JPH0246047Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0246047Y2 JPH0246047Y2 JP108384U JP108384U JPH0246047Y2 JP H0246047 Y2 JPH0246047 Y2 JP H0246047Y2 JP 108384 U JP108384 U JP 108384U JP 108384 U JP108384 U JP 108384U JP H0246047 Y2 JPH0246047 Y2 JP H0246047Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- quartz reaction
- fan
- furnace body
- air
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 23
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Heat-Exchange Devices With Radiators And Conduit Assemblies (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の属する技術分野の説明〕
本考案は急冷機構付結晶成長装置に関するもの
である。
である。
化合物半導体の液相エピ成長においては、一般
に、高純度黒鉛製の治具（以下カーボンボートと
いう）が使用されている。カーボンボートは比較
的熱容量が大きく成長終了後も冷却に時間を要
し、この間加熱状態が続くことになる。
に、高純度黒鉛製の治具（以下カーボンボートと
いう）が使用されている。カーボンボートは比較
的熱容量が大きく成長終了後も冷却に時間を要
し、この間加熱状態が続くことになる。
成長基板を長時間加熱すると、素材そのものの
熱分解あるいはドーピング材の抜け等が発生し、
いわゆる熱劣化を生じデイバイスの特性を損うこ
とになる。
熱分解あるいはドーピング材の抜け等が発生し、
いわゆる熱劣化を生じデイバイスの特性を損うこ
とになる。
この為従来は、炉体と炉芯管との間に冷却用の
空気を流す構造を主として採用していたが、この
方法では、室温まで冷却するのに３〜５時間を要
すものである。
空気を流す構造を主として採用していたが、この
方法では、室温まで冷却するのに３〜５時間を要
すものである。
本考案はエピ成長終了後、直ちに成長基板を冷
却し熱劣化が生じないようにした装置を提供する
ものである。
却し熱劣化が生じないようにした装置を提供する
ものである。
本考案は石英反応管と、該石英反応管を囲みこ
れを加熱する炉体とよりなる横型の結晶成長装置
において、石英反応管の軸方向に炉体を移動する
スライド機構部と、石英反応管及び炉体の外周を
囲む筐体と、筐体外から空気を吸い込みこれを石
英反応管に強制的に吹き付ける第１のフアンと、
第１のフアンに対向する位置に設置し、石英反応
管で熱交換された空気を強制的に排気する第２の
フアンと、第２のフアンの近傍に設置し、排気さ
れる空気を冷却するラジエターとを有することを
特徴とする急冷機構付結晶成長装置である。
れを加熱する炉体とよりなる横型の結晶成長装置
において、石英反応管の軸方向に炉体を移動する
スライド機構部と、石英反応管及び炉体の外周を
囲む筐体と、筐体外から空気を吸い込みこれを石
英反応管に強制的に吹き付ける第１のフアンと、
第１のフアンに対向する位置に設置し、石英反応
管で熱交換された空気を強制的に排気する第２の
フアンと、第２のフアンの近傍に設置し、排気さ
れる空気を冷却するラジエターとを有することを
特徴とする急冷機構付結晶成長装置である。
以下に、本考案の一実施例を図により説明す
る。
る。
第１図、第２図において、石英反応管２を片持
ち式で水平姿勢に保持し、これを筐体１内に収納
し、一方、石英反応管２を加熱する炉体７をスラ
イド機構部８により反応管２の軸方向に移動可能
に設置する。さらに、石英反応管２の一側に筐体
１外から空気を吸い込みこれを石英反応管２に吹
き付ける第１のフアン４を設置するとともに、そ
の他側に反応管２で熱交換された空気を強制的に
排気する第２のフアン５を設置する。第２のフア
ン５の吸込側には筐体外に排気する空気の冷却用
ラジエター６を設置する。
ち式で水平姿勢に保持し、これを筐体１内に収納
し、一方、石英反応管２を加熱する炉体７をスラ
イド機構部８により反応管２の軸方向に移動可能
に設置する。さらに、石英反応管２の一側に筐体
１外から空気を吸い込みこれを石英反応管２に吹
き付ける第１のフアン４を設置するとともに、そ
の他側に反応管２で熱交換された空気を強制的に
排気する第２のフアン５を設置する。第２のフア
ン５の吸込側には筐体外に排気する空気の冷却用
ラジエター６を設置する。
ラジエター６は反応管２を冷却した空気が高温
のまま筐体外部へ排気されるのを防止するための
水冷式ラジエターである。３は成長基板を載置し
たカーボンボートであり、該カーボンボート３は
反応管２内に設置される。
のまま筐体外部へ排気されるのを防止するための
水冷式ラジエターである。３は成長基板を載置し
たカーボンボートであり、該カーボンボート３は
反応管２内に設置される。
エピタキシヤル成長中は、炉体７をＡの使用位
置にセツトして反応管２を囲みこれを加熱し、所
定のシーケンスに従つて成長を行なう。次に成長
終了と同時にスライド機構部８により炉体７をＢ
の待機位置迄移動させて反応管を露出させる。こ
のとき、両フアン４，５を回すことにより、空気
は、第１のフアン４により筐体１内へ導かれ、反
応管２を冷却した後ラジエター６で熱交換され第
２のフアン５から排気される。
置にセツトして反応管２を囲みこれを加熱し、所
定のシーケンスに従つて成長を行なう。次に成長
終了と同時にスライド機構部８により炉体７をＢ
の待機位置迄移動させて反応管を露出させる。こ
のとき、両フアン４，５を回すことにより、空気
は、第１のフアン４により筐体１内へ導かれ、反
応管２を冷却した後ラジエター６で熱交換され第
２のフアン５から排気される。
〔考案の効果の説明〕
以上説明したように本考案によれば、吸引、排
気の空気量のバランスがとれ、反応管の外周を流
れる流量、流速が大きくとれ、冷却効果の高い装
置が実現でき、したがつて、カーボンボートの温
度を成長終了の約800℃から室温まで60分程度で
降下させることができる。このため、成長基板の
熱劣化を極力押えることができるばかりでなく、
本来成長工程には無益であつたボート取り出しま
での冷却時間が大幅に短縮でき、装置の稼動サイ
クルが多くでき生産性の向上に寄与できるもので
ある。
気の空気量のバランスがとれ、反応管の外周を流
れる流量、流速が大きくとれ、冷却効果の高い装
置が実現でき、したがつて、カーボンボートの温
度を成長終了の約800℃から室温まで60分程度で
降下させることができる。このため、成長基板の
熱劣化を極力押えることができるばかりでなく、
本来成長工程には無益であつたボート取り出しま
での冷却時間が大幅に短縮でき、装置の稼動サイ
クルが多くでき生産性の向上に寄与できるもので
ある。
さらに、毎成長サイクルでの成長温度から室温
までの大幅な昇降温がなくなり、炉体へのダメー
ジの減少及び炉温の再現性、安定性を向上できる
効果を有するものである。
までの大幅な昇降温がなくなり、炉体へのダメー
ジの減少及び炉温の再現性、安定性を向上できる
効果を有するものである。
第１図は本考案の主要部を説明する構成図、第
２図は本考案装置の全体構成図である。 １……筐体、２……石英反応管、３……カーボ
ンボート、４……第１のフアン、５……第２のフ
アン、６……水冷式ラジエター、７……炉体、８
……スライド機構部。
２図は本考案装置の全体構成図である。 １……筐体、２……石英反応管、３……カーボ
ンボート、４……第１のフアン、５……第２のフ
アン、６……水冷式ラジエター、７……炉体、８
……スライド機構部。
Claims (1)
- 石英反応管と、該石英反応管を囲みこれを加熱
する炉体とよりなる横型の結晶成長装置におい
て、石英反応管の軸方向に炉体を移動するスライ
ド機構部と、石英反応管及び炉体の外周を囲む筐
体と、筐体外から空気を吸い込みこれを石英反応
管に強制的に吹き付ける第１のフアンと、第１の
フアンに対向する位置に設置し、石英反応管で熱
交換された空気を強制的に排気する第２のフアン
と、第２のフアンの近傍に設置し、排気される空
気を冷却するラジエターとを有することを特徴と
する急冷機構付結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP108384U JPS60113629U (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 急冷機構付結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP108384U JPS60113629U (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 急冷機構付結晶成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113629U JPS60113629U (ja) | 1985-08-01 |
| JPH0246047Y2 true JPH0246047Y2 (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=30473500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP108384U Granted JPS60113629U (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 急冷機構付結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113629U (ja) |
-
1984
- 1984-01-09 JP JP108384U patent/JPS60113629U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60113629U (ja) | 1985-08-01 |
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