JPH025215A - 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法

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JPH025215A
JPH025215A JP15488688A JP15488688A JPH025215A JP H025215 A JPH025215 A JP H025215A JP 15488688 A JP15488688 A JP 15488688A JP 15488688 A JP15488688 A JP 15488688A JP H025215 A JPH025215 A JP H025215A
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Masamichi Yamada
雅通 山田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業−にの利用分野〕 、本発明は、V TR等の磁気記録再生装置に使用する
薄)摸供気パ・ラドおよびその製造方法に係り、特ム、
7高信頼性の記録再生特性を得る、′□°、とので;\
る薄膜磁気−・・ラドおよびその製造方法C=関Aる。
〔従来の技術〕
従来の薄膜磁気1−・・ラドは、磁気:2□7となる磁
tIJ(のyソ・Cさがjliμ−以下であり、記録能
力の低下を防ぐ、心味から、(のギャップ深さは3μm
以下の値、!ニしでいる。この様な従来の薄膜磁気パ・
ラドは、ハ・ ドディスク等のソ1コー・ティング方式
(記録媒44g I:、、 ?15’i気・\ラドとの
間にスベー・スを保つ方式)で使用ダる場合に(1,(
問題ないが1.■゛丁Rの様に記り、政媒体ノー(イ3
:気・・・ラドが接触する:Jンタクト方式で使用すz
、1t4心舎(′:lは、ギトツブ深さが小さいため1
;二12!耗寿命が短いという問題がある。
この問題を解決ライ”、ノ::め^;: &;J:、1
、記ギャップ深さを人へくするζ“とがN+要“γ;1
;イ、、冒:゛1o ぞθ)方法と17、て、特開昭!
′)5・87323ひ公報6.Iδi汗I■の様Z1:
“1.磁束の絞り効率4高めるノ、−めC1′1、巻線
の領お;”??磁ga′λアの幅を広げる試みがl(さ
れているが、7面内絞り(コアの1−面、即ち、J:’
T:7アの対向面から見〕、・形状の絞り)が考慮さ!
r、l::だげ°?F、ギャップ深さを決めるギトツブ
′3b、傍の磁気、l“グ形状として立体的な突条り・
設(・」るご9と私゛より光分な磁束の絞り4・得るこ
J−につい−C&J、考慮され°τ、J寸らず、大きな
ギャップ深さを実現する4、□−至−;i−7いない。
ま)1−1電子通他学で^技・術研究ル告M R84−
12(1984年)1第55頁から第50 Y;4 E
寸; It ’ −?T 431.”られτいる持IU
、IIS’、純61磁気1’7のル゛さイ゛人、きくす
るjY法がある。、τの場合にl: It’:t 、、
例メi、、 1.1回“1ドッグ深さljiμ付以十、
を得るのυ゛、(アト、420μ論以1゜(S−す、1
1゜ばよい、しかし2.S′のような角rい磁性11!
苓・高VJη1゛にバタ−ニングj1、トラ・ツク中i
 り二重II allすることi−J:非常じ二難(4
,い、特に高密JEtit!鉱6、′対応づ゛るための
狭トラック幅にムれば’S(る程、困難ら、なイ)。
さl′:ノl5−1、で)・う一つの方法、(Xしで、
特開昭(50507111号公報番g”、記載のように
、。厚い磁性体層の・部76;”ついマーのみバク・・
・、、::、ングを行ない、高精度乙トシック幅を制御
する方法が促案されている。
、°、の方法(、”、よれば、突起を形成すること番;
7よつ(′、十部?i鉾宛1:2アと下部磁気コ)′の
間隔4:人きくで八qf、−め、S:の部分での漏洩磁
束75:・低減”でき、。
ヘラ1゛性111!向J−1の効果もある。
j、1かj−2ムがら、この場合、高精度1.:、 I
・ラック幅4−制御4るノ、・・めC4ご、トラック幅
相当の寸法に垂直に、バク−1二8、ソゲすると71ア
の飽和を71!:じやずく、まプロ11、ア・・バ・−
・加丁戸t゛ると2、トラック幅精度が出ないJ−いう
問題がある4、 〔発明が解決しようとする課題〕 l記従来技術では5.磁気、71アの先端部のギャップ
