JPH0244546A - 光ディスク原盤の製造方法 - Google Patents
光ディスク原盤の製造方法Info
- Publication number
- JPH0244546A JPH0244546A JP63194095A JP19409588A JPH0244546A JP H0244546 A JPH0244546 A JP H0244546A JP 63194095 A JP63194095 A JP 63194095A JP 19409588 A JP19409588 A JP 19409588A JP H0244546 A JPH0244546 A JP H0244546A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- master
- film
- disk
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、クロストークの小さい高密度再生専用光ディ
スク原盤等の光ディスク原盤の製造方法に関するもので
ある。
スク原盤等の光ディスク原盤の製造方法に関するもので
ある。
従来の技術
再生専用光ディスクの高密度化に伴い、トラックピッチ
は狭くなり隣接トラック間のクロストークが問題となっ
ている。その解決策の一つとしてピット形状、すなわち
ビットの側面をできる限りディスク面に対して垂直に立
たせることが考えられる。
は狭くなり隣接トラック間のクロストークが問題となっ
ている。その解決策の一つとしてピット形状、すなわち
ビットの側面をできる限りディスク面に対して垂直に立
たせることが考えられる。
従来はレジスト塗布、光マスタリング、現像、ポストベ
イク、イオンミリング、レジスト除去という一連の工法
を用いており、中でもミリングには、サイドエツチング
が少なく異方性を持たせ易いイオン銃を用いたイオンミ
リング法を採用していた。
イク、イオンミリング、レジスト除去という一連の工法
を用いており、中でもミリングには、サイドエツチング
が少なく異方性を持たせ易いイオン銃を用いたイオンミ
リング法を採用していた。
発明が解決しようとする課題
光ディスクでは、最小ビットが現在すでにピット面積的
０．４７１ｍＸ０．６μｍかつビット深さ１／４波長＝
約０．１μｍと非常に小さい。そのためイオン銃を用い
たイオンミリングにおいても、第２図（ａ）に見られる
ような側面が垂直に立ったきれいなビットは得られず、
通常第２図（ｂ）で示されるような全体に丸まった、あ
るいは三角形のビット断面形状となっていた。すなわち
、第２図（ｂ）のようなビット形状では隣接トラック中
のビットによる反射光が散乱されるため、トラックピッ
チを１μｍ以下に狭めたときにクロストークが大きくな
ってしまっていた。
０．４７１ｍＸ０．６μｍかつビット深さ１／４波長＝
約０．１μｍと非常に小さい。そのためイオン銃を用い
たイオンミリングにおいても、第２図（ａ）に見られる
ような側面が垂直に立ったきれいなビットは得られず、
通常第２図（ｂ）で示されるような全体に丸まった、あ
るいは三角形のビット断面形状となっていた。すなわち
、第２図（ｂ）のようなビット形状では隣接トラック中
のビットによる反射光が散乱されるため、トラックピッ
チを１μｍ以下に狭めたときにクロストークが大きくな
ってしまっていた。
本発明は、従来のこの様な課題を解決した、光ディスク
原盤の製造方法を提供することを目的とする。
原盤の製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、光ディスク原盤の製造方法において、レジス
ト塗布、光マスタリング、現像の後、ポストベイクを行
わずに、膜を蒸着法またはイオンビームスパッタ法等を
用い、膜形成部近傍圧力８×１０−’ｔｏｒｒ以下で形
成、レジスト除去する。
ト塗布、光マスタリング、現像の後、ポストベイクを行
わずに、膜を蒸着法またはイオンビームスパッタ法等を
用い、膜形成部近傍圧力８×１０−’ｔｏｒｒ以下で形
成、レジスト除去する。
作用
８Ｘ １０−’ ｔｏｒｒ以下といった高真空下では、
原子は気体分子による散乱を受けずに基板面に垂直入射
して膜を形成するので、出来たビットの側面を容易にデ
ィスク面に対して垂直に立たせることが可能となる。
原子は気体分子による散乱を受けずに基板面に垂直入射
して膜を形成するので、出来たビットの側面を容易にデ
ィスク面に対して垂直に立たせることが可能となる。
またレジスト現像後に常識として行われていたポストベ
イクを、逆に本発明では実施しないことによりレジスト
プロファイルが急峻となり、ポストベイク時に発生する
レジストの縮みからくる解像度の劣化、及びレジスト除
去時に発生するレジスト段差部でのビットパターンのち
ぎれを阻止することが出来る。
イクを、逆に本発明では実施しないことによりレジスト
プロファイルが急峻となり、ポストベイク時に発生する
レジストの縮みからくる解像度の劣化、及びレジスト除
去時に発生するレジスト段差部でのビットパターンのち
ぎれを阻止することが出来る。
実施例
以下に、本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の光ディスク原盤の製造方法を説明す
るための、光ディスク原盤の一部断面図である。第１図
（ａ）は、原盤表面ｌへのレジスト２の塗布工程、第１
図（ｂ）は、光マスタリング及び現像工程であり、ここ
でビットパターン３がレジスト２内に刻まれる。第１図
（Ｃ）は、真空中での膜４の形成工程、第１図（ｄ）は
、レジスト除去工程であり、後にビットパターン５が原
盤表面ｌ上に残る。
るための、光ディスク原盤の一部断面図である。第１図
（ａ）は、原盤表面ｌへのレジスト２の塗布工程、第１
図（ｂ）は、光マスタリング及び現像工程であり、ここ
でビットパターン３がレジスト２内に刻まれる。第１図
（Ｃ）は、真空中での膜４の形成工程、第１図（ｄ）は
、レジスト除去工程であり、後にビットパターン５が原
盤表面ｌ上に残る。
次に、第１図（ｂ′）、 （Ｃ′）、 （ｄ′）は、本
発明とは逆にレジスト現像後にポストベイクを行ったと
きの原盤断面形状変化を示すものである。
発明とは逆にレジスト現像後にポストベイクを行ったと
きの原盤断面形状変化を示すものである。
第１図（ｂ）と第１図（ｂ′）とを比べると、第１図（
ｂ′）ではまずレジスト２の解像度が落ちてビット部が
広がってしまっていること、さらにレジストプロファイ
ルの急峻さが失われていることが分かる。第１図（Ｃ）
と第１図（Ｃ′）とを比べて分かる最も大きな違いは、
第１図（Ｃ９）ではレジスト斜面にも膜４が形成されて
しまっている点である。故に、第１図（Ｃ′）で最終的
に得られたビットパターン５を見てみると、まずビット
面積が広がってしまっていること、さらにレジスト段差
部における膜４自身のちぎれからビット側面の形状がぎ
ざぎざになっていることの二つが分かる。
ｂ′）ではまずレジスト２の解像度が落ちてビット部が
広がってしまっていること、さらにレジストプロファイ
ルの急峻さが失われていることが分かる。第１図（Ｃ）
と第１図（Ｃ′）とを比べて分かる最も大きな違いは、
第１図（Ｃ９）ではレジスト斜面にも膜４が形成されて
しまっている点である。故に、第１図（Ｃ′）で最終的
に得られたビットパターン５を見てみると、まずビット
面積が広がってしまっていること、さらにレジスト段差
部における膜４自身のちぎれからビット側面の形状がぎ
ざぎざになっていることの二つが分かる。
この原盤から取られたレプリカを再生すると、隣接トラ
ック間のクロストークには本発明のものと比べ劣化が見
られ＋１．５ｄｂ増加していた。
ック間のクロストークには本発明のものと比べ劣化が見
られ＋１．５ｄｂ増加していた。
本発明とは逆に膜４を形成する際、膜形成部近傍圧力が
８Ｘ １０””ｔｏｒｒを越えていたときの原盤断面形
状変化を第１図（ｃ”）、 （ｄ”）に示す。圧力が高
いため膜４の構成原子は気体分子により散乱され、原盤
表面に対し完全な垂直入射が出来なくなってしまう。従
って第１図（ｃ ”）ではレジスト２の段差部にも原子
が付着し膜４を形成している。そのため、第１図（ｄ”
）で最終的に得られたビットパターン５を見てみると、
レジスト段差部における膜４自身のちぎれからビット側
面の形状がぎざぎざになっていることが分かる。この原
盤から取られたレプリカを再生すると、隣接トラック間
のクロストークには本発明のものと比べ劣化が見られ＋
〇、５ｄｂ増加していた。
８Ｘ １０””ｔｏｒｒを越えていたときの原盤断面形
状変化を第１図（ｃ”）、 （ｄ”）に示す。圧力が高
いため膜４の構成原子は気体分子により散乱され、原盤
表面に対し完全な垂直入射が出来なくなってしまう。従
って第１図（ｃ ”）ではレジスト２の段差部にも原子
が付着し膜４を形成している。そのため、第１図（ｄ”
）で最終的に得られたビットパターン５を見てみると、
レジスト段差部における膜４自身のちぎれからビット側
面の形状がぎざぎざになっていることが分かる。この原
盤から取られたレプリカを再生すると、隣接トラック間
のクロストークには本発明のものと比べ劣化が見られ＋
〇、５ｄｂ増加していた。
本発明で得られた第１図（ｄ）のビットパターン５は、
第１図（ｂ）に示されている従来のイオンミリング法で
得られたものと比較すると凹凸は逆であるが、明らかに
理想のビットパターン第２図（ａ）に近付いており改善
