JPS63164433A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS63164433A JPS63164433A JP61312143A JP31214386A JPS63164433A JP S63164433 A JPS63164433 A JP S63164433A JP 61312143 A JP61312143 A JP 61312143A JP 31214386 A JP31214386 A JP 31214386A JP S63164433 A JPS63164433 A JP S63164433A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- etched
- plasma
- dry etching
- etching
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体等の電子部品製造工程に用いるドライエ
ツチング装置に関するものである。
ツチング装置に関するものである。
従来の技術
最近、半導体デバイスの微細化、薄膜化に伴いドライエ
ツチングにおけるダメージが問題となっている。従来の
ドライエツチング装置は被エツチング物を載置する第１
の電極とそれに対向して設置された第２の電極とを具備
した真空容器内に反応ガスを導入し、上記両電極間に高
周波電力を印加してガスプラズマを発生させエツチング
を行う構成となっていた。しかし、この二電極方式では
プラズマ密度を高めエツチング速度を増大させるために
は印加する高周波電力を増加させなければならず、イオ
ンエネルギーの増大による素子へのダメージを回避する
ことができなかった。
ツチングにおけるダメージが問題となっている。従来の
ドライエツチング装置は被エツチング物を載置する第１
の電極とそれに対向して設置された第２の電極とを具備
した真空容器内に反応ガスを導入し、上記両電極間に高
周波電力を印加してガスプラズマを発生させエツチング
を行う構成となっていた。しかし、この二電極方式では
プラズマ密度を高めエツチング速度を増大させるために
は印加する高周波電力を増加させなければならず、イオ
ンエネルギーの増大による素子へのダメージを回避する
ことができなかった。
そこで近年、プラズマエツチング領域と該領域にプラズ
マを追加導入するためのプラズマ発生領域とを具備した
構成のドライエツチング装置が検討されている（特許第
１１８４１２０号）。第６図にその具体的構成を示す。
マを追加導入するためのプラズマ発生領域とを具備した
構成のドライエツチング装置が検討されている（特許第
１１８４１２０号）。第６図にその具体的構成を示す。
第６図において％４は第１の電極、６は第２の電極、６
は第３の電惚で、上記第１の電極４には被エツチング物
７が載置される。また、第１の電極４と第３の電極７と
の間および第２の電極５と第３の電極７との間にはそれ
ぞれ高周波電源８，９が接続されている。第７図は上記
第３の電極６の形状を示すもので１等間隔に等径の小孔
６ａを設けた導電体材料の板あるいはそれに絶縁物被覆
したものが用いられる。また図示していないが、上記第
３の電極６が格子状あるいは鋼状の形状をした導電体あ
るいは絶縁物被覆した材料を用いることもある。
は第３の電惚で、上記第１の電極４には被エツチング物
７が載置される。また、第１の電極４と第３の電極７と
の間および第２の電極５と第３の電極７との間にはそれ
ぞれ高周波電源８，９が接続されている。第７図は上記
第３の電極６の形状を示すもので１等間隔に等径の小孔
６ａを設けた導電体材料の板あるいはそれに絶縁物被覆
したものが用いられる。また図示していないが、上記第
３の電極６が格子状あるいは鋼状の形状をした導電体あ
るいは絶縁物被覆した材料を用いることもある。
以上のように構成されたドライエツチング装置′につい
て、以下その動作について説明する。まず第２の電極５
と第３の電極６との間に高周波電力を印加すると真空容
器内のガスは上記電極間でプラズマ化され、その一部は
第３の電極６に設けられた孔６ａを通って第１の電極４
側へ導出される。
て、以下その動作について説明する。まず第２の電極５
と第３の電極６との間に高周波電力を印加すると真空容
器内のガスは上記電極間でプラズマ化され、その一部は
第３の電極６に設けられた孔６ａを通って第１の電極４
側へ導出される。
第１の電極４と第３の電極６との間は上記プラズマ発生
領域より導出されたプラズマによりプラズマ密度が増大
されるため、上記第１の電極４に印加する高周波電力は
従来の二電極方式に比べ低くすることができる。従って
、従来の方式に比べ素子へのダメージの少ないエツチン
グが可能となる。
領域より導出されたプラズマによりプラズマ密度が増大
されるため、上記第１の電極４に印加する高周波電力は
従来の二電極方式に比べ低くすることができる。従って
、従来の方式に比べ素子へのダメージの少ないエツチン
グが可能となる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記の構成の第３の電極形状では。
プラズマ発生領域からプラズマエツチング領域へのプラ
ズマ導出効率が低く、エツチング速度が低いという問題
点を有していた。
ズマ導出効率が低く、エツチング速度が低いという問題
点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、プラズマ導出効率を高め、
エツチング速度を高めるためのドライエツチング装置を
提供するものである。
エツチング速度を高めるためのドライエツチング装置を
提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明のドライエツチング
装置は、第３の電極の中央部の開孔率周辺部に対して高
めるという構成を備えたものである。
装置は、第３の電極の中央部の開孔率周辺部に対して高
めるという構成を備えたものである。
作 用
本発明は上記した構成によって、従来プラズマ発生領域
からのプラズマ導出がエツチング領域全体に行われてい
たものを、被エツチング部分に集中させることができ、
従ってエツチング速度を向上させることとなる。
からのプラズマ導出がエツチング領域全体に行われてい
たものを、被エツチング部分に集中させることができ、
従ってエツチング速度を向上させることとなる。
実施例
以下本発明の一実施例のドライエツチング装置について
１図面を参照しながら説明する。
１図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の原理および第１の実施例を示したもの
である。第１図及び第２図に示す第３の電極１０は、ア
ルミニウム（アルマイト処理）材料からなる従来の電極
板１に、アルミナ材料からなるリング２が載置されてい
る。上記電極板１には等間隔・等径の孔３が設けられて
いる。第３図は上記第３の電極１０でアルミナリングの
内径Ａを変化させた際の５ｌｏ２膜のエツチング速度と
エツチングばらつきを示したものである。エツチングは
下記の条件にて行った。
である。第１図及び第２図に示す第３の電極１０は、ア
ルミニウム（アルマイト処理）材料からなる従来の電極
板１に、アルミナ材料からなるリング２が載置されてい
る。上記電極板１には等間隔・等径の孔３が設けられて
いる。第３図は上記第３の電極１０でアルミナリングの
内径Ａを変化させた際の５ｌｏ２膜のエツチング速度と
エツチングばらつきを示したものである。エツチングは
下記の条件にて行った。
