JPH0254229U - - Google Patents
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- JPH0254229U JPH0254229U JP13302588U JP13302588U JPH0254229U JP H0254229 U JPH0254229 U JP H0254229U JP 13302588 U JP13302588 U JP 13302588U JP 13302588 U JP13302588 U JP 13302588U JP H0254229 U JPH0254229 U JP H0254229U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- fixing ring
- substrate fixing
- cathode electrode
- etching apparatus
- Prior art date
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- Pending
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図ａ，ｂはそれぞれ本考案基板固定リング
を適用したプラズマエツチング装置の主要部の構
成を示す説明図及び本考案基板固定リングにより
基板を固定した場合の平面図、第２図は従来及び
本考案におけるシリコン基板の各部に対するエツ
チング速度特性図、第３図は従来及び本考案にお
ける基板処理枚数に対するエツチング速度特性図
、第４図は従来装置の典型的な例の構成を示す説
明図、第５図は従来の主要部の動作説明図である
。 １……エツチング室、２……アノード電極、３
……カソード電極、４……（シリコン）基板、Ｐ
ｅ……高周波電力、５……基板固定リング。
を適用したプラズマエツチング装置の主要部の構
成を示す説明図及び本考案基板固定リングにより
基板を固定した場合の平面図、第２図は従来及び
本考案におけるシリコン基板の各部に対するエツ
チング速度特性図、第３図は従来及び本考案にお
ける基板処理枚数に対するエツチング速度特性図
、第４図は従来装置の典型的な例の構成を示す説
明図、第５図は従来の主要部の動作説明図である
。 １……エツチング室、２……アノード電極、３
……カソード電極、４……（シリコン）基板、Ｐ
ｅ……高周波電力、５……基板固定リング。
Claims (1)
- エツチング室１内にアノード電極２とカソード
電極３を対向して配設し、カソード電極３に基板
４を基板固定リング５で固定し、反応ガスの流通
下で両電極２，３間に高周波電力Ｐｅを印加する
ことによりプラズマを発生させ、基板４をエツチ
ングするプラズマエツチング装置において、基板
固定リング５をアルミナセラミツクスで構成した
プラズマエツチング装置の基板固定リング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13302588U JPH0254229U (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13302588U JPH0254229U (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254229U true JPH0254229U (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=31390525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13302588U Pending JPH0254229U (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254229U (ja) |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP13302588U patent/JPH0254229U/ja active Pending
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