JPH0247089B2 - - Google Patents
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- JPH0247089B2 JPH0247089B2 JP59167313A JP16731384A JPH0247089B2 JP H0247089 B2 JPH0247089 B2 JP H0247089B2 JP 59167313 A JP59167313 A JP 59167313A JP 16731384 A JP16731384 A JP 16731384A JP H0247089 B2 JPH0247089 B2 JP H0247089B2
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- Japan
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- porcelain
- mol
- varistor
- strontium titanate
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
この発明は電圧非直線抵抗体用磁器組成物に関
し、特に抗析強度の大きいチタン酸ストロンチウ
ム系の電圧非直線抵抗体用磁器組成物に関する。 （従来技術） チタン酸ストロンチウム系半導体磁器の結晶粒
界を高抵抗化することによつて電圧非直線抵抗体
（以下「バリスタ」と称する）が得られることが、
知られている。この種のバリスタの応用として
は、マイクロモータの火花吸収用のリングバリス
タがある。このリングバリスタは、通常、樹脂デ
イツプなどで外装せずそのままで装着されるた
め、抗析強度の大きなものが必要とされる。特に
マイクロモータなどに使用されるバリスタは小型
であるため、抗析強度の大きいことが重要な特性
として要求される。 （発明が解決しようとする問題点） 従来のチタン酸ストロンチウム系半導体磁器か
らなるバリスタは抗析強度が小さく、したがつて
肉厚を１mm前後にしなければならず、そのために
小型化が望まれるマイクロモータ用のバリスタと
して適当なものではなかつた。 それゆえに、この発明の主たる目的は、良好な
バリスタ特性を有しかつ抗析強度の大きなバリス
タ用磁器組成物を提供することである。 （問題点を解決するための手段） この発明は、チタン酸ストロンチウム、または
チタン酸ストロンチウムを主体としてその他のチ
タン酸塩、ジルコン酸塩およびすず酸塩を含む、
主成分が98.80〜99.88モル％、Er2O3および
Ho2O3のうち少なくとも１種とTa2O5および
Nb2O5のうち少なくとも１種との合計が0.1〜1.0
モル％、MnO2が0.02〜0.2モル％からなり、磁器
の結晶粒が半導体で、かつその結晶粒界が高抵抗
化されている、電圧非直線抵抗体用磁器組成物で
ある。 （発明の効果） この発明によれば、非直線係数（α）が7.5以
上でかつ抗析強度が2.5Kg以上の、優れたバリス
タ用磁器組成物が得られる。 この発明の上述の目的、その他の目的、特徴お
よび利点は、図面を参照して行なう以下の実施例
の詳細な説明から一層明らかとなろう。 （実施例） 主成分であるSrTiO3，CaTiO3，BaZrO3およ
びBaSnO3の各粉末と、半導体化剤であるEr2O3，
Ho2O3，Ta2O5およびNb2O5の各粉末とを、第１
表に示す組成比の磁器が得られるように、秤量
し、バインダを３〜10重量％加えてポリポツトで
約10時間湿式粉砕した。脱水した後、サラン篩50
メツシユで整粒し、外径13.5mm、内径８mmおよび
肉厚1.2mmのリング状に成形した。次いで、1100
℃で１時間予備焼成を行ない、引き続き窒素97
％、水素３％の還元雰囲気中において、1380℃で
２時間焼成した。焼成された磁器の外径は11mm、
内径は6.6mm、肉厚は１mmであつた。 さらに、リング状の磁器の片面に３個の銀電極
をギヤツプ1.5mmの間隔をおいて形成し、他面に
は全面に銀電極を形成し試料を作成した。このよ
うにして得られたバリスタは磁器の結晶粒が半導
体で、磁器の結晶粒界が高抵化されている。 得られた試料は定電流電源に接続し、1mAお
よび10mAのときの電圧値をそれぞれ測定した。
そのときの電圧値をそれぞれE1およびE10として
求めた。そして、しきい値電圧（Vth）は、E10
より求め、非直線係数（α）は次式により求め
た。 α＝１／（logE10／E1） また、抗析高度は、プツシユプルゲージを用
い、図面に示すように、試料Ａの下面を支柱Ｂお
よびＣで支持し、試料Ａの上面から支柱Ｂおよび
Ｃのほぼ中間において刃先Ｄによつて、図面の矢
印方向に静荷重（Ｗ）を加え、試料Ａが破壊する
ときの静荷重によつて表される。 測定結果については第１表に示した。なお、抗
析強度については試料が破壊する寸前の値を示し
ている。第１表中※印を付した試料はこの発明の
範囲外であり、それ以外は全てこの発明の範囲内
の試料である。
し、特に抗析強度の大きいチタン酸ストロンチウ
ム系の電圧非直線抵抗体用磁器組成物に関する。 （従来技術） チタン酸ストロンチウム系半導体磁器の結晶粒
界を高抵抗化することによつて電圧非直線抵抗体
（以下「バリスタ」と称する）が得られることが、
知られている。この種のバリスタの応用として
は、マイクロモータの火花吸収用のリングバリス
タがある。このリングバリスタは、通常、樹脂デ
イツプなどで外装せずそのままで装着されるた
め、抗析強度の大きなものが必要とされる。特に
マイクロモータなどに使用されるバリスタは小型
であるため、抗析強度の大きいことが重要な特性
として要求される。 （発明が解決しようとする問題点） 従来のチタン酸ストロンチウム系半導体磁器か
らなるバリスタは抗析強度が小さく、したがつて
肉厚を１mm前後にしなければならず、そのために
小型化が望まれるマイクロモータ用のバリスタと
して適当なものではなかつた。 それゆえに、この発明の主たる目的は、良好な
バリスタ特性を有しかつ抗析強度の大きなバリス
タ用磁器組成物を提供することである。 （問題点を解決するための手段） この発明は、チタン酸ストロンチウム、または
チタン酸ストロンチウムを主体としてその他のチ