が見られる。実際、本発明で得られた原盤及び従来のイ
オンミリング法による原盤のそれぞれから取られたレプ
リカの再生実験から、本発明により隣接トラック間のク
ロストークは一４ｄｂ改善されることが分かった。
第１図（ｂ）に示されている従来のイオンミリング法で
得られたものと比較すると凹凸は逆であるが、明らかに
理想のビットパターン第２図（ａ）に近付いており改善
が見られる。実際、本発明で得られた原盤及び従来のイ
オンミリング法による原盤のそれぞれから取られたレプ
リカの再生実験から、本発明により隣接トラック間のク
ロストークは一４ｄｂ改善されることが分かった。
たとえ異方性を持たせられるようにイオン銃を用いても
（反応性でない）イオンミリング法では、微小ビットを
良好な形状で形成できない理由として次の二つがあげら
れる。一つは、エツチングレートのイオン人射角依存、
すなわち水平入射に近いある特定の角度でエツチングレ
ートは最大となることである。これのためにビット側面
は垂直でなくある角度を取った方が安定となってしまう
。
（反応性でない）イオンミリング法では、微小ビットを
良好な形状で形成できない理由として次の二つがあげら
れる。一つは、エツチングレートのイオン人射角依存、
すなわち水平入射に近いある特定の角度でエツチングレ
ートは最大となることである。これのためにビット側面
は垂直でなくある角度を取った方が安定となってしまう
。
二つ目はレジスト側面へのエツチングされた粒子の再付
着効果である。これのためにビット側面は原盤に対し垂
直に立たずに丸まってしまう。
着効果である。これのためにビット側面は原盤に対し垂
直に立たずに丸まってしまう。
この二つの効果を消すには、イオン銃を用いた反応性エ
ツチングが効果的である。なぜなら反応性エツチングに
おいてはエツチングレートのイオン人射角依存がなく、
かつエツチングされた粒子は気体分子となることから再
付着もしない。従来のガラス基板を用いた光ディスク原
盤ではガラスと反応する弗素系のガスを用い反応性エツ
チングを行っていた。
ツチングが効果的である。なぜなら反応性エツチングに
おいてはエツチングレートのイオン人射角依存がなく、
かつエツチングされた粒子は気体分子となることから再
付着もしない。従来のガラス基板を用いた光ディスク原
盤ではガラスと反応する弗素系のガスを用い反応性エツ
チングを行っていた。
しかしトラッキングのための■溝を有する光ディスク原
盤においては、原盤の■溝面の材質が、■溝を切削加工
しやすい金属すなわちＣｕあるいはＡＩを主成分として
いるため、反応性でかつ反応後これら金属を気化しうる
ガス種が普通用いられるものの中には存在しない。故に
、特に■溝を有する原盤において本発明は有用と考えら
れる。
盤においては、原盤の■溝面の材質が、■溝を切削加工
しやすい金属すなわちＣｕあるいはＡＩを主成分として
いるため、反応性でかつ反応後これら金属を気化しうる
ガス種が普通用いられるものの中には存在しない。故に
、特に■溝を有する原盤において本発明は有用と考えら
れる。
なお原盤のＶ溝面の材質として通常は最も微小切削加工
しゃすいＣｕが用いられるが、Ｃｕは酸化し易くかつ酸
化鋼は面荒れを起こしやすい。従ってそのままでは本発
明を用いても、現像時にＣｕが現像液と反応し面荒れを
起こしてしまいそれがビット表面の荒れとなり引いては
再生時のクロス）−りの劣化へとつながり、かつロット
間でも大きなばらつきを生じてしまう。そこでこの面荒
れへの対策としては、■溝を切った後に酸化されづらい
金属薄膜を原盤表面に予め形成しておくか、または原盤
のＶ溝面の材質にＡＩを主成分とするものを採用する、
の二つが考えられる。実際、どちらの方法を用いても再
生時の顕著なりロストーク劣化は全ロットにわたって観
察されなかった。
しゃすいＣｕが用いられるが、Ｃｕは酸化し易くかつ酸
化鋼は面荒れを起こしやすい。従ってそのままでは本発
明を用いても、現像時にＣｕが現像液と反応し面荒れを
起こしてしまいそれがビット表面の荒れとなり引いては
再生時のクロス）−りの劣化へとつながり、かつロット
間でも大きなばらつきを生じてしまう。そこでこの面荒
れへの対策としては、■溝を切った後に酸化されづらい
金属薄膜を原盤表面に予め形成しておくか、または原盤
のＶ溝面の材質にＡＩを主成分とするものを採用する、
の二つが考えられる。実際、どちらの方法を用いても再
生時の顕著なりロストーク劣化は全ロットにわたって観
察されなかった。
発明の効果
本発明は、ポストベイクを行わずに、膜を膜形成部近傍
圧力８Ｘ １０−’ｔｏｒｒ以下で形成、レジスト除去
するので、クロストークの小さい高密度再生専用光ディ
スク原盤でも安定に製造しうる。
