JPH0251284A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
- Publication number
- JPH0251284A JPH0251284A JP63201676A JP20167688A JPH0251284A JP H0251284 A JPH0251284 A JP H0251284A JP 63201676 A JP63201676 A JP 63201676A JP 20167688 A JP20167688 A JP 20167688A JP H0251284 A JPH0251284 A JP H0251284A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- light receiving
- light
- substrate
- receiving region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体基体の上下面に設けた電極の間に光検出の電圧を
印加する半導体受光素子に関し、検出信号に含まれるノ
イズ特に半導体基体の表面リーク電流に起因するノイズ
を低減させることを目的とし、 上面側に本体と反対導電型の受光領域を有する半導体基
体に対して、該基体の下面で該基体に接続する第１電極
と、該基体の上面で該受光領域に接続する第２電極と、
該上面で該受光領域を閉または部分的開の環状に囲んで
該受光領域の外側領域に接続する第３電極とを具えて、
第１第２電極は両者間に光検出の電圧を印加され、第３
電極は第１電極の電源電位を印加されて、第１電極が検
出１３号の出力端となるように構成する。
印加する半導体受光素子に関し、検出信号に含まれるノ
イズ特に半導体基体の表面リーク電流に起因するノイズ
を低減させることを目的とし、 上面側に本体と反対導電型の受光領域を有する半導体基
体に対して、該基体の下面で該基体に接続する第１電極
と、該基体の上面で該受光領域に接続する第２電極と、
該上面で該受光領域を閉または部分的開の環状に囲んで
該受光領域の外側領域に接続する第３電極とを具えて、
第１第２電極は両者間に光検出の電圧を印加され、第３
電極は第１電極の電源電位を印加されて、第１電極が検
出１３号の出力端となるように構成する。
本発明は、半導体基体の上下面に設けた電極の間に光検
出の電圧を印加する半導体受光素子に関する。
出の電圧を印加する半導体受光素子に関する。
上記半導体受光素子には、光通信のように高速性を要す
る用途に対応するものとして、ＡＰＤ（アバランシェホ
トダイオード）やｐｉｎ−ｐ（）（ｐｉｎ型ホトダイオ
ード）などがある。
る用途に対応するものとして、ＡＰＤ（アバランシェホ
トダイオード）やｐｉｎ−ｐ（）（ｐｉｎ型ホトダイオ
ード）などがある。
そして、高速性の向上のため半導体基体にＧａＳｂなど
成る種の半導体を用いた場合、結晶性の向上や表面状態
の安定化が困難で表面リークが大きくなることがあるの
で、表面リーク電流に起因するノイズを検出信号に混入
させないようにすることが望まれる。
成る種の半導体を用いた場合、結晶性の向上や表面状態
の安定化が困難で表面リークが大きくなることがあるの
で、表面リーク電流に起因するノイズを検出信号に混入
させないようにすることが望まれる。
第４図は高速性を向上させたＡＰＤの従来例の模式側断
面図である。
面図である。
同図において、１はｎ”−ＧａＳｂ基板、２はｎ−−Ｇ
ａｓｂ吸収層、３はｎ−−Ａｌｘ Ｇａｐ−ｘＳｂ （
ｘ ＝０．０６５）増倍層、４はｎ−一へＩｘＧａｐ−
ｘＳｂ （ｘ ＝０．３）ウィンド層、５は受光領域と
なるｐ＋−拡散層、６はρ−−拡散層からなるガードリ
ング、であり、これらにより半導体基体７を構成する。
ａｓｂ吸収層、３はｎ−−Ａｌｘ Ｇａｐ−ｘＳｂ （
ｘ ＝０．０６５）増倍層、４はｎ−一へＩｘＧａｐ−
ｘＳｂ （ｘ ＝０．３）ウィンド層、５は受光領域と
なるｐ＋−拡散層、６はρ−−拡散層からなるガードリ
ング、であり、これらにより半導体基体７を構成する。
また、８はＳｉＮパッシベーション膜、９は基板Ｉに接
続する第１電極、１０は受光領域なる拡散層５に接続す
る環状の第２電極である。
続する第１電極、１０は受光領域なる拡散層５に接続す
る環状の第２電極である。
この素子は、電源Ｅから電極９に正側が、電極１０に負
側か印加されて光を検出し、電極９またはｌＯが検出信
号の出力端となる。
側か印加されて光を検出し、電極９またはｌＯが検出信
号の出力端となる。
この従来例は半導体基体７の材料にＡｌＧａＳｂ系を用
いているが、それはイオン化率比が大きくなるようにし
て素子動作を高速化させ、併せて低ノイズ化を期待をす
るためである。ちなみに、従来の通常のＡＰＤはＩｎＧ
ａＡｓ系を用いてイオン化率比が２．５程度であるが、
この従来例におけるイオン化率比は１０以上が期待され
る。
いているが、それはイオン化率比が大きくなるようにし
て素子動作を高速化させ、併せて低ノイズ化を期待をす
るためである。ちなみに、従来の通常のＡＰＤはＩｎＧ
ａＡｓ系を用いてイオン化率比が２．５程度であるが、
この従来例におけるイオン化率比は１０以上が期待され
