JPH0248427Y2 - - Google Patents
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- JPH0248427Y2 JPH0248427Y2 JP11369986U JP11369986U JPH0248427Y2 JP H0248427 Y2 JPH0248427 Y2 JP H0248427Y2 JP 11369986 U JP11369986 U JP 11369986U JP 11369986 U JP11369986 U JP 11369986U JP H0248427 Y2 JPH0248427 Y2 JP H0248427Y2
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は縦形または横形の減圧CVD装置にお
いて反応管内壁に付着したポリシリコン膜、窒化
膜、酸化膜、金属膜等のCVD膜を除去する装置
に関する。
いて反応管内壁に付着したポリシリコン膜、窒化
膜、酸化膜、金属膜等のCVD膜を除去する装置
に関する。
従来は、減圧CVD装置の石英反応管内壁に付
着したCVD膜を除去するために反応管を装置よ
り取り外し、この取り外した反応管を弗酸、弗硝
酸などの化学エツチング液に浸すことにより反応
管内壁に付着したCVD膜を化学的に除去してい
た。次いでCVD膜除去後の反応管を洗浄し、乾
燥してから装置に取り付けていた。しかし、これ
は反応管の取り付け、取り外しに多くの時間を要
するので、最近では反応管を二重構造とし、内部
反応管のみの取り付け、取り外しを行うことによ
り取り付け、取り外し作業時間の短縮を図つてい
る。
着したCVD膜を除去するために反応管を装置よ
り取り外し、この取り外した反応管を弗酸、弗硝
酸などの化学エツチング液に浸すことにより反応
管内壁に付着したCVD膜を化学的に除去してい
た。次いでCVD膜除去後の反応管を洗浄し、乾
燥してから装置に取り付けていた。しかし、これ
は反応管の取り付け、取り外しに多くの時間を要
するので、最近では反応管を二重構造とし、内部
反応管のみの取り付け、取り外しを行うことによ
り取り付け、取り外し作業時間の短縮を図つてい
る。
しかし、上記ウエツトエツチング法による従来装
置においては、化学エツチング液槽、洗浄装置及
び乾燥装置等よりなるので、構造が大形になり高
価になるうえ、反応管の取り付け、取り外しや洗
浄、乾燥を必要とするので、多くの工程と時間を
要し、特に危険な化学エツチング液を使用するの
で、この液の使用、処理時の安全には十分に留意
する必要があ等の問題点があつた。
置においては、化学エツチング液槽、洗浄装置及
び乾燥装置等よりなるので、構造が大形になり高
価になるうえ、反応管の取り付け、取り外しや洗
浄、乾燥を必要とするので、多くの工程と時間を
要し、特に危険な化学エツチング液を使用するの
で、この液の使用、処理時の安全には十分に留意
する必要があ等の問題点があつた。
本考案装置は上記の問題点を解決するため、図
示のように減圧CVD装置の反応管１内に挿入さ
れる複数対のプラズマ発生用電極２ａ，２ｂを絶
縁回転板３に支持し、この回転板３の回転軸４に
反応管１の開口を閉じるためのドア５を巻装支持
せしめ、かつ、回転軸４に回転駆動装置６を連結
すると共に各対のプラズマ発生用電極２ａ，２ｂ
間に高周波電源７を接続してなる構成としたもの
である。
示のように減圧CVD装置の反応管１内に挿入さ
れる複数対のプラズマ発生用電極２ａ，２ｂを絶
縁回転板３に支持し、この回転板３の回転軸４に
反応管１の開口を閉じるためのドア５を巻装支持
せしめ、かつ、回転軸４に回転駆動装置６を連結
すると共に各対のプラズマ発生用電極２ａ，２ｂ
間に高周波電源７を接続してなる構成としたもの
である。
