JPH025448A - セラミックパッケージ - Google Patents
セラミックパッケージInfo
- Publication number
- JPH025448A JPH025448A JP63154675A JP15467588A JPH025448A JP H025448 A JPH025448 A JP H025448A JP 63154675 A JP63154675 A JP 63154675A JP 15467588 A JP15467588 A JP 15467588A JP H025448 A JPH025448 A JP H025448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- capacitor
- cavity
- ceramic package
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
- H10W70/65—Shapes or dispositions of interconnections
- H10W70/654—Top-view layouts
- H10W70/655—Fan-out layouts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は半導体パッケージに関する。
特に、低温焼結型のセラミックパッケージに関するもの
である。
である。
[従来の技#i]
従来、この種のセラミックパッケージは、半導体チップ
、抵抗体、コンデンサ等を搭載するキャビティ部がパッ
ケージ内に設けてあった。
、抵抗体、コンデンサ等を搭載するキャビティ部がパッ
ケージ内に設けてあった。
第2図に従来のセラミックパッケージの一例を示す。
同図において、1はセラミック(アルミナ)本体である
。
。
2は半導体チップであり、セラミック本体l上に搭載さ
れている。
れている。
3a、3bは、セラミック本体lに配線された導体パタ
ーンである。
ーンである。
4は厚膜抵抗体(あるいはチップ抵抗体)であり、導体
パターン3a上に設けられている。
パターン3a上に設けられている。
5はコンデンサであり、導体パターン3b上に設けられ
ている。
ている。
6a、6bは、半導体チップ2と導体パターン3a、3
bとの接続用ポンディングワイヤである。
bとの接続用ポンディングワイヤである。
7a、7bは外部信号取り出し用の入出力ピン、8は封
止用キャップ、9a、9bはキャップ8の封止部である
。
止用キャップ、9a、9bはキャップ8の封止部である
。
10はキャビティ部であり、セラミック本体lと封止用
キャップ8との間に形成されている。
キャップ8との間に形成されている。
以上のような従来のセラミックパッケージにおいては、
半導体チップ2.抵抗体4.およびコンデンサ5は、キ
ャビティ部10に設けられていた。
半導体チップ2.抵抗体4.およびコンデンサ5は、キ
ャビティ部10に設けられていた。
[解決すべき課Jllf!]
上述した従来のセラミックパッケージでは、半導体チッ
プ2とともに、抵抗体4およびコンデンサ5をキャビテ
ィ部10に設けていたので、キャビティ部10が大きく
なり、したがってパッケージが大型化するという問題点
を有していた。
プ2とともに、抵抗体4およびコンデンサ5をキャビテ
ィ部10に設けていたので、キャビティ部10が大きく
なり、したがってパッケージが大型化するという問題点
を有していた。
本発明は上述した問題点にかんがみてなされたもので、
小型化を図ることのできるセラミックパッケージの提供
を目的とする。
小型化を図ることのできるセラミックパッケージの提供
を目的とする。
[課題の解決手段]
上記目的を達成するために本発明は、セラミック本体と
封止用キャップとの間にキャビティ部を備え、半導体チ
ップ、抵抗体、およびコンデンサを内蔵したセラミック
パッケージにおいて、前記半導体チップを前記キャビテ
ィ部に搭載し、前記抵抗体およびコンデンサを前記セラ
ミック本体内に埋設した構成としである。
封止用キャップとの間にキャビティ部を備え、半導体チ
ップ、抵抗体、およびコンデンサを内蔵したセラミック
パッケージにおいて、前記半導体チップを前記キャビテ
ィ部に搭載し、前記抵抗体およびコンデンサを前記セラ
ミック本体内に埋設した構成としである。
[実施例]
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第1図は本発明に係るセラミックパッケージの一実施例
を示す縦断面図である。同図において、第2図に示した
従来のセラミックパッケージと同一または相当する部分
には同一の符号を付しである。
を示す縦断面図である。同図において、第2図に示した
従来のセラミックパッケージと同一または相当する部分
には同一の符号を付しである。
本実施例の特徴とする点は1図示のように、半導体チッ
プ2をキャビティ部10に搭載し、抵抗体4およびコン
デンサ5を、厚膜材料を用いて低温焼結セラミック本体
1内に埋設した点にある。
プ2をキャビティ部10に搭載し、抵抗体4およびコン
デンサ5を、厚膜材料を用いて低温焼結セラミック本体
1内に埋設した点にある。
このように構成することにより、本実施例では、キャビ
ティ部lOが小さくなっており、したがってパッケージ
が小型になっている。
ティ部lOが小さくなっており、したがってパッケージ
が小型になっている。
なお、キャビティ部10が小さくなっているのに合せて
、セラミック本体lに配線された導体パターン3a、3
bも小さくなっている。
、セラミック本体lに配線された導体パターン3a、3
bも小さくなっている。
[発明の効果]
以上説明したように本発明は、セラミック本体内に抵抗
体およびコンデンサを埋設することにより、セラミック
パッケージを小型化することができるとい効果がある。
体およびコンデンサを埋設することにより、セラミック
パッケージを小型化することができるとい効果がある。
第1図は本発明に係るセラミックパッケージの一実施例
の縦断面図、第2図は従来のセラミックパッケージの縦
断面図である。 1:セラミック本体 3a、3b 6a、6b 7a、7b 9a、9b 二手導体チップ :導体パターン :抵抗体 :コンデンサ :ポンディングワイヤ :入出力ビン :封止用キャップ :封止部 :キャビティ部 代理人 弁理士 渡 辺 喜 平
の縦断面図、第2図は従来のセラミックパッケージの縦
断面図である。 1:セラミック本体 3a、3b 6a、6b 7a、7b 9a、9b 二手導体チップ :導体パターン :抵抗体 :コンデンサ :ポンディングワイヤ :入出力ビン :封止用キャップ :封止部 :キャビティ部 代理人 弁理士 渡 辺 喜 平
Claims (1)
- セラミック本体と封止用キャップとの間にキャビティ部
を備え、半導体チップ、抵抗体、およびコンデンサを内
蔵したセラミックパッケージにおいて、前記半導体チッ
プを前記キャビティ部に搭載し、前記抵抗体およびコン
デンサを前記セラミック本体内に埋設したことを特徴と
するセラミックパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63154675A JPH025448A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | セラミックパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63154675A JPH025448A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | セラミックパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025448A true JPH025448A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=15589449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63154675A Pending JPH025448A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | セラミックパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH025448A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03288463A (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-18 | Mitsubishi Materials Corp | 抵抗体を内層した多層基板 |
| JPH04123552U (ja) * | 1992-02-27 | 1992-11-09 | アンリツ株式会社 | 超高周波用ハイブリツドic |
| JPH0629503A (ja) * | 1992-07-08 | 1994-02-04 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| US7838976B2 (en) | 2006-07-28 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a semiconductor chip enclosed by a body structure and a base |
| US8054035B2 (en) | 2006-07-28 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage device including an antenna |
| US8232621B2 (en) | 2006-07-28 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2023006531A (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-18 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびパッケージ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61285739A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高密度実装形セラミツクicパツケ−ジ |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP63154675A patent/JPH025448A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61285739A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高密度実装形セラミツクicパツケ−ジ |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03288463A (ja) * | 1990-04-05 | 1991-12-18 | Mitsubishi Materials Corp | 抵抗体を内層した多層基板 |
| JPH04123552U (ja) * | 1992-02-27 | 1992-11-09 | アンリツ株式会社 | 超高周波用ハイブリツドic |
| JPH0629503A (ja) * | 1992-07-08 | 1994-02-04 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| US7838976B2 (en) | 2006-07-28 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a semiconductor chip enclosed by a body structure and a base |
| US8054035B2 (en) | 2006-07-28 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage device including an antenna |
| US8232621B2 (en) | 2006-07-28 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8378473B2 (en) | 2006-07-28 | 2013-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having semiconductor chip within multilayer substrate |
| US8692249B2 (en) | 2006-07-28 | 2014-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage device |
| US9070563B2 (en) | 2006-07-28 | 2015-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage device |
| JP2023006531A (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-18 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびパッケージ |
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