る。
しかしながら上記従来例は、半導体基体７においてその
材料（＾１Ｇａｓｂ系）の特質から１ｎＧａＡｓ系を用
いたものの場合よりも表面反転層に起因する表面リーク
電流（図示のＡ）が極めて大きく、然もその電流が出力
端を通るので、表面リーク電流によって発生する大きな
ショットノイズが出力信号に含まれるようになり実用上
の障害となっている。
材料（＾１Ｇａｓｂ系）の特質から１ｎＧａＡｓ系を用
いたものの場合よりも表面反転層に起因する表面リーク
電流（図示のＡ）が極めて大きく、然もその電流が出力
端を通るので、表面リーク電流によって発生する大きな
ショットノイズが出力信号に含まれるようになり実用上
の障害となっている。
そこで本発明は、半導体基体の上下面に設けた電極の間
に光検出の電圧を印加する半導体受光素子において、検
出信号に含まれるノイズ特に半導体基体の表面リーク電
流に起因するノイズを低減させることを目的とする。
に光検出の電圧を印加する半導体受光素子において、検
出信号に含まれるノイズ特に半導体基体の表面リーク電
流に起因するノイズを低減させることを目的とする。
第１図は実施例の模式側断面図である。
上記［１的は、第１図に示されるように、上面側に本体
と反対導電型の受光領域５を有する半導体基体７に対し
て、該基体７の下面で該基体７に接続する第１電極９と
、該基体７の上面で該受光領域５に接続する第２電極１
０と、該上面で該受光領域５を閉または部分酌量の環状
に囲んで該受光領域５の外側領域に接続する第３電極１
１とを具えて、第１第２電極９．１０は両者間に光検出
の電圧を印加され、第３電極１１は第１電極９の電源電
位を印加されて、第１電極９が検出信号の出力端となる
本発明の半導体受光素子によって解決される。
と反対導電型の受光領域５を有する半導体基体７に対し
て、該基体７の下面で該基体７に接続する第１電極９と
、該基体７の上面で該受光領域５に接続する第２電極１
０と、該上面で該受光領域５を閉または部分酌量の環状
に囲んで該受光領域５の外側領域に接続する第３電極１
１とを具えて、第１第２電極９．１０は両者間に光検出
の電圧を印加され、第３電極１１は第１電極９の電源電
位を印加されて、第１電極９が検出信号の出力端となる
本発明の半導体受光素子によって解決される。
第３電極１１は、゛↓′−導体基体７における第１第２
電極９．１０間の表面リークバスの途上にあって上述の
電位を印加される。従って、従来の第１第２電極９．１
０間に渡っていた大きな表面リーク電流は第２第３電極
１０．１１間に狭められて、出力端である第１電極９を
通る表面リーク電流は微小になる。
電極９．１０間の表面リークバスの途上にあって上述の
電位を印加される。従って、従来の第１第２電極９．１
０間に渡っていた大きな表面リーク電流は第２第３電極
１０．１１間に狭められて、出力端である第１電極９を
通る表面リーク電流は微小になる。
このことから、検出信号に含まれるノイズ特に半導体基
体７の表面リーク電流に起因するノイズは大幅に低減す
る。
体７の表面リーク電流に起因するノイズは大幅に低減す
る。
以下本発明の実施例について第１図〜第３図を用いて説
明する。第１図は前述のように実施例の模式側断面図、
第２図（ａｌ （ｂｌは実施例の製造工程を示ず側断面
図、第３図は他の実施例の模式側断面図であり、全図を
通じ同一符号は同一対象物を示す。
明する。第１図は前述のように実施例の模式側断面図、
第２図（ａｌ （ｂｌは実施例の製造工程を示ず側断面
図、第３図は他の実施例の模式側断面図であり、全図を
通じ同一符号は同一対象物を示す。
第１図において、同図に示す実施例は、第４図に示す従
来例に第３電極１１を付加し、出力端を第１電極９に限
定したＡ Ｐ Ｄである。
来例に第３電極１１を付加し、出力端を第１電極９に限
定したＡ Ｐ Ｄである。
即ち、第１電極９は半導体基体７の下面で基板１に接続
し、第２電極ＩＯは半導体基体７の上面で受光領域（拡
散層）５に接続しているのに対し、第３電極１１は環状
をなし半導体基体７の上面で受光領域５の外側領域に受
光領域５を囲んで接続している。そして、第３電極１１
は第１電極９の電源電位即ち電源Ｅの正側を直接印加さ
れる。
し、第２電極ＩＯは半導体基体７の上面で受光領域（拡
散層）５に接続しているのに対し、第３電極１１は環状
をなし半導体基体７の上面で受光領域５の外側領域に受
光領域５を囲んで接続している。そして、第３電極１１
は第１電極９の電源電位即ち電源Ｅの正側を直接印加さ
れる。
このことから、従来例の場合第１第２電極９．１０間に
渡っていた大きな表面リーク電流は第２第３電極ｌ０１
１１間に集められて、出力端である第１電極９を通る表
面リーク電流が微少になり、検出（，３号に含まれるノ
イズ特に半導体基体７の表面リーク電流に起因するノイ
ズが大幅に低減する。
渡っていた大きな表面リーク電流は第２第３電極ｌ０１
１１間に集められて、出力端である第１電極９を通る表
面リーク電流が微少になり、検出（，３号に含まれるノ
イズ特に半導体基体７の表面リーク電流に起因するノイ
ズが大幅に低減する。
この素子は、概路次のようにして製造することができる
。
。
先ず第２図（ａｌを参照して、（１１１） ８面Ｔｅド
ープの畝−ＧａＳｂ基板Ｉｎに、ｎ−−ＧａＳｂ吸収層
２、ｎＡｌｘＧａ１−ｙｓｂ （ｘ ＝０．０６５）増
倍層３、ｎ−−ＡｌｘＧａ、−ｘＳｂ （ｘ ＝０．３
）ウィンド層４を順次に成長温度６１５℃でＬ Ｐ Ｅ
成長する。メルトの組成及びその比はそれぞれ次の通り
である。
ープの畝−ＧａＳｂ基板Ｉｎに、ｎ−−ＧａＳｂ吸収層
２、ｎＡｌｘＧａ１−ｙｓｂ （ｘ ＝０．０６５）増
倍層３、ｎ−−ＡｌｘＧａ、−ｘＳｂ （ｘ ＝０．３
）ウィンド層４を順次に成長温度６１５℃でＬ Ｐ Ｅ
成長する。メルトの組成及びその比はそれぞれ次の通り
である。
Ｇａ ： Ｓｂ ： Ｔｃ
＝ ０．１５５ ： ０．８４５ ： ５ Ｘｌ０−
’Ａｌ ： Ｇａ ： Ｓｂ ： Ｔｅ ＝ １．５Ｘ１０づ： ０．１４８ ： ０．８５０
５ ： ５ Ｘ １０−’へｌ：Ｇａ：Ｓｂ二’ｒｅ −３ｘｌＯ−’ ： ０．１２９ ： ０．８６８
： ５ ｘｌＯ−’次いで第２図（ｂｌを参照して、
Ｃｄを拡散或いはイオン注入して拡散層なるｐ＋の受光
領域５及びｐ−のガードリング６を形成してから、二面
にＳｉＮパッシベーション膜８を被着し、これに第２第
３電極９．１０用のコンタクト窓を明ける。
’Ａｌ ： Ｇａ ： Ｓｂ ： Ｔｅ ＝ １．５Ｘ１０づ： ０．１４８ ： ０．８５０
５ ： ５ Ｘ １０−’へｌ：Ｇａ：Ｓｂ二’ｒｅ −３ｘｌＯ−’ ： ０．１２９ ： ０．８６８
： ５ ｘｌＯ−’次いで第２図（ｂｌを参照して、
Ｃｄを拡散或いはイオン注入して拡散層なるｐ＋の受光
領域５及びｐ−のガードリング６を形成してから、二面
にＳｉＮパッシベーション膜８を被着し、これに第２第
３電極９．１０用のコンタクト窓を明ける。
この後は、下面に第１電極９を、また」二面に第２電極
１０及び第３電極１１を形成して第１図に示すＡＰＤ素
子を完成する。
１０及び第３電極１１を形成して第１図に示すＡＰＤ素
子を完成する。
上記の工程により、基板１、吸収層２、増倍１１ツ３、
ウィンド層４の厚さをそれぞれ３５０μｍ、１．５μＩ
１１．２１）ｍ、２μｍにし、受光領域５の外径を１０
０μｍφ、ガードリング６の外径を１３０１１ｐφにし
、半導体基体７の大きさを３００μｍ角にして、ウィン
ド層４との接続部の径を２００μｍψにした第３電極１
１の有無による実施例と従来例とを製造し、検出信号に
含まれるノイズの指標となる出力端の暗電流を比較した
ところ、実施例は従来例の約１１５であった。
ウィンド層４の厚さをそれぞれ３５０μｍ、１．５μＩ
１１．２１）ｍ、２μｍにし、受光領域５の外径を１０
０μｍφ、ガードリング６の外径を１３０１１ｐφにし
、半導体基体７の大きさを３００μｍ角にして、ウィン
ド層４との接続部の径を２００μｍψにした第３電極１
１の有無による実施例と従来例とを製造し、検出信号に
含まれるノイズの指標となる出力端の暗電流を比較した
ところ、実施例は従来例の約１１５であった。
ここでは第３電楔１１を閉じた環状にしたが、その環が
部分的に開いていても良い。但しその場合は、開きの大
きさに応じて第１電極９への表面リーク電流が増加する
ことを勘案する必要がある。
部分的に開いていても良い。但しその場合は、開きの大
きさに応じて第１電極９への表面リーク電流が増加する
ことを勘案する必要がある。
−ト述の実施例はプレーナ型であが、本発明は、例えば
他の実施例を示す第３図のようにメサ埋込み型にも適用
できる。
他の実施例を示す第３図のようにメサ埋込み型にも適用
できる。
第３図において、２１はｎ”−Ｇａｓｈ基板、２２はｎ
−−（Ｊ ａ Ｓ ｂ吸収層、２３はｎ−−八１ｘＧａ
、−ｘＳｂ （ｘ ＝０．０６５）増倍層、２４はｐ”
ＡＩＸ Ｇａ１−ｘＳｂ （ｘ ＝０．３）ウィン
ド層、であり、ウィンド層２４、増倍層２３、吸収層２
２がメサを形成してメサの上層部が受光領域２５となる
。
−−（Ｊ ａ Ｓ ｂ吸収層、２３はｎ−−八１ｘＧａ
、−ｘＳｂ （ｘ ＝０．０６５）増倍層、２４はｐ”
ＡＩＸ Ｇａ１−ｘＳｂ （ｘ ＝０．３）ウィン
ド層、であり、ウィンド層２４、増倍層２３、吸収層２
２がメサを形成してメサの上層部が受光領域２５となる
。
また、２６はメサの外側を埋めるｎ−一へＩｘＧａ、ｘ
Ｓｂ（ｘ＝０．３）哩込め層であり、以上の半導体で半
導体基体２７を構成する。そして、２８はＳｉＮバソシ
ヘーションＩＩり、２９は基板２１に接続する第１電極
、３０は受光領域２５に接続する第２電極、３１は埋込
み層に接続する第３′；［極である。
Ｓｂ（ｘ＝０．３）哩込め層であり、以上の半導体で半
導体基体２７を構成する。そして、２８はＳｉＮバソシ
ヘーションＩＩり、２９は基板２１に接続する第１電極
、３０は受光領域２５に接続する第２電極、３１は埋込
み層に接続する第３′；［極である。
以」−の実施例はＡＰＩ）の場合であるが、本発明は、
他の受光素子例えばｐｉｎ−ＰＤなどにも適用できるこ
とは言うまでもない。そして半導体ノ１（体が表面リー
クの大きなものである場合に極めて効果的である。
他の受光素子例えばｐｉｎ−ＰＤなどにも適用できるこ
とは言うまでもない。そして半導体ノ１（体が表面リー
クの大きなものである場合に極めて効果的である。
以上説明したように本発明の構成によれば、半導体基体
の上下面に設けた電極の間に光検出の電圧を印加する半
導体受光素子において、検出信号に含まれるノイズ特に
半導体基体の表面リーク電流に起因するノイズを低減さ
せることができて、１！■にｌ”４体基体が表面リーク
の大きなものである場合にノイズの大幅低減を可能にさ
せる効果がある。
の上下面に設けた電極の間に光検出の電圧を印加する半
導体受光素子において、検出信号に含まれるノイズ特に
半導体基体の表面リーク電流に起因するノイズを低減さ
せることができて、１！■にｌ”４体基体が表面リーク
の大きなものである場合にノイズの大幅低減を可能にさ
せる効果がある。
第１図は実施例の模式側断面図、
第２図ｆ８＋ （ｂ）は実施例の製造工程を示す側断面
図、第３図は他の実施例の模式側断面図、 第４図は従来例の模式側断面図、 である。 図において、 １．２】は畝−ＧａＳｂ基板（半導体基板）５はｐ＋−
拡散層（受光領域）、 ２５は受光領域、 ７．２７は半導体基体、 ９．２９は第１電極、 １０．３０は第２電極、 １１．３１は第３電極、 である。 冥燕＠の漂式々顯１０ 寥 １ ロ
図、第３図は他の実施例の模式側断面図、 第４図は従来例の模式側断面図、 である。 図において、 １．２】は畝−ＧａＳｂ基板（半導体基板）５はｐ＋−
拡散層（受光領域）、 ２５は受光領域、 ７．２７は半導体基体、 ９．２９は第１電極、 １０．３０は第２電極、 １１．３１は第３電極、 である。 冥燕＠の漂式々顯１０ 寥 １ ロ
Claims (1)
- 上面側に本体と反対導電型の受光領域（５）を有する半
導体基体（７）に対して、該基体（７）の下面で該基体
（７）に接続する第１電極（９）と、該基体（７）の上
面で該受光領域（５）に接続する第２電極（１０）と、
該上面で該受光領域（５）を閉または部分的開の環状に
囲んで該受光領域（５）の外側領域に接続する第３電極
（１１）とを具えて、第１第２電極（９、１０）は両者
間に光検出の電圧を印加され、第３電極（１１）は第１
電極（９）の電源電位を印加されて、第１電極（９）が
検出信号の出力端となることを特徴とする半導体受光素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201676A JPH0251284A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201676A JPH0251284A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0251284A true JPH0251284A (ja) | 1990-02-21 |
Family
ID=16445052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63201676A Pending JPH0251284A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0251284A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5365087A (en) * | 1992-07-15 | 1994-11-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodetector and opto-electronic integrated circuit with guard ring |
| JPH09213988A (ja) * | 1995-02-02 | 1997-08-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｐｉｎ型受光素子、光電変換回路及び光電変換モジュール |
| JP2006295216A (ja) * | 1995-02-02 | 2006-10-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｐｉｎ型受光素子およびｐｉｎ型受光素子の製造方法 |
| JP2008305857A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
| JP2011228740A (ja) * | 2011-07-08 | 2011-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
| CN114300570A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-08 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 探测器及制造方法 |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP63201676A patent/JPH0251284A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5365087A (en) * | 1992-07-15 | 1994-11-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodetector and opto-electronic integrated circuit with guard ring |