反応管内壁に付着したCVD膜を除去するとき
は、反応管１内に複数対のプラズマ発生用電極２
ａ，２ｂを挿入し、反応管１の開口をドア５で閉
じる。そして絶縁回転板３に支持した複数対のプ
ラズマ発生用電極２ａ，２ｂを回転駆動装置６に
より回転させる一方、反応管１内を減圧し、減圧
下でエツチングガスを反応管１内に供給し、最適
圧力に調整した後、各対の電極２ａ，２ｂ間に高
周波電源７により高周波電圧を印加すると、各対
の電極２ａ，２ｂ間でプラズマ放電が起こり、こ
れによつて発生したプラズマにより反応管１の内
壁に付着したCVD膜は除去されることになる。
この場合、プラズマは、各対の電極２ａ，２ｂの
回転により回転しており、片寄ることがないの
で、プラズマの片寄りによるエツチング不良を防
ぐことができ、CVD膜の除去をむらなく行うこ
とができる。
は、反応管１内に複数対のプラズマ発生用電極２
ａ，２ｂを挿入し、反応管１の開口をドア５で閉
じる。そして絶縁回転板３に支持した複数対のプ
ラズマ発生用電極２ａ，２ｂを回転駆動装置６に
より回転させる一方、反応管１内を減圧し、減圧
下でエツチングガスを反応管１内に供給し、最適
圧力に調整した後、各対の電極２ａ，２ｂ間に高
周波電源７により高周波電圧を印加すると、各対
の電極２ａ，２ｂ間でプラズマ放電が起こり、こ
れによつて発生したプラズマにより反応管１の内
壁に付着したCVD膜は除去されることになる。
この場合、プラズマは、各対の電極２ａ，２ｂの
回転により回転しており、片寄ることがないの
で、プラズマの片寄りによるエツチング不良を防
ぐことができ、CVD膜の除去をむらなく行うこ
とができる。
以下図面によつて本考案の実施例を説明する。
第１図は本考案装置の一実施例を減圧CVD装
置の反応管内に挿入する途中の状態を示す簡略斜
視図で、縦形の減圧CVD装置に適用した場合を
示している。横形の装置にも適用できることは勿
論である。
置の反応管内に挿入する途中の状態を示す簡略斜
視図で、縦形の減圧CVD装置に適用した場合を
示している。横形の装置にも適用できることは勿
論である。
第１図において１は反応管で、内、外部石英反
応管１ａ，１ｂより構成されており、ヒータ８内
に設けられている。９は反応管１の開口端外周に
設けられたフランジである。反応管１内に挿入さ
れる２対の円柱状プラズマ発生用電極２ａ，２ｂ
の基端は、セラミツク系の絶縁回転板３の一面周
方向に対をなす高圧側、アース側の電極２ａ，２
ｂが交互に位置するよう支持されている。当該各
対の電極２ａ，２ｂの遊端にも図示のように同様
の絶縁回転板３ａを取付けることが好ましい。対
をなす電極の使用数は図例の４本に限らず、それ
以上設けることができ、反応管１の内径が大きく
なるに従つて増大させればよい。５は絶縁回転板
３の回転軸４に嵌装支持したドアで、反応管１の
フランジ９に当接して反応管１の開口を閉じるも
のである。ドア５は反応管１の開口を閉じた際、
回転軸４の回転を妨げないように回転軸４に支持
されていることは勿論である。
応管１ａ，１ｂより構成されており、ヒータ８内
に設けられている。９は反応管１の開口端外周に
設けられたフランジである。反応管１内に挿入さ
れる２対の円柱状プラズマ発生用電極２ａ，２ｂ
の基端は、セラミツク系の絶縁回転板３の一面周
方向に対をなす高圧側、アース側の電極２ａ，２
ｂが交互に位置するよう支持されている。当該各
対の電極２ａ，２ｂの遊端にも図示のように同様
の絶縁回転板３ａを取付けることが好ましい。対
をなす電極の使用数は図例の４本に限らず、それ
以上設けることができ、反応管１の内径が大きく
なるに従つて増大させればよい。５は絶縁回転板
３の回転軸４に嵌装支持したドアで、反応管１の
フランジ９に当接して反応管１の開口を閉じるも
のである。ドア５は反応管１の開口を閉じた際、
回転軸４の回転を妨げないように回転軸４に支持