応応ガス：ＣＨＦ３＋１０チ０２
圧 カニ ３００ｍＴｏｒｒ
高周波電カニ３００Ｗ
第１．第３電極間隔：１５鰭
第２．第３電極間隔：３５＋ｍ
被エツチング物：６インチウエノ・上の８１０２リング
外径：３０１ 第３図においてリング内径３Ｑ（ｍの値はリング２を載
置しない状態である。図より明らかなように。
外径：３０１ 第３図においてリング内径３Ｑ（ｍの値はリング２を載
置しない状態である。図より明らかなように。
アルミナリング径によりエツチング速度が変化する。リ
ング２を載置しない従来の電極に比較し。
ング２を載置しない従来の電極に比較し。
リングを用いて開孔部を中央に絞ることでエツチング速
度は増大する。この開孔部は被エツチング物上部に位置
し、従来プラズマ発生領域のプラズマ導出がプラズマエ
ツチング領域全体に行われていたものが、被エツチング
物近傍に集中するためである。
度は増大する。この開孔部は被エツチング物上部に位置
し、従来プラズマ発生領域のプラズマ導出がプラズマエ
ツチング領域全体に行われていたものが、被エツチング
物近傍に集中するためである。
第４図、第６図は夫々本発明の第２の実施例。
第３の実施例における第３の電極２０．３０の形状を示
す図である。上述の原理をもとに第４図に示すように孔
３を等間隔で電極中央の孔径を大きくし開孔率を高める
ように配設したもの、第５図は孔３の間隔を変え電極中
央部の開孔率を高めたもので、相方ともに従来の第３の
電極に比ベエッチング速度を増大させることができる。
す図である。上述の原理をもとに第４図に示すように孔
３を等間隔で電極中央の孔径を大きくし開孔率を高める
ように配設したもの、第５図は孔３の間隔を変え電極中
央部の開孔率を高めたもので、相方ともに従来の第３の
電極に比ベエッチング速度を増大させることができる。
他の基本的構成は、従来例のものと同様であるので、そ
の説明を省略する。
の説明を省略する。
発明の効果
以上のように本発明は、第３の電極の中央部の開孔率が
周辺部に比べ高いようにすることで、被エツチング物へ
のプラズマ導出効率を高めエツチング速度の向上を得る
ものである。
周辺部に比べ高いようにすることで、被エツチング物へ
のプラズマ導出効率を高めエツチング速度の向上を得る
ものである。
第１図は本発明の第１の実施例におけるドライエツチン
グ装置の第３の電極形状を示す縦断正面図、第２図はそ
の平面図、第３図は作用を説明するグラフ、第４図、第
６図は夫々本発明第２の実施例、第３の実施例における
第３の電極形状を示３・・・・・・孔、４・・・・・・
第１の電極、６・・・・・・第２の電極、１０，２０，
３０・・・・・・第３の電極、７・・・・・・被エツチ
ング物、８，９・・・・・・高周波電源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第７
図
グ装置の第３の電極形状を示す縦断正面図、第２図はそ
の平面図、第３図は作用を説明するグラフ、第４図、第
６図は夫々本発明第２の実施例、第３の実施例における
第３の電極形状を示３・・・・・・孔、４・・・・・・
第１の電極、６・・・・・・第２の電極、１０，２０，
３０・・・・・・第３の電極、７・・・・・・被エツチ
ング物、８，９・・・・・・高周波電源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第７
図
Claims (1)
- 被エッチング物を載置する第１の電極と、それに対向し
て設置された第２の電極と、上記第１の電極と第２の電
極の中間に設けられた孔を有する第３の電極とを具備し
た真空容器内に反応ガスを導入し、上記第１の電極と第
３の電極との間、および上記第２の電極と第３の電極と
の間にそれぞれ高周波電力を印加し放電させ、発生した
ガスプラズマにより上記被エッチング物の加工を行うド
ライエッチング装置において、上記第３の電極の中央部
の開孔率が周辺部に比べ高いことを特徴とするドライエ
ッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312143A JPS63164433A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312143A JPS63164433A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164433A true JPS63164433A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18025768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61312143A Pending JPS63164433A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164433A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7556741B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7556740B2 (en) | 2002-08-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59126778A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-21 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | プラズマエツチング方法及びその装置 |
| JPS60262424A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Nec Corp | 反応性イオンエツチング装置 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61312143A patent/JPS63164433A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59126778A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-21 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | プラズマエツチング方法及びその装置 |
| JPS60262424A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-25 | Nec Corp | 反応性イオンエツチング装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7556740B2 (en) | 2002-08-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| DE10340147B4 (de) * | 2002-08-27 | 2014-04-10 | Kyocera Corp. | Trockenätzverfahren und Trockenätzvorrichtung |
| US7556741B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
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