JPH0247841A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0247841A JPH0247841A JP63199218A JP19921888A JPH0247841A JP H0247841 A JPH0247841 A JP H0247841A JP 63199218 A JP63199218 A JP 63199218A JP 19921888 A JP19921888 A JP 19921888A JP H0247841 A JPH0247841 A JP H0247841A
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- jig
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体素子
の電極パッドに金属細線を用いて電気接続を行う方法に
関する。
の電極パッドに金属細線を用いて電気接続を行う方法に
関する。
〔従来の技術]
一般に、リードフレームを用いた半導体装置では、第4
図(a)及び(b)に夫々平面図、A−A線断面図を示
すように、リードフレーム11の素子搭載部11aに搭
載した半導体素子(半導体チップ)12の電極バッド1
3に金属細線14の一端を接続し、この金属細線14の
他端をリードフレーム11の外部引出しリードllbに
接続することにより、半導体素子12と外部引出しリー
ドllbとの間の電気接続を行っている。
図(a)及び(b)に夫々平面図、A−A線断面図を示
すように、リードフレーム11の素子搭載部11aに搭
載した半導体素子(半導体チップ)12の電極バッド1
3に金属細線14の一端を接続し、この金属細線14の
他端をリードフレーム11の外部引出しリードllbに
接続することにより、半導体素子12と外部引出しリー
ドllbとの間の電気接続を行っている。
この場合、従来では半導体素子12を素子搭載部11a
に搭載した後、電極バッド13には何らの処理を施すこ
となく金属細線14の接続を行っている。この金属細線
14の接続には、熱圧着法や超音波圧着法等が用いられ
る。
に搭載した後、電極バッド13には何らの処理を施すこ
となく金属細線14の接続を行っている。この金属細線
14の接続には、熱圧着法や超音波圧着法等が用いられ
る。
上述した従来の半導体装置の製造に際しては、電極バッ
ド13を構成する金属、主にアルミニウムは表面に酸化
膜や目に見えない汚れが存在しているため、この状態の
電極バッド13に対して金属細線14を圧着させたとき
に、これらの酸化膜や汚れが両者を密着状態で接続させ
る際の障害となり、好適な接続を行うことができないと
いう問題がある。
ド13を構成する金属、主にアルミニウムは表面に酸化
膜や目に見えない汚れが存在しているため、この状態の
電極バッド13に対して金属細線14を圧着させたとき
に、これらの酸化膜や汚れが両者を密着状態で接続させ
る際の障害となり、好適な接続を行うことができないと
いう問題がある。
このため、熱圧着の温度や圧力を高め、或いは超音波を
強くして接続を行うことが必要とされるが、これでは半
導体素子12にダメージを与え易く、製造歩留りを低下
させる原因となる。
強くして接続を行うことが必要とされるが、これでは半
導体素子12にダメージを与え易く、製造歩留りを低下
させる原因となる。
本発明は電極バッドに対する金属細線の接続を好適に行
ない、接続の信頼性を向上することを可能とした半導体
装置の製造方法を提供することを目的としている。
ない、接続の信頼性を向上することを可能とした半導体
装置の製造方法を提供することを目的としている。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子を所定位
置に搭載かつ固定する工程と、先端面に多数の微細突起
を有す、る治具の該先端面を前記半導体素子の電極パッ
ドの表面に当接させ、かつこの治具を振動させて電極パ
ッドの表面を研摩処理する工程と、電極パッドの表面に
金属細線の一端を接続する工程とを含んでいる。
置に搭載かつ固定する工程と、先端面に多数の微細突起
を有す、る治具の該先端面を前記半導体素子の電極パッ
ドの表面に当接させ、かつこの治具を振動させて電極パ
ッドの表面を研摩処理する工程と、電極パッドの表面に
金属細線の一端を接続する工程とを含んでいる。
〔作用]
上述した方法では、治具の微細突起により電極パッドの
表面を研摩して表面酸化膜や汚れを除去し、金属細線と
電極パッドとの密着性を改善して好適な接続を可能とす
る。
表面を研摩して表面酸化膜や汚れを除去し、金属細線と
電極パッドとの密着性を改善して好適な接続を可能とす
る。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明方法を実施するための治具を示す図であ
り、第1図(a)は正面図、第1図(b)は底面図であ
る。
り、第1図(a)は正面図、第1図(b)は底面図であ
る。
この治具は、図外の振動源、例えば超音波振動源に連結
されたアームの先端に固定支持されており、全体を円柱
状をしたヘッド部lを有し、その先端部分2は若干細く
して半導体素子の電極パッドに略等しい径寸法としてい
る。そして、この先端部分2の先端面2aは軸と直角な
平面に形成するとともに、複数個の微細突起3を一体的
に形成している。
されたアームの先端に固定支持されており、全体を円柱
状をしたヘッド部lを有し、その先端部分2は若干細く
して半導体素子の電極パッドに略等しい径寸法としてい
る。そして、この先端部分2の先端面2aは軸と直角な
平面に形成するとともに、複数個の微細突起3を一体的
に形成している。
この治具を用いて、第4図に示したような金属細線14
の接続を行うに際しては、リードフレーム11の素子搭
