JPH0245994A - 面発光レーザ素子の製造方法 - Google Patents
面発光レーザ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0245994A JPH0245994A JP19694688A JP19694688A JPH0245994A JP H0245994 A JPH0245994 A JP H0245994A JP 19694688 A JP19694688 A JP 19694688A JP 19694688 A JP19694688 A JP 19694688A JP H0245994 A JPH0245994 A JP H0245994A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- etching
- emitting laser
- laser element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は活性層、クラッド層を含むエピタキシャル層の
両面に反射膜を設けて形成される共振器を有する面発光
レーザの製造方法に関するものである。
両面に反射膜を設けて形成される共振器を有する面発光
レーザの製造方法に関するものである。
〔従来の技術］
第４図（イ）、（ロ）は従来の面発光レーザの製造過程
を示す工程説明図であり、先ず第４図（伺に示す如く例
えば厚さ３００ ｕ ｍ程度で電導性がｎ型のＧａＡｓ
基板２１上（第４図では下面）にｎ型のＡ Ｅ ＧａＡ
ｓ製のクラツド層２２ａ１活性層２２ｂ 、 ｐ型のＡ
４２ ＧａＡｓ製のクラッド層２２ｃ等のエピタキシ
ャルＪＬｉ２２、キャップ層２３をこの順序に積層形成
した後、各面発光レーザ素子毎にその中央部に位置する
ようキャップ層２３にエツチングを施し、キャップ層２
３表面を含むクラツド層２２ｃ表面に反射膜を兼ねた電
極２５を形成する。
を示す工程説明図であり、先ず第４図（伺に示す如く例
えば厚さ３００ ｕ ｍ程度で電導性がｎ型のＧａＡｓ
基板２１上（第４図では下面）にｎ型のＡ Ｅ ＧａＡ
ｓ製のクラツド層２２ａ１活性層２２ｂ 、 ｐ型のＡ
４２ ＧａＡｓ製のクラッド層２２ｃ等のエピタキシ
ャルＪＬｉ２２、キャップ層２３をこの順序に積層形成
した後、各面発光レーザ素子毎にその中央部に位置する
ようキャップ層２３にエツチングを施し、キャップ層２
３表面を含むクラツド層２２ｃ表面に反射膜を兼ねた電
極２５を形成する。
次に第４図（ロ）に示す如（ＧａＡｓ基板２１の裏面側
からラッピングを施して、ＧａＡｓ基板２１を厚さ１ｏ
。
からラッピングを施して、ＧａＡｓ基板２１を厚さ１ｏ
。
μｍ程度に薄クシた後、面発光レーザ素子の中央部、具
体的にはキャップ層２３と対向する位置のＧａＡｓ基板
２１にウェットエツチングを施し、クラッド層２２ｃの
裏面を露出するよう開口部直径２００μｍ、クラッド層
２２の露出部直径１００μｍ程度の円形の孔２８を穿ち
、この露出したクラツド層２２ｃ表面に反射膜２９を、
また孔２８の周囲のＧａＡｓ基板２１の裏面に電極３０
を形成する。
体的にはキャップ層２３と対向する位置のＧａＡｓ基板
２１にウェットエツチングを施し、クラッド層２２ｃの
裏面を露出するよう開口部直径２００μｍ、クラッド層
２２の露出部直径１００μｍ程度の円形の孔２８を穿ち
、この露出したクラツド層２２ｃ表面に反射膜２９を、
また孔２８の周囲のＧａＡｓ基板２１の裏面に電極３０
を形成する。
ところでこのような従来の面発光レーザ素子の製造方法
にあっては構造上の強度を維持するため、ＧａＡｓ基板
２１の厚さは１００μｍ程度必要とされる結果、ウェッ
トエツチングによって孔２８を穿つ場合においても直径
が最低でも２００ μｍ−１００μｍ程度の孔となって
、共振器周辺が広（、孔２８の中心から両側のＧａＡｓ
基板２１までの寸法が大きくなって熱抵抗、シリーズ抵
抗が大きくなり、しかも薄いために構造的強度も弱い等
の問題があった。
にあっては構造上の強度を維持するため、ＧａＡｓ基板
２１の厚さは１００μｍ程度必要とされる結果、ウェッ
トエツチングによって孔２８を穿つ場合においても直径
が最低でも２００ μｍ−１００μｍ程度の孔となって
、共振器周辺が広（、孔２８の中心から両側のＧａＡｓ
基板２１までの寸法が大きくなって熱抵抗、シリーズ抵
抗が大きくなり、しかも薄いために構造的強度も弱い等
の問題があった。
この対策として第５図（イ）、（ロ）に示す如き技術が
提案されている。第５図（イ）、（ロ）は従来の面発光
レーザの製造工程説明図であり、ＧａＡｓ基板３１等の
表面にクラッド層、活性層、クラッド層を含むエピタキ
シャル層３２．キャップ層３３を積層形成し、キャンプ