i!’i:傍に、摩耗寿命がPく高精度でトラック幅を
思制御、2で磁ψ、の絞りをりえるための突起を設け、
1、゛、とら′ついて配慮されでいない。又1、特開昭
6050711号公報のよ・)に、−・部この種の突起
を設置」イ)、−1)−6が配慮されたI)のはあるが
、トラック幅を規制する突起の左右両側壁面および突起
の最後部(ギャップ深さ零位の位置)に続く後壁面のい
ずれもが、垂直に切り立っており、それによって生じる
磁気コアの磁気飽和の問題については、全く考慮されて
いない。つまり、この従来技術では、上記の突起左右両
側壁面と後壁面とが同一のエツチング工程によりバター
ニングされて作られるので、両側(壁)面と後(壁)面
の垂直度とエツチング深さはほぼ同じになる。高精度の
トラック幅精度を得るためには、所要のエツチング深さ
に亘って、側壁面の垂直度を高くしなければならない。
ところが、後壁面については、垂直度が上る程(90”
に近(なればなるほど)、また、エツチング深さが深く
なる程、磁気飽和が生じ易くなることがわかった。これ
は、突起に続く後壁面の設けられる位置が前後方向で頚
部に相当するため、これにこの垂直度の高いエツチング
が加わると、コア断面積が極く小さくなることに起因す
ると考えられる。
従って、本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解消
し、高精度のトラック幅精度が得られ、かつまたコア飽
和現象を緩和し最小限に抑えることができる薄膜磁気ヘ
ッドおよびその製造方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明の薄膜磁気ヘッドは、
下部コア先端部に上面がギャップ面をなし、横幅がトラ
ック幅に等しい突起を設ける。突起の両側壁面はギャッ
プ面から少くともある深さまでほぼ垂直になっている。
突起はまた、後縁(ギャップ深さ零位の位置)に続く後
壁面を有し、前記両側壁面のギャップ面までの高さは、
前記後壁面のギャップ面までの高さに比べて高く (即
ち、後壁面は側壁面よりも浅()する。あるいはまた、
後壁面は緩やかなテーパー形状とする。
上記のトラック幅を規制する突起の両側壁面とギャップ
深さ零位を規制する後壁面は、エツチングによるバター
ニングによって形成される。両側壁面のエツチングと、
後壁面のエツチングは、上記のように条件が異なるため
2度に分けて行なわれる。その場合、最初に垂直の両側
壁面をエツチングで作る垂直バターニングを行なって、
トラック幅に等しい一定幅部分を形成し、次に、この−
定幅部分の最後部端に後壁面が位置するように、咳後壁
面のエツチングによるバターニングを位置合せして行な
うと、一定幅部最後部端とギャップ深さ零位置とのずれ
がな(なる。
好適な発明において、前記両側壁面を形成する垂直バタ
ーニングを行なった後、コイルを形成する前に、垂直な
両側壁面に対し絶縁材を埋込み平坦化することにより、
コアの摺動面などに導体コイル材のエツチング残りが生
じないようにする。
〔作 用〕
上記構成に基づく作用を説明する。
フロント部(先端部)の突起側面は、トラック幅相当に
ほぼ垂直もしくは一定深さまでほぼ垂直にバターニング
するためトラック幅を高精度に制御することができる。
また、ギャップ終端部(後壁面)のエツチング深さを、
ギャップ形成部(両側面)よりも浅くするか、もしくは
ギャップ終端部(後壁面)をゆるやかなテーパー形状に
バターニングするため、コア体積を大きくすることがで
き、磁気飽和現象を緩和することができる。特に、磁気
飽和に重大な影響を与える頚部(ギャップ深さ零位の位
置からすぐ後に続く場所)の断面積を大きくして、磁気
飽和の発生を防止することができる。
また、本発明によるmF!磁気ヘッドの製造方法では、
突起の両側壁面のエツチング工程と、後壁面のエツチン
グ工程を2度に分けて行なうことにより、両側壁面は所
要深さの垂直エツチングとし、後壁面はこれと深さが異
なるか(浅いエツチングとするか)または、テーパー面
となるエツチングを行なうことができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第1〜第2図に本発明による薄膜磁気ヘッドの第1実施
例を示す。
第1図はヘッド摺動面の正面図、第2図は下部コアの形
