JPH0257703B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0257703B2 JPH0257703B2 JP58059526A JP5952683A JPH0257703B2 JP H0257703 B2 JPH0257703 B2 JP H0257703B2 JP 58059526 A JP58059526 A JP 58059526A JP 5952683 A JP5952683 A JP 5952683A JP H0257703 B2 JPH0257703 B2 JP H0257703B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- present
- film
- type
- bipolar transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、バイポーラトランジスタの製造方法
に関する。更に詳しくは、本発明は、高品質のバ
イポーラトランジスタを簡単な製造工程で製造で
きる製造方法に関するものである。
に関する。更に詳しくは、本発明は、高品質のバ
イポーラトランジスタを簡単な製造工程で製造で
きる製造方法に関するものである。
〈従来の技術〉
従来、バイポーラトランジスタは、配線領域上
にリンガラスを形成している。リンガラスは、ゲ
ツタリング作用がある上に、比較的厚い膜を形成
できるといつた効果があるが、保護膜として十分
でない。
にリンガラスを形成している。リンガラスは、ゲ
ツタリング作用がある上に、比較的厚い膜を形成
できるといつた効果があるが、保護膜として十分
でない。
また、一部では配線領域上、あるいは下にチツ
化膜を保護膜として形成し、高品質のバイポーラ
トランジスタを製造するようにしたものもある。
化膜を保護膜として形成し、高品質のバイポーラ
トランジスタを製造するようにしたものもある。
この場合、チツ化膜と、Si領域の界面が不安定
であるために、チツ化膜を直接Si上に形成しない
で、両者間にSiO2を介してチツ化膜を形成する
ようにしている。
であるために、チツ化膜を直接Si上に形成しない
で、両者間にSiO2を介してチツ化膜を形成する
ようにしている。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、チツ化膜は、単に保護膜あるい
はSi基板の歪応力の解消の役を果たすのみで、そ
れ以上の効果、例えばAl配線やSi層におけるSi
層の反応を防止する等の効果を期待することはで
きなかつた。
はSi基板の歪応力の解消の役を果たすのみで、そ
れ以上の効果、例えばAl配線やSi層におけるSi
層の反応を防止する等の効果を期待することはで
きなかつた。
Al配線やSi層におけるSiの反応を防止する為
には、両者の間に、例えばシヨツトキーTTLの
場合におけるTi−Ｗ層や、MOSメモリーの場合
におけるSi層のように何等かの層を形成する必要
がある。
には、両者の間に、例えばシヨツトキーTTLの
場合におけるTi−Ｗ層や、MOSメモリーの場合
におけるSi層のように何等かの層を形成する必要
がある。
ここにおいて、本発明は、例えばAlの配線と
Si基板の反応を抑制すると共に、高いhFEを持つ
た高い品質のバイポーラトランジスタを簡単に製
造できる製造方法を提供することを目的とする。
Si基板の反応を抑制すると共に、高いhFEを持つ
た高い品質のバイポーラトランジスタを簡単に製
造できる製造方法を提供することを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉
この様な目的を達成する本発明の製造方法は、
電極配線領域を形成する工程を含んで構成した
バイポーラトランジスタの製造方法であつて、 電極コンタクト部分にはじめSiリツチなチツ化
膜を形成し、 その後このチツ化膜を除去し、当該電極コンタ
クト部分に電極配線領域を形成する ようにしたことを特徴としている。
バイポーラトランジスタの製造方法であつて、 電極コンタクト部分にはじめSiリツチなチツ化
膜を形成し、 その後このチツ化膜を除去し、当該電極コンタ
クト部分に電極配線領域を形成する ようにしたことを特徴としている。
〈実施例〉
第１図〜第４図は、本発明に係わる方法の主要
部分の手順を説明するための構成断面図で、ここ
ではNPNバイポーラトランジスタを例にとつて
ある。
部分の手順を説明するための構成断面図で、ここ
ではNPNバイポーラトランジスタを例にとつて
ある。
第１図において、１はＰ型半導体基板、２はｎ
＋型埋込領域、３はｎ型エピタキシヤル層、４は
ｎ＋型コレクタ領域、５はＰ型絶縁分離領域、６
はＰ型ベース領域、７はｎ＋型エミツタ領域、８
は酸化膜である。
＋型埋込領域、３はｎ型エピタキシヤル層、４は
ｎ＋型コレクタ領域、５はＰ型絶縁分離領域、６
はＰ型ベース領域、７はｎ＋型エミツタ領域、８
は酸化膜である。
ｎ型エピタキシヤル層３は、Ｐ型絶縁分離領域
５で分離され、はじめに、このｎ型エピタキシヤ
ル層３に、コレクタ低抵抗領域４、ベース領域６
及びエミツタ領域７を形成する。
５で分離され、はじめに、このｎ型エピタキシヤ
ル層３に、コレクタ低抵抗領域４、ベース領域６
及びエミツタ領域７を形成する。
その後、酸化膜８を形成し、これを選択的に除
去して、コレクタ領域４、ベース領域６及びエミ
ツタ領域７上にそれぞれ電極コンタクト部４１，
６１および７１を形成する。
去して、コレクタ領域４、ベース領域６及びエミ
ツタ領域７上にそれぞれ電極コンタクト部４１，
６１および７１を形成する。
続いて、第２図に示すように、Siの含有量がＮ
より多い（これをSiリツチという）シリコンチツ
化膜９を、各酸化膜８上及び各電極コンタクト部
４１，６１，７１上に形成する。この時、コレク
タ４、ベース６、エミツタ７の各電極コンタクト
部に接する各領域には、Ｎを微量に含んだSi領域
１０がそれぞれ形成される。
より多い（これをSiリツチという）シリコンチツ
化膜９を、各酸化膜８上及び各電極コンタクト部
４１，６１，７１上に形成する。この時、コレク
タ４、ベース６、エミツタ７の各電極コンタクト
部に接する各領域には、Ｎを微量に含んだSi領域
１０がそれぞれ形成される。
続いて、第３図に示すように、Si領域１０上の
チツ化膜３をホトレジスト技術を利用して選択的
に除去する。
チツ化膜３をホトレジスト技術を利用して選択的
に除去する。
続いて、第４図に示すように、例えばAlの電
極配線領域１１を、チツ化膜９を除去した電極コ
ンタクト部４１，６１，７１部分に形成して完成
する。
極配線領域１１を、チツ化膜９を除去した電極コ
ンタクト部４１，６１，７１部分に形成して完成
する。
〈効果〉
第５図及び第６図は、このようにして製造され
たバイポーラトランジスタにおいて、Si領域１０
が、微量のＮを含んでいることを確認するための
実験結果を示す図である。
たバイポーラトランジスタにおいて、Si領域１０
が、微量のＮを含んでいることを確認するための
実験結果を示す図である。
第５図では、表面分析装置の一つであるESCA
（Electron SPectroscopy of Chemical
Analysis）装置、別名XPS（Xray Photo
electron Spectroscopy）装置を使つて、試料に
単色のＸ線を照射し、その時励起されて外部に放
射される光電子のエネルギースペクトルを見たも
ので、ａはSiリツチチツ化膜９を剥がした後のSi
領域１０について状態分析したもの、ｂはSiにつ
いて状態分析したものである。
（Electron SPectroscopy of Chemical
Analysis）装置、別名XPS（Xray Photo
electron Spectroscopy）装置を使つて、試料に
単色のＸ線を照射し、その時励起されて外部に放
射される光電子のエネルギースペクトルを見たも
ので、ａはSiリツチチツ化膜９を剥がした後のSi
領域１０について状態分析したもの、ｂはSiにつ
いて状態分析したものである。
これらの分析結果から、Siリツチチツ化膜９を
剥がした後のSi領域１０について状態分析したも
のは、ａに示すようにSi２ｐのピークが99.05eV
の位置にあるのに対して、Siについて状態分析し
たものは、ｂに示すようにSi２ｐのピークが
97.30eVの位置にあつて、ピーク位置が左側にエ
ネルギーシフトしており、このことはSi領域１０
に微量のＮが含まれているものと推測できる。
剥がした後のSi領域１０について状態分析したも
のは、ａに示すようにSi２ｐのピークが99.05eV
の位置にあるのに対して、Siについて状態分析し
たものは、ｂに示すようにSi２ｐのピークが
97.30eVの位置にあつて、ピーク位置が左側にエ
ネルギーシフトしており、このことはSi領域１０
に微量のＮが含まれているものと推測できる。
第６図は、Siリツチチツ化膜９を剥がした後の
Si領域１０について、オージエ分析を行い、各組
成分について基板の深さ方向にどの程度存在する
かプロツトした図である。
Si領域１０について、オージエ分析を行い、各組
成分について基板の深さ方向にどの程度存在する
かプロツトした図である。
表面から100オングストローム程度まで、微量
のＮが存在しているのが認められる。
のＮが存在しているのが認められる。
第７図は、本発明の方法によつて製造した
NPNバイポーラトランジスタ（電極材料Al）に
おいて、SiとＮの組成比を変えて、hFEのチツ化
前後の比をとつた実験結果の一例を示す図で、 ａはコレクタ電流Icを1mAとした場合、 ｂはコレクタ電流Icを1μAとした場合である。
NPNバイポーラトランジスタ（電極材料Al）に
おいて、SiとＮの組成比を変えて、hFEのチツ化
前後の比をとつた実験結果の一例を示す図で、 ａはコレクタ電流Icを1mAとした場合、 ｂはコレクタ電流Icを1μAとした場合である。
これらの図から明らかなように、Siリツチ
（SiH4／NH3を0.2以上）とすることによつて顕
著にhFEが大きくなることが認められる。
（SiH4／NH3を0.2以上）とすることによつて顕
著にhFEが大きくなることが認められる。
第８図は、本発明の方法によつて製造した
NPNバイポーラトランジスタにおいて、逆方向
特性を調べた図で、ａは本発明を実施したもの、
ｂは本発明を実施しないものである。
NPNバイポーラトランジスタにおいて、逆方向
特性を調べた図で、ａは本発明を実施したもの、
ｂは本発明を実施しないものである。
ｂに示す単にチツ化膜を形成しただけのもの
は、ソフトブレークダウンの特性であるのに対し
て、ａに示す本発明を実施したものは、ハートブ
レークダウンの特性となり、高い電圧まで電流が
漏れないことが認められる。
は、ソフトブレークダウンの特性であるのに対し
て、ａに示す本発明を実施したものは、ハートブ
レークダウンの特性となり、高い電圧まで電流が
漏れないことが認められる。
第９図は、Si基板のカツト面を150倍に拡大し
た顕微鏡写真による拡大図である。ａは本発明に
よつて製造したもの、ｂは本発明を実施しないも
のである。この場合、基板裏側は直線でカツトで
きなかつたたためにａに比べて厚さが薄いように
見えるが、実際には写真に表れていないだけであ
る。本発明を実施したものは、基板表面には結晶
欠陥がほとんどなく、ｂに比べて品質が高いこと
が認められる。
た顕微鏡写真による拡大図である。ａは本発明に
よつて製造したもの、ｂは本発明を実施しないも
のである。この場合、基板裏側は直線でカツトで
きなかつたたためにａに比べて厚さが薄いように
見えるが、実際には写真に表れていないだけであ
る。本発明を実施したものは、基板表面には結晶
欠陥がほとんどなく、ｂに比べて品質が高いこと
が認められる。
以上、いくつかの実験結果から明らかなよう
に、本発明の方法によれば、簡単な工程でHFE
が大きく、高い品質のバイポーラトランジスタを
製作することができる。
に、本発明の方法によれば、簡単な工程でHFE
が大きく、高い品質のバイポーラトランジスタを
製作することができる。
第１図〜第４図は、本発明に係わる方法の手順
を説明するための説明図、第５図及び第６図は本
発明によつて製造されたバイポーラトランジスタ
において、Si領域１０が、微量のＮを含んでいる
ことを確認するための実験結果を示す図、第７図
は本発明の方法によつて製造したバイポーラトラ
ンジスタにおいて、SiとＮの組成比を変えてhFE
のチツ化前後の比をとつた実験結果の一例を示す
図、第８図は本発明の方法によつて製造したバイ
ポーラトランジスタにおいて、逆方向特性を調べ
た図、第９図はSi基板のカツト面を150倍に拡大
した顕微鏡写真による拡大図である。 １……Ｐ型半導体基板、２……ｎ＋型埋込領
域、３……ｎ型エピタキシヤル層、４……ｎ＋型
コレクタ領域、５……Ｐ型絶縁分離領域、６……
Ｐ型ベース領域、７……ｎ＋型エミツタ領域、８
……酸化膜、９……シリコンチツ化膜、１０……
Ｎを微量に含んだSi領域、４１，６１，７１……
電極コンタクト部。
を説明するための説明図、第５図及び第６図は本
発明によつて製造されたバイポーラトランジスタ
において、Si領域１０が、微量のＮを含んでいる
ことを確認するための実験結果を示す図、第７図
は本発明の方法によつて製造したバイポーラトラ
ンジスタにおいて、SiとＮの組成比を変えてhFE
のチツ化前後の比をとつた実験結果の一例を示す
図、第８図は本発明の方法によつて製造したバイ
ポーラトランジスタにおいて、逆方向特性を調べ
た図、第９図はSi基板のカツト面を150倍に拡大
した顕微鏡写真による拡大図である。 １……Ｐ型半導体基板、２……ｎ＋型埋込領
域、３……ｎ型エピタキシヤル層、４……ｎ＋型
コレクタ領域、５……Ｐ型絶縁分離領域、６……
Ｐ型ベース領域、７……ｎ＋型エミツタ領域、８
……酸化膜、９……シリコンチツ化膜、１０……
Ｎを微量に含んだSi領域、４１，６１，７１……
電極コンタクト部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電極配線領域を形成する工程を含んで構成し
たバイポーラトランジスタの製造方法であつて、 電極コンタクト部分に、はじめSiリツチなチツ
化膜を形成し、 その後このチツ化膜を除去し、当該電極コンタ
クト部分に電極配線領域を形成する ようにしたことを特徴とするバイポーラトランジ
スタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059526A JPS59184523A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059526A JPS59184523A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59184523A JPS59184523A (ja) | 1984-10-19 |
| JPH0257703B2 true JPH0257703B2 (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=13115801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58059526A Granted JPS59184523A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59184523A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0416004U (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-10 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4785902B2 (ja) * | 2008-10-03 | 2011-10-05 | ツインバード工業株式会社 | ブラシ装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53115173A (en) * | 1977-03-18 | 1978-10-07 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
-
1983
- 1983-04-05 JP JP58059526A patent/JPS59184523A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0416004U (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-10 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59184523A (ja) | 1984-10-19 |
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