| US5444274A (en) * | 1992-07-15 | 1995-08-22 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | Photodetector and opto-electronic integrated circuit |
| JPH09213988A (ja) * | 1995-02-02 | 1997-08-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｐｉｎ型受光素子、光電変換回路及び光電変換モジュール |
| JP2006295216A (ja) * | 1995-02-02 | 2006-10-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｐｉｎ型受光素子およびｐｉｎ型受光素子の製造方法 |
| JP2008305857A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
| JP2011228740A (ja) * | 2011-07-08 | 2011-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
| CN114300570A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-08 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 探测器及制造方法 |
| CN114300570B (zh) * | 2021-12-29 | 2024-05-17 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 探测器及制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5980978A (ja) | 光導電形赤外線検出器 | |
| CA1132693A (en) | Demultiplexing photodetector | |
| CN210136887U (zh) | 一种波导型光电探测器 | |
| US5804847A (en) | Backside illuminated FET optical receiver with gallium arsenide species | |
| CN112201723B (zh) | 一种波导型光电探测器及其制备方法 | |
| JPH0251284A (ja) | 半導体受光素子 | |
| US4383267A (en) | Avalanche photodiode and method of making same | |
| US4894703A (en) | Restricted contact, planar photodiode | |
| US4990989A (en) | Restricted contact planar photodiode | |
| JPH01164075A (ja) | アバランシエ光検出器 | |
| GB1561953A (en) | Photodiodes | |
| CN211350684U (zh) | 一种高速高响应度的硅基光电二极管 | |
| JPS6244704B2 (ja) | ||
| JPH04263475A (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
| JPH02231775A (ja) | 化合物半導体受光素子 | |
| JPH03270277A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS63207183A (ja) | フオトセンサ | |
| JPH0316275A (ja) | 半導体受光素子の製造方法 | |
| JPS63198383A (ja) | 半導体受光装置及びその製造方法 | |
| JPS6149484A (ja) | 化合物半導体素子及びその製造方法 | |
| JPH0382085A (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
| Burrus et al. | Large-area back-illuminated InGaAs/InP photodiodes for use at 1 to 1.6 μm wavelength | |
| JPS61204988A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS59145579A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPS61267376A (ja) | 半導体装置 |