JPS5988829A - フオトレジストの除去方法 - Google Patents
フオトレジストの除去方法Info
- Publication number
- JPS5988829A JPS5988829A JP57199214A JP19921482A JPS5988829A JP S5988829 A JPS5988829 A JP S5988829A JP 57199214 A JP57199214 A JP 57199214A JP 19921482 A JP19921482 A JP 19921482A JP S5988829 A JPS5988829 A JP S5988829A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- acetate
- substrate
- organic solvent
- pattern
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、半導体装置の製造等に用いられるフォトレ
ジストの除去方法に関する。
ジストの除去方法に関する。
従来例の構成とその問題点
半導体装置の製造工程には、フォトレジス）ｋマスクと
して金属、絶縁膜、半導体のエツチングにイオンエツチ
ングを用いたり、あるいは不純物導入法にイオン注入法
等が用いられている。ところでイオンエツチング工程や
イオン注入工程ではフォトレジストをマスクとして被加
工物全加工するため、イオン照射によってフォトレジス
トは硬化する。従来この硬化したフォトレジスト’を酸
素ガス雰囲気中のプラズマエンチングやレジスト除去液
（Ｔ１００ 商品名）等によって除去していた。
して金属、絶縁膜、半導体のエツチングにイオンエツチ
ングを用いたり、あるいは不純物導入法にイオン注入法
等が用いられている。ところでイオンエツチング工程や
イオン注入工程ではフォトレジストをマスクとして被加
工物全加工するため、イオン照射によってフォトレジス
トは硬化する。従来この硬化したフォトレジスト’を酸
素ガス雰囲気中のプラズマエンチングやレジスト除去液
（Ｔ１００ 商品名）等によって除去していた。
しかし従来の方法では完全な除去が不可能であったり、
たとえ除去できても処理時間が長く容易に除去できない
という問題点があった。
たとえ除去できても処理時間が長く容易に除去できない
という問題点があった。
発明の目的
この発明は、上に述べた従来の欠点に鑑み、硬化したフ
ォトレジスｔｆ短時間で容易に除去できる方法を提供す
る。
ォトレジスｔｆ短時間で容易に除去できる方法を提供す
る。
３ ｌ −−
発明の構成
この発明は、酢酸エステル系有機溶剤を含む溶液に半導
体基板を浸漬させ、さらに望捷しくにこれを加熱するこ
とによってイオン注入工程やイオンエツチング工程等で
マスクとして使用したフォトレジストヲ短時間で容易に
除去する。
体基板を浸漬させ、さらに望捷しくにこれを加熱するこ
とによってイオン注入工程やイオンエツチング工程等で
マスクとして使用したフォトレジストヲ短時間で容易に
除去する。
実施例の説明
次に本発明を実施例によって詳細に説明する。
（実施例１）
半絶縁性ＧａＡｓ基板にソース、ドレイン領域をイオン
注入で形成する場合、まず第１図に断面図示すように半
絶縁性ＧａＡｓ基板１の表面に選択イオン注入のマスク
となるポジ型のフォトレジスト２ （ＡＺ １４００−
２７、商品名）を塗布する（第１図）。次に所定のパタ
ーンに形成されたフォ【・マスク３を用いて接触露光す
る（第２図）。ついで現像液（ＭＦ３１２、商品名）で
現像し、水洗して乾燥をすると所望のフォトレジストパ
ターンが形成される（第３図）。次にＳｉイオン’（５
１５０ＫｅＶ。
注入で形成する場合、まず第１図に断面図示すように半
絶縁性ＧａＡｓ基板１の表面に選択イオン注入のマスク
となるポジ型のフォトレジスト２ （ＡＺ １４００−
２７、商品名）を塗布する（第１図）。次に所定のパタ
ーンに形成されたフォ【・マスク３を用いて接触露光す
る（第２図）。ついで現像液（ＭＦ３１２、商品名）で
現像し、水洗して乾燥をすると所望のフォトレジストパ
ターンが形成される（第３図）。次にＳｉイオン’（５
１５０ＫｅＶ。
１０ ｃｍ で注入しソース、ドレイン領域４を形成す
る（第４図）。
る（第４図）。
注入後基板１′ヲ酢酸ｎブチル５に浸漬し、沸騰するま
で加熱する（第５図）。この状態で２〜３分放置すれば
フォトレジスト２は完全に除去される（第６図）。その
後、アセトン等で洗浄する。
で加熱する（第５図）。この状態で２〜３分放置すれば
フォトレジスト２は完全に除去される（第６図）。その
後、アセトン等で洗浄する。
一方、従来の上記の方法で選択イオン注入を行った後の
フォトレジストの除去方法としてアセトンに浸漬し超音
波処理する方法、レジスト除去液たとえばＪ−１００（
商品名）に浸漬し加熱して除去する方法、酸素雰囲気中
でのプラズマエツチングによる除去方法等があった。し
かし注入イオンのドーズ量か１０ ｃｍ 以上になると
、これらの方法では問題が現われてきた。即ち、アセト
ンに浸漬し超音波処理を行ってもほとんどフォトレジス
トは除去できない。またレジスト除去液、Ｊ−１００に
浸漬し８０〜９０℃に加熱してもフォトレジストヲ完全
に除去できなくパターンエツジ部分のフォトレジストが
残るという現象が現われた。これらの除去結果を次表に
示す。
フォトレジストの除去方法としてアセトンに浸漬し超音
波処理する方法、レジスト除去液たとえばＪ−１００（
商品名）に浸漬し加熱して除去する方法、酸素雰囲気中
でのプラズマエツチングによる除去方法等があった。し
かし注入イオンのドーズ量か１０ ｃｍ 以上になると
、これらの方法では問題が現われてきた。即ち、アセト
ンに浸漬し超音波処理を行ってもほとんどフォトレジス
トは除去できない。またレジスト除去液、Ｊ−１００に
浸漬し８０〜９０℃に加熱してもフォトレジストヲ完全
に除去できなくパターンエツジ部分のフォトレジストが
残るという現象が現われた。これらの除去結果を次表に
示す。
５ ・ 〕
表
なお、酸素雰囲気中のプラズマエツチングでフォトレジ
ストヲ除去すると、完全に除去することは可能であるが
処理時間が１５分程度ががり容易に除去できなかった。
ストヲ除去すると、完全に除去することは可能であるが
処理時間が１５分程度ががり容易に除去できなかった。
従って本発明は、従来の方法に比べて短時間で容易にフ
ォトレジストヲ除去できる。上記の実施例はイオン注入
工程におけるものであるが、本発明はその他、イオンミ
リング工程等の後の硬化したフォトレジストの除去に適
する。
ォトレジストヲ除去できる。上記の実施例はイオン注入
工程におけるものであるが、本発明はその他、イオンミ
リング工程等の後の硬化したフォトレジストの除去に適
する。
（実施例２）
所望の金属パターン’ｔ ＩＪソフトフ法で形成する場
合、まず基板６上に所望のパターンをフォトレジストの
抜きパターン７で形成する（第７図）。
合、まず基板６上に所望のパターンをフォトレジストの
抜きパターン７で形成する（第７図）。
次にフォトレジストパターン７を形成した基板全面に金
属暎全均−に形成する（第８図）。この後、フォトレジ
ストパターン７を除去すれば、フォトレジスト 属パターン８が得られる（第９図）。本実施例では、こ
のフォトレジストヲ除去するにあたり金属膜を形成した
基板を酢酸ｎブチルに浸漬しさらに沸騰する捷で加熱す
るのが望ましい。この状態で３〜６分すれば、フォトレ
ジストパターン７及びその上の不要金属は除去され、残
査物のない良好な金属パターン８が得られる。
属暎全均−に形成する（第８図）。この後、フォトレジ
ストパターン７を除去すれば、フォトレジスト 属パターン８が得られる（第９図）。本実施例では、こ
のフォトレジストヲ除去するにあたり金属膜を形成した
基板を酢酸ｎブチルに浸漬しさらに沸騰する捷で加熱す
るのが望ましい。この状態で３〜６分すれば、フォトレ
ジストパターン７及びその上の不要金属は除去され、残
査物のない良好な金属パターン８が得られる。
なお、実施例では酢酸ｎブチルで説明したが、酢酸エス
テル系の有機溶剤を用いれば同様にフォトレジストヲ容
易に除去できる。例えば、この例として酢酸メチル、酢
酸エチル等がある。酢酸エステル系有機溶剤で硬化した
フォトレジストが容易に除去できるのは酢酸エステル分
子がフォトレジスト中へ入り込み、フォトレジストが膨
油して基板から剥離するからと考える。又、酢酸エステ
ル系有機溶剤にアセトン等の有機溶剤全混合した７・−
７ 溶液を用いても同様のことがいえる。
テル系の有機溶剤を用いれば同様にフォトレジストヲ容
易に除去できる。例えば、この例として酢酸メチル、酢
酸エチル等がある。酢酸エステル系有機溶剤で硬化した
フォトレジストが容易に除去できるのは酢酸エステル分
子がフォトレジスト中へ入り込み、フォトレジストが膨
油して基板から剥離するからと考える。又、酢酸エステ
ル系有機溶剤にアセトン等の有機溶剤全混合した７・−
７ 溶液を用いても同様のことがいえる。
発明の効果
以」−のように本発明は、酢酸ｎブチルに浸漬すること
によりフォトレジストを除去することができ、さらに加
熱することにより短時間で容易に７オトレジストを除去
できるという効果を得ることができる優れたフォトレジ
ストの除去方法である。
によりフォトレジストを除去することができ、さらに加
熱することにより短時間で容易に７オトレジストを除去
できるという効果を得ることができる優れたフォトレジ
ストの除去方法である。
第１図〜第６図、第７図〜第９図はこの発明の実施例の
レジストパターン除去の工程図である。 １・・・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２・・・・・フォ
トレジスト、５・・・・・酢酸ｎブチル、６・・・・・
・基板、７・・・・・・フォトレジスト、８・・・・・
・金属。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 第５図 ７′ 第６図 第７図 第８図 第９図
レジストパターン除去の工程図である。 １・・・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２・・・・・フォ
トレジスト、５・・・・・酢酸ｎブチル、６・・・・・
・基板、７・・・・・・フォトレジスト、８・・・・・
・金属。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 第５図 ７′ 第６図 第７図 第８図 第９図
Claims (4)
- （１）酢酸エステル系有機溶剤を含む溶液に浸漬して、
フォトレジストヲ除去することを特徴とするフォトレジ
ストの除去方法。 - （２）酢酸エステル系有機溶剤を含む溶液を加熱するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフォトレジ
ストの除去方法。 - （３）酢酸エステル系有機溶剤として酢酸ｎブチルを用
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフォ
トレジストの除去方法０ - （４） フォトレジストパターンを形成した後、金属
膜を形成し、酢酸エステル系有機溶剤を含む溶液にて前
記レジストパターンを除去し、所望の領域のみに前記金
属膜を残存せしめることを特徴とするフォトレジストの
除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199214A JPS5988829A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | フオトレジストの除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199214A JPS5988829A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | フオトレジストの除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5988829A true JPS5988829A (ja) | 1984-05-22 |
| JPH0113217B2 JPH0113217B2 (ja) | 1989-03-03 |
Family
ID=16404026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57199214A Granted JPS5988829A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | フオトレジストの除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5988829A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030046868A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 주식회사 덕성 | 유기막 제거용 시너 |
| CN121348678A (zh) * | 2025-12-22 | 2026-01-16 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 光阻的去除方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS592043A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-07 | Fujitsu Ltd | フオトレジストの現像方法 |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP57199214A patent/JPS5988829A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS592043A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-07 | Fujitsu Ltd | フオトレジストの現像方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030046868A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 주식회사 덕성 | 유기막 제거용 시너 |
| CN121348678A (zh) * | 2025-12-22 | 2026-01-16 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 光阻的去除方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0113217B2 (ja) | 1989-03-03 |
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