JPH0244522A - 垂直磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置に用いて好適な垂
直磁気ディスクの製造方法に関し、ディスク基板の材質
に関係なく、また高透磁率な軟磁性層（裏打ち層）を厚
膜化しても、その軟磁性層上にヘッド吸着を防止する所
望の粗面化された表面を有する垂直記録層を容易に形成
することを目的とし、 ディスク基板上に高透磁率な軟磁性層を形成し、その表
面に網目状電極を対向配置して該軟磁性層と網目状電極
間に電圧を印加し、電解工・ンチングにより軟磁性層の
表面を微小な凹凸を有する粗面にする。または該ディス
ク基板上に、その半径方向に少なくとも１列に設けた複
数本の針状電極を所定間隔をもって対向配置して該ディ
スク基板と複数本の針状電極間に電圧を印加し、ディス
ク基板上に前記複数本の針状電極に対応する微小な凹凸
状の粗面を有するめっき層からなる高透磁率な軟磁性層
を形成した後、該軟磁性層の粗面上に垂直記録層を形成
するように構成とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置に用いて
好適な垂直磁気ディスクの製造方法に係り、特にＣＳ　
Ｓ　（Ｃｏｎｔａｃｔ　５ｔａｒｔ　５ｔｏｐ）動作等
における磁気ヘッドの吸着を防止した摺動特性の良い二
層膜構造の垂直磁気ディスクの製造方法に関するもので
ある。

磁気ディスク装置においては、磁気ディスクの回転が停
止状態では磁気ヘッドがディスク面に接触しており、該
磁気ディスクの回転速度の上昇と共に磁気ヘッドが摺動
から浮上して一定間隔を保った状態で情報の記録再生を
行うＣ８Ｓ方式が広く用いられている。

このようなＣ８Ｓ方式では、磁気ヘッドが磁気ディスク
面上に浮上するまでに比較的間遠で該ディスク面と接触
摺動することから、磁気ヘッド及び磁気ディスク面の摩
擦損傷を防止するために、該磁気ディスク表面には潤滑
膜等が施されている。

この潤滑膜が施された磁気ディスクの表面が平滑過ぎる
と、Ｃ８Ｓ動作時等において磁気ヘッドが対向するディ
スク面に吸着してヘッドクラッシュが発生する傾向にあ
る。このため、Ｃ８Ｓ動作等にヘッド吸着のない、耐ク
ラツシユ性に優れた垂直磁気ディスクの製造方法が必要
とされている。

〔従来の技術〕

Ｃ８Ｓ動作等におけるヘッド吸着を防止した耐クラツシ
ユ性を有する従来の垂直磁気ディスクの製造方法として
は、第１０図（ａ）に示すように先ずディスク基板１の
表面をラッピングテープ等を用いた機械的な粗面加工（
テクスチャリング法とも呼ばれる）によって、微小な凹
凸（０，１μｍ以下）を有する粗面２にした後、第１０
図（ｂ）に示すようにかかる基板１の表面にＮｉ−Ｆｅ
からなる、例えば０．５μｍの膜厚の高透磁率な軟磁性
層（以下、軟磁性裏打ち層と称する）３及びＣｏ−Ｃｒ
からなる０、２μｍの膜厚の垂直記録層４とをめっき法
及びスパッタリング法等により順に形成する。

そして第１０図（Ｃ）に示すようにその垂直記録層４の
表面に磁気ヘッドの接触摺動時の摩擦、摩耗を低減する
ために保護膜５及び潤滑膜６を施している。

ここでディスク基板１の表面を粗面２にする所以は、そ
の粗面２上に軟磁性裏打ち層３、垂直記録層４、保護膜
５及び潤滑膜６を順に被着形成すると、該潤滑膜６が施
された最上面が、第１０図（Ｃ）に示すように前記ディ
スク基板１の表面の粗面状態を継承した面となり、この
表面状態によって磁気ヘッドとの接触面積が低減されて
ヘッド吸着が防がれ、しかも潤滑膜の膜厚が適度に保持
されると共に、磁気ヘッドに対する低摩擦、低摩耗が維
持されている。

〔発明が解決しようとする課題］ ところで上記したようにヘッド吸着等を防止するために
ディスク基板１の表面を機械的な粗面加圧（テクスチャ
リング法とも呼ばれる）により粗面２にしているが、該
ディスク基板１の材質がアルミニウム、アルミニウム合
金等に比べて、比較的硬いＮｉＰ、或いはガラス等から
なるディスク基板を用いた場合、その表面を機械的に粗
面加工する際の表面荒さの制御が難しい。

