である。なお、高硬度層は光ディスク製造の際の繰り
返し使用に絶え得る硬度、耐食性などを備えていればよ
い。
タリングにより形成され、第１の金属層との密着性が良
好である。なお、高硬度層は光ディスク製造の際の繰り
返し使用に絶え得る硬度、耐食性などを備えていればよ
い。
本発明に係る第２のタイプの光ディスク基板成形用金型
において、第１の金属層としては、前記と同様に例えば
Ｎ１−Ｐ合金やＮｉが用いられる。
において、第１の金属層としては、前記と同様に例えば
Ｎ１−Ｐ合金やＮｉが用いられる。
また、第１の金属層上に形成される第２の金属層として
は、第１の金属層及び高硬度層との密着性が良好であれ
ばよく、例えばＡｕ、Ｐｔ５Ｃｒか用いられる。これら
の金属はスパッタリングやめっきにより形成される。ま
た、第２の金属層上に形成される高硬度層としては、例
えばＮｉ、Ｃｒ。
は、第１の金属層及び高硬度層との密着性が良好であれ
ばよく、例えばＡｕ、Ｐｔ５Ｃｒか用いられる。これら
の金属はスパッタリングやめっきにより形成される。ま
た、第２の金属層上に形成される高硬度層としては、例
えばＮｉ、Ｃｒ。
Ｔｉ、Ｓｉ３Ｎ４などが用いられる。これらの金属はス
パッタリングやめっきにより形成され、第２の金属層と
の密着性が良好である。なお、高硬度層のエツチング液
によっては第２の金属層はエツチングされないことが必
要である。
パッタリングやめっきにより形成され、第２の金属層と
の密着性が良好である。なお、高硬度層のエツチング液
によっては第２の金属層はエツチングされないことが必
要である。
（作用）
本発明に係る光ディスク基板成形用金型では、はがね製
の基板上に第１の金属層を介してグルーブ又は／及びピ
ット状の高硬度層が形成されるか、又ははがね製の基板
上に第１の金属層及び第２の金属層を介してグルーブ又
は／及びピット状の高硬度層が形成されており、第１の
金属層が精密研磨可能な材料であるので、極めて平滑な
面か得られ、これから複製した光ディスク基板のＣ／Ｎ
か低下することはない。また、はがね製の基板とこの上
にめっきにより形成される第１の金属層との密着性、第
１の金属層と高硬度層又は第２の金属層との密着性、第
２の金属層と高硬度層との密着性が良好であるため、金
型寿命が長い。
の基板上に第１の金属層を介してグルーブ又は／及びピ
ット状の高硬度層が形成されるか、又ははがね製の基板
上に第１の金属層及び第２の金属層を介してグルーブ又
は／及びピット状の高硬度層が形成されており、第１の
金属層が精密研磨可能な材料であるので、極めて平滑な
面か得られ、これから複製した光ディスク基板のＣ／Ｎ
か低下することはない。また、はがね製の基板とこの上
にめっきにより形成される第１の金属層との密着性、第
１の金属層と高硬度層又は第２の金属層との密着性、第
２の金属層と高硬度層との密着性が良好であるため、金
型寿命が長い。
また、本発明方法によれば、前記のような良好な性能を
有する光ディスク基板成形用金型を簡便に製造すること
ができる。
有する光ディスク基板成形用金型を簡便に製造すること
ができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。なお
、いずれの場合もはがね製の基板上にめっきにより第１
の金属層を形成する際には、下記第１表に示す組成のめ
っき液を用い、同表に示す条件に設定した。
、いずれの場合もはがね製の基板上にめっきにより第１
の金属層を形成する際には、下記第１表に示す組成のめ
っき液を用い、同表に示す条件に設定した。
第 １ 表
実施例１
直径１６０ｍ＋ｎ、厚さ８ ｍｍのスタバックス製の円
盤１１の表裏面を研磨した後、めっきにより厚さ約１０
ＩＥＲのＮ１−Ｐ合金層（第１の金属層） １２を形成
し、このＮ１−Ｐ合金層１２を精密研磨した。このＮ１
−Ｐ合金層１２上１．： ０ＦＰＲ８００（東京応化工
業ｍ 製部品名）をスピンコートシ、９０℃で３０分間
ベーキング処理して、厚さ約１５００人のポジ型フォト
レジスト層１３を形成した（同図（ａ）図示）。次に、
この円盤１１を記録機に取付け、円盤１１を回転させる