圧力８Ｘ １０−’ｔｏｒｒ以下で形成、レジスト除去
するので、クロストークの小さい高密度再生専用光ディ
スク原盤でも安定に製造しうる。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）、 （ｄ）は
、本発明の光ディスク原盤の製造方法の工程を示す工程
図、第１図（ｂ ’） 、 （ｃ ’） 、 （ｄ
’）は、比較例を示す工程図、第１図（Ｃ”’）、
（ｄ”）は、比較例を示す工程図、第２図（ａ）、
（ｂ）は、従来の光ディスク原盤表面断面図である。 ｌ・・・光ディスク原盤表面、２・・・レジスト、 ３
・ ・ ・ビットパターン、 ４・ ・ ・膜、 ５・
・・ビットパターン 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 ］ 図 第 ］ 図 第 ］ 図 第２図
、本発明の光ディスク原盤の製造方法の工程を示す工程
図、第１図（ｂ ’） 、 （ｃ ’） 、 （ｄ
’）は、比較例を示す工程図、第１図（Ｃ”’）、
（ｄ”）は、比較例を示す工程図、第２図（ａ）、
（ｂ）は、従来の光ディスク原盤表面断面図である。 ｌ・・・光ディスク原盤表面、２・・・レジスト、 ３
・ ・ ・ビットパターン、 ４・ ・ ・膜、 ５・
・・ビットパターン 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 ］ 図 第 ］ 図 第 ］ 図 第２図
Claims (5)
- （１）光ディスク原盤の製造方法において、レジスト塗
布、光マスタリング、現像の後、ポストベイクを行わず
に、膜を膜形成部近傍圧力８×１０＾−＾４ｔｏｒｒ以
下で形成、レジスト除去することを特徴とする光ディス
ク原盤の製造方法。 - （２）膜の膜厚が再生光ディスク材料中における再生光
の波長λの約１／４であることを特徴とする請求項１記
載の光ディスク原盤の製造方法。 - （３）光ディスク原盤に予めトラッキングのためのＶ溝
加工を行っておくことを特徴とする請求項２記載の光デ
ィスク原盤の製造方法。 - （４）Ｖ溝加工済み前記光ディスク原盤の表面に前記レ
ジスト塗布前に予め酸化されにくい金属薄膜を形成して
おくことを特徴とする請求項３記載の光ディスク原盤の
製造方法。 - （５）少なくとも前記Ｖ溝を切る面はＡｌを主成分とす
る材質でできていることを特徴とする請求項３記載の光
ディスク原盤の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63194095A JPH0244546A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63194095A JPH0244546A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0244546A true JPH0244546A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16318865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63194095A Pending JPH0244546A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244546A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119037A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Canon Inc | 情報記録媒体用原盤の製造方法 |
| JPH01251452A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 光ディスク基板の製造法 |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP63194095A patent/JPH0244546A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119037A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Canon Inc | 情報記録媒体用原盤の製造方法 |
| JPH01251452A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 光ディスク基板の製造法 |
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