JPS6059514A - ダブルアジマスヘツドの製造方法 - Google Patents
ダブルアジマスヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6059514A JPS6059514A JP16762383A JP16762383A JPS6059514A JP S6059514 A JPS6059514 A JP S6059514A JP 16762383 A JP16762383 A JP 16762383A JP 16762383 A JP16762383 A JP 16762383A JP S6059514 A JPS6059514 A JP S6059514A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- head
- azimuth angle
- etching
- gap
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、ＶＴＲの録画再生ヘッドとして用いられるダ
ブルアジマスヘッドの製造方法に関する。
ブルアジマスヘッドの製造方法に関する。
（従来技術と問題点）
これまでのダブルアジマスヘッドは、磁性体、１−
たとえばフェライト、センダスト、パーマロイ、アモル
ファス等を機械加工することによりギャップ部にアジマ
ス角度を作り、これにギャップスペーサ材（たとえばＳ
ｉｏ２やガラス、金属箔）を設けて１個のギャップ部を
備えたヘッド部を構成し、同様の方法で作られた他方の
ヘッド部とガラスまたは接着剤を用いて２個組合わせて
製作していた。
ファス等を機械加工することによりギャップ部にアジマ
ス角度を作り、これにギャップスペーサ材（たとえばＳ
ｉｏ２やガラス、金属箔）を設けて１個のギャップ部を
備えたヘッド部を構成し、同様の方法で作られた他方の
ヘッド部とガラスまたは接着剤を用いて２個組合わせて
製作していた。
従って、工程数は多くなり、さらに２個のヘッド部の等
特性も要求される等、多くの問題があり、価格的にも高
価になっている。
特性も要求される等、多くの問題があり、価格的にも高
価になっている。
（発明の目的）
本発明は、−に記の欠点を改善し、所定のアジマス角度
のギャップを２個同時に同一条件で製作でき、精度の向
」−１量産性の改善、ひいてはコスト低減を図ることが
可能なダブルアジマスヘッドの製造方法を提供しようと
するものである。
のギャップを２個同時に同一条件で製作でき、精度の向
」−１量産性の改善、ひいてはコスト低減を図ることが
可能なダブルアジマスヘッドの製造方法を提供しようと
するものである。
（発明の特徴）
本発明の主要工程は、半導体薄膜技術を応用することか
で鰺、従って、ヘッドの磁性体部分を蒸着、スパッタ、
メッキ等の広義の薄膜作製法を用２− いて形成可能である。またギャップ部の形成に１耘主に
乾式薄膜技術を適用可能である。
で鰺、従って、ヘッドの磁性体部分を蒸着、スパッタ、
メッキ等の広義の薄膜作製法を用２− いて形成可能である。またギャップ部の形成に１耘主に
乾式薄膜技術を適用可能である。
本発明の特徴的な工程は、ヘッド形状の加工とギャップ
面の加工法にあり、傾斜角５〜６°というギャップ面の
アジマス角度を高精度に加工できる異方性ビームエツチ
ングを適用可能な点である。
面の加工法にあり、傾斜角５〜６°というギャップ面の
アジマス角度を高精度に加工できる異方性ビームエツチ
ングを適用可能な点である。
ダブルアジマスヘッドは、ギヤツブ間間約３７０μ、公
差２３μ以下に製作する必要があり、さらにその中心に
分離用間隙を形成する必要がある。
差２３μ以下に製作する必要があり、さらにその中心に
分離用間隙を形成する必要がある。
従ってこれらを満足できる精度で製作する方法として、
例えば７オトリソグラフイー法（有機の感光性フィルム
を所望の形状に露光、現像する方法）と、ドライエンチ
ング法（気相中でのエツチング）を組み合わせて使用す
ることで、ダブルアジマスヘッドの形成を同時に同一条
件で製作でき、かつ多量に高精度で作製でとる特徴を発
揮できる。
例えば７オトリソグラフイー法（有機の感光性フィルム
を所望の形状に露光、現像する方法）と、ドライエンチ
ング法（気相中でのエツチング）を組み合わせて使用す
ることで、ダブルアジマスヘッドの形成を同時に同一条
件で製作でき、かつ多量に高精度で作製でとる特徴を発
揮できる。
（発明の実施例）
以下、本発明に係るダブルアジマスへ、ラドの製造方法
の実施例を図面に従って説明する。
の実施例を図面に従って説明する。
第１図に示すように、まずセラミック基板１の３−
洗浄後、その上に通常の薄膜作製技術を用いて所定の磁
性膜２を希望の膜厚に形成する。たとえば、スパッタ法
によりパーマロイ膜を作製する場合方式 ： ＤＣ又は
ＲＦスパッタ（マグネトロンでも可） Ａｒ圧力 ： ４．Ｘｌ ０−２−４×１０−１ ｐａ
電力密度 ： １０−１００Ｗ／ｃｍ２基板温度 ：
室温〜３００°Ｃ で形成できる。特に基板材質によっては密着性が悪い場
合もあり、この場合は、第１図のごとく接着層３として
Ｃｒ膜などを予め基板面に設けておく。
性膜２を希望の膜厚に形成する。たとえば、スパッタ法
によりパーマロイ膜を作製する場合方式 ： ＤＣ又は
ＲＦスパッタ（マグネトロンでも可） Ａｒ圧力 ： ４．Ｘｌ ０−２−４×１０−１ ｐａ
電力密度 ： １０−１００Ｗ／ｃｍ２基板温度 ：
室温〜３００°Ｃ で形成できる。特に基板材質によっては密着性が悪い場
合もあり、この場合は、第１図のごとく接着層３として
Ｃｒ膜などを予め基板面に設けておく。
次に、形成された磁性膜２上に感光性レジスト材たとえ
ばＡＺ、ＣＩＲ等を、スピナーやスプレーで所定厚さだ
け形成し、フォトマスク（ポジまたはネガ）を用いて対
をなすヘッドコア形状を露光させ、現像液にて第２図の
ような該ヘッドコア形状のレジスト層４を形成する。二
の７オトリソグラフイー法による工程は重要なものでレ
ジスト材の特性を十分熟知して適正な条件で行なうよう
４− にする。たとえばレジスト材にＣＴ Ｒ７０］を使用し
た場合下記の条件で実行する。
ばＡＺ、ＣＩＲ等を、スピナーやスプレーで所定厚さだ
け形成し、フォトマスク（ポジまたはネガ）を用いて対
をなすヘッドコア形状を露光させ、現像液にて第２図の
ような該ヘッドコア形状のレジスト層４を形成する。二
の７オトリソグラフイー法による工程は重要なものでレ
ジスト材の特性を十分熟知して適正な条件で行なうよう
４− にする。たとえばレジスト材にＣＴ Ｒ７０］を使用し
た場合下記の条件で実行する。
粒度 ： １００ｃｐ
温度 ： ８０°Ｃ、時間 ： ３０分露光 ： ４秒
、１０ ｍＷ／ＣＩＩＴ２現像 ： １分 ＯＭ Ｒ リンス ： 酢酸Ｎブチル 以上の工程で月をなすヘッドコア形状のレジスト層４を
磁性膜２上に形成できたら、次にドライエツチング方法
により第３図のように傾斜エツチングを行なって、レジ
スト層４の形成されていない部分の磁性膜を除去する。
、１０ ｍＷ／ＣＩＩＴ２現像 ： １分 ＯＭ Ｒ リンス ： 酢酸Ｎブチル 以上の工程で月をなすヘッドコア形状のレジスト層４を
磁性膜２上に形成できたら、次にドライエツチング方法
により第３図のように傾斜エツチングを行なって、レジ
スト層４の形成されていない部分の磁性膜を除去する。
傾斜エツチングを行なうためには、スパッタエツチング
のような等方性エツチングよりイオンビームエツチング
のような異方性エツチングを用いる必要がある。イオン
ビームエツチングを用いる場合、ビーム角度を希望する
アジマス角度θ近傍に合わせてエツチングを行なう。こ
のときエツチング速度やエツチング面の平坦度の条件を
考慮し、Ａｒガスに加えて反応性ガスを使用する場合も
ある。これらの条件の５− 最適化が実験によって決められる。たとえば、カウフマ
ン型のイオンビーム装置を使用した場合そのエツチング
条件は ビーム角度 二 ６゜ Ａｒ圧力 ： ２Ｘ１０−２ｐａ 加速電圧 ：１ｋＶ、 電流 ：４．（１０ｍＡステー
ジ電流 ：３００ｍＡ となる。この条件でエツチングを行なうと、約３００〜
４００Ａ／分のエツチング速度でアジマス角度５〜６°
程度のヘッドギャップ形成のための傾斜側面を作成でき
る。
のような等方性エツチングよりイオンビームエツチング
のような異方性エツチングを用いる必要がある。イオン
ビームエツチングを用いる場合、ビーム角度を希望する
アジマス角度θ近傍に合わせてエツチングを行なう。こ
のときエツチング速度やエツチング面の平坦度の条件を
考慮し、Ａｒガスに加えて反応性ガスを使用する場合も
ある。これらの条件の５− 最適化が実験によって決められる。たとえば、カウフマ
ン型のイオンビーム装置を使用した場合そのエツチング
条件は ビーム角度 二 ６゜ Ａｒ圧力 ： ２Ｘ１０−２ｐａ 加速電圧 ：１ｋＶ、 電流 ：４．（１０ｍＡステー
ジ電流 ：３００ｍＡ となる。この条件でエツチングを行なうと、約３００〜
４００Ａ／分のエツチング速度でアジマス角度５〜６°
程度のヘッドギャップ形成のための傾斜側面を作成でき
る。
それ以後、第４図のように対をなす磁性膜２のギャップ
部上面、側面および陶磁性膜間にギャップ材５を形成し
かつパターンニングする。そして、ギャップ材ｓ−ｈに
」二部磁性層をメッキ、スパッタ、蒸着などで形成し、
不必要部分を研削して第５図のように対をなす磁性膜間
の上部磁性層６を残す。
部上面、側面および陶磁性膜間にギャップ材５を形成し
かつパターンニングする。そして、ギャップ材ｓ−ｈに
」二部磁性層をメッキ、スパッタ、蒸着などで形成し、
不必要部分を研削して第５図のように対をなす磁性膜間
の上部磁性層６を残す。
この結果、磁性膜２の傾斜側面と」二部磁性層６との間
に所望のアジマス角度のギャップＧが形成されることに
なる。そして、磁性層６の中間にスク６− ライブマシーンにて溝を切り、ガラス材７を流し込んで
２個のヘッド部分に分離して、ダブルアジマスヘッドを
基板１上に完成させる。実際−１−は、基板１−１−に
多数のダブルアジマスヘッドを同時に作成することにな
るが呟最終的には１個のダブルアジマスヘッド旬に基板
１を切断する。
に所望のアジマス角度のギャップＧが形成されることに
なる。そして、磁性層６の中間にスク６− ライブマシーンにて溝を切り、ガラス材７を流し込んで
２個のヘッド部分に分離して、ダブルアジマスヘッドを
基板１上に完成させる。実際−１−は、基板１−１−に
多数のダブルアジマスヘッドを同時に作成することにな
るが呟最終的には１個のダブルアジマスヘッド旬に基板
１を切断する。
なお、ｔＩＳ２図に提示したものと全く逆のリングラフ
イーパターンを使用し、フレーム成膜法（メンキを行な
う場合に所望のパターンを残す方法）又はリフトオフ法
を用いることも十分可能である。
イーパターンを使用し、フレーム成膜法（メンキを行な
う場合に所望のパターンを残す方法）又はリフトオフ法
を用いることも十分可能である。
また、磁性膜で構成されたヘッドコアに対する巻線は、
ドリルで機械的に穴をあけて行なうようにするか、巻線
パターンを蒸着することによって行なう。
ドリルで機械的に穴をあけて行なうようにするか、巻線
パターンを蒸着することによって行なう。
（発明の効果）
以−１−説明したように、本発明のダブルアジマスへラ
ドの製造方法によれば、所定のアジマス角度のギャップ
を２個同時に同一条件で製作で外、精度の向」二、量産
性の改善、ひいてはコスト低減を図ることができる。
ドの製造方法によれば、所定のアジマス角度のギャップ
を２個同時に同一条件で製作で外、精度の向」二、量産
性の改善、ひいてはコスト低減を図ることができる。
７−
第１図は基板上に磁性膜を形成した工程を示す正断面図
、第２図は磁性膜上にレノスト材を塗布し、露光、現像
してパターニングをした工程の斜視図、第３図は傾斜イ
オンビームエツチング後のギヤツブ部面面を示す第２図
のＩＩＩ−Ｔｌｌ断面図、第４図はギャップ部にギャッ
プ材を形成しパターニングした工程の断面図、第５図は
ギャップ材上に」二部磁性層を形成し、不必要部を研削
して中心にスクライブマシーンにて溝を切りガラス材を
流し込んで分離し完成させた工程の断面図である。 １・・・セラミック基板、２・・・磁性層、３・・・接
着層、４・・・レジスト層、５・・・ギャップ材、６・
・ｌ：部磁性層、７・・・ガラス材。 特許出願人 ティーディーケイ株式会社 代理人 弁理士 村 井 隆 ８−
、第２図は磁性膜上にレノスト材を塗布し、露光、現像
してパターニングをした工程の斜視図、第３図は傾斜イ
オンビームエツチング後のギヤツブ部面面を示す第２図
のＩＩＩ−Ｔｌｌ断面図、第４図はギャップ部にギャッ
プ材を形成しパターニングした工程の断面図、第５図は
ギャップ材上に」二部磁性層を形成し、不必要部を研削
して中心にスクライブマシーンにて溝を切りガラス材を
流し込んで分離し完成させた工程の断面図である。 １・・・セラミック基板、２・・・磁性層、３・・・接
着層、４・・・レジスト層、５・・・ギャップ材、６・
・ｌ：部磁性層、７・・・ガラス材。 特許出願人 ティーディーケイ株式会社 代理人 弁理士 村 井 隆 ８−
Claims (1)
- （１）基板」二に７オトリソグラフイー法を用いて対を
なすヘッドコア形状の磁性膜を形成しかつ該磁性膜の側
面を傾斜エツチングによって所望のアジマス角度の傾斜
面とし、残った対をなすヘッドコア形状の磁性膜及び陶
磁性膜間にギャップ材を形成し、さらに陶磁性膜間に前
記ギャップ材を介し」二部磁性層を形成して対をなす所
望のアジマス角度のギャップを形成した後、該」二部磁
性層を磁気的に分離したことを特徴とするダブルアジマ
スヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16762383A JPS6059514A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | ダブルアジマスヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16762383A JPS6059514A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | ダブルアジマスヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059514A true JPS6059514A (ja) | 1985-04-05 |
Family
ID=15853216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16762383A Pending JPS6059514A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | ダブルアジマスヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059514A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63129199U (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-24 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5885918A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-23 | Sony Corp | 磁気ヘツドの製造法 |
| JPS59162611A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-13 | Hitachi Ltd | ダブルアジマス磁気ヘツド |
-
1983
- 1983-09-13 JP JP16762383A patent/JPS6059514A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5885918A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-23 | Sony Corp | 磁気ヘツドの製造法 |
| JPS59162611A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-13 | Hitachi Ltd | ダブルアジマス磁気ヘツド |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63129199U (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-24 |
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