タン酸塩、ジルコン酸塩およびすず酸塩を含む、
主成分が98.80〜99.88モル％、Er2O3および
Ho2O3のうち少なくとも１種とTa2O5および
Nb2O5のうち少なくとも１種との合計が0.1〜1.0
モル％、MnO2が0.02〜0.2モル％からなり、磁器
の結晶粒が半導体で、かつその結晶粒界が高抵抗
化されている、電圧非直線抵抗体用磁器組成物で
ある。 （発明の効果） この発明によれば、非直線係数（α）が7.5以
上でかつ抗析強度が2.5Kg以上の、優れたバリス
タ用磁器組成物が得られる。 この発明の上述の目的、その他の目的、特徴お
よび利点は、図面を参照して行なう以下の実施例
の詳細な説明から一層明らかとなろう。 （実施例） 主成分であるSrTiO3，CaTiO3，BaZrO3およ
びBaSnO3の各粉末と、半導体化剤であるEr2O3，
Ho2O3，Ta2O5およびNb2O5の各粉末とを、第１
表に示す組成比の磁器が得られるように、秤量
し、バインダを３〜10重量％加えてポリポツトで
約10時間湿式粉砕した。脱水した後、サラン篩50
メツシユで整粒し、外径13.5mm、内径８mmおよび
肉厚1.2mmのリング状に成形した。次いで、1100
℃で１時間予備焼成を行ない、引き続き窒素97
％、水素３％の還元雰囲気中において、1380℃で
２時間焼成した。焼成された磁器の外径は11mm、
内径は6.6mm、肉厚は１mmであつた。 さらに、リング状の磁器の片面に３個の銀電極
をギヤツプ1.5mmの間隔をおいて形成し、他面に
は全面に銀電極を形成し試料を作成した。このよ
うにして得られたバリスタは磁器の結晶粒が半導
体で、磁器の結晶粒界が高抵化されている。 得られた試料は定電流電源に接続し、1mAお
よび10mAのときの電圧値をそれぞれ測定した。
そのときの電圧値をそれぞれE1およびE10として
求めた。そして、しきい値電圧（Vth）は、E10
より求め、非直線係数（α）は次式により求め
た。 α＝１／（logE10／E1） また、抗析高度は、プツシユプルゲージを用
い、図面に示すように、試料Ａの下面を支柱Ｂお
よびＣで支持し、試料Ａの上面から支柱Ｂおよび
Ｃのほぼ中間において刃先Ｄによつて、図面の矢
印方向に静荷重（Ｗ）を加え、試料Ａが破壊する
ときの静荷重によつて表される。 測定結果については第１表に示した。なお、抗
析強度については試料が破壊する寸前の値を示し
ている。第１表中※印を付した試料はこの発明の
範囲外であり、それ以外は全てこの発明の範囲内
の試料である。
【表】
【表】
比較例
主成分であるSrTiO3、半導体化剤である
Y2O3，Nb2O5，WO3，La2O3などを第２表に示
す組成の磁器が得られるように秤量し、その後実
施例と同様に処理して試料を得た。 得られた試料について実施例と同様に、しきい
値電圧（Vth）、非直線係数（α）および抗析強
度（Kg）を測定し、その結果を第２表に示した。
Y2O3，Nb2O5，WO3，La2O3などを第２表に示
す組成の磁器が得られるように秤量し、その後実
施例と同様に処理して試料を得た。 得られた試料について実施例と同様に、しきい
値電圧（Vth）、非直線係数（α）および抗析強
度（Kg）を測定し、その結果を第２表に示した。
【表】
第１表と第２表とを比較して明らかなように、
この発明のように、半導体化剤としてEr2O3，
H2O3のうち少なくとも１種とTa2O5，Nb2O5の
うち少なくとも１種とを含有させることによつ
て、しきい値電圧、非直線係数とも従来のものと
特性上遜色がなく、しかも抗析強度を20〜80％程
度改善することができた。
この発明のように、半導体化剤としてEr2O3，
H2O3のうち少なくとも１種とTa2O5，Nb2O5の
うち少なくとも１種とを含有させることによつ
て、しきい値電圧、非直線係数とも従来のものと
特性上遜色がなく、しかも抗析強度を20〜80％程
度改善することができた。
図面は抗析強度を測定する方法を説明する概略
図解図である。
図解図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チタン酸ストロンチウム、またはチタン酸ス
トロンチウムを主体としてその他のチタン酸塩、
ジルコン酸塩およびすず酸塩を含む、主成分が
98.80〜99.88モル％、 Er2O3およびHo2O3のうち少なくとも１種と
Ta2O5およびNb2O5のうち少なくとも１種との合
計が0.1〜1.0モル％、 MnO2が0.02〜0.2モル％からなり、 磁器の結晶粒が半導体で、かつその結晶粒界が
高抵抗化されている、電圧非直線抵抗体用磁器組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167313A JPS6144404A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167313A JPS6144404A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144404A JPS6144404A (ja) | 1986-03-04 |
| JPH0247089B2 true JPH0247089B2 (ja) | 1990-10-18 |
Family
ID=15847430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59167313A Granted JPS6144404A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144404A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114401908B (zh) | 2019-09-20 | 2023-10-24 | 株式会社富士 | 保管库 |
-
1984
- 1984-08-09 JP JP59167313A patent/JPS6144404A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6144404A (ja) | 1986-03-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |