JPH0246730A - 塗布膜形成用ディスペンサ - Google Patents
塗布膜形成用ディスペンサInfo
- Publication number
- JPH0246730A JPH0246730A JP63198321A JP19832188A JPH0246730A JP H0246730 A JPH0246730 A JP H0246730A JP 63198321 A JP63198321 A JP 63198321A JP 19832188 A JP19832188 A JP 19832188A JP H0246730 A JPH0246730 A JP H0246730A
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- JP
- Japan
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- solvent
- nozzle
- liquid
- dispenser
- discharge port
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/011—Apparatus therefor
- H10W72/0113—Apparatus for manufacturing die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Sheets, Magazines, And Separation Thereof (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板に絶縁膜等を形成するための塗布膜
形成用ディスペンサに関する。
形成用ディスペンサに関する。
従来、この種のディスペンサは、高速回転させられた半
導体基板にこのディスペンサにより塗布液を滴下して、
塗布液の−様な膜を形成し、この塗布膜を焼成して半導
体基板上に絶縁膜を形成したり、あるいは半導体基板に
不純物を拡散するためのドーパント膜を形成したりする
ときに用いられている。
導体基板にこのディスペンサにより塗布液を滴下して、
塗布液の−様な膜を形成し、この塗布膜を焼成して半導
体基板上に絶縁膜を形成したり、あるいは半導体基板に
不純物を拡散するためのドーパント膜を形成したりする
ときに用いられている。
第８図は従来のディスペンサの構造の一例を示ステイス
ベンサの断面図である。このディスペンサは、同図に示
すように、半導体基板に塗布液を滴下するためのノズル
３と、ノズル３を使用しないときに、ノズル３の吐出口
１が塗布液の固形化により塞がらないように、テーパ穴
８Ｇ４−ノズル３の先端部２を差し込んで密閉するポッ
ト１３とから構成されている。ノズル３の中心には、塗
布液、例えば、シリカ液を供給するチューブ４が挿入さ
れており、チューブ４の周囲に所定の隙間をもたせてチ
ューブ４の外径と同心円の穴である溶剤吐出口６が開け
られている。この溶剤吐出口６の後端はノズル３の側面
に明けられた細穴と通じている。また、ノズル３の側面
の前記細穴には継手７ａを介して溶剤、例えば、エタノ
ールを供給するチューブ５が接続されている。ポット１
３の内部には、ノズル３の先端部２がテーバ穴８に差し
込まれて保管されている間に、ノズル３より滴下するシ
リカ液とメタノールを溜める槽１５が形成され、更に、
オーバフローしたシリカ液とメタノールを排出するドレ
ーン口１０が設けられている。
ベンサの断面図である。このディスペンサは、同図に示
すように、半導体基板に塗布液を滴下するためのノズル
３と、ノズル３を使用しないときに、ノズル３の吐出口
１が塗布液の固形化により塞がらないように、テーパ穴
８Ｇ４−ノズル３の先端部２を差し込んで密閉するポッ
ト１３とから構成されている。ノズル３の中心には、塗
布液、例えば、シリカ液を供給するチューブ４が挿入さ
れており、チューブ４の周囲に所定の隙間をもたせてチ
ューブ４の外径と同心円の穴である溶剤吐出口６が開け
られている。この溶剤吐出口６の後端はノズル３の側面
に明けられた細穴と通じている。また、ノズル３の側面