層３３にパターンエツチングを施し、反射膜を兼ねる電
極（図示せず）をバターニング形成した後、その表面に
融着層３６を用いてＳｉ等のヒートシンク材３７を固着
する。
提案されている。第５図（イ）、（ロ）は従来の面発光
レーザの製造工程説明図であり、ＧａＡｓ基板３１等の
表面にクラッド層、活性層、クラッド層を含むエピタキ
シャル層３２．キャップ層３３を積層形成し、キャンプ
層３３にパターンエツチングを施し、反射膜を兼ねる電
極（図示せず）をバターニング形成した後、その表面に
融着層３６を用いてＳｉ等のヒートシンク材３７を固着
する。
次に第５図（ロ）に示す如（ＧａＡｓ基板３１の裏面側
からラッピング、エツチングを施して、ＧａＡｓ基板３
１を厚さ３０μｍ程度に薄くした後、このＧａＡｓ基板
３１の裏面側から融着層３６に達する深さに各面発光レ
ーザ素子毎に分離するため基盤目状の溝３４を形成し、
次いで分離された各面発光レーザ素子の領域の中心部毎
にエピタキシャル層に達する深さに孔３８を穿ち、この
孔３８の底に露出するエピタキシャル層３２の表面に反
射膜を、また孔３８の周囲のＧａＡｓ基板３１の裏面に
電極を夫々形成する。
からラッピング、エツチングを施して、ＧａＡｓ基板３
１を厚さ３０μｍ程度に薄くした後、このＧａＡｓ基板
３１の裏面側から融着層３６に達する深さに各面発光レ
ーザ素子毎に分離するため基盤目状の溝３４を形成し、
次いで分離された各面発光レーザ素子の領域の中心部毎
にエピタキシャル層に達する深さに孔３８を穿ち、この
孔３８の底に露出するエピタキシャル層３２の表面に反
射膜を、また孔３８の周囲のＧａＡｓ基板３１の裏面に
電極を夫々形成する。
〔発明が解決しようとする課題］
ところでこのような従来の製造方法にあってはヒートシ
ンク材３７の固定によって構造が強化されるためにＧａ
Ａｓ基板３１を薄くすることが出来、孔３８の径も小さ
く出来る反面、ＧａＡｓ基板３１の裏面側から、面発光
素子相互の分離のための溝３４を形成するためのエツチ
ング、次いで各面発光素子毎にその中心部にエピタキシ
ャル層３２を露出させるための孔３８を穿つエツチング
の２回にわたる深いエツチング工程が必要となるが、２
回目のエツチング過程で１回目のエツチングによって形
成されたパターンを損傷することがままあるという問題
があった。またＧａＡｓ基板を３５０μｍから３０μｍ
程度までラッピングする際には、途中で逐次残厚を正確
に測定、確認する必要があって、その作業が極めて煩わ
しいという問題もあった。
ンク材３７の固定によって構造が強化されるためにＧａ
Ａｓ基板３１を薄くすることが出来、孔３８の径も小さ
く出来る反面、ＧａＡｓ基板３１の裏面側から、面発光
素子相互の分離のための溝３４を形成するためのエツチ
ング、次いで各面発光素子毎にその中心部にエピタキシ
ャル層３２を露出させるための孔３８を穿つエツチング
の２回にわたる深いエツチング工程が必要となるが、２
回目のエツチング過程で１回目のエツチングによって形
成されたパターンを損傷することがままあるという問題
があった。またＧａＡｓ基板を３５０μｍから３０μｍ
程度までラッピングする際には、途中で逐次残厚を正確
に測定、確認する必要があって、その作業が極めて煩わ
しいという問題もあった。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであってその目
的とするところは基板に対するラッピング、エツチング
過程での残厚の測定作業を省略出来、しかもエピタキシ
ャル層を露出させるエツチング過程で面発光レーザ素子
分離のための１回目のエツチングパターンを何らＩ員な
うことがない面発光レーザ素子の製造方法を提供するに
ある。
的とするところは基板に対するラッピング、エツチング
過程での残厚の測定作業を省略出来、しかもエピタキシ
ャル層を露出させるエツチング過程で面発光レーザ素子
分離のための１回目のエツチングパターンを何らＩ員な
うことがない面発光レーザ素子の製造方法を提供するに
ある。
本発明に係る面発光レーザ素子の製造方法は、基板表面
に積層形成した活性層及びクラッド層を含むエピタキシ
ャル層の表面側から基板内に達する深さに溝を形成して
各面発光レーザ素子を構成する領域毎にエピタキシャル
層、及び基板を分離する工程と、前記エピタキシャル層
側にヒートシンク材を固定する工程と、前記基板をその
裏面側から薄肉化した後、基板の裏面から前記各領域の
クラッド層を露出させるべく基板にエツチングを施す工
程とを含む。
に積層形成した活性層及びクラッド層を含むエピタキシ
ャル層の表面側から基板内に達する深さに溝を形成して
各面発光レーザ素子を構成する領域毎にエピタキシャル
層、及び基板を分離する工程と、前記エピタキシャル層
