JPH0254946A - 半導体チップの実装方法 - Google Patents

半導体チップの実装方法

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JPH0254946A
JPH0254946A JP20676688A JP20676688A JPH0254946A JP H0254946 A JPH0254946 A JP H0254946A JP 20676688 A JP20676688 A JP 20676688A JP 20676688 A JP20676688 A JP 20676688A JP H0254946 A JPH0254946 A JP H0254946A
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JP
Japan
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semiconductor chip
bump
circuit board
bumps
pads
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Application number
JP20676688A
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Inventor
Toshio Kumai
利夫 熊井
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 回路基板に半導体チップをフェースダウンに実装する方
法の改良に関し、 量産的で低コストの半導体チップの実装方法を提供する
ことを目的とし、 細径の頸部の両端に頭部を有する多数のバンプが、所定
のピッチで格子状に配列し、該頸部が合成樹脂フィルム
で固着され、それぞれの該頭部が該合成樹脂フィルムの
上面及び下面に突出した、バンプ配列層を設け、回路基
板の基板側パッドと半導体チップのパッドとが、該バン
プを介して対向するよう、該回路基板、該バンプ配列層
及び該半導体チップを重層し、該バンプを介して熱圧着
手段或いは半田リフロー手段により、該半導体チップを
該回路基板にフェースダウンに実装する構成とする。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、回路基板に半導体チップをフェースダウンに
実装する方法の改良に関する。
近年の電子部品及び電子機器は、軽薄短小傾向にあり、
同時に高密度化が一段と要求されている。
このような背景から半導体チップにおいても、人出力パ
ッドを集積回路を形成した表面に格子状に配列し、バン
プを介して回路基板の対応する基板側バッドに接続し、
フェースダウンに実装している。
バッドを格子状に配列した半導体チップは、チップの周
縁にバッドを配列したものに比較して、チップ自体を小
形にできるという、メリットがある。
また、フェースダウンに実装することにより、チップ側
バッドと基板側パッドとが直接接続され、それだけパタ
ーン長が短くなり、高速化されるというメリットと、複
数の半導体チップを近接して実装することが可能となり
、高密度実装化が推進されるという利点がある。
〔従来の技術〕
従来の半4体チップの実装方法を、第2図(a)。
(b)の工程図を参照して説明する。
第2図において、■は、シリコン基板等の表面(図の下
面)に集積回路を設けた半導体チップであって、表面に
所定のピッチ(例えば200μm)で格子状にバッド2
を配列し、このようなバッドに集積回路の入出カバター
ンを接続しである。
まず、半導体チップlのそれぞれのバッド2に、第2図
(a)に示すように、直径が100μm程度のバンプ3
を固着する。なお、バンプ3は銅ボールを半田めっきし
たもので、半田リフロー手段により、バッド2に固着し
ている。
第2図(blにおいて、5は、例えばセラミック基板よ
りなる回路基板であって、表面に薄膜、或いは厚膜で所
望の回路素子を設け、さらに半導体チップ1のバッド2
に対応して、格子状に基板側パッド6を配列形成しであ
る。
このような回路基板5の表面に半導体チップ1をフェー
スダウンに重ね、それぞれのバンプ3を対応する基板側
パッド6に位置合わせし、加熱して半田リフロー手段で
、バンプ3と基板側パッド6とを半田付けして、半導体
チップ1を回路基板5に実装している。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら上記従来方法は、多数の小さい球状のバン
プ3を、一つ一つ半導体デツプ1のバッド2に載せ、そ
の後半田リフローして固着しており、作業性が劣るとい
う問題点と、球状のバンプ自体を製造するのが困難であ
るという問題点があった。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、量産
的で低コストの半導体チップの実装方法を提供すること
を目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために本発明は、第1図に示した
ように、細径の頸部12の両端に大径の頭部11を有す
る、良熱導電性金属よりなるバンプ10を設ける。
このようなバンプ10を、多数所定のピッチで格子状箱
に配列し、それぞれの頸部12を合成樹脂フィルム15
で固着して、頭部11が合成樹脂フィルム15の上面及
び下面に突出したバンプ配列JW20を設ける。
次に、回路基板5の基板側パッド6と半導体チップ1の
バッド2とが、バンプ10を介して対向するように、回
路基板5.バンプ配列層20.半導体チップ1を重層し
、熱圧着手段、或いは半田リフロー手段により、バッド
2を一方の頭部11に、基板側パッド6を他方の頭部1
1にそれぞれ接着して、半導体チップ1を回路基板5に
フェースダウンに実装するものとする。
〔作用〕
上述のように頸部12の両端に頭部11を有するバンプ
lOは、棒状のバンプ素材を転造することにより容易加
工でき、量産的であって低コストある。
バンプ配列層20は、それぞれのバンプ10の頭部11
が合成樹脂フィルム15の上面、及び下面に突出した状
態で、格子状に配列し固定されている。
したがって、対角線上の2つのバンプ10に着目するこ
とにより、基板側パッド6、バンプ10.及び半導体チ
ップlのパッド2の位置合わせが容易に実施できる。ま
た、熱圧着手段、或いは半田リフロー手段により、総て
のバンプ10を対応するパッド2.基板側パッド6に同
時に接着することができる。
〔実施例〕
以下図を参照しながら、本発明を具体的に説明する。な
お、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
第1図(al、 (bl、 (C1,(d)は、本発明
方法の工程を示す図である。
第1図(alに示すように、金線、アルミニウム線。
銅線等の良導電性の金属線(例えば直径100μmの丸
線)よりなるバンプ素材を、例えば500μmのピッチ
で転造し、細径の頸部12(頸部の長さは100μm程
度)を設ける。その後、バンプ素材を切断を鎖線X−X
部分で切断して分割し、細径の頸部12の両端に大径の
頭部11を有する、多数のバンプ10を設ける。
次に、第1図(blの断面図、(C)の斜視図に示すよ
うに、バンプ10を垂直にして、所定のピッチ(例えば
200μm)で格子状に配列し、パラフィン樹脂等でモ
ールドして、それぞれの頸部12を一枚の合成樹脂フィ
ルムI5で固着して、バンプ配列層20を設ける。
したがって、それぞれのバンプ10の頭部11は、合成
樹脂フィルム15の上面及び下面に突出している。
次に第1図fdlに示すように、回路基板5の上方にハ
ンプ配列層20を重ねて、それぞれのバンプ10の頭部
11を基板側パッド6に、位置合わせして載せる。
さらに、バンプ配列層20の上方に半導体チ・ノブlを
フェースダウンに重ね、それぞれのパッド2を、バンプ
10の頭部11に位置合わせして載せる。
その後熱圧着工具を半導体チップ1の裏面(図のの上面
)に押しつけ、バンプ10を加熱(例えば400℃)・
押圧して、バンプ10の下側の頭部11を基板側パッド
6に、バンプ10の上側の頭部11をパッド2に接着し
て、半導体チップlを回路基板5に実装する。
バンプ材が金、銅の場合には、バンプ10の頭部11に
半田クリームを塗布して、半田リフロー法により、半導
体チップ1を回路基板5に実装しても良い。
なお、有機溶剤槽に半導体チンブlを実装した回路基板
5を浸漬して、必要に応じて合成樹脂フィルム15を溶
解除去する。
バンプ10は上述のように製造することができ、量産的
である。またモールド型の下型にバンプ10を格子状に
配列し、上型で覆ってモールド成型することにより、高
精度の配列ピンチで、バンプ配列層20を低コストに製
造することができる。
さらにまた、対角線上の2つのバンプ10を、対応する
パッドに合わせれば、他のバンプの総てが対応するバン
ドに一致する。即ち、重ね合わせ作業が極めて容易であ
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、バンプを格子状に配列し
たバンプ配列層を介して、半導体チップを回路基板に実
装する方法であって、実装の作業性が良く、且つ量産的
で、得られる半導体装置が低コストであるという、実用
上で優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法の工程を示す図、 第2図は従来方法の工程を示す図である。 図において、 1は半導体チップ、 2はパッド、 3.10はバンプ、 5は回路基板、 6は基板側パッド、 11は頭部、 12は頸部、 1−5は合成樹脂フィルム、 20はバンプ配列層をそれぞれ示す。 参警明方法の二扛を示す図 半 1 父

