JPH0243747A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0243747A JPH0243747A JP63193399A JP19339988A JPH0243747A JP H0243747 A JPH0243747 A JP H0243747A JP 63193399 A JP63193399 A JP 63193399A JP 19339988 A JP19339988 A JP 19339988A JP H0243747 A JPH0243747 A JP H0243747A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に係り、特に半導体装置の電極
層上に金属ワイヤ先端の金属ボールを接合させたボンデ
ィング部の形状に関するものである。
層上に金属ワイヤ先端の金属ボールを接合させたボンデ
ィング部の形状に関するものである。
一般に、この種のボンディングは、第６図（ａ）〜（ｅ
）に示されるような工程に従って行われる。
）に示されるような工程に従って行われる。
まず、キャピラリチップ（１）内を挿通する銅等の金属
ワイヤ（２）の先端部にトーチ（３〉により加熱して金
属ボール（４）を形成した後（第６図（ａ））、キャピ
ラリチップ（１）を降下させて金属ボール（４）を銅系
リードフレーム（５）のダイスパッド（６）上に配置さ
れている半導体チップ（７）のアルミニウム電極層（８
）上に圧接し塑性変形させる（第６１１（ｂ））、この
とき、ダイスパッド（６）はヒートブロック（９）上に
配置されており、半導体チップ（７）はこのヒートブロ
ック（９）によって温度３００〜４００℃に加熱される
と共にキャピラリチップ（１）には振動装置（図示せず
）により超音波振動が印加される。これにより、金属ボ
ール（４）と電極層（８）の両金属元素が相互拡散し、
金属ボール（４）は電極層（８）に接合される。
ワイヤ（２）の先端部にトーチ（３〉により加熱して金
属ボール（４）を形成した後（第６図（ａ））、キャピ
ラリチップ（１）を降下させて金属ボール（４）を銅系
リードフレーム（５）のダイスパッド（６）上に配置さ
れている半導体チップ（７）のアルミニウム電極層（８
）上に圧接し塑性変形させる（第６１１（ｂ））、この
とき、ダイスパッド（６）はヒートブロック（９）上に
配置されており、半導体チップ（７）はこのヒートブロ
ック（９）によって温度３００〜４００℃に加熱される
と共にキャピラリチップ（１）には振動装置（図示せず
）により超音波振動が印加される。これにより、金属ボ
ール（４）と電極層（８）の両金属元素が相互拡散し、
金属ボール（４）は電極層（８）に接合される。
次に、キャピラリチップ（１）を上昇させつつその先端
部から金属ワイヤ（２）を繰り出しな後〈第６図（Ｃ）
）、リードフレーム（５）のインナーリード（１０）上
にキャピラリチップ（１）を降下させて金属ワイヤ（２
）をインナーリード（１０）のワイヤ接続面（１１）上
に圧接しく第６図（ｄ）〉、金属ワイヤ（２）のルーピ
ングを行う、このとき、インナーリード（１０）はヒー
トブロック（９）上に配置されて温度３００〜４００℃
に加熱されると共にキャピラリチップ（１）には振動装
Ｍ（図示せず）により超音波振動が印加される。これに
より、金属ワイヤ（２）とインナーリード（１０）のワ
イヤ接続面（１１）の両金属元素が相互拡散し、金属ワ
イヤ（２）とワイヤ接続面（１１）とが接合される。
部から金属ワイヤ（２）を繰り出しな後〈第６図（Ｃ）
）、リードフレーム（５）のインナーリード（１０）上
にキャピラリチップ（１）を降下させて金属ワイヤ（２
）をインナーリード（１０）のワイヤ接続面（１１）上
に圧接しく第６図（ｄ）〉、金属ワイヤ（２）のルーピ
ングを行う、このとき、インナーリード（１０）はヒー
トブロック（９）上に配置されて温度３００〜４００℃
に加熱されると共にキャピラリチップ（１）には振動装
Ｍ（図示せず）により超音波振動が印加される。これに
より、金属ワイヤ（２）とインナーリード（１０）のワ
イヤ接続面（１１）の両金属元素が相互拡散し、金属ワ
イヤ（２）とワイヤ接続面（１１）とが接合される。
その後、クランパ（１２）により金属ワイヤ（２）を固
定しながらキャピラリチップ〈１）を上昇させて金属ワ
イヤ（２）を切断する （第６図（ｅ））。
定しながらキャピラリチップ〈１）を上昇させて金属ワ
イヤ（２）を切断する （第６図（ｅ））。
このようにしてワイヤボンディングが行なわれるが、従
来のキャピラリチップ（１）の先端部は第７図（ａ）及
び（ｂ）に示すように角度４５°の円すい状の面取り部
〈１３）を有していた。
来のキャピラリチップ（１）の先端部は第７図（ａ）及
び（ｂ）に示すように角度４５°の円すい状の面取り部
〈１３）を有していた。
従って、このようなキャピラリチップ（１）により金属
ボール〈４）を塑性変形して形成される金属ボール（４
）と電極層（８）の接合部は第８図のような構造となっ
ていた。すなわち、金属ボール（４）は、キャピラリチ
ップ（１）の円すい状の面取り部（１３）と平坦な荷重
面（１４）とによりそれぞれ荷重が加えられて形成され
た円すい面（１５）と平坦面（１６）とを有し、この金
属ボール（４）の下部に銅 アルミニウム合金からなる
合金層（１７）が形成される。なお、電極層（８）の下
部にはＳｉや絶縁膜などの電極下地層（１８）が形成さ
れている。
ボール〈４）を塑性変形して形成される金属ボール（４
）と電極層（８）の接合部は第８図のような構造となっ
ていた。すなわち、金属ボール（４）は、キャピラリチ
ップ（１）の円すい状の面取り部（１３）と平坦な荷重
面（１４）とによりそれぞれ荷重が加えられて形成され
た円すい面（１５）と平坦面（１６）とを有し、この金
属ボール（４）の下部に銅 アルミニウム合金からなる
合金層（１７）が形成される。なお、電極層（８）の下
部にはＳｉや絶縁膜などの電極下地層（１８）が形成さ
れている。
ところで、金属ボール（４）圧接時に金属ボール（４）
に加わる荷重のベクトル（１９）（第７（２Ｉ参照）は
キャピラリチップ（１）の面取り部（１３）と荷重面（
１４）によって決まり、面取り部（１３）では接合部の
中心付近に向かい、荷重面（１４）では電極層（８）の
面に垂直となる。従って、金属ボール（４）を形成する
銅等の金属元素の滑り方向が一意的に固定され、合金層
（１７）が生成する前の金属ボール（４）の裏面には、
第９図に示すように接合部の中心付近に滑り線の少ない
核（２０）が大きく生じていた。
に加わる荷重のベクトル（１９）（第７（２Ｉ参照）は
キャピラリチップ（１）の面取り部（１３）と荷重面（
１４）によって決まり、面取り部（１３）では接合部の
中心付近に向かい、荷重面（１４）では電極層（８）の
面に垂直となる。従って、金属ボール（４）を形成する
銅等の金属元素の滑り方向が一意的に固定され、合金層
（１７）が生成する前の金属ボール（４）の裏面には、
第９図に示すように接合部の中心付近に滑り線の少ない
核（２０）が大きく生じていた。
その結果、２極層（８）の加熱エネルギーと金属ボール
（４）に加えられる超音波振動エネルギーとにより相互
拡散して形成される合金１（１７）は不均一なものとな
り、接合部の信頼性の低下を招くという問題点を有して
いた。
（４）に加えられる超音波振動エネルギーとにより相互
拡散して形成される合金１（１７）は不均一なものとな
り、接合部の信頼性の低下を招くという問題点を有して
いた。
また、近年の半導体装置の高密度化に伴い、ボンディン
グのための電極部は必然的に小さくなっているので、よ
り小さな金属ボールを用いたボンディングが要求されて
いる。ところが、第７図に示すように、従来のキャピラ
リチップ（１）の面取り部（１３）と荷重面（１４）と
の境界部（２１）では荷重ベクトル（１つ）の方向が急
激に変化するため、金属ボール（４）の大きさが小さい
場合には、このキャピラリチップ（１）の境界部（２１
）が金属ボール（４）を突き破って電極層（８）に衝突
してしまう恐れがあった。
グのための電極部は必然的に小さくなっているので、よ
り小さな金属ボールを用いたボンディングが要求されて
いる。ところが、第７図に示すように、従来のキャピラ
リチップ（１）の面取り部（１３）と荷重面（１４）と
の境界部（２１）では荷重ベクトル（１つ）の方向が急
激に変化するため、金属ボール（４）の大きさが小さい
場合には、このキャピラリチップ（１）の境界部（２１
）が金属ボール（４）を突き破って電極層（８）に衝突
してしまう恐れがあった。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、信頼性の高い電極接合部の構造を有する半導体
装置を得ることを目的とする。
もので、信頼性の高い電極接合部の構造を有する半導体
装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、半導体チップの２！極層
に金属ワイヤがボンディングされた半導体装置であって
、前記金属ワイヤの先端部に形成されると共に前記電極
層に接合された金属ボールと、前記金属ボールと前記電
極層との境界部に形成された合金層とを備え、前記金属
ボールは前記金属ワイヤとの接続部に連続的に滑らかに
変化する凹曲面が形成されるように塑性変形されたもの
である。
に金属ワイヤがボンディングされた半導体装置であって
、前記金属ワイヤの先端部に形成されると共に前記電極
層に接合された金属ボールと、前記金属ボールと前記電
極層との境界部に形成された合金層とを備え、前記金属
ボールは前記金属ワイヤとの接続部に連続的に滑らかに
変化する凹曲面が形成されるように塑性変形されたもの
である。
この発明においては、金属ボールが金属ワイヤとの接続
部に連続的に滑らかに変化する凹曲面を形成するように
塑性変形されるので、金属ボールのｔＬ属組織の滑りは
接合部全体にわたって発生する。従って、金属ボールと
被ボンデイング体との間に均一な合金層が形成される。
部に連続的に滑らかに変化する凹曲面を形成するように
塑性変形されるので、金属ボールのｔＬ属組織の滑りは
接合部全体にわたって発生する。従って、金属ボールと
被ボンデイング体との間に均一な合金層が形成される。
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
。
。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体装置の電極接
合部の断面図である。Ｓｉ等の絶縁膜からなる電極下地
層（１８）の上にアルミニウム等からなる電極層（８）
が形成され、この電極層（８）に銅ボール等の金属ボー
ル（４）が接合されている。
合部の断面図である。Ｓｉ等の絶縁膜からなる電極下地
層（１８）の上にアルミニウム等からなる電極層（８）
が形成され、この電極層（８）に銅ボール等の金属ボー
ル（４）が接合されている。
金属ボール（４）は電極層（８）の表面にほぼ平行な偏
平形状を有し、その下部が電極層（８）に埋め込まれて
いる。金属ボール（４）の上部中心部には銅からなる金
属ワイヤ（２）の一端が一体的に接続されており、金属
ワイヤ（２）の他端はリードフレーム（図示せず）に接
続される。金属ボール（４）と金属ワイヤ（２）との接
続部には、傾きが連続的に滑らかに変化する曲率半径Ｒ
の凹曲面部（１５）が形成され、この凹曲面部（１５）
の外側の金属ボール（４）上に平坦面部（１６）が形成
されている。また、金属ボール（４）と電極層（８）と
の境界部には銅・アルミニウム合金からなる合金層（１
７）が形成されている。
平形状を有し、その下部が電極層（８）に埋め込まれて
いる。金属ボール（４）の上部中心部には銅からなる金
属ワイヤ（２）の一端が一体的に接続されており、金属
ワイヤ（２）の他端はリードフレーム（図示せず）に接
続される。金属ボール（４）と金属ワイヤ（２）との接
続部には、傾きが連続的に滑らかに変化する曲率半径Ｒ
の凹曲面部（１５）が形成され、この凹曲面部（１５）
の外側の金属ボール（４）上に平坦面部（１６）が形成
されている。また、金属ボール（４）と電極層（８）と
の境界部には銅・アルミニウム合金からなる合金層（１
７）が形成されている。
このような構造の電極接合部は第２図（ａ）及び（ｂ）
に示すようなキャピラリチップ（１）を用いることによ
り形成することができる。このキャピラリチップ（１）
の先端部には平坦な荷重面（１４）が形成されており、
また中心部には金属ワイヤ（２）を挿通するためのホー
ル径Ｄ１の挿通孔（２２）が設けられている。この挿通
孔（２２）は荷重面（１４）に開口しており、その開口
周縁部には面取り部（１３）が形成されている。この面
取り部（１３）は挿通孔（２２）内に挿通される金属ワ
イヤ（２）の径Ｄ２より小さな曲率半径Ｒで挿通孔（２
２）の内壁面から荷重面（１４）に向かって連続的に滑
らかに変化する凸曲面を有している。
に示すようなキャピラリチップ（１）を用いることによ
り形成することができる。このキャピラリチップ（１）
の先端部には平坦な荷重面（１４）が形成されており、
また中心部には金属ワイヤ（２）を挿通するためのホー
ル径Ｄ１の挿通孔（２２）が設けられている。この挿通
孔（２２）は荷重面（１４）に開口しており、その開口
周縁部には面取り部（１３）が形成されている。この面
取り部（１３）は挿通孔（２２）内に挿通される金属ワ
イヤ（２）の径Ｄ２より小さな曲率半径Ｒで挿通孔（２
２）の内壁面から荷重面（１４）に向かって連続的に滑
らかに変化する凸曲面を有している。
このようなキャピラリチップ（１）を用いると共に上述
した第６図（ａ）〜（ｅ）に示される工程と同様にして
ワイヤボンディングを行った。
した第６図（ａ）〜（ｅ）に示される工程と同様にして
ワイヤボンディングを行った。
すなわち、まず、キャピラリチップ（１）の挿通孔（２
２）内に金属ワイヤ（２）を挿通し、その金属ワイヤ（
２）の先端部をトーチ（３）により加熱してここに金属
ワイヤ（２）の径Ｄ２の１．５〜２．５倍の直径を有す
る金属ボール（４）を形成する０次に、キャピラリチッ
プ（１）を降下させて金属ボール（４）を銅系リードフ
レーム（５）のダイスパッド（６）上に配置されている
半導体チップ（７）のアルミニウム電極層（８）上に位
置させ、さらにキャピラリチップ（１）を降下させて金
属ボール（４）を塑性変形させる。
２）内に金属ワイヤ（２）を挿通し、その金属ワイヤ（
２）の先端部をトーチ（３）により加熱してここに金属
ワイヤ（２）の径Ｄ２の１．５〜２．５倍の直径を有す
る金属ボール（４）を形成する０次に、キャピラリチッ
プ（１）を降下させて金属ボール（４）を銅系リードフ
レーム（５）のダイスパッド（６）上に配置されている
半導体チップ（７）のアルミニウム電極層（８）上に位
置させ、さらにキャピラリチップ（１）を降下させて金
属ボール（４）を塑性変形させる。
このとき、キャピラリチップ（１）の面取り部（１３）
は曲率半径Ｒで連続的に滑らかに変化する凸曲面を有し
ているので、金属ボール（４）に加えられる荷重（１９
）は連続的に滑らかに変化した方向を有することになる
。また、ダイスバッド（６）はヒートブロック（９）上
に配置されており、半導体チップ（７）はこのヒートブ
ロック（９）によって温度３００〜４００℃に加熱され
ている。この状態で、キャピラリチップ（１）に振動装
置（図示せず）により超音波振動が印加される。これに
より、金属ボール（４）と電極層（８）の両金属元素が
相互拡散し、金属ボール（４）は電極層（８）に接合さ
れる。
は曲率半径Ｒで連続的に滑らかに変化する凸曲面を有し
ているので、金属ボール（４）に加えられる荷重（１９
）は連続的に滑らかに変化した方向を有することになる
。また、ダイスバッド（６）はヒートブロック（９）上
に配置されており、半導体チップ（７）はこのヒートブ
ロック（９）によって温度３００〜４００℃に加熱され
ている。この状態で、キャピラリチップ（１）に振動装
置（図示せず）により超音波振動が印加される。これに
より、金属ボール（４）と電極層（８）の両金属元素が
相互拡散し、金属ボール（４）は電極層（８）に接合さ
れる。
次に、キャピラリチップ（１）を上昇させつつその先端
部から金属ワイヤ（２〉を繰り出した後、リードフレー
ム（５）のインナーリード（１ｏ）上にキャピラリチッ
プ（１）を降下させて金属ワイヤ（２）をインナーリー
ド（１０）のワイヤ接続面（１１）上に圧接し、金属ワ
イヤ（２）のルーピングを行う、このとき、インナーリ
ード（１０）はヒートブロック（９）上に配置されて温
度３００〜４００℃に加熱されると共にキャピラリチッ
プ（１）には振動装置（図示せず）により超音波振動が
印加される。これにより、金属ワイヤ（２）とインナー
リード（１ｏ）のワイヤ接続面（１１）の両金属元素が
相互拡散し、金属ワイヤ（２）はワイヤ接続面（１１）
に接合される。
部から金属ワイヤ（２〉を繰り出した後、リードフレー
ム（５）のインナーリード（１ｏ）上にキャピラリチッ
プ（１）を降下させて金属ワイヤ（２）をインナーリー
ド（１０）のワイヤ接続面（１１）上に圧接し、金属ワ
イヤ（２）のルーピングを行う、このとき、インナーリ
ード（１０）はヒートブロック（９）上に配置されて温
度３００〜４００℃に加熱されると共にキャピラリチッ
プ（１）には振動装置（図示せず）により超音波振動が
印加される。これにより、金属ワイヤ（２）とインナー
リード（１ｏ）のワイヤ接続面（１１）の両金属元素が
相互拡散し、金属ワイヤ（２）はワイヤ接続面（１１）
に接合される。
その後、クランパ（１２）により金属ワイヤ（２）を固
定しながらキャピラリチップ（１）を上昇させて金属ワ
イヤ〈２）を切断する。
定しながらキャピラリチップ（１）を上昇させて金属ワ
イヤ〈２）を切断する。
ところで、上述したように、金属ボール（４）の圧接時
に金属ボール（４）に加わる荷重のベクトル（１９）は
キャピラリチップ（１）の凸曲面状の面取り部（１３）
により方向が徐々に且つ滑らかに連続的に変化する（第
２図参照）、この分散した荷重は、金属ボール（４）の
キャピラリチップ（１）との接合面付近の金属元素のみ
ならず、金属ボール（４）内部の金属元素にも作用し、
合金層（１７）が生成する前の金属ボール（４）の裏面
には第３図に示すように広範囲に滑り線が現れて滑り線
の少ない核（２０）は小さいものとなる。その結果、第
１図に示すごとく金属ボール（４）と電極層（８）との
接合部全体にわたって合金層（１７）がほぼ均一に形成
される。
に金属ボール（４）に加わる荷重のベクトル（１９）は
キャピラリチップ（１）の凸曲面状の面取り部（１３）
により方向が徐々に且つ滑らかに連続的に変化する（第
２図参照）、この分散した荷重は、金属ボール（４）の
キャピラリチップ（１）との接合面付近の金属元素のみ
ならず、金属ボール（４）内部の金属元素にも作用し、
合金層（１７）が生成する前の金属ボール（４）の裏面
には第３図に示すように広範囲に滑り線が現れて滑り線
の少ない核（２０）は小さいものとなる。その結果、第
１図に示すごとく金属ボール（４）と電極層（８）との
接合部全体にわたって合金層（１７）がほぼ均一に形成
される。
尚、キャピラリチップ（１）の挿通孔（２２）のホール
径り、と銅ワイヤの径Ｄ２との比り、／Ｄ２を変化させ
てワイヤボンディングを行い、それぞれの合金層〈１７
）の均一度を調べたところ、第４図のような結果が得ら
れた。すなわち、比り、１０２が１３未満の場合には金
属ワイヤは挿通孔（２２）内を滑らかに動くことができ
ずにルーピング不可の状態となり、１，５より大きい場
合には合金層（１７）の均一度が低下してしまう、従っ
て、ホール径Ｄ１と金属ワイヤの径０２との比ＤＩ／Ｄ
２は、１．３〜１．５が最適範囲である。
径り、と銅ワイヤの径Ｄ２との比り、／Ｄ２を変化させ
てワイヤボンディングを行い、それぞれの合金層〈１７
）の均一度を調べたところ、第４図のような結果が得ら
れた。すなわち、比り、１０２が１３未満の場合には金
属ワイヤは挿通孔（２２）内を滑らかに動くことができ
ずにルーピング不可の状態となり、１，５より大きい場
合には合金層（１７）の均一度が低下してしまう、従っ
て、ホール径Ｄ１と金属ワイヤの径０２との比ＤＩ／Ｄ
２は、１．３〜１．５が最適範囲である。
また、金属ボール（４）の凹曲面部（１５）の曲率半径
Ｒすなわちキャピラリチップく１）の面取り部（１３）
の凸曲面の曲率半径Ｒが金属ワイヤ（２）の径Ｄ２より
小さいときに合金層（１７）の均一度は優れることが確
認された。
Ｒすなわちキャピラリチップく１）の面取り部（１３）
の凸曲面の曲率半径Ｒが金属ワイヤ（２）の径Ｄ２より
小さいときに合金層（１７）の均一度は優れることが確
認された。
さらに、ボンディング後の金属ボール（４）の高さＨと
合金層（１７）の厚みＴとの関係を第５図の曲線（２３
）に示す、ただし、ボンディングは荷重１３０ ｇｍ、
超音波振動の振動数６０ＫＨｚ及び印加時間３０ｍ５ｅ
ｃで行った。この第５図かられかるように、キャピラリ
チップ（１）の凸曲面状の面取り部（１３）と平坦な荷
重面（１４）とが滑らかに接続しているので、金属ボー
ル（４）の大きさが小さくても荷重が集中して金属ボー
ル（４）を突き破ることはなく、ボンディング後の金属
ボール（４）の高さＨを６μ罹程度まで小さくしても正
常なボンディングを行うことができる。従って、超音波
振動エネルギーの効果を最大限に発揮することが可能と
なる。この第５図には、比較参照するために、従来の半
導体装置のｔｉ接合部における金属ボール（４）の高さ
Ｈと合金層（１７）の厚みＴとの関係が曲！！（２４）
で示されている。
合金層（１７）の厚みＴとの関係を第５図の曲線（２３
）に示す、ただし、ボンディングは荷重１３０ ｇｍ、
超音波振動の振動数６０ＫＨｚ及び印加時間３０ｍ５ｅ
ｃで行った。この第５図かられかるように、キャピラリ
チップ（１）の凸曲面状の面取り部（１３）と平坦な荷
重面（１４）とが滑らかに接続しているので、金属ボー
ル（４）の大きさが小さくても荷重が集中して金属ボー
ル（４）を突き破ることはなく、ボンディング後の金属
ボール（４）の高さＨを６μ罹程度まで小さくしても正
常なボンディングを行うことができる。従って、超音波
振動エネルギーの効果を最大限に発揮することが可能と
なる。この第５図には、比較参照するために、従来の半
導体装置のｔｉ接合部における金属ボール（４）の高さ
Ｈと合金層（１７）の厚みＴとの関係が曲！！（２４）
で示されている。
尚、金属ワイヤ（２）及び金属ボール（４）は銅以外の
金属から形成してもよく、電極層（８）もアルミニウム
以外の金属を用いることができる。
金属から形成してもよく、電極層（８）もアルミニウム
以外の金属を用いることができる。
以上説明したようにこの発明によれば、金属ワイヤの先
端部に形成されると共に電極層に接合された金属ボール
と、前記金属ボールと前記電極層との境界部に形成され
た合金層とを備え、前記金属ボールは前記金属ワイヤと
の接続部に連続的に滑らかに変化する凹曲面が形成され
るように塑性変形されているので、金属ボールと電極層
との境界部に形成される合金層の均一度が向上し、電極
接合部としての信頼性が向上する。
端部に形成されると共に電極層に接合された金属ボール
と、前記金属ボールと前記電極層との境界部に形成され
た合金層とを備え、前記金属ボールは前記金属ワイヤと
の接続部に連続的に滑らかに変化する凹曲面が形成され
るように塑性変形されているので、金属ボールと電極層
との境界部に形成される合金層の均一度が向上し、電極
接合部としての信頼性が向上する。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体装置の電極接
合部を示す断面図、第２図６）及び（ｂ）はそれぞれ第
１図の電極接合部を形成するためのキャピラリチップの
要部を示す断面図及び端面図、第３図は第１図の金属ボ
ールの裏面における金属元素の滑り線を示す図、第４図
は実施例におけるキャピラリチップの挿通孔のホール径
り、と金属ワイヤの径Ｄ２との比ＤＩ／Ｄ２に対する合
金層の均一度を示すグラフ、第５図はボンディング後の
金属ボールの高さＨと合金層の厚みＴとの関係を示すグ
ラフ、第６図（ａ）〜（ｅ）は一般的なワイヤボンディ
ング方法分示す工程図、第７図（ａ）及び（Ｊｂ）はそ
れぞれ従来のキャピラリチップの要部を示す断面図及び
端面図、第８図は従来の半導体装置の電極接合部を示す
断面図、第９図は第８図の金属ボールの裏面における金
属元素の滑り線を示す図である。 図において、（２）は金属ワイヤ、（４）は金属ボール
、（８）は電極層、（１５）は凹曲面部、（１７）は合
金層である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
合部を示す断面図、第２図６）及び（ｂ）はそれぞれ第
１図の電極接合部を形成するためのキャピラリチップの
要部を示す断面図及び端面図、第３図は第１図の金属ボ
ールの裏面における金属元素の滑り線を示す図、第４図
は実施例におけるキャピラリチップの挿通孔のホール径
り、と金属ワイヤの径Ｄ２との比ＤＩ／Ｄ２に対する合
金層の均一度を示すグラフ、第５図はボンディング後の
金属ボールの高さＨと合金層の厚みＴとの関係を示すグ
ラフ、第６図（ａ）〜（ｅ）は一般的なワイヤボンディ
ング方法分示す工程図、第７図（ａ）及び（Ｊｂ）はそ
れぞれ従来のキャピラリチップの要部を示す断面図及び
端面図、第８図は従来の半導体装置の電極接合部を示す
断面図、第９図は第８図の金属ボールの裏面における金
属元素の滑り線を示す図である。 図において、（２）は金属ワイヤ、（４）は金属ボール
、（８）は電極層、（１５）は凹曲面部、（１７）は合
金層である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体チップの電極層に金属ワイヤがボンディングされ
た半導体装置であって、 前記金属ワイヤの先端部に形成されると共に前記電極層
に接合された金属ボールと、 前記金属ボールと前記電極層との境界部に形成された合
金層とを備え、 前記金属ボールは前記金属ワイヤとの接続部に連続的に
滑らかに変化する凹曲面が形成されるように塑性変形さ
れたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193399A JPH0243747A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193399A JPH0243747A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243747A true JPH0243747A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16307299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63193399A Pending JPH0243747A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243747A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448742A (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2016028417A (ja) * | 2014-07-11 | 2016-02-25 | ローム株式会社 | 電子装置 |
| JP2017135392A (ja) * | 2009-06-18 | 2017-08-03 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| JP2019204982A (ja) * | 2014-07-11 | 2019-11-28 | ローム株式会社 | 電子装置 |
-
1988
- 1988-08-04 JP JP63193399A patent/JPH0243747A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448742A (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2017135392A (ja) * | 2009-06-18 | 2017-08-03 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| US10163850B2 (en) | 2009-06-18 | 2018-12-25 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2016028417A (ja) * | 2014-07-11 | 2016-02-25 | ローム株式会社 | 電子装置 |
| JP2019204982A (ja) * | 2014-07-11 | 2019-11-28 | ローム株式会社 | 電子装置 |
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