側にヒートシンク材を固定する工程と、前記基板をその
裏面側から薄肉化した後、基板の裏面から前記各領域の
クラッド層を露出させるべく基板にエツチングを施す工
程とを含む。
〔作用］
本発明にあってはこれによって、エツチングパターンの
損傷がなく、またエツチングによって形成された溝が、
基板をラッピングする際において残り基板厚さを知る目
安となる。
損傷がなく、またエツチングによって形成された溝が、
基板をラッピングする際において残り基板厚さを知る目
安となる。
以下本発明を図面に基づき具体的に説明する。
第１図は本発明に係る面発光レーザ素子の主要製造工程
を示す説明図である。
を示す説明図である。
先ず第１図（イ）に示す如く厚さ３００μｍ程度の例え
ば電導性がｎ型のＧ ａ ’Ａ ｓ基板１の表面（第１
図では下面）に、第２図に示す如く、ｎ型のＡ ｒＬ
ＧａＡｓ製のクラッド層２ａ＋活性層２ｂ、 ｐ型Ａ
Ｉ ＧａＡｓ製のクラッド層２ｃからなるエピタキシ
ャル層２、キャップ層３をこの順序に積層形成し、この
キャップ層３の表面側からＧａＡｓ基板１内に達する深
さ３０μ糟程度の分離溝４を縦、横に所定の間隔で基盤
目状に形成し、エピタキシャル層２．キャップ層３を夫
々各面発光レーザ素子を構成する領域毎に分割する。
ば電導性がｎ型のＧ ａ ’Ａ ｓ基板１の表面（第１
図では下面）に、第２図に示す如く、ｎ型のＡ ｒＬ
ＧａＡｓ製のクラッド層２ａ＋活性層２ｂ、 ｐ型Ａ
Ｉ ＧａＡｓ製のクラッド層２ｃからなるエピタキシ
ャル層２、キャップ層３をこの順序に積層形成し、この
キャップ層３の表面側からＧａＡｓ基板１内に達する深
さ３０μ糟程度の分離溝４を縦、横に所定の間隔で基盤
目状に形成し、エピタキシャル層２．キャップ層３を夫
々各面発光レーザ素子を構成する領域毎に分割する。
次に第１図（ロ）に示す如く各面発光レーザ素子を構成
する領域毎に、キャップ層３にパターンエツチングを施
して、キャップ層３をその中央部分３ａと周縁部分３ｂ
とに区分し、中央部分３ａの表面には反射膜を兼ねる電
極５を形成する。
する領域毎に、キャップ層３にパターンエツチングを施
して、キャップ層３をその中央部分３ａと周縁部分３ｂ
とに区分し、中央部分３ａの表面には反射膜を兼ねる電
極５を形成する。
第２図は単一の面発光レーザ素子を構成する領域につい
ての拡大断面構造図であり、キャップ層３における中央
部分３ａに電極５形成した後、このキャップ層３の表面
及び露出したクラッド層２ｃの表面及び各分離溝４内に
Ａｎ／ｌｎからなる融着材６ａを付着させると共に別途
用意したＳｔ製のヒートシンク材７の表面にも同様の融
着材６ｂを付着させる。
ての拡大断面構造図であり、キャップ層３における中央
部分３ａに電極５形成した後、このキャップ層３の表面
及び露出したクラッド層２ｃの表面及び各分離溝４内に
Ａｎ／ｌｎからなる融着材６ａを付着させると共に別途
用意したＳｔ製のヒートシンク材７の表面にも同様の融
着材６ｂを付着させる。
なお、融着材６ａとＧａＡｓ基板１とは反射膜を兼ねる
電極５を形成する際に分離溝４内等に蒸着させた絶縁層
（図示せず）によって電気的に絶縁された状態に維持さ
れることは勿論である。
電極５を形成する際に分離溝４内等に蒸着させた絶縁層
（図示せず）によって電気的に絶縁された状態に維持さ
れることは勿論である。
次に第１図（ハ）に示す如（ＧａＡｓ基板１側における
キャップ層３の表面とヒートシンク材７の表面との対向
面同士を接合して融着材６ａ、６ｂ同士を溶融接合して
固着せしめる。第１図（ニ）に示す如（ＧａＡｓ基板１
の裏面側からラッピング、エツチングを施してＧａＡｓ
基板１を３００μｍから３０〜２０μｍ程度にまで薄く
する。
キャップ層３の表面とヒートシンク材７の表面との対向
面同士を接合して融着材６ａ、６ｂ同士を溶融接合して
固着せしめる。第１図（ニ）に示す如（ＧａＡｓ基板１
の裏面側からラッピング、エツチングを施してＧａＡｓ
基板１を３００μｍから３０〜２０μｍ程度にまで薄く
する。
このラッピング、エツチング過程におけるＧａＡｓ基板
ｌの厚さは先に形成した分離溝４が表面側からＧａＡｓ
基板ｌ内に２０μｍ程度の深さに形成されているためこ
の分離溝４の底が裏面側に現れたとき、ＧａＡｓ基板１
の残り厚さが略２０μｍの厚さとなるから途中残り厚さ
を測定することな（ＧａＡｓ基板１の厚さを所定厚さに
仕上げることが可能となる。
ｌの厚さは先に形成した分離溝４が表面側からＧａＡｓ
基板ｌ内に２０μｍ程度の深さに形成されているためこ
の分離溝４の底が裏面側に現れたとき、ＧａＡｓ基板１
の残り厚さが略２０μｍの厚さとなるから途中残り厚さ
を測定することな（ＧａＡｓ基板１の厚さを所定厚さに
仕上げることが可能となる。