状を示す斜視図である。■は基板、2は下部コア、2a
はへラドギャップ形成5部、2bは上・下部コアのリア
コア接続部、3は非磁性絶縁材、4はギャップ材、5は
上部コアである。なお第1.2図では図示してないが、
後述の第5図における保護膜6.保護板7、およびコイ
ル導体8と同様な保護膜2保護板、およびコイル導体を
有している。
第1図において、下部コア2の摺動面形状は、下部コア
層に対し、トラック幅相当の寸法Tiyで、はぼ垂直な
、もしくは一定深さ(第1図で上下方向の深さ)までほ
ぼ垂直になる様なパターニングを行なうことにより得ら
れる。
下部コア形状は、第2図に示す様に、ギャップ形成部2
aおよびリアのコア接続部2bに突起を形成したものと
なっている。
ギャップ形成部2aにおいて、トラック幅T−を規定す
るため、所定のギャップ深さa+(前後方向における深
さ)の範囲に亘って、左右に深さ1゜の壁面28!+ 
 28gおよび肩部2 as+  2 asがエツチン
グにより形成される。壁面2az+  2azは、深さ
1、の全体に、もしくは上から一定の深さまで(1+ 
の途中まで)、はぼ垂直な形状に作られる。
なお、図で、肩部2 a3+  2 a:+がやや傾斜
しているのは、エツチングのため自然にできたものであ
る。
次に、リアコア接続部2bを作成するため、ギャップ深
さ零位の線2c(d+ とd!の境界vA)よりも後方
部分d2に対してエツチングを行なう。
このときのエツチングM(深さ)tzは、本実施例の特
徴として、 tl > tz とされる。また、このとき形成される前部突起部(ギャ
ップ形成部)2aの後壁面2aaは、深さtzの全体ま
たは途中まで、はぼ垂直な形状とされる。
同様に、はぼ方形状の後部突起部(リアコア接続部)2
bの周囲の4つの壁面2 bz、2 b4は、はぼ垂直
な形状とされる。肩部2biも肩部2a、と同様な形状
である。なお、図中2a、はギャップ形成面(上下コア
対向面)、2blは、リアコア接続面である。
次に第2図に示した第1実施例の下部コア形状の製造方
法を説明する。
第3図は、前記第1実施例の下部コア形状の製造方法の
工程図である。
以下(a)〜(e)の順に説明する。同図左側は摺動面
の正面図、右側は磁路長方向の断面図で示している。
(a)  基板1に下部コアを埋め込むための溝あるい
は下部コア形状の穴1aをイオンミリングやダイジング
ソー等により形成する。この加工では、テーパー角(第
3図中、穴1aの左右の側壁の傾斜度、この例では、所
定の角度範囲内で徐々に変化していく。)を磁性膜の磁
気特性に悪影響を及ぼさない角度に設定する。
(b)  下部コア用磁性膜2をスパッタリング等で形
成する。
(C1上面を研磨して平坦化し、F部コア2を形成する
。
(d)  下部コア2において、ギャップ形成部に、ト
ラック幅相当の寸法にほぼ垂直もしくは一定深さまでほ
ぼ垂直な形状となる様に深さtlだけエツチングする。
この時のエツチングはイオンミリングを使い、適当なビ
ーム入射角でエツチングする。
(el  ギャップ形成部2aのギャップ深さ零位の位
置(線2c)よりも後方の部分dtとリアコア接続部と
なる部分2hを、深さtzだけエツチングする。ここで
、(d)と(e)における各エツチングの深さ1.とt
zは、t、>i、の関係とする。
第2図および第3図では、ギャップ深さ形成部2aおよ
びリアコア接続部の側面部を、はぼ垂直な壁面部2at
+  2as、2bz+  2bnと、それよりもゆる
い部分(肩部2 as、2 bi)の2段で示している
が、本実施例の場合は、このゆるい部分は必ずしも必要
でなく、所要の深さtl+i!全体を略垂直な1段の側
面形状となるように(肩部2az+2b3が水平となる
ように)エツチングしてもよい。その理由は、本実施例
の場合、1.>1.として、tzを浅くしたことにより
、コアの飽和に最も影響のあるコア頚部(ギャップ深さ
零の位置2cのすぐ後方部分)の断面積を十分に大きく
することができるからである。
また、(elの工程のエツチングにより、突起部2aの
後壁2aaできまるギャップ深さ零位の位置2cが決定
するが、この時、ギャップ深さ零位宜と、その前のfd
)の工程で定まる下部コアの先端部(−定幅T−の部分
)の終点の位置とが一致することが望ましい。
以上の様にして、トラック幅を規制する下部コア先端部
(ギャップ形成部)の突起2aの高さt。
の方が、リアコア接続部の突起2bの高さt2よりも高
い形状を持つ下部コア形状を形成することができる。但
し、上記の製法から明らかなように、突起2aと2bの
上面2a+と2b+の絶対的な高さは等しくなっている
。
本実施例によれば、突起2aの高さ1.をリアコア接続
部の突起2bの高さt2よりも高くしたので、t2の大
きな一定幅Twの先端部分により所要の狭幅のトラック
幅を正確に与えることができると共に、比較的浅いt2
の部分により断面積を大きくして磁気飽和を防止するこ
とができる。
次に本発明の第2の実施例を第4図〜第7図により説明
する。
第4図は、ヘッド摺動面の正面図、第5図は磁路長方向
のヘッド断面図、第6図は下部コア形状の斜視図である
。
第4図〜第6図において、■は基板、2は下部コア、2
aは下部コア2に設けたギャップ形成部(前部突起部)
、2bは下部コア2のリアコア接続部(後部突起部)、
2cは下部コア2のギャップ深さ零の線(ギャップ形成
部2aの部分d1とそれより後方部分dzとの境界線)
、3は非磁性絶縁材、4はギャップ材、5は上部コア、
6は保護膜、7は保護板、8は導体コイルである。ギャ
ップ形成部2aは、ギャップ材4と介して上部コア5と
対向する上面2a+と、所定のギャップ深さdlの部分
で一定幅のトラック幅T−を規定するため、左右側部に
形成された側壁面282+  2 azと、肩部2 a
3+  283と、ギャップ深さ零の点2cから後方に
向けて傾斜する後壁面28sとを有している。
リアコア接続部2bは、方形状をなしており、上面2b
と、左右および前後の傾斜した壁面2b、および2ba
とを有している。
第4図でも、下部コア2の摺動面の形状は第1図とほぼ
同じで、側壁面2atは、所要の深さ全体に亘りほぼ垂
直に、もしくは一定の深さまでほぼ垂直に、バターニン
グにより形成される。
本実施例でも、ギャップ形成部2aのトラック幅規定部
分d、での左右側壁28z+  2a=は、第1実施例
と同様に所定の深さ全体に亘ってほぼ垂直に、もしくは
その一部の深さまでほぼ垂直な形状をもっているが、本
実施例の特徴として、d2以降での壁面、即ち、ギャッ
プ深さ零の位置2cに続く突起部2aの後壁面2aい突
起部(リアコア接続部)2bの4つの壁面2b、、  
2b、は、いずれもテーパー面(傾斜面)となっており
、この点で第1実施例と異っている。本実施例では、こ
れら壁面2 aa、  2 bg、  2 b4のテー
パー角(水平面となす角)αはいずれも等しくされてい
る。
次に、第4図〜第6図に示した下部コア形状の製造方法
を説明する。
第7図は、前記第2の実施例の下部コア形状の製造方法
の説明図である。
以下、(al〜(C)の順に説明する。
(a)  基板に下部コアを埋め込むための溝あるいは
下部コア形状の穴をイオンミリングやダイジングソー等
により形成する。この加工では、テーパー角を磁性膜の
磁気特性に悪影響を及ぼさない角度に設定する。下部コ
ア用磁性膜をスパッタリングで形成した後、研磨して平
坦化し、下部コア2を形成する。なお、第7図では、基
板1は図示してないが、第3図(a)と同様である。
fb)  下部コア2において、ギャップ形成部2aに
トラック幅相当の寸法にほぼ垂直もしくは一定深さまで
ほぼ垂直な形状となる様にエツチングする。
この時のエツチングはイオンミリングを使い、適当なビ
ーム入射角でエツチングする。
ここまでの工程は、前記第1の実施例の製造方法(第3
図(a)〜(d))と同様である。
(C)  ギャップ形成部2aのギャップ深さ零位置2
cよりも後方の部分d2と、リアコア接続部となる部分
2bは、なだらかなテーパー角αをもつ様にテーパーエ
ツチングを行なう。
例えば、マスク材となるレジストはボストベーキング処
理を施し、テーパー形状とし、イオンエツチングにより
、ビーム入射角30〜40@でエツチングを行えば、テ
ーパー角40″のテーパーエツチングが可能である。こ
れには、下部コアの材料。
突起の高さに応じて、レジストの膜厚や、ビーム入射角
を選定すればよい。
以上の様にして、垂直形状の左右側壁とテーパー形状の
後壁を持つギャップ形成部の突起2aと、テーパー形状
の4つの壁を持つリアコア接続部の突起2bとを有する
下部コアを形成することができる。
その後、非磁性絶縁層を形成後、研磨によりギャップ形
