JPH0249210A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特にヘッド
寿命を長（できる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。

〔従来技術〕

薄膜磁気ヘッドは第４図に示すように構成されている。

すなわち磁性あるいは非磁性の基板（１）ノ上ニパーマ
ロイ、センダスト、アモルファスなどを蒸着あるいはス
パッタ等の手段により被着して下部磁性層（２）が形成
され、その上に３１０２等の非磁性絶縁層（３）を介し
てコイル導体層（４）が形成され、その上に非磁性絶縁
層（５）が被着され、更にその上にギャップ形成絶縁膜
（６）を介して上部磁性層（７）が形成される。

そして両磁性層（２）、　　（７）はコイル導体層（４
）を囲む形で所定デプス量のギャップ（８）を介して閉
磁路が形成されている。この薄膜磁気ヘッドはその製造
において、ヘッド素体の記録媒体対接面が研削加工され
て所定のギャップデプス値（Ｄｐ）に形成される。

処で、このように構成された薄膜磁気ヘッドは前記ギャ
ップデプス（Ｄｐ）を出来るだけ長く設けて媒体の摺動
による摩耗に対応することにより、ヘッド寿命が長く出
来ることは明らかである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、本発明者が種々実験を行ったところ、前記ギャ
ップデプス値は上部磁極に形成されるテーパ部（９）の
膜厚の８０％程度以下の深さにしないと、良好な電極変
換特性が得られないことが分った。

これは、前記ギャップデプスが長すぎると、閉磁路中に
おいて膜厚の最小部、すなわち前記テーパ部（９）で飽
和して磁束が洩れてしまうことによるためと考えられた
。

従って、ヘッド寿命を長くするためには、前記テーパ部
の膜厚を厚く設ければよい訳であるが、これ迄、フォト
リソグラフィーおよびイオンミリングによる従来技術で
、前記テーパ部に例えば２０μｍ以上（この場合、平坦
部で約２７μｍ以上を被膜する必要がある。）の膜厚を
有した上部磁極を量産性のあるパターニング方法で形成
できる技術的開示はなかった。

本発明の目的は、上記事情に鑑みなされたもので、上部
磁極のテーパ部の膜厚が厚く設けられるバターニング方
法により、例えば２０μｍ程度のテーパ部を形成して前
記ギャップデプスを長くすることにより、ヘッド寿命を
長くできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することに
ある。

〔問題点を解決するための手段および作用〕すなわち、
本発明の上記目的は、基板上に少なくとも磁性層、コイ
ル導体層、絶縁層および保護層を成膜およびエツチング
により所定形状に形成して成る薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、テーパ部を設けた絶縁層上に上部磁極を形
成する磁性材料を成膜後、基板面に沿って回転する基板
に対し所定角度の入射角を有して前記磁性材料をイオン
ミリングすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法により達成される。

イオン入射角を３０°〜５０°の範囲にしてイオンミリ
ングすることにより、上部磁極のテーパ部でのエツチン
グレートが下げられて、膜厚の厚いテーパ部が形成され
る。また、平坦部においてはエツチングレートが高めら
れるため、全体としてのエツチング効率を低下させない
。

〔実施例〕

以下、図面により本発明の実施例を詳説する。

第１図は、本発明の１実施例を説明するための薄膜磁気
ヘッドの製造工程を示した図である。

図において、フェライト基板（１０）上にＲ，Ｆスパッ
タリング法によりＣｏＮｂＺｎ合金の強磁性体を１５μ
ｍ付着しエツチングして下部磁性層（１１）を形成した
。次に下部磁性層（１１）の上にＳｉＣ２をスパッタ法
により約２μｍ付着して非磁性絶縁層（１２）を形成し
た（第１図（Ａ））。次にこの非磁性絶縁層（１２）の
上にコイル導体層（１３）及び非磁性絶縁層（１４）を
公知の方法により形成した（同図（Ｃ））。

その後フロントギャップ部およびリアギャップ部にあた
る部分の前記非磁性絶縁層（１２）、　（１４）を、テ
ーパ角４５°にしてテーパエツチングにより除去し、フ
ロントギャップ部に所定ギャップ長を得るためのエツチ
ングエリア（１７）を形成した（同図（Ｄ））。次に、
ギヤツブ部エツチングエリア（１７）が所定のギャップ
長となるように全面に亘って非磁性絶縁膜（１５）を形
成した後、リアギャップ部をエツチングにより除去した
（同図（Ｅ））。そしてさらにこの非磁性絶縁膜（１５
）上に、ＲＦスパックリング法により上部磁極となるＣ
ｏＮｂＺｒ合金の強磁性体の上部磁性層（１６）を２６
μｍ付着して設けた。なお、このときの前記上部磁性層
（１６）のテーパ部での膜厚は約２０μｍに形成されて
いた。

次に、前記上部磁性層（１６）を所定形状にバターニン
グするため、上部磁性層（１６）上にフォトレジスト層
（１８）を２０μｍ厚に塗布してパターニングしたく同
図（Ｇ））。その後、基板面に沿って基板を回転させる
と共に、イオン入射角４０°としてＡｒイオンで上部磁
性層（１６）をイオンミリングした。

なお、上記基板面に沿って基板を回転させるとは、基板
面に垂直に回転軸を有して基板が自転する場合と、回転
するテーブル面上に複数の基板を配置してテーブル軸の
回りを回転する場合及びそれら２つの回転が同時に行わ
れる場合とを含む。

前記イオンミリングを５３０分間行ったところ、平坦部
のレジス）　（１７）は除去されたが、バタ一二ングは
未だ終了されず、テーパ部には５μｍ厚のレジス）（１
７）が残っていた（同図（Ｈ））。その後、さらに１４
０分間イオンミリングを継続することにより、テーパ部
ではレジストが完全になくなって２０μｍの膜厚に形成
され、一方、平坦部ではエツチングが上部磁性層に及ん
で該磁性層を２０μｍの膜厚に形成して所望のパターニ
ング形状が得られた（同図（■））。その後、図示して
いない保護層及び保護板を設けて媒体対接面を研削加工
（図中、Ｘ方向より）して薄膜磁気ヘッドを製造した。

第２図乃至第３図は、本発明者が種々実験を行って得ら
れた、前記上部磁性層（１６）をエツチングする際のエ
ツチングレートのイオン入射角依存性を、磁性層及びフ
ォトレジストのそれぞれについて図示したもので、第２
図は上部磁性層（１６）のＣｏＮｂＺｒについて、第３
図はフォトレジストについて、それぞれ平坦部及び上部
磁性層のテーパ角が３０°、４０°、６０°の場合を示
している。

各図から明らかなように、テーパ角が何れの場合につい
てもイオン入射角が３０°〜５０°の範囲にあるとき、
テーパ部および平坦部のエツチングレートが磁性層及び
フォトレジスト共にバランス良く設けられて共に同じ割
合でエツチングされる。

また、図から明らかなように、イオン入射角が３０°以
下であると、従来技術に近似して来てテーパ部のエツチ
ングレートが高くなり、逆に５０゜以上であると、レジ
ストが塗布された平坦部でのエツチングレートが高過ぎ
、所望の膜厚の磁極が得られない。

〔発明の効果〕

以上記載したとおり、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法によれば、上部磁性層のパターニングが好適に行われ
、所望の厚みのあるテーパ部が得られることにより、ギ
ャップデプスを長くしてヘッド寿命が長くなる薄膜磁気
ヘッドが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の１実施例を説明するための薄膜磁気
ヘッドの製造工程を示した図、第２図乃至第３図は、エ
ツチングレートのイオン入射角依存性を示した図で、第
２図は上部磁性層について、第３図はフォトレジストに
ついてそれぞれ示しており、第４図は薄膜磁気ヘッドの
構造を説明する図である。 １０）：基板、　　（１１）：下部磁性層。 １２）、（１４）　　：非磁性絶縁層。 １３）：コイル導体層、　　　（１５）：非磁性絶縁膜
。 １６）：上部磁性層、　　（１７）：エンチングエリア
。 １８）：フォトレジスト層 第　　２ 図 第 図 ｒイ：ｘｉｉｖ４ 図 第 図 手 続 ？ｉｌｌ 正 書 （１）明細内筒５頁６行目、 補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）基板上に少なくとも磁性層、コイル導体層、絶縁層
   および保護層を成膜およびエッチングにより所定形状に
   形成して成る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、テー
   パ部を設けた絶縁層上に上部磁極を形成する磁性材料を
   成膜後、基板面に沿って回転する基板に対し所定角度の
   入射角を有して前記磁性材料をイオンミリングすること
   を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ２）イオン入射角を３０°〜５０°の範囲に設けること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の製造方法。