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 細径の頸部(12)の両端に頭部(11)を有する多数
    のバンプ(10)が、所定のピッチで格子状に配列し、
    該頸部(12)が合成樹脂フィルム(15)で固着され
    、それぞれの該頭部(11)が該合成樹脂フィルム(1
    5)の上面及び下面に突出した、バンプ配列層(20)
    を設け、 回路基板(5)の基板側パッド(6)と半導体チップ(
    1)のパッド(2)とが、該バンプ(10)を介して対
    向するよう、該回路基板(5)、該バンプ配列層(20
    )及び該半導体チップ(1)を重層し、該バンプ(10
    )を介して熱圧着手段或いは半田リフロー手段により、
    該半導体チップ(1)を該回路基板(5)にフェースダ
    ウンに、実装することを特徴とする半導体チップの実装
    方法。
JP20676688A 1988-08-20 1988-08-20 半導体チップの実装方法 Pending JPH0254946A (ja)

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JP (1) JPH0254946A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04164341A (ja) * 1990-10-29 1992-06-10 Nec Corp 半導体集積回路の実装方法
US5204574A (en) * 1990-11-30 1993-04-20 Asmo Co., Ltd. Commutator for a motor and method of manufacturing the same

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04164341A (ja) * 1990-10-29 1992-06-10 Nec Corp 半導体集積回路の実装方法
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