成面2aをつくる。ギャップ形成部のトラック幅を規定
する部分d、はほぼ垂直にパターニングされているので
、この時の研12ftのマージンは大きく、トラック幅
を高精度に制御することができる。しかも、面内での磁
束絞り形状(第6図で上からみた下部コア形状)のコア
で最も狭くなる部分(ギャップ深さ零位置2Cのすぐ後
の頚部)で緩やかに傾斜する壁面2aaを形成したので
、コアの断面積を充分に確保しながら、コアの膜厚方向
の絞りを実現でき、高効率のヘッドを実現できる。また
、本実施例の傾斜した後壁2a、を形成したものによれ
ば、第一の実施例の垂直な後壁2a、を形成したものよ
りもコアの断面積確保が容易であるため、第7図101
の工程で作られるギャップ深さ零位の位置(ギャップ終
端部)2cと、第7図(b)の工程で作られる下部コア
先端部(一定幅の部分)の終点2eの位置合わせ精度は
ゆるくてもよいという効果がある。つまり、第1の実施
例の場合、後壁2aaが垂直になっているので、もしも
一定幅部分の終点2eがギャップ深さ零位の終点2cよ
りも後方にずれると、2eと20の間が二重に絞られる
ことになって、この間のコア断面積が橿めて小さくなっ
てしまう、これに灯し、本実施例では、後壁2a4が緩
やかに傾斜しているので、たとえ2eが20より後方に
ずれても、断面積はそれ程小さくはならない。
また、本実施例では、両突起部2a、2c間の平坦部2
fのエツチング深さ(即ち、後壁面の高さ)tzを、前
部突起2aの両側面の高さ1.に対して、必ずしも1.
>1.なる関係にする必要はなく、従って、このエツチ
ングの深さt8の制御の精度をゆるくすることができる
(第7図(C)ではほぼ等しくされている)。
さらに、絶縁層3.コイル8.ギャップ材4および上部
コア5を形成して、第4図、第5図に示す薄膜磁気ヘッ
ドを作ることができる。
第5図では、下部コア2の突起2a、2b間の凹部に非
磁性絶縁層3の一部を充填して表面を突起2a、2bの
上面と合わせて平坦にした後、導体コイル8を形成して
いるが、これに代えて、導体コイル8は、ギャップ形成
部2aの突起をリアコア接続部2bの突起間に形成して
もよい。
その例を第8図および第9図を用いて説明する。
第8図(a)は、第2の実施例、同図(b)は第1の実
施例でコイルを突起間に形成したヘッドの断面図である
。第9図は、その製造方法を説明する工程図である。
第1.第2実施例のように、ギャップ形成部の突起2a
の側面2azが略々垂直の場合、この垂直側面部2a、
にコイル材(例えばCu)のエツチング残りが生じる。
同様なエツチング残りは、第1実施例における突起2a
の略々垂直の後壁2aaにも生じるが、第2実施例にお
ける緩やかな傾斜をもつ後壁2aaにはほとんど生じな
い。即ち、第1゜第2実施例において、下部コア2の垂
直な壁面2 at+  284が露出したままで、導体
層8がスパッタ等で形成され、次いで、この導体層8が
イオンエツチング等によりパターニングされると、コイ
ル導体材料が飛び散って下部コアの垂直な壁面2at+
  2a4に再付着する。再付着したコイル導体材料は
、付着壁面が垂直に近くなる程エツチングによって除去
され難くなり、結果的に、緩やかな壁面には残らないが
、垂直な壁面にはコイル材のエツチング残りが生じるこ
とになる。このようなエツチング残りが生じると、コイ
ルのパターニングが十分にできず、摺動面に露出したコ
イル材が、摺動に悪影響を及ぼす等の問題が生じる。こ
の問題に対処するため、以下に説明する様に第9図に示
す手順で作ることにより、エツチング残りを生じること
な(パターニングすることができる。
第9図に、コイルを突起間に形成する場合の製造方法を
示す。同図左は摺動面、同図布は磁路長方向の断面を示
す。ここでは、第2の実施例の構造でコイルを埋め込む
場合について述べる。
ギャップ形成部をトラック幅相当にほぼ垂直もしくは一
定深さまでほぼ垂直な形状となる様にエツチングする工
程までは、前記第1の実施例の製造方法と同様である。
 (第4図(al、 (b))続いての工程を(a)〜
(8+の順に説明する。
(a)  ギャップ形成部をトラック幅相当に略垂直エ
ツチングした後に、非磁性絶縁材をスパッタリング等に
より形成し、研摩によりギャップ形成面2aをつくる。
(bl  ギャップ形成面2aのギャップ深さを零位以