とともに、記録ヘッド５１を半径方向へ移動させて集束
したレーザ光で露光することにより、ポジ型フォトレジ
スト層１３にスパイラルなグルーブ状の潜像１４を形成
した（同図（ｂ）図示）。つづいて、現像して露光部の
ポジ型フォトレジスト１３を除去した（・同図（ｅ）図
示）。つづいて、未露光部のポジ型フォトレジスト層１
３をマスクとして、めっきにより厚さ約１０００人のＮ
ｉ層（高硬度層）１５を形成した（同図（ｄ）図示）。
盤１１の表裏面を研磨した後、めっきにより厚さ約１０
ＩＥＲのＮ１−Ｐ合金層（第１の金属層） １２を形成
し、このＮ１−Ｐ合金層１２を精密研磨した。このＮ１
−Ｐ合金層１２上１．： ０ＦＰＲ８００（東京応化工
業ｍ 製部品名）をスピンコートシ、９０℃で３０分間
ベーキング処理して、厚さ約１５００人のポジ型フォト
レジスト層１３を形成した（同図（ａ）図示）。次に、
この円盤１１を記録機に取付け、円盤１１を回転させる
とともに、記録ヘッド５１を半径方向へ移動させて集束
したレーザ光で露光することにより、ポジ型フォトレジ
スト層１３にスパイラルなグルーブ状の潜像１４を形成
した（同図（ｂ）図示）。つづいて、現像して露光部の
ポジ型フォトレジスト１３を除去した（・同図（ｅ）図
示）。つづいて、未露光部のポジ型フォトレジスト層１
３をマスクとして、めっきにより厚さ約１０００人のＮ
ｉ層（高硬度層）１５を形成した（同図（ｄ）図示）。
次いで、未露光部のポジ型フォトレジスト層１３を溶解
除去し、スパイラルなグルーブ状のＮ１層１５を残存さ
せ、光ディスク基板成形用金型を製造した（同図（ｅ）
図示）。
除去し、スパイラルなグルーブ状のＮ１層１５を残存さ
せ、光ディスク基板成形用金型を製造した（同図（ｅ）
図示）。
この光ディスク基板成形用金型を射出成形機に取付け、
アクリル樹脂製の光ディスク基板を作製し、この光ディ
スク基板に反射膜として厚さ約１０００人のＡｊ）を蒸
着したものを２枚貼り合わせて光ディスクを作製した。
アクリル樹脂製の光ディスク基板を作製し、この光ディ
スク基板に反射膜として厚さ約１０００人のＡｊ）を蒸
着したものを２枚貼り合わせて光ディスクを作製した。
この光ディスクのＣ／Ｎを１１Ｉｌ定したところ８５ｄ
Ｂであった。
Ｂであった。
実施例２
直径１８０＋＋＋＋ｎ、厚さ８ ＋ｏ＋ｎのスタバック
ス製の円盤２１の表裏面を研磨した後、めっきにより厚
さ１０μｓのＮ１−Ｐ合金層（第１の金属層）２２を形
成し、このＮ１−Ｐ合金層２２の表面を精密研磨した。
ス製の円盤２１の表裏面を研磨した後、めっきにより厚
さ１０μｓのＮ１−Ｐ合金層（第１の金属層）２２を形
成し、このＮ１−Ｐ合金層２２の表面を精密研磨した。
このＮ１−Ｐ合金層２２上に５ＷＫ４３Ｂ （東京応化
工業■裂開品名）をスピンコードし、１４５℃で３分間
ベーキング処理して、厚さ約３０００人の光吸収層２３
を形成した。この光吸収層２３上に０ＦＰＲ８００をス
ピンコードし、９０℃で３０分間ベーキング処理して、
厚さ約１０００人のポジ型フォトレジスト層２４を形成
した（第２図（ａ）図示）。次に、この円盤２１を記録
機に取付け、円盤２１を回転させるとともに、記録ヘッ
ド５１を半径方向へ移動させて集束したレーザー光で露
光することにより、ポジ型フォトレジスト層２４にピッ
ト状の潜像２５を形成した（同図（ｂ）図示）。つづい
て、現像して露光部のポジ型フォトレジスト２４及び光
吸収層２３を除去した（同図（Ｃ）図示）。つづいて、
スパッタリングにより全面に厚さ約１０００人のＣｒ層
２６を形成した（同図（ｄ）図示）。次いで、未露光部
のポジ型フォトレジスト２４及び光吸収層２３を除去す
るとともにポジ型フォトレジスト２４上のＣｒ層２６を
リフトオフしピット状のＣｒ層（高硬度層）２６を残存
させて光ディスク基板成形用金型を製造した（同図（ｅ
）図示）。
工業■裂開品名）をスピンコードし、１４５℃で３分間
ベーキング処理して、厚さ約３０００人の光吸収層２３
を形成した。この光吸収層２３上に０ＦＰＲ８００をス
ピンコードし、９０℃で３０分間ベーキング処理して、
厚さ約１０００人のポジ型フォトレジスト層２４を形成
した（第２図（ａ）図示）。次に、この円盤２１を記録
機に取付け、円盤２１を回転させるとともに、記録ヘッ
ド５１を半径方向へ移動させて集束したレーザー光で露
光することにより、ポジ型フォトレジスト層２４にピッ
ト状の潜像２５を形成した（同図（ｂ）図示）。つづい
て、現像して露光部のポジ型フォトレジスト２４及び光
吸収層２３を除去した（同図（Ｃ）図示）。つづいて、
スパッタリングにより全面に厚さ約１０００人のＣｒ層
２６を形成した（同図（ｄ）図示）。次いで、未露光部
のポジ型フォトレジスト２４及び光吸収層２３を除去す
るとともにポジ型フォトレジスト２４上のＣｒ層２６を
リフトオフしピット状のＣｒ層（高硬度層）２６を残存
させて光ディスク基板成形用金型を製造した（同図（ｅ
）図示）。
この光ディスク基板成形用金型を射出成形機に取付け、
アクリル樹脂製の光ディスク基板を作製し、この光ディ
スク基板に反射膜として厚さ約１０００人のＡΩを蒸着
して光ディスクを作製した。
アクリル樹脂製の光ディスク基板を作製し、この光ディ
スク基板に反射膜として厚さ約１０００人のＡΩを蒸着
して光ディスクを作製した。
この光ディスクのＣ／Ｎを測定したところ約６５ｄＢで
あった。また、成形枚数５０００枚目の光ディスクにつ
いて前記したのと同様にＣ／Ｎを測定したところ約８４
ｄＢであった。また、これらの光ディスク基板の厚さは
内周から外周部まで一様であった。
あった。また、成形枚数５０００枚目の光ディスクにつ
いて前記したのと同様にＣ／Ｎを測定したところ約８４
ｄＢであった。また、これらの光ディスク基板の厚さは
内周から外周部まで一様であった。
実施例３
直径１６０ｍｍ、厚さ８ ｍｍのスタバックス製の円盤
３１の表裏面を研磨した後、めっきにより厚さ１０ｐの
Ｎ１−Ｐ合金層（第１の金属層）３２を形成し、このＮ
１−Ｐ合金層３２の表面を精密研磨した。このＮ１−Ｐ
合金層３２上に真空蒸着法により厚さ約１０００人のＡ
Ω層３３を形成した。このＡ４１層３３上に５ＷＫ４３
６を約２０００人の厚さにスピンコードし、１４５℃で
３分間ベーキング処理して光吸収層３４を形成した。こ
の光吸収層３４上に０ＦＰＲ８００を約１００ＯＡの厚
さにスピンコードし、９０℃で３０分間ベーキング処理
してポジ型フォトレジスト層３５を形成した（第３図（
ａ）図示）。次に、この円盤３１を記録機に取付け、円
盤３１を回転させるとともに、記録ヘッド５１を半径方
向へ移動させて集束したレザー光で露光することにより
、ポジ型フォトレジスト層３５にピット状の潜像３６を
形成した（同図（ｂ）図示）。つづいて、現像して露光
部のポジ型フォトレジスト３５及び光吸収層３４を除去
し、更に塩酸を用いて露出したＡＪ７層３３をエツチン
グした（ 同図（ｅ）図示）。つづいて、スパッタリン
グにより全面に厚さ約１０００人のＣｒ層３７を形成し
た（同図（ｄ）図示）。次いで、苛性ソーダ水溶液を用
いて未露光部のポジ型フォトレジスト３５、光吸収層３
４及びＡ１層３３を一挙に除去するとともにポジ型フォ
トレジスト３５上のＣｒ層３７をリフトオフし、ピット
状のＣｒ層（高硬度層）３７を残存させて光ディスク基
板成形用金型を製造した（同図（ｅ）図示）。
３１の表裏面を研磨した後、めっきにより厚さ１０ｐの
Ｎ１−Ｐ合金層（第１の金属層）３２を形成し、このＮ
１−Ｐ合金層３２の表面を精密研磨した。このＮ１−Ｐ
合金層３２上に真空蒸着法により厚さ約１０００人のＡ
Ω層３３を形成した。このＡ４１層３３上に５ＷＫ４３
６を約２０００人の厚さにスピンコードし、１４５℃で
３分間ベーキング処理して光吸収層３４を形成した。こ
の光吸収層３４上に０ＦＰＲ８００を約１００ＯＡの厚
さにスピンコードし、９０℃で３０分間ベーキング処理
してポジ型フォトレジスト層３５を形成した（第３図（
ａ）図示）。次に、この円盤３１を記録機に取付け、円
盤３１を回転させるとともに、記録ヘッド５１を半径方
向へ移動させて集束したレザー光で露光することにより
、ポジ型フォトレジスト層３５にピット状の潜像３６を
形成した（同図（ｂ）図示）。つづいて、現像して露光
部のポジ型フォトレジスト３５及び光吸収層３４を除去
し、更に塩酸を用いて露出したＡＪ７層３３をエツチン
グした（ 同図（ｅ）図示）。つづいて、スパッタリン
グにより全面に厚さ約１０００人のＣｒ層３７を形成し
た（同図（ｄ）図示）。次いで、苛性ソーダ水溶液を用
いて未露光部のポジ型フォトレジスト３５、光吸収層３
４及びＡ１層３３を一挙に除去するとともにポジ型フォ
トレジスト３５上のＣｒ層３７をリフトオフし、ピット
状のＣｒ層（高硬度層）３７を残存させて光ディスク基
板成形用金型を製造した（同図（ｅ）図示）。
この光ディスク基板成形用金型を射出成形機に取付け、
アクリル樹脂製の光ディスク基板を作製し、この光ディ
スク基板に反射膜として厚さ約１０００人のＡｐを蒸着
して光ディスクを作製した。
アクリル樹脂製の光ディスク基板を作製し、この光ディ
スク基板に反射膜として厚さ約１０００人のＡｐを蒸着
して光ディスクを作製した。
この光ディスクのＣ／Ｎを測定したところ約６５ｄＢで
あった。また、成形枚数５０００枚目の光ディスクにつ
いて前記したのと同様にＣ／Ｎを測定したところ約８４
ｄＢであった。また、これらの光ディスク基板の厚さは
内周から外周部まで一様であった。
あった。また、成形枚数５０００枚目の光ディスクにつ
いて前記したのと同様にＣ／Ｎを測定したところ約８４
ｄＢであった。また、これらの光ディスク基板の厚さは
内周から外周部まで一様であった。
実施例４
第３図（ａ）に対応する工程でスタバックス製の円盤３
１上に形成されたＮ１−Ｐ合金層（第１の金属層）３２
上に、厚さ約１０００人のＡΩ層３３を形成する代わり
に、厚さ約１０００人のｐｂ層を形成した以外は、前記
実施例３と全く同様にして光ディスク基板成形用金型を
製造した。
１上に形成されたＮ１−Ｐ合金層（第１の金属層）３２
上に、厚さ約１０００人のＡΩ層３３を形成する代わり
に、厚さ約１０００人のｐｂ層を形成した以外は、前記
実施例３と全く同様にして光ディスク基板成形用金型を
製造した。
この光ディスク基板成形用金型を射出成形機に取付け、
アクリル樹脂製の光ディスク基板を作製し、この光ディ
スク基板に反射膜として厚さ約１０００人のＡｐを蒸着
して光ディスクを作製した。
アクリル樹脂製の光ディスク基板を作製し、この光ディ
スク基板に反射膜として厚さ約１０００人のＡｐを蒸着
して光ディスクを作製した。
この光ディスクのＣ／Ｎを測定したところ約６５ｄＢで
あった。また、成形枚数５０００枚目の光ディスクにつ
いて前記したのと同様にＣ／Ｎを測定したところ約Ｅｉ
４ｄＢであった。また、これらの光ディスク基板の厚さ
は内周から外周部まで一様で、１．２５ｍｍであった。
あった。また、成形枚数５０００枚目の光ディスクにつ
いて前記したのと同様にＣ／Ｎを測定したところ約Ｅｉ
４ｄＢであった。また、これらの光ディスク基板の厚さ
は内周から外周部まで一様で、１．２５ｍｍであった。
実施例５
直径Ｌ［１０ｍｍ、厚さ８ ｍｍのスタバックス製の円
盤４１の表裏面を研磨した後、めっきにより厚さ１０庫
のＮ１−Ｐ合金層（第１の金属層）４２を形成し、この
Ｎ１−Ｐ合金層４２の表面を精密研磨した。このＮ１−
Ｐ合金層３２上にスパッタリングにより厚さ約１０００
人のＡｕ層（第２の金属層）４３を形成した。このＡｕ
層４３上にスパッタリングにより厚さ約１０００人のＮ
ｉ層（高硬度層）４４を形成した。このＮｉ層４３上に
スピンコードによりネガ型フォトレジスト層４５を形成
した（第４図（ａ）図示）。次に、この円盤４１を記録
機に取付け、円盤４１を回転させるとともに、記録ヘッ
ド５Ｉを半径方向へ移動させて集束したレーザー光で露
光することにより、ネガ型フォトレジスト層４５にスパ
イラルなグルーブ状の潜像４６を形成した（同図（ｂ）
図示）。つづいて、現像して未露光部のネガ型フォトレ
ジスト４５を除去し、露光部のネガ型フォトレジスト４
５をマスクとして塩化第２鉄水溶液により露出したＮｉ
層４４をエツチングした（同図（Ｃ）図示）。次いで、
露光部のネガ型フォトレジスト４５を除去してグルーブ
状のＮｉ層（高硬度層）４４を残存させて光ディスク基
板成形用金型を製造した（同図（ｄ）図示）。
