JPH0250163A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0250163A JPH0250163A JP63310316A JP31031688A JPH0250163A JP H0250163 A JPH0250163 A JP H0250163A JP 63310316 A JP63310316 A JP 63310316A JP 31031688 A JP31031688 A JP 31031688A JP H0250163 A JPH0250163 A JP H0250163A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist layer
- layer
- forming method
- pattern forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスで使用するパターン形成
方法に関する。
方法に関する。
近年、半導体装置における高集積化および高密度化の進
展に伴い、その中に形成される回路パターンも微細化さ
れてきている。さらには、高信頼度化および高性能化へ
の要求も強くなり、このため製造プロセスの最適化や形
成パターンの高精度化等が不可欠なものとなっている。
展に伴い、その中に形成される回路パターンも微細化さ
れてきている。さらには、高信頼度化および高性能化へ
の要求も強くなり、このため製造プロセスの最適化や形
成パターンの高精度化等が不可欠なものとなっている。
従来、このような要望に応えるべく第３図（ａ）〜（ｄ
＋に示す工程を備えたパターン形成方法が採用されてい
る。これを同図によって説明すると、先ず同図（ａ）に
示すようにシリコン結晶からなる基板１上にポジ型フォ
トレジストを回転塗布することによりレジスト層２を形
成し、次いで同図（ｂ）に示すようにホットプレート３
上で基板ｌを加熱し、しかる後同図（Ｃ）に示すように
波長４３６ｎｍの紫外光４によって選択的にレジスト層
２を露光してから、同図（ｄ）に示すようにＴＭＡＨ（
テトラメチルアンモニウムハライド）の水溶液で現像す
ることにより基板ｌ上にレジストパターン５を形成する
ものである。
＋に示す工程を備えたパターン形成方法が採用されてい
る。これを同図によって説明すると、先ず同図（ａ）に
示すようにシリコン結晶からなる基板１上にポジ型フォ
トレジストを回転塗布することによりレジスト層２を形
成し、次いで同図（ｂ）に示すようにホットプレート３
上で基板ｌを加熱し、しかる後同図（Ｃ）に示すように
波長４３６ｎｍの紫外光４によって選択的にレジスト層
２を露光してから、同図（ｄ）に示すようにＴＭＡＨ（
テトラメチルアンモニウムハライド）の水溶液で現像す
ることにより基板ｌ上にレジストパターン５を形成する
ものである。
ここで、露光時にレジスト層２中の感光剤（キノンジア
ジド系）が光反応して水の共存下でインデンカルボン酸
が生成し、このインデンカルボン酸になった部分が現像
時に現像液（ＴＭＡＨ）に易溶性となる。
ジド系）が光反応して水の共存下でインデンカルボン酸
が生成し、このインデンカルボン酸になった部分が現像
時に現像液（ＴＭＡＨ）に易溶性となる。
ところで、従来のパターン形成方法においては、レジス
ト塗布から露光までの時間変化に伴うレジスト層厚の変
動を抑制する必要から、レジスト層２の形成後に基板ｌ
を高温（８０〜１１０℃）で加熱してレジスト層２中の
溶媒を蒸発させている。このため、露光時にレジスト層
２中に光が取り込まれても感光剤の光反応が十分に行わ
れず、現像時に感度が低下したり、解像不良が生じたり
するという問題があった。すなわち、高温加熱によって
感光剤の分解や水分の蒸発によって現像時にレジスト露
光部の溶解性が低下してしまうからである。
ト塗布から露光までの時間変化に伴うレジスト層厚の変
動を抑制する必要から、レジスト層２の形成後に基板ｌ
を高温（８０〜１１０℃）で加熱してレジスト層２中の
溶媒を蒸発させている。このため、露光時にレジスト層
２中に光が取り込まれても感光剤の光反応が十分に行わ
れず、現像時に感度が低下したり、解像不良が生じたり
するという問題があった。すなわち、高温加熱によって
感光剤の分解や水分の蒸発によって現像時にレジスト露
光部の溶解性が低下してしまうからである。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、現像時
の感度を高めることができると共に、解像不良の発生を
防止することができるパターン形成方法を提供するもの
である。
の感度を高めることができると共に、解像不良の発生を
防止することができるパターン形成方法を提供するもの
である。
本発明に係るパターン形成方法は、予めフォトレジスト
を塗布することによりレジスト層が形成された基板を加
熱し、次にこの基板上のレジスト層に水分を供給した後
、これを露光、現像するものである。
を塗布することによりレジスト層が形成された基板を加
熱し、次にこの基板上のレジスト層に水分を供給した後
、これを露光、現像するものである。
本発明においては、露光時にレジスト層中の感光剤を十
分に光反応させることができる。
分に光反応させることができる。
以下、本発明を図に示す実施例によって詳細に説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明に係るパターン形成方法
を説明するための図で、同図以下において第３図（ａ）
〜（ｄｌと同一の部材については同一の符号を付し、詳
細な説明は省略する。
を説明するための図で、同図以下において第３図（ａ）
〜（ｄｌと同一の部材については同一の符号を付し、詳
細な説明は省略する。
先ず、同図（ａ）に示すように予めポジ型フォトレジス
トを回転塗布することによりレジスト層２が形成された
基板ｌを同図（ｂ）に示すようにホットプレート３によ
って８０℃以下の温度で加熱する。次に、同図（Ｃ）に
示すように基板ｌを水中に浸漬することによりレジスト
層２に水分６を供給してから軽く乾燥する。そして、同
図（ｄ）に示すように縮小投影露光装置（ステッパー）
を用い紫外光（波長４３６ｎｍ）によって選択的にレジ
スト層２を露光した後、同図（ｅ）に示すようにこれを
ＴＭＡ）ｌの水溶液で現像することにより基板１上にレ
ジストパターン５を形成する。
トを回転塗布することによりレジスト層２が形成された
基板ｌを同図（ｂ）に示すようにホットプレート３によ
って８０℃以下の温度で加熱する。次に、同図（Ｃ）に
示すように基板ｌを水中に浸漬することによりレジスト
層２に水分６を供給してから軽く乾燥する。そして、同
図（ｄ）に示すように縮小投影露光装置（ステッパー）
を用い紫外光（波長４３６ｎｍ）によって選択的にレジ
スト層２を露光した後、同図（ｅ）に示すようにこれを
ＴＭＡ）ｌの水溶液で現像することにより基板１上にレ
ジストパターン５を形成する。
このようにして、本発明におけるレジストパターン５を
形成することができる。
形成することができる。
したがって、本発明においては、露光前に基板ｌ上のレ
ジスト層２を水中に浸漬するものであるから、レジスト
層２中への水分の補給によって露光時に感光剤を十分に
光反応（キノンジアジドが水の共存下でインデンカルボ
ン酸に変化する）させることができる。
ジスト層２を水中に浸漬するものであるから、レジスト
層２中への水分の補給によって露光時に感光剤を十分に
光反応（キノンジアジドが水の共存下でインデンカルボ
ン酸に変化する）させることができる。
なお、本実施例においては、露光時に露光波長がｇ線（
４３６ｎｍ）である光源を使用する場合を示したが、本
発明はこれに限定されず、ｉ線（３６５ｎｍ） 。
４３６ｎｍ）である光源を使用する場合を示したが、本
発明はこれに限定されず、ｉ線（３６５ｎｍ） 。
Ｘｅ−ｃｌエキシマレーザ光（３０８ｎｍ） 、 Ｋ
ｒＦｌエキシマレーザ光２４８ｎａｅ）あるいはＡｒＦ
エキシマレーザ光（１９３ｎｍ）を使用してもよく、こ
の他光源としては多波長光源を使用しても勿論よい。
ｒＦｌエキシマレーザ光２４８ｎａｅ）あるいはＡｒＦ
エキシマレーザ光（１９３ｎｍ）を使用してもよく、こ
の他光源としては多波長光源を使用しても勿論よい。
また、本実施例においては、基板１上のレジスト層２に
水分を供給するのにデイツプ法による場合を示したが、
本発明はこの他ソータ法、パドル法によるもの、あるい
は基板ｌを水蒸気雰囲気下に晒す方法によるものでもよ
い。
水分を供給するのにデイツプ法による場合を示したが、
本発明はこの他ソータ法、パドル法によるもの、あるい
は基板ｌを水蒸気雰囲気下に晒す方法によるものでもよ
い。
さらに、本発明は、第２図（ａ）〜（ｅｌに示すように
基板１上にレジスト層２を形成した後に加熱する工程に
おいて、減圧下で低温加熱（８０’ｃ以下）する方法を
用いてもよい。ここで、符号７および８は減圧ボックス
と減圧口である。
基板１上にレジスト層２を形成した後に加熱する工程に
おいて、減圧下で低温加熱（８０’ｃ以下）する方法を
用いてもよい。ここで、符号７および８は減圧ボックス
と減圧口である。
因に、本発明においては、基板ｌに対して露光後現像前
に１００℃〜１５０℃の温度で加熱処理を施しても実施
例と同様の結果を得ることができた。
に１００℃〜１５０℃の温度で加熱処理を施しても実施
例と同様の結果を得ることができた。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、予めフォトレジス
トを塗布することによりレジスト層が形成された基板を
加熱し、次にこの基板上のレジスト層に水分を供給した
後、これを露光、現像するので、レジスト層中への水分
の補給によって露光時に感光剤を十分に光反応させるこ
とができ、現像時の感度を高めることができると共に、
解像不良の発生を防止することができる。また、基板上
にレジスト層を形成した後に減圧下で低温加熱すれば、
レジスト層中の感光剤の分解を阻止することができると
共に、レジスト層中の溶媒を蒸発させることができ、レ
ジスト塗布から露光までの時間変化に伴うレジスト層厚
の変動を抑制することができる。
トを塗布することによりレジスト層が形成された基板を
加熱し、次にこの基板上のレジスト層に水分を供給した
後、これを露光、現像するので、レジスト層中への水分
の補給によって露光時に感光剤を十分に光反応させるこ
とができ、現像時の感度を高めることができると共に、
解像不良の発生を防止することができる。また、基板上
にレジスト層を形成した後に減圧下で低温加熱すれば、
レジスト層中の感光剤の分解を阻止することができると
共に、レジスト層中の溶媒を蒸発させることができ、レ
ジスト塗布から露光までの時間変化に伴うレジスト層厚
の変動を抑制することができる。
第１図（ａ）〜（ｅｌは本発明に係るパターン形成方法
を説明するための図、第２図（ａｌ〜（ｅ）は同じ（本
発明における他の実施例を説明するための図、第３図（
ａｌ〜（ｄｌは従来のパターン形成方法を説明するため
の図である。 Ｉ・・・・基板、２・・・・レジスト層、３・・・・ホ
ットプレート、４・・・・紫外光、５・・・・レジスト
パターン、６・・・・水分。 代 理 人 大岩増雄 第 図
を説明するための図、第２図（ａｌ〜（ｅ）は同じ（本
発明における他の実施例を説明するための図、第３図（
ａｌ〜（ｄｌは従来のパターン形成方法を説明するため
の図である。 Ｉ・・・・基板、２・・・・レジスト層、３・・・・ホ
ットプレート、４・・・・紫外光、５・・・・レジスト
パターン、６・・・・水分。 代 理 人 大岩増雄 第 図
Claims (1)
- 予めフォトレジストを塗布することによりレジスト層が
形成された基板を加熱し、次にこの基板上のレジスト層
に水分を供給した後、これを露光、現像することを特徴
とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63310316A JPH0250163A (ja) | 1988-05-09 | 1988-12-07 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-112946 | 1988-05-09 | ||
| JP11294688 | 1988-05-09 | ||
| JP63310316A JPH0250163A (ja) | 1988-05-09 | 1988-12-07 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250163A true JPH0250163A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=26451989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63310316A Pending JPH0250163A (ja) | 1988-05-09 | 1988-12-07 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0250163A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008267152A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Takeuchi Seisakusho:Kk | エアクリーナ装置 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258374A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Toshiba Corp | Improvement in sensitivity of positive type photo resist |
| JPS59132619A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及びその装置 |
| JPS59132618A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及びその装置 |
| JPS59132127A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及び装置 |
| JPS59132128A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及び装置 |
| JPS59182442A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Nec Corp | 写真蝕刻方法 |
| JPS6091638A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-05-23 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPS60176236A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Toshiba Corp | レジスト処理装置 |
| JPS6136929A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
-
1988
- 1988-12-07 JP JP63310316A patent/JPH0250163A/ja active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5258374A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Toshiba Corp | Improvement in sensitivity of positive type photo resist |
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| JPS59132127A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及び装置 |
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| JPS59182442A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Nec Corp | 写真蝕刻方法 |
| JPS6091638A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-05-23 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPS60176236A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Toshiba Corp | レジスト処理装置 |
| JPS6136929A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008267152A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Takeuchi Seisakusho:Kk | エアクリーナ装置 |
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