ＧａＡｓ基板１の表面に分離溝４が基盤目状に表われる
とＧａＡｓ基板１．エピタキシャル層２は夫々各面発光
レーザ素子を構成する領域毎に分離されることとなる。
とＧａＡｓ基板１．エピタキシャル層２は夫々各面発光
レーザ素子を構成する領域毎に分離されることとなる。
次に第１図（ホ）に示す如く各面発光レーザ素子を構成
する領域の中央部に夫々ＧａＡｓ基板ｌの裏面からエピ
タキシャル層２におけるクラツド層２ａ表面が露出する
よう孔８を穿設する。
する領域の中央部に夫々ＧａＡｓ基板ｌの裏面からエピ
タキシャル層２におけるクラツド層２ａ表面が露出する
よう孔８を穿設する。
次に第３図に示す如く孔８の底部に露出するクラツド層
２ａ表面に反射膜９を、またＧａＡｓ基板１の裏面に電
極ＩＯを付着させ、共振器を構成する。
２ａ表面に反射膜９を、またＧａＡｓ基板１の裏面に電
極ＩＯを付着させ、共振器を構成する。
孔８はＧａＡｓ基板１裏面で直径４０μｍ、孔底直径は
２０μｍ程度となる。
２０μｍ程度となる。
第３図と第４図（ロ）とを比較すれば明らかな如く、本
発明方法にあっては、ヒートシンク材７に融着材６ａ、
６ｂを用いて全体を固定した状態となっているから、全
体の強度が大きく、それだけＧａＡｓ基板１の厚さを薄
く形成出来、ＧａＡｓ基板１の厚さを２０μｍ程度とす
ることが出来ることから、孔８の開口部及び孔８の底部
の直径も格段に小さくすることが出来て各面発光レーザ
素子を一層小型化出来ることは勿論、発熱部分である共
振器の近（にＧａＡｓ基板ｌが接近して位置するから、
それだけ熱抵抗が小さく、またシリーズ抵抗も小さく出
来、そのＧａＡｓ基板１を薄肉化する際の作業も著しく
軽減出来ることとなる。
発明方法にあっては、ヒートシンク材７に融着材６ａ、
６ｂを用いて全体を固定した状態となっているから、全
体の強度が大きく、それだけＧａＡｓ基板１の厚さを薄
く形成出来、ＧａＡｓ基板１の厚さを２０μｍ程度とす
ることが出来ることから、孔８の開口部及び孔８の底部
の直径も格段に小さくすることが出来て各面発光レーザ
素子を一層小型化出来ることは勿論、発熱部分である共
振器の近（にＧａＡｓ基板ｌが接近して位置するから、
それだけ熱抵抗が小さく、またシリーズ抵抗も小さく出
来、そのＧａＡｓ基板１を薄肉化する際の作業も著しく
軽減出来ることとなる。
以上の如く本発明方法にあってはヒートシンク材を固定
することによって機械的強度が大きく、それだけ基板の
薄肉化が図れて、各素子を小さく出来、また熱抵抗、シ
リーズ抵抗の低減を図れることは勿論、各面発光レーザ
素子毎にエピタキシャル層、基板を分離する溝を形成す
るエツチングと〈クラッド層に反射膜を形成するための
エツチングとを互いに別の方向から行うこととしている
から、一方のエツチングによって他方のエツチングパタ
ーンが損傷される等の虞れがないなど本発明は優れた効
果を奏するものである。
することによって機械的強度が大きく、それだけ基板の
薄肉化が図れて、各素子を小さく出来、また熱抵抗、シ
リーズ抵抗の低減を図れることは勿論、各面発光レーザ
素子毎にエピタキシャル層、基板を分離する溝を形成す
るエツチングと〈クラッド層に反射膜を形成するための
エツチングとを互いに別の方向から行うこととしている
から、一方のエツチングによって他方のエツチングパタ
ーンが損傷される等の虞れがないなど本発明は優れた効
果を奏するものである。
第１図（イ）〜（ホ）は本発明方法の工程説明図、第２
図は部分拡大断面図、第３図は本発明方法によって得た
面発光レーザ素子の断面構造図、第４図（イ）、（ロ）
は従来方法の工程説明図、第５図は他の従来方法を示す
工程説明図である。 １・・・ＧａＡｓ基板 ２・・・エピタキシャル層２ａ
、２ｃ・・・クラッド層 ２ｂ・・・活性層 ３・・・
キャップ層 ４・・・分離溝 ンク材 ８・・・孔 ６ａ、６ｂ・・・融着材 ７・・・ヒートシ ９・・・反射膜 １０・・・電極 特 許
図は部分拡大断面図、第３図は本発明方法によって得た
面発光レーザ素子の断面構造図、第４図（イ）、（ロ）
は従来方法の工程説明図、第５図は他の従来方法を示す
工程説明図である。 １・・・ＧａＡｓ基板 ２・・・エピタキシャル層２ａ
、２ｃ・・・クラッド層 ２ｂ・・・活性層 ３・・・
キャップ層 ４・・・分離溝 ンク材 ８・・・孔 ６ａ、６ｂ・・・融着材 ７・・・ヒートシ ９・・・反射膜 １０・・・電極 特 許
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板表面に積層形成した活性層及びクラッド層を含
むエピタキシャル層の表面側から基板内に達する深さに
溝を形成して各面発光レーザ素子を構成する領域毎にエ