載部11aに半導体素子12を搭載した後に、電極パッ
ド13の表面にヘッド部1の先端面2aを当接させる。
の接続を行うに際しては、リードフレーム11の素子搭
載部11aに半導体素子12を搭載した後に、電極パッ
ド13の表面にヘッド部1の先端面2aを当接させる。
すると、ヘッド部lは超音波によって微小振動され、先
端面2aに設けた微細突起3が電極パッド13の表面と
干渉し、結果として電極パッド13の表面を研摩する。
端面2aに設けた微細突起3が電極パッド13の表面と
干渉し、結果として電極パッド13の表面を研摩する。
これにより、第2図に示すように、電極パッド13の表
面に無数の研摩跡13aが形成され、この部分では表面
の酸化膜や汚れが除去される。
面に無数の研摩跡13aが形成され、この部分では表面
の酸化膜や汚れが除去される。
したがって、このように処理した後に熱圧着法又は超音
波圧着法による金属細線14の接続を行うことにより、
好適な接続を実現することができる。
波圧着法による金属細線14の接続を行うことにより、
好適な接続を実現することができる。
ここで、電極パッドの表面を研摩させる治具としては、
第3図(a)及び(b)に正面図及び底面図を示すよう
に、従来から用いられているキャピラリを使用すること
ができる。このキャピラリIAはガラス筒として形成さ
れ、その先端面を粗に仕上げることで微細突起3Aを形
成することができる。
第3図(a)及び(b)に正面図及び底面図を示すよう
に、従来から用いられているキャピラリを使用すること
ができる。このキャピラリIAはガラス筒として形成さ
れ、その先端面を粗に仕上げることで微細突起3Aを形
成することができる。
なお、前記夫々の実施例において、微細突起3゜3Aの
寸法は数μmの大きさに形成する。また、電極パッドに
圧接する際には、半導体素子に激しいストレスが加えら
れないように荷重を高精度に制御することが必要である
。
寸法は数μmの大きさに形成する。また、電極パッドに
圧接する際には、半導体素子に激しいストレスが加えら
れないように荷重を高精度に制御することが必要である
。
以上説明したように本発明は、多数の微細突起を有する
治具の先端面を電極パッドの表面に当接させ、かつこの
治具を振動させて電極パッドの表面を研摩処理している
ので、この治具により電極パッドの表面を研摩して表面
酸化膜や汚れを除去することができ、金属細線と電極パ
ッドとの密着性を改善して好適な接続を実現できる効果
がある。
治具の先端面を電極パッドの表面に当接させ、かつこの
治具を振動させて電極パッドの表面を研摩処理している
ので、この治具により電極パッドの表面を研摩して表面
酸化膜や汚れを除去することができ、金属細線と電極パ
ッドとの密着性を改善して好適な接続を実現できる効果
がある。
第1図は本発明を実施する治具の一例を示し、第1図(
a)は正面図、第1図(b)は底面図、第2図は本発明
方法の処理を行った後の電極パッドの表面を示す平面図
、第3図は治具の他の例を示し、第3図(a)は正面図
、第3図(b)は底面図、第4図は金属細線を接続した
一般的な半導体装置の一部を示し、第4図(a)は平面
図、第4図(b)はそのA−A線断面図である。 1・・・ヘッド部、IA・・・キャピラリ、2・・・先
端部分、2a・・・先端面、3,3A・・・微細突起、
11・・・り一ドフレーム、lla・・・素子搭載部、
llb・・・外部引出しリード、12・・・半導体素子
、13・・・電極パッド、14・・・金属細線。 (a) (b) 第2
a)は正面図、第1図(b)は底面図、第2図は本発明
方法の処理を行った後の電極パッドの表面を示す平面図
、第3図は治具の他の例を示し、第3図(a)は正面図
、第3図(b)は底面図、第4図は金属細線を接続した
一般的な半導体装置の一部を示し、第4図(a)は平面
図、第4図(b)はそのA−A線断面図である。 1・・・ヘッド部、IA・・・キャピラリ、2・・・先
端部分、2a・・・先端面、3,3A・・・微細突起、
11・・・り一ドフレーム、lla・・・素子搭載部、
llb・・・外部引出しリード、12・・・半導体素子
、13・・・電極パッド、14・・・金属細線。 (a) (b) 第2
Claims (1)
- 1、半導体素子を所定位置に搭載かつ固定する工程と、
先端面に多数の微細突起を有する治具の該先端面を前記
半導体素子の電極パッドの表面に当接させ、かつこの治
具を振動させて電極パッドの表面を研摩処理する工程と
、電極パッドの表面に金属細線の一端を接続する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63199218A JPH0247841A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63199218A JPH0247841A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247841A true JPH0247841A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16404103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63199218A Pending JPH0247841A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247841A (ja) |
-
1988
- 1988-08-10 JP JP63199218A patent/JPH0247841A/ja active Pending
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