の前記細穴には継手７ａを介して溶剤、例えば、エタノ
ールを供給するチューブ５が接続されている。ポット１
３の内部には、ノズル３の先端部２がテーバ穴８に差し
込まれて保管されている間に、ノズル３より滴下するシ
リカ液とメタノールを溜める槽１５が形成され、更に、
オーバフローしたシリカ液とメタノールを排出するドレ
ーン口１０が設けられている。
このドレーン口１０は継手７ｂを介してチューブ１４に
接続されている。
接続されている。
第９図は塗布動作を説明するための半導体基板とディス
ペンサの相対位置を示すディスペンサの斜視図である。
ペンサの相対位置を示すディスペンサの斜視図である。
次に、半導体基板に塗布液を塗布する動作を説明すると
、同図に示すように、まず、半導体基板１１をスピンコ
ータの回転テーブル（図示せず）に載置する。次に、半
導体基板１１を矢印１７の方向に高速回転する。次に、
支持棒１２に取り付けられたアーム１６を上昇させ、ポ
ット１３よりノズル３を抜き、アーム１６を回転し、ノ
ズル３を半導体基板１１の中心上の位置に位置決めする
。次に、ノズル３より適量のシリカ液を滴下する。滴下
されたシリカ液は遠心力により半導体基板１１と同心の
円形状の塗布膜１８に形成される。この形成された塗布
膜１８が半導体基板１１の外周まで拡がり一様な膜厚に
形成される。
、同図に示すように、まず、半導体基板１１をスピンコ
ータの回転テーブル（図示せず）に載置する。次に、半
導体基板１１を矢印１７の方向に高速回転する。次に、
支持棒１２に取り付けられたアーム１６を上昇させ、ポ
ット１３よりノズル３を抜き、アーム１６を回転し、ノ
ズル３を半導体基板１１の中心上の位置に位置決めする
。次に、ノズル３より適量のシリカ液を滴下する。滴下
されたシリカ液は遠心力により半導体基板１１と同心の
円形状の塗布膜１８に形成される。この形成された塗布
膜１８が半導体基板１１の外周まで拡がり一様な膜厚に
形成される。
上述した従来のディスペンサでは、以下に示す３つの問
題点がある。
題点がある。
１、ノズルの吐出口にシリカ液が結晶化して固まり、充
分な溶剤の回り込みがなく結晶化が進み吐出口を塞ぎ正
常な滴下が出来ないことがある。
分な溶剤の回り込みがなく結晶化が進み吐出口を塞ぎ正
常な滴下が出来ないことがある。
２、ノズルのポットへの差し込みが頻繁なため、ノズル
の先端にごみが付着し、シリカ液を滴下するとき、ごみ
が混入し半導体基板の汚染を招くことになる。
の先端にごみが付着し、シリカ液を滴下するとき、ごみ
が混入し半導体基板の汚染を招くことになる。
３、ノズルの吐出口に溜った溶剤が半導体基板に落ちて
塗布膜の厚さむらを起す。
塗布膜の厚さむらを起す。
本発明の目的は、半導体基板を汚染しない、塗布膜の厚
みむらを起すことなく安定して塗布出来る塗布膜形成用
ディスペンサを提供することである。
みむらを起すことなく安定して塗布出来る塗布膜形成用
ディスペンサを提供することである。
本発明の塗布膜形成用のディスペンサは、半導体基板上
に塗布膜を形成する塗布膜形成用ディスペンサにおいて
、一面に塗布液滴下用ノズルの第１の吐出口と他面に少
なくとも一個以上の前記塗布液の溶剤及び圧縮空気の供
給口が形成されたブロック体と、前記第１の吐出口の周
囲を囲む同心円形状の開口をもつとともに前記第１のノ
ズルの吐出口の端面より外方に突出する前記溶剤及び圧
縮空気の第２の吐出口と、前記ブロック体内にあって前
記塗布液の供給口に通する細大と前記溶剤及び圧縮空気
の供給口に通する細穴とが合流するとともに前記第２の
吐出口に連なる溶剤溜り部とを備え構成される。
に塗布膜を形成する塗布膜形成用ディスペンサにおいて
、一面に塗布液滴下用ノズルの第１の吐出口と他面に少
なくとも一個以上の前記塗布液の溶剤及び圧縮空気の供
給口が形成されたブロック体と、前記第１の吐出口の周
囲を囲む同心円形状の開口をもつとともに前記第１のノ
ズルの吐出口の端面より外方に突出する前記溶剤及び圧
縮空気の第２の吐出口と、前記ブロック体内にあって前
記塗布液の供給口に通する細大と前記溶剤及び圧縮空気
の供給口に通する細穴とが合流するとともに前記第２の
吐出口に連なる溶剤溜り部とを備え構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図及び第２図は本発明による第１の実施例を示すデ
ィスペンサの断面図及び下面図である。
ィスペンサの断面図及び下面図である。
このディスペンサの本体は、例えば、透明な樹脂で製作
され、ノズル３をもつブロック体９に形成されており、
このブロック体９の両側面に貫通する細穴２０が開けら
れ、その細大２０の両端には継手７ａ及び７Ｃを介して
溶剤液供給用チューブ５及び空気供給用チューブ１９が
取付けられている。また、この細穴２０に直交するよう
に前記両側面に直交するブロック体９の面に前記細大よ
り太い直径をもつ穴が開けられ、その穴の一端は溶剤吐
出口６を形成し、他端には継手７ｂを介してシリカ液供
給用チューブ４と接続されている。更に、溶剤吐出口６
の内部にシリカ液を滴下するための吐出管２１が差し込
まれ、吐出管２１の一端がシリカ液供給用チューブ４の
継手７ｂの穴に通じ、他端であるシリカ液を滴下する吐
出口１が溶剤吐出口１よりやや凹んだ位置に取り付けら
れている。ここで、この吐出管２１は、例えば、その内
径を２ｍｍ程度の直径をもつ石英管で製作される。
され、ノズル３をもつブロック体９に形成されており、
このブロック体９の両側面に貫通する細穴２０が開けら
れ、その細大２０の両端には継手７ａ及び７Ｃを介して
溶剤液供給用チューブ５及び空気供給用チューブ１９が
取付けられている。また、この細穴２０に直交するよう
に前記両側面に直交するブロック体９の面に前記細大よ
り太い直径をもつ穴が開けられ、その穴の一端は溶剤吐
出口６を形成し、他端には継手７ｂを介してシリカ液供
給用チューブ４と接続されている。更に、溶剤吐出口６
の内部にシリカ液を滴下するための吐出管２１が差し込
まれ、吐出管２１の一端がシリカ液供給用チューブ４の
継手７ｂの穴に通じ、他端であるシリカ液を滴下する吐
出口１が溶剤吐出口１よりやや凹んだ位置に取り付けら
れている。ここで、この吐出管２１は、例えば、その内
径を２ｍｍ程度の直径をもつ石英管で製作される。
第３図はディスペンサが半導体基板に塗布する前の準備
状態を示すノズルの断面図、第４図は塗布動作を説明す
るための半導体基板を含むディスペンサの斜視図である
。塗布作業を行う前には、ディスペンサのノズル３の清
掃を行なう必要がある。これには、まず、第４図に示す
ように、ディスペンサのブロック体９を保持しているア
ーム１６を回転してブロック体９をＡで示す位置に位置
決めする。次に、第３図に示すように、ノズル３の溶剤
吐出口６に通する溶剤供給用チューブ５より溶剤２３を
供給し、溶剤吐出口６の壁と吐出管２１との隙間でなる
空間を形成する溶剤溜り部に溶剤２３を満たす。この溶
剤は比較的に粘度が高いので溶剤２３が溶剤吐出口６よ
り滴下することはない。また、吐出管２１の内部は使用
前のシリカ液２２か残存し、特に、吐出口１付近のシリ
カ液２２が結晶化し、吐出口１を塞いでいる。この結晶
化したシリカ液２２を溶剤２３が溶解し、強制的に送ら
れた溶剤により、ブロック体９の下にあるドレーンポッ
ト２７に滴下される０次に、空気供給用チューブ１９か
ら清浄な圧縮空気を供給して溶剤吐出口６に通する溶剤
溜り部の溶剤２３を吹き飛ばす。次に、シリカ供給用チ
ューブからシリカ液を吐出管２１内に満たし、試験的に
シリカ液をドレーンボット２７に滴下する。次に、第４
図に示すように、あらかじめスピンコータの回転テーブ
ルの上に位置決めされた半導体基板１１を高速回転させ
、ディスペンサのブロック体９をアーム１６を回転させ
、Ｂに示す位置にブロック体９を位置決めする０次に、
ディスペンサのシリカ供給用チューブ４により所定の量
を強制的に供給し、半導体基板１１の上に所定の量のシ
リカ液を滴下する０滴下されたシリカ液は遠心力により
拡がり半導体基板１１上に膜厚が−様な塗布膜１８が形
成される。ここで、この塗布膜１８が形成される前に、
ブロック体９はアーム１６によりＡで示す位置に戻され
、再び、ノズルの清掃作業を開始する。このような一連
の作業を繰返して、半導体基板１１の上に順次塗布膜を
形成する。
状態を示すノズルの断面図、第４図は塗布動作を説明す
るための半導体基板を含むディスペンサの斜視図である
。塗布作業を行う前には、ディスペンサのノズル３の清
掃を行なう必要がある。これには、まず、第４図に示す
ように、ディスペンサのブロック体９を保持しているア
ーム１６を回転してブロック体９をＡで示す位置に位置
決めする。次に、第３図に示すように、ノズル３の溶剤
吐出口６に通する溶剤供給用チューブ５より溶剤２３を
供給し、溶剤吐出口６の壁と吐出管２１との隙間でなる
空間を形成する溶剤溜り部に溶剤２３を満たす。この溶
剤は比較的に粘度が高いので溶剤２３が溶剤吐出口６よ
り滴下することはない。また、吐出管２１の内部は使用
前のシリカ液２２か残存し、特に、吐出口１付近のシリ
カ液２２が結晶化し、吐出口１を塞いでいる。この結晶
化したシリカ液２２を溶剤２３が溶解し、強制的に送ら
れた溶剤により、ブロック体９の下にあるドレーンポッ
ト２７に滴下される０次に、空気供給用チューブ１９か
ら清浄な圧縮空気を供給して溶剤吐出口６に通する溶剤
溜り部の溶剤２３を吹き飛ばす。次に、シリカ供給用チ
ューブからシリカ液を吐出管２１内に満たし、試験的に
シリカ液をドレーンボット２７に滴下する。次に、第４
図に示すように、あらかじめスピンコータの回転テーブ
ルの上に位置決めされた半導体基板１１を高速回転させ
、ディスペンサのブロック体９をアーム１６を回転させ
、Ｂに示す位置にブロック体９を位置決めする０次に、
ディスペンサのシリカ供給用チューブ４により所定の量
を強制的に供給し、半導体基板１１の上に所定の量のシ
リカ液を滴下する０滴下されたシリカ液は遠心力により
拡がり半導体基板１１上に膜厚が−様な塗布膜１８が形
成される。ここで、この塗布膜１８が形成される前に、
ブロック体９はアーム１６によりＡで示す位置に戻され
、再び、ノズルの清掃作業を開始する。このような一連
の作業を繰返して、半導体基板１１の上に順次塗布膜を
形成する。
第５図及び第６図は本発明の第２の実施例を示すディス
ペンサの断面図及び下面図、第７図は第５図のＡＡ凹断
面示す断面図である。このディスペンサのブロック体９
は円筒状の樹脂材で製作されており、ノズル３はブロッ
ク体９と分離されて製作されている。また、このノズル
３はブロック体９に蓋をするように組立てられ、ブロッ
ク体９とノズル３との間に形成される空間である溶剤溜
り部２４が形成される。このブロック体９の中心には、
樹脂製のシリカ液供給用チューブ４がきつい状態のはめ
合いで挿入され、その先端はノズル３の溶剤吐出口６よ
り凹んだ位置に取り付けられている。また、シリカ液供
給チューブ４の周囲には、溶剤供給用チューブ５及び空
気供給用チューブ１９が各２本ずつ継手７ａ及び７ｂを
介して取り付けられ、この第５図では、継手７ａ凡び７
ｂに通する細穴２５ａ及び２６ａはブロック体９を貫通
し、溶剤溜り部２４に通じている。この溶剤及び空気を
供給する細穴は第５図では１個所ずつしか示されていな
いが、実際は、第７図に示すよに、溶剤供給口及び空気
供給に連らなる細穴２５ａ、２５ｂ、２６ａ及び２６ｂ
の各２個ずつ配置されている。
ペンサの断面図及び下面図、第７図は第５図のＡＡ凹断
面示す断面図である。このディスペンサのブロック体９
は円筒状の樹脂材で製作されており、ノズル３はブロッ
ク体９と分離されて製作されている。また、このノズル
３はブロック体９に蓋をするように組立てられ、ブロッ
ク体９とノズル３との間に形成される空間である溶剤溜
り部２４が形成される。このブロック体９の中心には、
樹脂製のシリカ液供給用チューブ４がきつい状態のはめ
合いで挿入され、その先端はノズル３の溶剤吐出口６よ
り凹んだ位置に取り付けられている。また、シリカ液供
給チューブ４の周囲には、溶剤供給用チューブ５及び空
気供給用チューブ１９が各２本ずつ継手７ａ及び７ｂを
介して取り付けられ、この第５図では、継手７ａ凡び７
ｂに通する細穴２５ａ及び２６ａはブロック体９を貫通
し、溶剤溜り部２４に通じている。この溶剤及び空気を
供給する細穴は第５図では１個所ずつしか示されていな
いが、実際は、第７図に示すよに、溶剤供給口及び空気
供給に連らなる細穴２５ａ、２５ｂ、２６ａ及び２６ｂ
の各２個ずつ配置されている。
この実施例のディスペンサの動作は第１の実施例と同じ
である。また、この実施例と第１の実施例との異なる点
は、第１の実施例の吐出口を含めた吐出管と溶剤吐出口
の壁との間に出来る空間の溶剤溜り部に対して独立した
溶剤溜り部２４を設けたこと、溶剤供給用及び空気供給
用チューブを各２本ずつ設けたこと、及びシリカ液供給
用チューブの材質を変えて、更に、その長さを短くした
ことである。これらの変更により、第１の実施例と比べ
以下の点が有利である。
である。また、この実施例と第１の実施例との異なる点
は、第１の実施例の吐出口を含めた吐出管と溶剤吐出口
の壁との間に出来る空間の溶剤溜り部に対して独立した
溶剤溜り部２４を設けたこと、溶剤供給用及び空気供給
用チューブを各２本ずつ設けたこと、及びシリカ液供給
用チューブの材質を変えて、更に、その長さを短くした
ことである。これらの変更により、第１の実施例と比べ
以下の点が有利である。
１、より広い溶剤溜り部を設けたことにより、結晶化さ
れたシリカの除去がより効果的に行えること。
れたシリカの除去がより効果的に行えること。
２、複数の溶剤供給チューブと空気供給チューブを設け
たのでディスペンサの清掃作業がより短時間で出来るこ
と。
たのでディスペンサの清掃作業がより短時間で出来るこ
と。
３、溶剤供給用チューブを安価な材料で出来ること、メ
ンテナンスのときにチューブを清掃することなく、切断
して常に新しい先端部を使えば、よりメンテナンス工数
が節減出来ること。
ンテナンスのときにチューブを清掃することなく、切断
して常に新しい先端部を使えば、よりメンテナンス工数
が節減出来ること。
の３点である。
以上説明したように、本発明のディスペンサは一つのブ
ロック体に、塗布液滴下用ノズルとノズルを清掃する塗
布液溶剤用供給吐出口及び空気吹出し口とをブロック体
内の溶剤溜り部に通するように一体化して設けたことに
より、塗布液滴下用ノズルに塗布液が詰ることがなく、
ノズルにごみを付着することなく常にきれいに保つこと
が出来、更茫、゛溶剤を半導体基板上に滴下することが
ないの＋３半導体基板を汚染しない、塗布膜の厚みむら
歩１すことなく安定して塗布出来る塗布膜形成用ディス
ペンサが得られるという効果がある。
ロック体に、塗布液滴下用ノズルとノズルを清掃する塗
布液溶剤用供給吐出口及び空気吹出し口とをブロック体
内の溶剤溜り部に通するように一体化して設けたことに
より、塗布液滴下用ノズルに塗布液が詰ることがなく、
ノズルにごみを付着することなく常にきれいに保つこと
が出来、更茫、゛溶剤を半導体基板上に滴下することが
ないの＋３半導体基板を汚染しない、塗布膜の厚みむら
歩１すことなく安定して塗布出来る塗布膜形成用ディス
ペンサが得られるという効果がある。
第１図及び第２図は本発明による第１の実施例を示すデ
ィスペンサの断面図及び下面図、第３図はディスペンサ
が半導体基板に塗布する前の準備状態を示すノズルの断
面図、第４図は塗布動作を説明するための半導体基板を
含むディスペンサの斜視図、第５図及び第６図は本発明
の第２の実施例を示すディスペンサの断面図及び下面図
、第７図は第５図のＡＡＩＩＲ面を示す断面図、第８図
は従来のディスペンサのの構造の一例を示すディスペン
サの断面図、第９図は塗布動作を説明するための半導体
基板とディスペンサの相対位置を示すディスペンサの斜
視図である。 １・・・吐出口、２・・・先端部、３・・・ノズル、４
．５．１４．１９・・・チューブ、６・・・溶剤吐出口
、７ａ、７ｂ、７ｃ・・・継手、８・・・テーパ穴、９
・・・ブロック体、１０・・・ドレーン口、１１・・・
半導体基板、１２・・・支持棒、１３・・・ポット、１
５・・・槽、１６・・・アーム、１７・・・矢印、１８
・・・塗布膜、２０．２５ａ、２５ｂ、２６ａ、２６ｂ
・・・細穴、２１ ・・・吐出管、２２・・・シリカ液
、２３・・・溶剤、２４・・・溶剤溜り部、２７・・・
ドレーンボット。
ィスペンサの断面図及び下面図、第３図はディスペンサ
が半導体基板に塗布する前の準備状態を示すノズルの断
面図、第４図は塗布動作を説明するための半導体基板を