下の部分d2とリアコア接続部となる部分2bとが緩や
かなテーパー角αを持つ様にテーパーエツチングを行な
う。
(c)  非磁性絶縁材3をスパッタリング等で形成し
た後、コイル材8を蒸着、スパッタ等で形成する。
Cd)  イオンエツチング等により、コイル材8を所
望の形状にパターニングする。
(81さらに、非磁性絶縁層3′、多層コイルの場合は
コイル、非磁性絶縁層3′の形成を繰り返し、ギャップ
材4.上部コア5を形成する。
以上の工程中、第9図(a)において、ギャップ形成部
2aの垂直エツチング後、予め、非磁性絶縁層3を形成
して平坦化研磨し、下部コア2の垂直な側壁’lazが
露出しないようにした後に、コイル導体を成膜すること
によって、コイルパターニング時に、トラック幅制御の
ために垂直エツチングされている部分でのコイル材のエ
ツチング残りを防止することができる。なお、第9図で
は、後壁面2a、が傾斜しているので、前記のようにこ
の面にもコイル導体のエツチング残りは生じない。
以上の様にして、突起間にコイルを形成する構造の薄膜
磁気ヘッドを製造することができる。
本発明の他の実施例を第10図に示す。
本実施例では、下部コア2の前部突起(ギャップ形成部
2a)の後壁2aJおよび後部突起(リアコア接続部)
2bの4つの壁のテーパー角αを更に小さくして、前部
突起2aの後壁2aaおよび後部突起2bの前壁2b4
の前後方向の長さをd2゜d2/とし、突起2aの後縁
2cと突起2bの前縁2bsとの間隔をDとするとき、
テーパ一部d!+d、’=[)となる様にパターニング
する。ギャップ形成部2aの突起によりトラック幅を決
定する構造のヘッドにおいては、この場合が最も下部コ
アの体積が大となり磁気飽和が緩和される。また、テー
パー角αが小さく、スロープがなだらかになるため、埋
め込み材として形成する非磁性絶縁材の膜質も良好とな
る。
本説明では、ギャップ形成部のテーパーαとリアコア接
続部のテーパーαを等しくしたが、この必要はない。例
えば、突起間にコイル形成のためスペースを必要とする
場合や、上・下部コア間隔を大きくとる場合には、第1
1図に示す様にコア体積が小さ(なって飽和しやすいギ
ャップ形成部2aのテーパー角αをリアコア接続部2b
のテーパーα′より小さくすればよい。
本発明の詳細な説明においては、下部コア2の摺動面形
状(摺動面からみた形状)は、U字形で示したが、第1
2図(alに示す様に、両側が下に向かって広がる形状
でも、第12図(b)に示す様に垂直な形状でも、かま
わない。しかし、底の形状は、ギャップ面と平行となら
ないことが望ましい。
また、前部突起2aの摺動面形状も、上記実施例では、
両側が略垂直もしくは一定深さまで略垂直な形状のもの
として説明したが、第13図に示す様なカーブ形状とし
てもよい。
以上、各実施例により説明した様に、本発明によれば、
高精度にトラック幅を制御し、かつ磁気飽和を緩和する
ことができる。
〔発明の効果〕
以上説明した様に、本発明によれば、下部コアフロント
部に垂直側壁面とギャップ零位に続く後壁面を形成し、
この後壁面の高さを側壁面の高さよりも低くするか、ま
たは後壁面を緩やかな傾斜面にしたので、トラック幅を
高精度に制御し、かつ下部コアの飽和現象を最小限に抑
えることができ、長寿命、高信顛性の薄膜磁気ヘッドが
得られる等、優れた効果を奏する。
さらに、導体コイルを形成するに当り、予め前記側壁面
に対し絶縁材を施して平坦化するようにしたので、突起
間にコイルを埋め込む構造をとる場合においても、コイ
ルパターニング時における突起部でのコイル材のエツチ
ング残りを無くすことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は本発明の第一実施例の説明図であり、
第1図は摺動面の正面図、第2図は下部コア形状を示す
斜視図、第3図は第一の実施例の下部コアの製造方法を
示す工程図である。第4〜第6図は本発明の第2の実施
例の説明図であり、第4図は摺動面の正面図、第5図は
磁路長方向の断面図、第6図は下部コア形状を示す斜視
図である。第7図は第二の実施例の下部コアの製造方法
を示す斜視図、第8図および第9図はコイル埋め込み構
造を説明する断面図、第10図および第11図は他の下
部コア形状の実施例を示す下部コアの斜視図、第12図
および第13図は下部コアの他の形状を示す正面図であ
る。 l・・・基板、2・・・下部コア、2a・・・ギャップ
形成部(前部突起部)、28z・・・側(壁)面、2c
・・・ギャップ深さ零位、2aa・・・後(壁)面、2
b・・・リアコア形成部(後部突起部)、3・・・非磁
性絶縁材、4・・・ギャップ材、5・・・上部コア、6
,7・・・保護膜、8・・・コイル導体。 第1図 q 第3図 第2図 b4 2CI2 203 第 図 傷 図 第 図 弔 図 第 図 (b) 第 図 第1θ図 第11図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基板と、磁性層の下部コアと、コイルおよびその周
    囲の非磁性の絶縁層と、前記下部コアとリアコア接続部
    で接すると共に先端部でギャップ材を介して接して磁気
    回路を形成する磁性層の上部コアとを順に積層して成り
    、前記下部コアは前記先端部ではほぼ一定幅でそれより
    後部に向けて幅が漸増するように形成された薄膜磁気ヘ
    ッドにおいて、前記下部コアの先端部に突起を設け、前
    記突起は、相互にトラック幅に相当する前記一定幅の間
    隔で前後方向所定長にわたりほぼ垂直形状に形成された
    両側面と、ギャップ面をなす上面と、ギャップ深さ零位
    に続く後壁面とを有し、前記両側面の前記ギャップ面ま
    での高さは前記後壁面の前記ギャップ面までの高さより
    も高く構成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 2、基板と、磁性層の下部コアと、コイルおよびその周
    囲の非磁性の絶縁層と、前記下部コアとリアコア接続部
    で接すると共に先端部でギャップ材を介して接して磁気
    回路を形成する磁性層の上部コアとを順に積層して成り
    、前記下部コアは前記先端部ではほぼ一定幅でそれより
    後部に向けて幅が漸増するように形成された薄膜磁気ヘ
    ッドにおいて、前記下部コアの先端部に突起を設け、前
    記突起は、相互にトラック幅に相当する前記一定幅の間
    隔で前後方向所定長にわたりほぼ垂直形状に形成された
    両側面と、ギャップ面をなす上面と、ギャップ深さ零位
    に続く後壁面とを有し、前記後壁面は、前記下部コアの
    広がり部まで及ぶ緩やかな傾斜面により構成したことを
    特徴とする薄膜磁気ヘッド。 3、前記下部コア先端部の前記一定幅の部分の最後部と
    前記ギャップ深さ零位の位置とを略一致させたことを特
    徴とする請求項1又は2記載の薄膜磁気ヘッド。 4、前記下部コアの先端部の突起を形成する際に、前記
    トラック幅を規制する前記両側面をエッチングにより形
    成する垂直パターニングの工程と、これとは別に、前記
    突起のギャップ深さ零位の位置を規制する前記後壁面を
    エッチングにより形成するパターニングの工程とを含む
    ことを特徴とする請求項1、2、または3記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。5、前記トラック幅を規制する前
    記両側面を形成する垂直パターニングを行なつた後に、
    前記ギャップ深さ零位の位置を規制する前記後壁面をエ
    ッチングにより形成するパターニングを行ない、しかる
    後、絶縁材を介して、コイル、ギャップ材、及び、上部
    コアを形成することを特徴とする請求項1、2、または
    3記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 6、前記トラック幅を規制する前記両側面を形成する垂
    直パターニングを行なつた後に、前記両側面に対し絶縁
    材を埋込み平坦化を行ない、しかる後にギャップ深さ零
    位の位置を規制する前記後壁面のパターニングを行ない
    、更に、絶縁材を介して、コイル、ギャップ材、及び、
    上部コアを形成することを特徴とする請求項1、2、ま
    たは3記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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