また上記したような二層膜構造の垂直磁気ディスクにお
ける高透磁率な軟磁性裏打ち層３は、記録再生時に垂直
記録層４の裏面に発生する分極磁荷を抑制し、かつ垂直
減磁界を減らすことにより磁化の減少を防ぎ、更に磁気
ヘッドに対する磁束のリターンパスを形成することから
、記録再生効率を向上させる磁気ヘッドの一部の機能を
担っており、より良好な記録再生特性を得るためにはそ
の膜厚を厚くすることが要求される。

従って、前記軟磁性裏打ち層３の膜厚をミクロンオーダ
に厚くすると、その表面状態がディスク基板１表面に形
成した粗面を継承する微小な凹凸面となり難くなる。特
に成膜速度の大きいめっき法により膜厚の厚い軟磁性裏
打ち層を形成する場合には、この現象が顕著であるため
、当該ディスクの最表面にもディスク基板面の粗面の影
響が現れず、ヘッド吸着の防止効果が失われるといった
問題があった。

本発明は上記した従来の問題点に鑑み、ディスク基板の
材質に関係なく、また高透磁率な軟磁性裏打ち層を厚膜
化しても、その軟磁性裏打ち層上にヘッド吸着を防止す
る所望の粗面化された表面を有する垂直記録層を容易に
形成することができる新規な垂直磁気ディスクの製造方
法を提供することを目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

上記した目的を達成するため、第１発明に係る製造方法
では、ディスク基板上に軟磁性裏打ち層を形成し、その
表面に網目状電極を対向配置し、該軟磁性裏打ち層と網
目状電極間に電圧を印加して電解エツチングを行い、軟
磁性裏打ち層の表面を前記網目状電極の網目に対応する
微小な凹凸を有する粗面にした後、該軟磁性裏打ち層の
粗面上に垂直記録層を形成するように構成とする。

また第２発明に係る製造方法では、ディスク基板上に軟
磁性裏打ち層及び垂直記録層を順に積層形成した垂直磁
気ディスクにおける軟磁性裏打ち層の形成工程において
、前記ディスク基板上に、その半径方向に少なくとも１
列に設けた複数本の針状電極を所定間隔をもって対向配
置し、該ディスク基板と複数本の針状電極間に電圧を印
加した状態でディスク基板上に、前記複数本の針状電極
に対応した微小な凹凸状の粗面を有するめっき層からな
る軟磁性裏打ち層を形成することを特徴としている。

〔作　用〕

第１発明の製造方法では、ディスク基板上に形成された
例えばＮｉ−Ｆｅからなる高透磁率な軟磁性裏打ち層を
陽極、対向配置した網目状電極を陰極とし、この両者間
に電圧を印加して電解エツチングを行うと、該網目状電
極の網線部分と対応する軟磁性裏打ち層部分が他の網目
部分よりも速い速度で電気化学的に溶かされて選択的に
エツチングされることから、該軟磁性裏打ち層の表面が
微小な凹凸状の粗面となる。

また第２発明の製造方法では、ディスク基板と所定間隔
をもって対向配置した複数本の針状電極間に電圧を印加
してディスク基板上に例えばＮｉ−Ｆｅからなるめっき
層（軟磁性裏打ち層）を形成すると、各針状電極の先端
と対応するディスク基板の表面部分への成膜速度が、他
の表面部分よりも速いため、めっき層の膜厚が部分的に
異なり、成膜されためっき層（軟磁性裏打ち層）の表面
は微小な凹凸状に粗面化される。

従って、上記した軟磁性裏打ち層の粗面上に垂直記録層
を形成することにより、該軟磁性裏打ち層の厚さに影響
されることなく、その微小な凹凸状の粗面を継承した表
面を有する垂直記録層を容易に形成することができる。

その結果、ヘッド吸着のない低摩擦の良好な摺動特性を
有する垂直磁気ディスクが得られる。

〔実施例〕

以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。

第１図は本発明の第１発明に係る垂直磁気ディスクの製
造方法の一実施例を説明するための概略電解エツチング
装置図である。

本実施例では、例えば予めスパッタリング法等によりＮ
ｉ−Ｆｅからなるめっき下地膜１２が形成されたガラス
等からなる非磁性のディスク基板１１上の表面に、硫酸
ニッケル（ＮｉＳ０４・６Ｈ２０）と硫化第一鉄（Ｆｅ
ＳＯ，・７Ｈ２０）とを主成分とするめっき液を用い、
電圧：５．ＯＶ、電流密度：６八／　ｄａ”のめっき成
膜条件により２〜３μｍの厚さのＮｉ−Ｆｅからなる厚
い高透磁率な軟磁性裏打ちＮ１３を形成する。

次に第１図に示すように例えば前記Ｎｉ−Ｆｅめっき液
を電解液とするか、或いは燐酸系電解液等の電解液２２
を満たした電解槽２１内に、基板支持体２３に取付けら
れた前記軟磁性裏打ち層１３が形成されたディスク基板
１１と網目状電極２４とを、例えば０．１μ情程度の間
隔をもって対向配置し、該軟磁性裏打ち層１３を陽極、
網目状電極２４を陰極としてこの両極間に電圧を印加し
て電解エツチングを行う。

上記網目状電極２４としては、例えば目の開きが０．１
１の！ｌｉｄ　（Ｃｕ）メツシュにニッケルめっきを施
したものを用い、電解電流は前記Ｎｉ−Ｆｅめっき時の
１７５、通電時間は同じ＜　１／１０程度にする。

か（すれば、第２図に示すように前記網目状電極２４の
網線２４ａに対応する軟磁性裏打ち層１３の表面部分が
網目２４ｂ部分に対して選択的に電解エツチングされて
、第３図に示すように微小な凹凸を有する粗面１４が形
成される。

従って、第４図に示すようにこの軟磁性裏打ち層１３の
粗面１４上に、例えばＣｏ−Ｃｒからなる０、２μｍの
膜厚の垂直記録層１５をスパッタリング法等により形成
し、その表面に更に磁気ヘッドの接触摺動時の摩擦、摩
耗を低減するために保護膜１６及び潤滑膜１７を施して
完成させることにより、高透磁率な軟磁性裏打ち層１３
の膜厚を厚くしても、その厚さに影響されることなく該
軟磁性裏打ち層Ｉ３上に、その微小な凹凸状の粗面１４
を継承した表面を有する垂直記録層１５、更には保護膜
１６及び潤滑膜１７を容易に形成することができる。

また第５図は本発明の第２発明に係る垂直磁気ディスク
の製造方法の一実施例を説明するための概略めっき装置
図である。

本実施例では図示のように硫酸ニッケル（ＮｉＳＯイー
　６１１２０）と硫化第一鉄（ＦｅＳＯ４・７ＨｚＯ）
とを主成分とするめっき液４２を満たしためっき浴槽４
１内に、基板支持体４３に取付けられた、例えば表面に
予めスパッタリング法等によりＮｉ−Ｆｅからなるめっ
き下地膜３２が形成されたガラス等からなる非磁性のデ
ィスク基板３１と該ディスク基板３１の半径方向に１列
、または複数列に設けた複数本のタングステン（−）か
らなる針状電極４４とを所定間隔（例えば１μｍ間隔程
度）をもって対向配置し、該ディスク基板３１上のめっ
き下地膜３２（陽極）と複数本の針状電極４４（陽極）
間に４〜５■の電圧を印加し、５０ｍＡ／ｃｍ”の電流
密度によってディスク基板３１上に、２〜３μｍの厚さ
のＮｉ−Ｆｅめっき層を形成する。

前記複数本の針状電極４４としては、均一な粗面を形成
するために不溶性のタングステン（り針を用いているこ
とから、めっき中におけるめっき液内のＮｉ、Ｆｅ等の
成分が減少するので、前記めっき浴槽４１内のめっき液
４２に新しいめっき液を常時補充するようにしている。

まためっき操作としては、前記ディスク基板３１の半径
方向に１列、または複数列に設けた複数本の針状電極４
４と対向するディスク基板３１を、所定ステップ幅ずつ
一定時間毎に回転移動させてめっきを行う。

かくすれば、第６図に示すように各針状電極４４の先端
と対応するディスク基板３１上のめっき下地膜３２の表
面部分へのめっき成膜速度が、他の表面部分よりも速い
ため、めっき層の膜厚が部分的に異なり、第７図に示す
ように成膜されためっき層からなる軟磁性裏打ち層３３
の表面は微小な凹凸を有する粗面３４となる。

従って、第９図に示すようにかかる軟磁性裏打ち層３３
の粗面３４上に、例えばＣｏ−Ｃｒからなる垂直記録層
３５をスパッタリング法等により０．２μｍの膜厚に形
成し、その表面に更に磁気ヘッドの接触摺動時の摩擦、
摩耗を低減するための保護膜３６及び潤滑膜３７を施し
て完成させることにより、高透磁率な軟磁性裏打ち層３
３の膜厚を厚くしても、その厚さに左右されることな（
該軟磁性裏打ち層３３上に、その微小な凹凸状の粗面３
４を継承した表面を有する垂直記録層３５、更には保護
膜３６及び潤滑膜３７を容易に形成することができる。

なお、以上の実施例ではディスク基板３１の半径方向に
１列、または複数列に設けた複数本の針状電極４４と対
向するディスク基板３１を、所定ステップ幅ずつ一定時
間毎に回転移動させてめっきを行う場合の例について説
明したが、ディスク基板３１を固定し、対向する前記複
数本の針状電極４４を同様に所定ステップ幅ずつ一定時
間毎に回転移動させるようにしてもよい。また前記複数
本の針状電極４４、或いはディスク基板３１の何れか一
方を該ディスク基板３１の回転方向に低速度で移動させ
ながらめっきを行うようにしても良い。この場合には第
８図に示すようにディスク基板３１の半径方向に微小な
凹凸状の粗面３４ａを有する軟磁性裏打ち層３３ａが形
成され同様な効果が得られる。