ピタキシャル層、及び基板を分離する工程と、 前記エピタキシャル層側にヒートシンク材を固定する工
程と、 前記基板をその裏面側から薄肉化した後、 基板の裏面から前記各領域のクラッド層を露出させるべ
く基板にエッチングを施す工程とを含むことを特徴とす
る面発光レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19694688A JP2657214B2 (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 面発光レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19694688A JP2657214B2 (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 面発光レーザ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245994A true JPH0245994A (ja) | 1990-02-15 |
| JP2657214B2 JP2657214B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=16366288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19694688A Expired - Fee Related JP2657214B2 (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 面発光レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2657214B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0881671A3 (en) * | 1997-05-28 | 1999-06-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| WO2000060710A1 (en) * | 1999-03-31 | 2000-10-12 | Japan As Represented By Director General Of Agency Of Industrial Science And Technology | Surface optical amplifier and method of producing the same |
| EP1341278A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-03 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same, optical module, and light-transmission device |
| CN111082307A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-28 | 长春理工大学 | 一种低应力高导热半导体衬底及其制备方法 |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP19694688A patent/JP2657214B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0881671A3 (en) * | 1997-05-28 | 1999-06-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| US6184066B1 (en) | 1997-05-28 | 2001-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| US6423561B1 (en) | 1997-05-28 | 2002-07-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| WO2000060710A1 (en) * | 1999-03-31 | 2000-10-12 | Japan As Represented By Director General Of Agency Of Industrial Science And Technology | Surface optical amplifier and method of producing the same |
| US6480516B1 (en) | 1999-03-31 | 2002-11-12 | Japan As Represented By Secretary Of Agency Of Industrial Science And Technology | Surface semiconductor optical amplifier with transparent substrate |
| EP1341278A1 (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-03 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same, optical module, and light-transmission device |
| US7157743B2 (en) | 2002-03-01 | 2007-01-02 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting light-emitting device and method of manufacturing the same, optical module, and light-transmission device |
| CN111082307A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-28 | 长春理工大学 | 一种低应力高导热半导体衬底及其制备方法 |
| CN111082307B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-06 | 长春理工大学 | 一种低应力高导热半导体衬底及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2657214B2 (ja) | 1997-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2910696B2 (ja) | 半導体光検出器 | |
| JP3099921B2 (ja) | 受光素子付き面発光型半導体レーザ装置 | |
| JPH0245994A (ja) | 面発光レーザ素子の製造方法 | |
| JPS5852356B2 (ja) | 固体レ−ザ配列体 | |
| JPS5833885A (ja) | レ−ザ−ダイオ−ド | |
| JPH0828551B2 (ja) | アレイレーザ | |
| JPH11261111A (ja) | モニタ機構を備えた発光装置 | |
| JPS58170058A (ja) | 光集積化半導体装置 | |
| JPH0254589A (ja) | 面発光レーザの製造方法 | |
| JPH04250673A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2523110Y2 (ja) | マルチビ−ム半導体レ−ザ装置 | |
| JPH1168253A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH0288203A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH0478186A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3710243B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH06104529A (ja) | 半導体発光素子の溝形成方法 | |
| JPH0252485A (ja) | 面発光型半導体レーザーの製造方法 | |
| JPS61168985A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS6054794B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS62262471A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0543565U (ja) | マルチビーム半導体レーザ装置 | |
| JP2005217188A (ja) | 半導体光検出装置及び製造方法 | |
| JPS62211980A (ja) | 半導体レ−ザ−装置の製作方法 | |
| JPH0629624A (ja) | 端面をへき開面としている半導体層を有する半導体装置の製法 | |
| JPH0812945B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |