JPH0250165A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0250165A JPH0250165A JP1114695A JP11469589A JPH0250165A JP H0250165 A JPH0250165 A JP H0250165A JP 1114695 A JP1114695 A JP 1114695A JP 11469589 A JP11469589 A JP 11469589A JP H0250165 A JPH0250165 A JP H0250165A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist layer
- substrate
- water
- forming method
- pattern forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスで使用するパターン形成
方法に関する。
方法に関する。
近年、半導体装置における高集積化および高密度化の進
展に伴い、その中に形成される回路パターンも微細化さ
れてきている。さらには、高信頼度化および高性能化へ
の要求も強くなり、このため製造プロセスの最適化や形
成パターンの高精度化等が不可欠なものとなっている。
展に伴い、その中に形成される回路パターンも微細化さ
れてきている。さらには、高信頼度化および高性能化へ
の要求も強くなり、このため製造プロセスの最適化や形
成パターンの高精度化等が不可欠なものとなっている。
従来、このような要望に応えるべく第３図（ａｌ〜（ｄ
ｌに示す工程を備えたパターン形成方法が採用されてい
る。これを同図によって説明すると、先ず同図（ａ）に
示すようにシリコン結晶からなる基板ｌ上にポジ型フォ
トレジストを回転塗布することによりレジスト層２を形
成し、次いで同図（ｂｌに示すようにホントプレート３
上で基板ｌを加熱し、しかる後同図（Ｃ）に示すように
波長４３６ｎｍの紫外光４によって選択的にレジスト層
２を露光してから、同図（ｄｌに示すようにＴＭＡＨ（
テトラメチルアンモニウムハライド）の水溶液で現像す
ることにより基板１上にレジストパターン５を形成する
ものである。
ｌに示す工程を備えたパターン形成方法が採用されてい
る。これを同図によって説明すると、先ず同図（ａ）に
示すようにシリコン結晶からなる基板ｌ上にポジ型フォ
トレジストを回転塗布することによりレジスト層２を形
成し、次いで同図（ｂｌに示すようにホントプレート３
上で基板ｌを加熱し、しかる後同図（Ｃ）に示すように
波長４３６ｎｍの紫外光４によって選択的にレジスト層
２を露光してから、同図（ｄｌに示すようにＴＭＡＨ（
テトラメチルアンモニウムハライド）の水溶液で現像す
ることにより基板１上にレジストパターン５を形成する
ものである。
ここで、露光時にレジスト層２中の感光剤（キノンジア
ジド系）が光反応して水の共存下でインデンカルボン酸
が生成し、このインデンカルボン酸になった部分が現像
時に現像液（ＴＭＡＨ）に易溶性となる。
ジド系）が光反応して水の共存下でインデンカルボン酸
が生成し、このインデンカルボン酸になった部分が現像
時に現像液（ＴＭＡＨ）に易溶性となる。
ところで、従来のパターン形成方法においては、レジス
ト塗布から露光までの時間変化に伴うレジスト層厚の変
動を抑制する必要と、低温（７５℃未満）ブリベータ、
過剰残存溶媒および未露光部の現像時の膜減りによる解
像力の低下とから、レジスト層２の形成後に基板１を高
温（８０〜１１０℃）で加熱してレジスト層２中の溶媒
を蒸発させている。このため、露光時にレジスト層２中
に光が取り込まれても感光剤の光反応が十分に行われず
、現像時に感度が低下したり、解像不良が生じたりする
という問題があった。すなわち、高温加熱によって感光
剤の分解や水分の蒸発によって現像時にレジスト露光部
の溶解性が低下してしまうからである。
ト塗布から露光までの時間変化に伴うレジスト層厚の変
動を抑制する必要と、低温（７５℃未満）ブリベータ、
過剰残存溶媒および未露光部の現像時の膜減りによる解
像力の低下とから、レジスト層２の形成後に基板１を高
温（８０〜１１０℃）で加熱してレジスト層２中の溶媒
を蒸発させている。このため、露光時にレジスト層２中
に光が取り込まれても感光剤の光反応が十分に行われず
、現像時に感度が低下したり、解像不良が生じたりする
という問題があった。すなわち、高温加熱によって感光
剤の分解や水分の蒸発によって現像時にレジスト露光部
の溶解性が低下してしまうからである。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、現像
時の感度を高めることができると共に、解像不良の発生
を防止することができるパターン形成方法を提供するも
のである。
時の感度を高めることができると共に、解像不良の発生
を防止することができるパターン形成方法を提供するも
のである。
本発明に係るパターン形成方法は、予めフォトレジスト
を塗布することによりレジスト層が形成された基板を加
熱し、次にこの基板上のレジスト層に水分を供給した後
、これを露光、現像するものである。
を塗布することによりレジスト層が形成された基板を加
熱し、次にこの基板上のレジスト層に水分を供給した後
、これを露光、現像するものである。
本発明においては、露光時にレジスト層中の感光剤を十
分に光反応させることができる。
分に光反応させることができる。
以下、本発明を図に示す実施例によって詳細に説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明に係るパターン形成方法
を説明するための図で、同図以下において第３図（ａ）
〜（ｄ）と同一の部材については同一の符号を付し、詳
細な説明は省略する。
を説明するための図で、同図以下において第３図（ａ）
〜（ｄ）と同一の部材については同一の符号を付し、詳
細な説明は省略する。
先ず、同図（ａ）に示すように予めポジ型フォトレジス
トを回転塗布することによりレジスト層２が形成された
基板ｌを同図（ｂ）に示すようにホットプレート３によ
って８０℃〜１１０℃の温度で加熱する。
トを回転塗布することによりレジスト層２が形成された
基板ｌを同図（ｂ）に示すようにホットプレート３によ
って８０℃〜１１０℃の温度で加熱する。
次に、同図（Ｃ）に示すように基板１を水中に浸漬する
ことによりレジスト層２中に水分６を供給してからレジ
スト層２上の水を除く。そして、同図（ｄ）に示すよう
に縮小投影露光装置（ステッパー）を用い紫外光（波長
４３６ｎｍ）によって選択的にレジスト層２を露光した
後、同図（ｅｌに示すようにこれをＴＭＡＨの水溶液で
現像することにより基板ｌ上にレジストパターン５を形
成する。
ことによりレジスト層２中に水分６を供給してからレジ
スト層２上の水を除く。そして、同図（ｄ）に示すよう
に縮小投影露光装置（ステッパー）を用い紫外光（波長
４３６ｎｍ）によって選択的にレジスト層２を露光した
後、同図（ｅｌに示すようにこれをＴＭＡＨの水溶液で
現像することにより基板ｌ上にレジストパターン５を形
成する。
このようにして、本発明におけるレジストパターン５を
形成することができる。
形成することができる。
したがって、本発明においては、露光前に基板１上のレ
ジスト層２を水中に浸漬するものであるから、レジスト
Ｎ２中への水分の補給によって露光時に感光剤を十分に
光反応（キノンジアジドが水の共存下でインデンカルボ
ン酸に変化する）させることができる。
ジスト層２を水中に浸漬するものであるから、レジスト
Ｎ２中への水分の補給によって露光時に感光剤を十分に
光反応（キノンジアジドが水の共存下でインデンカルボ
ン酸に変化する）させることができる。
なお、本実施例においては、露光時に露光波長がｇ線（
４３６ｎｓ）である光源を使用する場合を示したが、本
発明はこれに限定されるものではな（、例えばｉ線（３
６５ｎａ） 、 Ｘｅ−Ｃ１エキシマレーザ光（３０８
ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ光（２４８ｎｍ）あるい
はＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）を使用しても
よく、この他光源としては多波長光源を使用しても勿論
よい。
４３６ｎｓ）である光源を使用する場合を示したが、本
発明はこれに限定されるものではな（、例えばｉ線（３
６５ｎａ） 、 Ｘｅ−Ｃ１エキシマレーザ光（３０８
ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ光（２４８ｎｍ）あるい
はＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）を使用しても
よく、この他光源としては多波長光源を使用しても勿論
よい。
また、本実施例においては、基板１上のレジスト層２に
水分を供給するのにデイツプ法による場合を示したが、
本発明はこの他ソーク法、パドル法によるもの、あるい
は基板ｌを水蒸気雰囲気下に晒す方法によるものでもよ
い。
水分を供給するのにデイツプ法による場合を示したが、
本発明はこの他ソーク法、パドル法によるもの、あるい
は基板ｌを水蒸気雰囲気下に晒す方法によるものでもよ
い。
さらに、本発明は、第２図（ａ）〜（ｅｌに示すように
基板ｌ上にレジスト層２を形成した後に加熱する工程に
おいて、減圧下で低温加熱（８０℃以下）する方法を用
いてもよい。ここで、符号７および８は減圧ボックスと
減圧口である。
基板ｌ上にレジスト層２を形成した後に加熱する工程に
おいて、減圧下で低温加熱（８０℃以下）する方法を用
いてもよい。ここで、符号７および８は減圧ボックスと
減圧口である。
さらにまた、本発明においては、基板ｌに対して露光後
現像前に１００℃〜１５０℃の温度で加熱処理を施して
も実施例と同様の結果を得ることができた。
現像前に１００℃〜１５０℃の温度で加熱処理を施して
も実施例と同様の結果を得ることができた。
以上述べてきたプリベーク温度の具体的な数値は、溶媒
としてエチルセルソルブアセテートを用いたフォトレジ
ストである場合を示したが、エチルセルソルブアセテー
トと沸点等が異なる有機溶媒を用いたフォトレジストで
ある場合にはプリベーク温度が当然異なってくるが、本
発明の効果は有効である。
としてエチルセルソルブアセテートを用いたフォトレジ
ストである場合を示したが、エチルセルソルブアセテー
トと沸点等が異なる有機溶媒を用いたフォトレジストで
ある場合にはプリベーク温度が当然異なってくるが、本
発明の効果は有効である。
以上説明したように本発明によれば、予めフォトレジス
トを塗布することによりレジスト層が形成された基板を
加熱し、次にこの基板上のレジスト層に水分を供給した
後、これを露光、現像するので、レジスト層中への水分
の補給によって露光時に感光剤を十分に光反応させるこ
とができ、現像時の溶解速度を高めることができると共
に、解像不良の発生を防止することができる。また、基
板上にレジスト層を形成した後に減圧下で低温加熱すれ
ば、レジスト層中の感光剤の分解を阻止することができ
ると共に、レジスト層中の溶媒を蒸発させることができ
、レジスト塗布から露光までの時間変化に伴うレジスト
層厚の変動を抑制することができる。
トを塗布することによりレジスト層が形成された基板を
加熱し、次にこの基板上のレジスト層に水分を供給した
後、これを露光、現像するので、レジスト層中への水分
の補給によって露光時に感光剤を十分に光反応させるこ
とができ、現像時の溶解速度を高めることができると共
に、解像不良の発生を防止することができる。また、基
板上にレジスト層を形成した後に減圧下で低温加熱すれ
ば、レジスト層中の感光剤の分解を阻止することができ
ると共に、レジスト層中の溶媒を蒸発させることができ
、レジスト塗布から露光までの時間変化に伴うレジスト
層厚の変動を抑制することができる。
第１図（ａｌ〜（Ｑ）は本発明に係るパターン形成方法
を説明するための図、第２図（ａ）〜＋ａ）は同じく本
発明における他の実施例を説明するための図、第３図（
ａｌ〜（ｄｌは従来のパターン形成方法を説明するため
の図である。 １・・・・基板、２・・・・レジスト層、３゜・・・ホ
ットプレート、４・・・・紫外光、５・・・・レジスト
パターン、６・・・・水分。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第 ２ 図 第３図
を説明するための図、第２図（ａ）〜＋ａ）は同じく本
発明における他の実施例を説明するための図、第３図（
ａｌ〜（ｄｌは従来のパターン形成方法を説明するため
の図である。 １・・・・基板、２・・・・レジスト層、３゜・・・ホ
ットプレート、４・・・・紫外光、５・・・・レジスト
パターン、６・・・・水分。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 第 ２ 図 第３図
Claims (1)
- 予めフォトレジストを塗布することによりレジスト層が
形成された基板を加熱し、次にこの基板上のレジスト層
に水分を供給した後、これを露光、現像することを特徴
とするパターン形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-112946 | 1988-05-09 | ||
| JP11294688 | 1988-05-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250165A true JPH0250165A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=14599475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1114695A Pending JPH0250165A (ja) | 1988-05-09 | 1989-05-08 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0250165A (ja) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258374A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Toshiba Corp | Improvement in sensitivity of positive type photo resist |
| JPS59132619A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及びその装置 |
| JPS59132618A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及びその装置 |
| JPS59132128A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及び装置 |
| JPS59132127A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及び装置 |
| JPS59182442A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Nec Corp | 写真蝕刻方法 |
| JPS6091638A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-05-23 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPS60176236A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Toshiba Corp | レジスト処理装置 |
| JPS6136929A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPS61221747A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | 感光性樹脂膜の形成方法 |
-
1989
- 1989-05-08 JP JP1114695A patent/JPH0250165A/ja active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258374A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Toshiba Corp | Improvement in sensitivity of positive type photo resist |
| JPS59132619A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及びその装置 |
| JPS59132618A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及びその装置 |
| JPS59132128A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及び装置 |
| JPS59132127A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及び装置 |
| JPS59182442A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Nec Corp | 写真蝕刻方法 |
| JPS6091638A (ja) * | 1983-10-26 | 1985-05-23 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPS60176236A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Toshiba Corp | レジスト処理装置 |
| JPS6136929A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPS61221747A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | 感光性樹脂膜の形成方法 |
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