含むディスペンサの斜視図、第５図及び第６図は本発明
の第２の実施例を示すディスペンサの断面図及び下面図
、第７図は第５図のＡＡＩＩＲ面を示す断面図、第８図
は従来のディスペンサのの構造の一例を示すディスペン
サの断面図、第９図は塗布動作を説明するための半導体
基板とディスペンサの相対位置を示すディスペンサの斜
視図である。 １・・・吐出口、２・・・先端部、３・・・ノズル、４
．５．１４．１９・・・チューブ、６・・・溶剤吐出口
、７ａ、７ｂ、７ｃ・・・継手、８・・・テーパ穴、９
・・・ブロック体、１０・・・ドレーン口、１１・・・
半導体基板、１２・・・支持棒、１３・・・ポット、１
５・・・槽、１６・・・アーム、１７・・・矢印、１８
・・・塗布膜、２０．２５ａ、２５ｂ、２６ａ、２６ｂ
・・・細穴、２１ ・・・吐出管、２２・・・シリカ液
、２３・・・溶剤、２４・・・溶剤溜り部、２７・・・
ドレーンボット。
Claims (1)
- 半導体基板上に塗布膜を形成する塗布膜形成用ディスペ
ンサにおいて、一面に塗布液滴下用ノズルの第１の吐出
口と他面に少なくとも一個以上の前記塗布液の溶剤及び
圧縮空気の供給口が形成されたブロック体と、前記第１
の吐出口の周囲を囲む同心円形状の開口をもつとともに
前記第１の吐出口の端面より外方に突出する前記溶剤及
び圧縮空気の第２の吐出口と、前記ブロック体内にあつ
て前記塗布液の供給口に通する細穴と前記溶剤及び圧縮
空気の供給口に通する細穴とが合流するとともに前記第
２の吐出口に連なる溶剤溜り部とを備えたことを特徴と
する塗布膜形成用ディスペンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198321A JPH0734427B2 (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 塗布膜形成用ディスペンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198321A JPH0734427B2 (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 塗布膜形成用ディスペンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246730A true JPH0246730A (ja) | 1990-02-16 |
| JPH0734427B2 JPH0734427B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=16389172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63198321A Expired - Fee Related JPH0734427B2 (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 塗布膜形成用ディスペンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734427B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0637691U (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-20 | 三井精機工業株式会社 | 配管用継手 |
| JPH0729789A (ja) * | 1993-07-07 | 1995-01-31 | Nec Corp | 塗布装置 |
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1988
- 1988-08-08 JP JP63198321A patent/JPH0734427B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0734427B2 (ja) | 1995-04-12 |
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