JPH025502A - 酸化亜鉛型バリスタ - Google Patents

酸化亜鉛型バリスタ

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JPH025502A
JPH025502A JP63154976A JP15497688A JPH025502A JP H025502 A JPH025502 A JP H025502A JP 63154976 A JP63154976 A JP 63154976A JP 15497688 A JP15497688 A JP 15497688A JP H025502 A JPH025502 A JP H025502A
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JP
Japan
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zinc oxide
solder
oxide type
sintered body
type varistor
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JP63154976A
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Takayuki Yuasa
貴之 湯浅
Masaaki Katsumata
雅昭 勝又
Kaori Okamoto
岡本 香織
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体電子部品をサージ電圧から保護するた
めの中、高圧用の酸化亜鉛型バリスタに関するものであ
る。
(従来の技術) 従来、ディスクタイプの酸化亜鉛型バリスタは。
索体の両面に設けられた電極と、外部への引き出し用リ
ード線との接合に、共晶点半田を用いて電極全面を被擬
する方法がとられていた。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、近年V、mA/m(焼結体厚ざ1. y
xs当りの立上り電圧)が150■を超え、71ような
高圧用の焼結体でありながら、サージ耐圧の大きい焼結
体が開発される傾向にあり、この焼結体に大きなサージ
電圧が加わると焼結体が発熱し、そのため、焼結体両面
に設りづられだ電極と、外部/\の引き出し用リード線
との接合に用いられCいる半田が溶融し、それが原因で
素子が破壊したり、また、半田と焼結体の熱膨張率の差
により、焼結体と銀電極との間で剥離が生じたりする欠
点があった。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し5素子のサージ耐
圧を向上させた酸化亜鉛型バリスタを提供することであ
るわ (課題を解決するための手段) 本発明の酸化亜鉛型バリスタは、焼結体両面に設けられ
た電極と、外部への引き出し用リード線との接合に5溶
融温度が共晶点半EBの融点より高い高温半81で部分
接続するものである7(作 用) 1−、記構成により、焼結体の発熱による半田の溶融お
よび電極剥離が原因で生じる素子の破壊を防ぎ、バリス
タ素子のサージ耐圧を向−[二させるものである。
(実施例) 本発明の一実施例を図に基づいて説明する。
図は1本発明の酸化亜鉛型バリスタの平面図である。同
図において、1は酸化亜鉛を主成分とする焼結体、2は
焼結体】」二に設けられた電極、3は溶融点が共晶点半
田より高い高温半田であり、4は外部引き出し用リード
線である。
上記構成の酸化層ぐイ1型バリスタを、−例として次の
ような方法で作成した。すなわち、酸化亜鉛粉末に酸化
ビスマス、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化アンチモ
ンを含む酸化物粉末を添加し。
十分混合したのち、造粒し、成形体厚さ5mmで成形体
の直径が10−φに成形し、焼成を施し、焼結体1を作
成した。得られた焼結体1の両面に8mmの直径で銀を
主成分とした電極を印刷し、熱処理を施し、電極2を形
成した。次に、十記素体両面の電極面中心部が2膣φだ
け露出するようにテープを張り、フラックスを塗布し、
外部引き出しリード線髪銀露出部分に接するようにして
はさみ込み、溶融温度が227℃の高温半田槽に浸して
、外部引き出しリード線と銀電極を接続し、その後にテ
・−ブをはがし、フラックスを洗浄して、図1,7.示
す素子を作成した。同様の方法で、溶融温度が265℃
の高温半田を用いた素子、および溶融温度が183℃前
後の共晶点半田を用いた素子を作成した。また、電極の
露出面が4、膣φになるようにテープをはり、同様の方
法で、溶融温度が227’C,265℃および183℃
の高温半田および共晶点半田を使用した素子も同様に作
成した。また比較のため、電極面全面に溶融温度が72
7℃、265℃。
183℃の高温半11および共晶点半EIIを使用した
素子も作成した。
作成した9種類の素子に沿面放電が起こりにくいように
樹脂モールドを施し、8 / 207tqの波形で2分
間隔で2回、同方向にサージ電圧を印加し、素子の立上
り電圧(VlmA)を1llll定し、初期測定値との
変化率を下の式により算出Iノだ6サージ電流の波高値
は、素子が破壊するまで徐々に増加させ、その都度変化
率を算出した。サージ電圧を印加すると、素子に極性が
生じる場合があるので、サージ電圧印加方向と逆の向き
に1.mAの電流を流した際の立−1ニリ電圧を測定し
、この値をもって変化率を計算した。
第】表に各試料の作成条件を示す。
第1表 第2表に、サージ電流の波高値とΔV1mAの関係を示
す。
第2表 第2表かられかるように、寥[Hの部分接続の面積が小
さい程電極剥芝が起こりにくくなっており5また、半田
の溶融温度が高い程素子のモールドの損傷による破壊が
起こりにくくなっている。また、高温半[)1や径の小
さい部分接着方法を用いた場合は、ΔV1mAの変化率
は小さいことがわかる。
なお、今回、スポラ1−接合する方法として、テープを
はる方法を使用したが、半E+1ごてを使用した場合や
、テープの比較的半[Bの(−1着し、にくい緊lT1
1ノジス1−1塗布した場合等にも同様の効果を得るこ
とができる。
(f?!明の効果) 本発明によれば、共晶点半田よりも溶融点の高い高温半
[lを使用してスボッ1−接続することにより、サージ
による素子の破壊限界が大きくなり、かつ)′l上り電
圧の変化率が小さい高サージ耐圧に優れた信頼性の亮い
酸化亜鉛型バリスタを得るごどができ、その実用上の効
果は大である。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例における酸化亜鉛型バリスタの1
1面図である。 1・・・焼結体、  2・・・電極、  3 ・高1!
1N半Ill、4・・・外部引出しり−ト線。 特許出願人 松下電器産業株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 焼結体両面に設けられた電極と、外部への引き出し用リ
    ード線とを溶融温度が共晶点半田の融点より高い高温半
    田で部分接続したことを特徴とするデイスクタイプの酸
    化亜鉛型バリスタ。
JP63154976A 1988-06-24 1988-06-24 酸化亜鉛型バリスタ Expired - Lifetime JP2649544B2 (ja)

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JPH025502A true JPH025502A (ja) 1990-01-10
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5122739U (ja) * 1974-08-09 1976-02-19
JPS61180402A (ja) * 1985-02-05 1986-08-13 マルコン電子株式会社 電圧非直線抵抗素子の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5122739U (ja) * 1974-08-09 1976-02-19
JPS61180402A (ja) * 1985-02-05 1986-08-13 マルコン電子株式会社 電圧非直線抵抗素子の製造方法

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