またディスク基板３１の全面に複数本の針状電極を所定
間隔をもって対向配置してめっきを行うようにしても良
い。更に軟磁性裏打ち層３３表面の粗面３４の荒さは、
ディスク基板３１面に対する複数本の針状電極４４の対
向配設密度を変化させることにより制御することができ
る。

〔発明の効果〕

以−ヒの説明から明らかなように、第１．第２発明に係
る垂直磁気ディスクの製造方法によれば、ディスク基板
−ヒに形成される高透磁率な軟磁性裏打ち層の表面を、
該軟磁性裏打ち層の膜厚に左右されることなく適度の微
小な凹凸状の粗面とすることが可能となり、その軟磁性
裏打ち層上に所望の荒さの粗面を有する垂直記録層、保
護膜等を容易に形成することができる。

従って、磁気ヘッドの吸着障害が防止され、しかも低摩
擦、低摩耗性を有する信顛性の高い垂直磁気ディスクを
得ることが可能となる等、実用上価れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１発明に係る垂直磁気ディスクの製
造方法の一実施例を説明する ための概略電解エツチング装置図、 第２図は第１発明における綱目状電極による電解エツチ
ングを説明するための要部拡 大断面図、 第３図は第１発明による軟磁性裏打ち層表面の微小な凹
凸状粗面を説明するための部 分斜視図、 第４図は第１発明に係名垂直磁気ディスクの製造方法の
一実施例を説明するための要 部断面図、 第５図は本発明の第２発明に係る垂直磁気ディスクの製
造方法の一実施例を説明する ための概略めっき装置図、 第６図は第２発明における針状電極によるめっきを説明
するための要部拡大断面図、 第７図及び第８図は第２発明による軟磁性裏打ち層表面
の微小な凹凸状粗面を説明す るための部分斜視図、 第９図は第２発明に係る垂直磁気ディスクの製造方法の
一実施例を説明するための要 部断面図、 第１０図（ａ）〜（Ｃ）は従来の垂直磁気ディスクの製
造方法を工程順に説明するための要部断 面図である。 第１図乃至第９図において、 １１．３１はディスク基板、１２．３２はめっき下地膜
、１３．３３は軟磁性裏打ち層、１４．３４゜３４ａは
粗面、１５．３５は垂直記録層、１６．３６は保護膜、
１７．３７は潤滑膜、２１は電解槽、２２は電解液、２
３．４３は基板支持体、２４は網目状電極、２４ａは網
線、２４ｂは網目、４１はめっき浴槽、４２はめっき液
、４４は針状電極をそれぞれ示す。 第 図 第 図 オＩｊ木９月津ル４−！ｔΣＪ丁９７を未ｊカのオ万面
６オ１多ンタ；を呼子ν２図第３図 第 図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）ディスク基板（１１）上に高透磁率な軟磁性層（
   １３）を形成し、その表面に網目状電極（２４）を対向
   配置して該軟磁性層（１３）と網目状電極（２４）間に
   電圧を印加し、電解エッチングにより軟磁性層（１３）
   の表面を微小な凹凸を有する粗面（１４）にした後、該
   軟磁性層（１３）の粗面（１４）上に垂直記録層（１５
   ）を形成することを特徴とする垂直磁気ディスクの製造
   方法。
2. （２）ディスク基板（３１）上に高透磁率な軟磁性層（
   ３３）及び垂直記録層（３５）を順に積層形成した垂直
   磁気ディスク媒体における軟磁性層（３３）の形成工程
   において、上記ディスク基板（３１）上に、その半径方
   向に少なくとも１列に設けた複数本の針状電極（４４）
   を所定間隔をもって対向配置して該ディスク基板（３１
   ）と複数本の針状電極（４４）間に電圧を印加し、該デ
   ィスク基板（３１）上に、前記複数本の針状電極（４４
   ）に対応する微小な凹凸状の粗面（３４）を有するめっ
   き層からなる高透磁率な軟磁性層（３３）を形成するこ
   とを特徴とする垂直磁気ディスクの製造方法。
3. （３）上記ディスク基板（３１）と対向する複数本の針
   状電極（４４）群を、ディスク基板（３１）の円周方向
   にステップ的、若しくは連続的に移動させて、該ディス
   ク基板（３１）上に微小な凹凸状の粗面（３４）を有す
   るめっき層からなる高透磁率な軟磁性層（３３）を形成
   することを特徴とする請求項（２）に記載の垂直磁気デ
   ィスクの製造方法。