されていることは勿論である。
第２図は本考案におけるプラズマ発生用電極の
回転駆動装置の一例を示す説明図、第３図は同じ
くプラズマ発生用電極への高周波電圧の印加手段
の一例を示す説明図、第４図は同じくその電気回
路図である。
回転駆動装置の一例を示す説明図、第３図は同じ
くプラズマ発生用電極への高周波電圧の印加手段
の一例を示す説明図、第４図は同じくその電気回
路図である。
絶縁回転板３の回転軸４には、例えば第２図示
のようにこれに軸継手部１０により接続した被動
側傘歯車１１と、これに噛合させた駆動側傘歯車
１２と、その駆動用直流モータとよりなる回転駆
動装置６が連結されている。１４はドア５と回転
軸４との間に設けられた磁気シールで、回転軸４
に対しその回転を妨げないようドア５を支持する
ためと、減圧される反応管１内をシールするため
のものである。
のようにこれに軸継手部１０により接続した被動
側傘歯車１１と、これに噛合させた駆動側傘歯車
１２と、その駆動用直流モータとよりなる回転駆
動装置６が連結されている。１４はドア５と回転
軸４との間に設けられた磁気シールで、回転軸４
に対しその回転を妨げないようドア５を支持する
ためと、減圧される反応管１内をシールするため
のものである。
この回転駆動装置６は、絶縁回転板３の回転軸
４を回転させ、この絶縁回転板３に支持した複数
対のプラズマ発生用電極２ａ，２ｂを回転させる
ためのもので、当該電極２ａ，２ｂを回転させて
プラズマを回転させ、プラズマの片寄りを回避し
てプラズマの片寄りによるエツチング不良防止を
図るものである。
４を回転させ、この絶縁回転板３に支持した複数
対のプラズマ発生用電極２ａ，２ｂを回転させる
ためのもので、当該電極２ａ，２ｂを回転させて
プラズマを回転させ、プラズマの片寄りを回避し
てプラズマの片寄りによるエツチング不良防止を
図るものである。
また、各対のプラズマ発生用電極２ａ，２ｂ間
には第３図及び第４図示のように高周波電源７が
接続されている。各対の電極２ａ，２ｂ間に高周
波電圧を印加する手段は、例えば第３図示のよう
に絶縁回転板３及びその回転軸４の表面に各電極
２ａ，２ｂに導通するアルミ等の導体１５ａ，１
５ｂを蒸着等により施し、両導体１５ａ，１５ｂ
の重なる部分は絶縁すると共に、両導体１５ａ，
１５ｂの電圧印加部を環状に形成して当該両環状
電圧印加部にばね製の摺動子１６ａ，１６ｂを圧
接せしめ、この両摺動子１６ａ，１６ｂ間に高周
波電源７を接続する構成とする。この例の場合、
高周波電圧は高周波電源７により摺動子１６ａ，
１６ｂ間に加わり、この摺動子１６ａ，１６ｂが
常に圧接する導体１５ａ，１５ｂの環状電圧印加
部間に加わつて各対の電極２ａ，２ｂ間に加わる
ものである。
には第３図及び第４図示のように高周波電源７が
接続されている。各対の電極２ａ，２ｂ間に高周
波電圧を印加する手段は、例えば第３図示のよう
に絶縁回転板３及びその回転軸４の表面に各電極
２ａ，２ｂに導通するアルミ等の導体１５ａ，１
５ｂを蒸着等により施し、両導体１５ａ，１５ｂ
の重なる部分は絶縁すると共に、両導体１５ａ，
１５ｂの電圧印加部を環状に形成して当該両環状
電圧印加部にばね製の摺動子１６ａ，１６ｂを圧
接せしめ、この両摺動子１６ａ，１６ｂ間に高周
波電源７を接続する構成とする。この例の場合、
高周波電圧は高周波電源７により摺動子１６ａ，
１６ｂ間に加わり、この摺動子１６ａ，１６ｂが
常に圧接する導体１５ａ，１５ｂの環状電圧印加
部間に加わつて各対の電極２ａ，２ｂ間に加わる
ものである。
ウエーハにCVD膜を生成する場合は、減圧
CVD装置の反応管１内に多数のウエーハをセツ
トした石英ボート（図示せず）を搬入し、反応管
１の開口をボートのキヤツプ部で閉じる。そして
反応管１内を減圧し、減圧下で反応ガスを反応管
１内に供給し、最適圧力に調整した状態に保ちな
がらヒータ８によりウエーハを加熱すると、ウエ
ーハにCVD膜が生成される。CVD膜の生成され
たウエーハはボートを反応管１より搬出すること
により取り出される。
CVD装置の反応管１内に多数のウエーハをセツ
トした石英ボート（図示せず）を搬入し、反応管
１の開口をボートのキヤツプ部で閉じる。そして
反応管１内を減圧し、減圧下で反応ガスを反応管
１内に供給し、最適圧力に調整した状態に保ちな
がらヒータ８によりウエーハを加熱すると、ウエ
ーハにCVD膜が生成される。CVD膜の生成され
たウエーハはボートを反応管１より搬出すること
により取り出される。
このCVD膜の生成時に反応管１の内壁にCVD
膜が付着するが、この付着したCVD膜を除去し
クリーニングするときは、反応管１内に本考案装
置における２対のプラズマ発生用電極２ａ，２ｂ
を挿入し、反応管１の開口をドア５で閉じる。そ
して絶縁回転板３及びその回転軸４を回転駆動装
置６により回転させ、絶縁回転板３に支持した２
対のプラズマ発生用電極２ａ，２ｂを回転させる
一方、反応管１内を減圧し、減圧下でCF4，NF3
等の単一ガスまたはCF4とO2の混合ガス等による
エツチングガスを反応管１内に供給し、最適圧力
（0.1〜5.0Torr）に調整した後、各対の電極２ａ，
２ｂ間に高周波電源７により約13.56MHzの高周
波電圧を印加すると、各対の電極２ａ，２ｂ間で
プラズマ放電が起こり、これによつて発生したプ
ラズマにより反応管１の内壁に付着したCVD膜
は除去されることになる。この場合、プラズマ
は、各対の電極２ａ，２ｂの回転により回転して
おり、片寄ることがないので、プラズマの片寄り
によるエツチング不良を防ぐことができ、CVD
膜の除去をむらなく行うことができる。
膜が付着するが、この付着したCVD膜を除去し
クリーニングするときは、反応管１内に本考案装
置における２対のプラズマ発生用電極２ａ，２ｂ
を挿入し、反応管１の開口をドア５で閉じる。そ
して絶縁回転板３及びその回転軸４を回転駆動装
置６により回転させ、絶縁回転板３に支持した２
対のプラズマ発生用電極２ａ，２ｂを回転させる
一方、反応管１内を減圧し、減圧下でCF4，NF3
等の単一ガスまたはCF4とO2の混合ガス等による
エツチングガスを反応管１内に供給し、最適圧力
（0.1〜5.0Torr）に調整した後、各対の電極２ａ，
２ｂ間に高周波電源７により約13.56MHzの高周
波電圧を印加すると、各対の電極２ａ，２ｂ間で
プラズマ放電が起こり、これによつて発生したプ
ラズマにより反応管１の内壁に付着したCVD膜
は除去されることになる。この場合、プラズマ
は、各対の電極２ａ，２ｂの回転により回転して
おり、片寄ることがないので、プラズマの片寄り
によるエツチング不良を防ぐことができ、CVD
膜の除去をむらなく行うことができる。
上述のように本考案によれば、減圧CVD装置
の反応管１内に複数対のプラズマ発生用電極２
ａ，２ｂを挿入し、この各対のプラズマ発生用電
極２ａ，２ｂを回転駆動装置６により回転させる
一方、反応管１内に減圧下でエツチングガスを供
給すると共に、各対の電極２ａ，２ｂ間に高周波
電源７により高周波電圧を印加してプラズマを発
生させることにより反応管１の内壁に付着した
CVD膜を除去するドライエツチング法による
CVD膜除去装置であるから、構造が小形になり
安価になるうえ、反応管１の取り付け、取外しや
洗浄、乾燥を不要にできるので、上記従来に比し
て工程と時間を縮減できるばかりでなく、各対の
電極２ａ，２ｂの回転によりプラズマを回転させ
てプラズマの片寄りを回避しているので、プラズ
マの片寄りによるエツチング不良を防止でき、
CVD膜の除去をむらなく行うことができる。ま
た、危険な化学エツチング液をを使用しないの
で、安全上の問題を回避することができる。
の反応管１内に複数対のプラズマ発生用電極２
ａ，２ｂを挿入し、この各対のプラズマ発生用電
極２ａ，２ｂを回転駆動装置６により回転させる
一方、反応管１内に減圧下でエツチングガスを供
給すると共に、各対の電極２ａ，２ｂ間に高周波
電源７により高周波電圧を印加してプラズマを発
生させることにより反応管１の内壁に付着した
CVD膜を除去するドライエツチング法による
CVD膜除去装置であるから、構造が小形になり
安価になるうえ、反応管１の取り付け、取外しや
洗浄、乾燥を不要にできるので、上記従来に比し
て工程と時間を縮減できるばかりでなく、各対の
電極２ａ，２ｂの回転によりプラズマを回転させ
てプラズマの片寄りを回避しているので、プラズ
マの片寄りによるエツチング不良を防止でき、
CVD膜の除去をむらなく行うことができる。ま
た、危険な化学エツチング液をを使用しないの
で、安全上の問題を回避することができる。
第１図は本考案装置の一実施例を減圧CVD装
置の反応管内に挿入する途中の状態を示す簡略斜
視図、第２図は本考案におけるプラズマ発生用電
極の回転駆動装置の一例を示す説明図、第３図は
同じくプラズマ発生用電極への高周波電圧の印加
手段の一例を示す説明図、第４図は同じくその電
気回路図である。 １……反応管、２ａ，２ｂ……プラズマ発生用
電極、３……絶縁回転板、４……回転軸、５……
ドア、６……回転駆動装置、７……高周波電源。
置の反応管内に挿入する途中の状態を示す簡略斜
視図、第２図は本考案におけるプラズマ発生用電
極の回転駆動装置の一例を示す説明図、第３図は
同じくプラズマ発生用電極への高周波電圧の印加
手段の一例を示す説明図、第４図は同じくその電
気回路図である。 １……反応管、２ａ，２ｂ……プラズマ発生用
電極、３……絶縁回転板、４……回転軸、５……
ドア、６……回転駆動装置、７……高周波電源。
Claims (1)
- 減圧CVD装置の反応管１内に挿入される複数
対のプラズマ発生用電極２ａ，２ｂを絶縁回転板
３に支持し、この回転板３の回転軸４に反応管１
の開口を閉じるためのドア５を巻装支持せしめ、
かつ、回転軸４に回転駆動装置６を連結すると共
に各対のプラズマ発生用電極２ａ，２ｂ間に高周
波電源７を接続してなるCVD膜除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11369986U JPH0248427Y2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11369986U JPH0248427Y2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6319572U JPS6319572U (ja) | 1988-02-09 |
| JPH0248427Y2 true JPH0248427Y2 (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=30995753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11369986U Expired JPH0248427Y2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0248427Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP11369986U patent/JPH0248427Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6319572U (ja) | 1988-02-09 |
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