盤４１の表裏面を研磨した後、めっきにより厚さ１０庫
のＮ１−Ｐ合金層（第１の金属層）４２を形成し、この
Ｎ１−Ｐ合金層４２の表面を精密研磨した。このＮ１−
Ｐ合金層３２上にスパッタリングにより厚さ約１０００
人のＡｕ層（第２の金属層）４３を形成した。このＡｕ
層４３上にスパッタリングにより厚さ約１０００人のＮ
ｉ層（高硬度層）４４を形成した。このＮｉ層４３上に
スピンコードによりネガ型フォトレジスト層４５を形成
した（第４図（ａ）図示）。次に、この円盤４１を記録
機に取付け、円盤４１を回転させるとともに、記録ヘッ
ド５Ｉを半径方向へ移動させて集束したレーザー光で露
光することにより、ネガ型フォトレジスト層４５にスパ
イラルなグルーブ状の潜像４６を形成した（同図（ｂ）
図示）。つづいて、現像して未露光部のネガ型フォトレ
ジスト４５を除去し、露光部のネガ型フォトレジスト４
５をマスクとして塩化第２鉄水溶液により露出したＮｉ
層４４をエツチングした（同図（Ｃ）図示）。次いで、
露光部のネガ型フォトレジスト４５を除去してグルーブ
状のＮｉ層（高硬度層）４４を残存させて光ディスク基
板成形用金型を製造した（同図（ｄ）図示）。
この光ディスク基板成形用金型を射出成形機に取付け、
アクリル樹脂製の光ディスク基板を作製し、この光ディ
スク基板に反射膜として厚さ約１０００人のＡｐを蒸着
したものを２枚貼り合わせて光ディスクを作製した。こ
の光ディスクのＣ／Ｎを測定したところＥｉ５ｃｌＢで
あった。また、成形枚数５０００枚目の光ディスクにつ
いて前記したのと同様にＣ／Ｎを測定したところ８４ｄ
Ｂであった。
アクリル樹脂製の光ディスク基板を作製し、この光ディ
スク基板に反射膜として厚さ約１０００人のＡｐを蒸着
したものを２枚貼り合わせて光ディスクを作製した。こ
の光ディスクのＣ／Ｎを測定したところＥｉ５ｃｌＢで
あった。また、成形枚数５０００枚目の光ディスクにつ
いて前記したのと同様にＣ／Ｎを測定したところ８４ｄ
Ｂであった。
比較例１
第５図に示すように、スタバックス製の円盤１の表裏面
を研磨し、この円盤１の表面にネガ型フォトレジストを
スピンコードし、記録機で記録し、現像して未露光部の
ネガ型フォトレジストを除去し、露光部のネガ型フォト
レジストをマスクとして塩化第２鉄水溶液でスタバック
ス製の円盤をエツチングし、グルーブ又は／及びピット
状のパターン２を形成し、露光部のネガ型フォトレジス
トを除去して光ディスク基板成形用金型を製造した。
を研磨し、この円盤１の表面にネガ型フォトレジストを
スピンコードし、記録機で記録し、現像して未露光部の
ネガ型フォトレジストを除去し、露光部のネガ型フォト
レジストをマスクとして塩化第２鉄水溶液でスタバック
ス製の円盤をエツチングし、グルーブ又は／及びピット
状のパターン２を形成し、露光部のネガ型フォトレジス
トを除去して光ディスク基板成形用金型を製造した。
この光ディスク基板成形用金型を用い、実施例と同様に
して光ディスクを作製し、Ｃ／Ｎを測定したところ約６
２ｄＢであった。また、キャリア出力レベルが−２〜−
７ｄＢと変動しており、グルーブ又は／及びピットの深
さが不均一であることがわかった。
して光ディスクを作製し、Ｃ／Ｎを測定したところ約６
２ｄＢであった。また、キャリア出力レベルが−２〜−
７ｄＢと変動しており、グルーブ又は／及びピットの深
さが不均一であることがわかった。
比較例２
第６図に示すように、スタバックス製の円盤１の表裏面
を研磨し、スパッタリングによりこの円盤の表面に厚さ
約１０００人のＮｉ層を形成し、その表面にネガ型フォ
トレジストをスピンコードし、記録機で記録し、現像し
て未露光部のネガ型フォトレジストを除去し、露光部の
ネガ型フォトレジストをマスクとしてＮｉ層をエツチン
グし、グルーブ又は／及びピット状のパターン３を形成
し、露光部のネガ型フォトレジストを除去して光ディス
ク基板成形用金型を製造した。
を研磨し、スパッタリングによりこの円盤の表面に厚さ
約１０００人のＮｉ層を形成し、その表面にネガ型フォ
トレジストをスピンコードし、記録機で記録し、現像し
て未露光部のネガ型フォトレジストを除去し、露光部の
ネガ型フォトレジストをマスクとしてＮｉ層をエツチン
グし、グルーブ又は／及びピット状のパターン３を形成
し、露光部のネガ型フォトレジストを除去して光ディス
ク基板成形用金型を製造した。
この光ディスク基板成形用金型を用い、実施例と同様に
して光ディスクを作製し、Ｃ／Ｎを測定したところ６２
ｄＢであり、キャリア出力レベルの変動はほとんどなく
、ピット深さが均一であることがわかった。しかし、成
形枚数５００枚目以降では金型からグルーブ又は／及び
ピット状のパタン３が部分的に剥離し、欠陥か急増した
。
して光ディスクを作製し、Ｃ／Ｎを測定したところ６２
ｄＢであり、キャリア出力レベルの変動はほとんどなく
、ピット深さが均一であることがわかった。しかし、成
形枚数５００枚目以降では金型からグルーブ又は／及び
ピット状のパタン３が部分的に剥離し、欠陥か急増した
。
比較例３
厚さ０．３ｍｍのニッケルスタンパを用い、実施例と同
様に光ディスクを作製した。この光ディスクのＣ／Ｎは
内周部では約８５ｄＢであり実施例と同様であったが、
光ディスクの厚さは外周部で大きく変化し、このため外
周部でのＣ／Ｎは約６０ｄＢと低下した。
様に光ディスクを作製した。この光ディスクのＣ／Ｎは
内周部では約８５ｄＢであり実施例と同様であったが、
光ディスクの厚さは外周部で大きく変化し、このため外
周部でのＣ／Ｎは約６０ｄＢと低下した。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、表面が平滑で、か
つ寿命の長い光ディスク基板成形用金型、及びこのよう
な光デ・イスク基板成形用金型を簡便に製造し得る方法
を提供できるものである。
つ寿命の長い光ディスク基板成形用金型、及びこのよう
な光デ・イスク基板成形用金型を簡便に製造し得る方法
を提供できるものである。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例１における光デ
ィスク基板成形用金型の製造方法を工程順に示す断面図
、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例２における光
ディスク基板成形用金型の製造方法を工程順に示す断面
図、第３図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例３における
光ディスク基板成形用金型の製造方法を工程順に示す断
面図、第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例５におけ
る光ディスク基板成形用金型の製造方法を工程順に示す
断面図、第５図は従来の光ディスク基板成形用金型の断
面図、第６図は従来の他の光ディスク基板成形用金型の
断面図である。 １１・・スタバックス製の円盤、１２・・Ｎ１−Ｐ合金
層、１３・・・ポジ型フォトレジスト層、１４・・・潜
像、１５・・Ｎｉ層、２１・・スタバックス製の円盤、
２２・・・Ｎ１−Ｐ合金層、２３・・・光吸収層、２４
・・・ポジ型フォトレジスト層、２５・・・潜像、２６
・・・Ｃｒ層、３１・・・スタバックス製の円盤、３２
・・Ｎ１−Ｐ合金層、３３・・Ａｇ層、３４・・・光吸
収層、３５・・・ポジ型フォトレジスト層、３６・・・
潜像、３７・・・Ｃｒ層、４１・・・スタノく・ソクス
製の円盤、４２・・・Ｎ１−Ｐ合金層、４３・・・Ａｕ
層、４４・・・Ｎ１層、４５・・・ネガ型フォトレジス
ト層、４６・・・潜像、５１・・・記録ヘッド。
ィスク基板成形用金型の製造方法を工程順に示す断面図
、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例２における光
ディスク基板成形用金型の製造方法を工程順に示す断面
図、第３図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例３における
光ディスク基板成形用金型の製造方法を工程順に示す断
面図、第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例５におけ
る光ディスク基板成形用金型の製造方法を工程順に示す
断面図、第５図は従来の光ディスク基板成形用金型の断
面図、第６図は従来の他の光ディスク基板成形用金型の
断面図である。 １１・・スタバックス製の円盤、１２・・Ｎ１−Ｐ合金
層、１３・・・ポジ型フォトレジスト層、１４・・・潜
像、１５・・Ｎｉ層、２１・・スタバックス製の円盤、
２２・・・Ｎ１−Ｐ合金層、２３・・・光吸収層、２４
・・・ポジ型フォトレジスト層、２５・・・潜像、２６
・・・Ｃｒ層、３１・・・スタバックス製の円盤、３２
・・Ｎ１−Ｐ合金層、３３・・Ａｇ層、３４・・・光吸
収層、３５・・・ポジ型フォトレジスト層、３６・・・
潜像、３７・・・Ｃｒ層、４１・・・スタノく・ソクス
製の円盤、４２・・・Ｎ１−Ｐ合金層、４３・・・Ａｕ
層、４４・・・Ｎ１層、４５・・・ネガ型フォトレジス
ト層、４６・・・潜像、５１・・・記録ヘッド。
Claims (6)
- （１）はがね製の基板と、該基板上に形成された精密研
磨可能な第１の金属層と、該第１の金属層上に形成され
たグルーブ又は／及びピット状の高硬度層とを具備した
ことを特徴とする光ディスク基板成形用金型。 - （２）はがね製の基板の片面にめっきにより第１の金属
層を形成し、その表面を精密研磨する工程と、該第１の
金属層上にポジ型フォトレジスト層を形成し、レーザー
光によりグルーブ又は／及びピット状に感光させ、現像
して露光部のポジ型フォトレジストを除去する工程と、
未露光部のポジ型フォトレジストをマスクとしてめっき
によりグルーブ又は／及びピット状の高硬度層を形成し
、未露光部のポジ型フォトレジストを除去する工程とを
具備したことを特徴とする請求項（１）記載の光ディス
ク基板成形用金型の製造方法。 - （３）はがね製の基板の片面にめっきにより第１の金属
層を形成し、その表面を精密研磨する工程と、該第１の
金属層上に光吸収層及びポジ型フォトレジスト層を順次
形成し、レーザー光によりグルーブ又は／及びピット状
に感光させ、現像して露光部のポジ型フォトレジスト及
び光吸収層を除去する工程と、蒸着又はスパッタにより
全面に高硬度層を形成する工程と、未露光部のポジ型フ
ォトレジスト及び光吸収層を除去するとともにポジ型フ
ォトレジスト上の高硬度層をリフトオフして、グルーブ
又は／及びピット状の高硬度層を残存させる工程とを具
備したことを特徴とする請求項（１）記載の光ディスク
基板成形用金型の製造方法。 - （４）はがね製の基板の片面にめっきにより第１の金属
層を形成し、その表面を精密研磨する工程と、該第１の
金属層上にアルミニウム層又は鉛層を形成する工程と、
該アルミニウム層又は鉛層上にポジ型フォトレジスト層
を形成し、レーザー光によりグルーブ又は／及びピット
状に感光させ、現像して露光部のポジ型フォトレジスト
を除去し、更に露出したアルミニウム層又は鉛層を除去
する工程と、蒸着又はスパッタにより全面に高硬度層を
形成する工程と、未露光部のポジ型フォトレジスト及び
アルミニウム層又は鉛層を除去するとともにポジ型フォ
トレジスト上の高硬度層をリフトオフして、グルーブ又
は／及びピット状の高硬度層を残存させる工程とを具備
したことを特徴とする請求項（１）記載の光ディスク基
板成形用金型の製造方法。 - （５）はがね製の基板と、該基板上に形成された精密研
磨可能な第１の金属層と、該第１の金属層上に形成され
た第１の金属層と密着性の良い第２の金属層と、該第２
の金属層上に形成されたグルーブ又は／及びピット状の
高硬度層とを具備したことを特徴とする光ディスク基板
成形用金型。 - （６）はがね製の基板の片面にめっきにより第１の金属
層を形成し、その表面を精密研磨する工程と、該第１の
金属層上に蒸着又はスパッタにより第２の金属層を形成
する工程と、該第２の金属層上に蒸着又はスパッタによ
り高硬度層を形成する工程と、該高硬度層上にネガ型フ
ォトレジスト層を形成し、レーザー光によりグルーブ又
は／及びピット状に感光させ、現像して未露光部のネガ
型フォトレジストを除去する工程と、露光部のネガ型フ
ォトレジストをマスクとして、高硬度層はエッチングす
るが第２の金属層はエッチングしないエッチング液によ
り高硬度層をエッチングしてグルーブ又は／及びピット
状の高硬度層を残存させ、露光部のネガ型フォトレジス
トを除去する工程とを具備したことを特徴とする請求項
（５）記載の光ディスク基板成形用金型の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193109A JPH0243380A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 光ディスク基板成形用金型及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193109A JPH0243380A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 光ディスク基板成形用金型及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243380A true JPH0243380A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=16302398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63193109A Pending JPH0243380A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 光ディスク基板成形用金型及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243380A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5586109A (en) * | 1991-08-09 | 1996-12-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory having narrowed track pitch |
| WO1998029226A1 (fr) * | 1996-12-25 | 1998-07-09 | Sony Corporation | Moule metallique pour substrat de disque, procede de fabrication et ensemble moule metallique |
| JP2003103696A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 凹凸を形成するための版、その製造方法、それを用いた電磁波シールド材料、その製造方法、並びにその電磁波シールド材料を用いた電磁波遮蔽構成体及び電磁波シールドディスプレイ |
| WO2004107335A1 (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-09 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | スタンパ用基板及びスタンパ用基板の製造方法 |
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| US8518632B2 (en) | 2006-08-07 | 2013-08-27 | Seiko Instruments Inc. | Method of manufacturing electroforming mold, electroforming mold, and method of manufacturing electroformed component |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP63193109A patent/JPH0243380A/ja active Pending
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