JPH0261511A - 周期性表面構造の測定装置 - Google Patents
周期性表面構造の測定装置Info
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- JPH0261511A JPH0261511A JP21249388A JP21249388A JPH0261511A JP H0261511 A JPH0261511 A JP H0261511A JP 21249388 A JP21249388 A JP 21249388A JP 21249388 A JP21249388 A JP 21249388A JP H0261511 A JPH0261511 A JP H0261511A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は回折をひきおこすような周期性を有する表面構
造の分布状態を高速に非破壊自動測定する装置に関し、
更に詳しくは基板上に形成された回折格子がその発振特
性に著しく影響するような分布帰還型の半導体レーザの
製作工程において、非破壊で回折格子の形状の分布状態
を測定し得る装置に関するものである。
造の分布状態を高速に非破壊自動測定する装置に関し、
更に詳しくは基板上に形成された回折格子がその発振特
性に著しく影響するような分布帰還型の半導体レーザの
製作工程において、非破壊で回折格子の形状の分布状態
を測定し得る装置に関するものである。
(従来の技術)
従来、光の回折を利用した周期性を有する表面構造(以
下周期性表面構造という)の周期Aの測定は、回折光も
しくは反射光を入射光方向に戻し、回折光と反射光の角
度の差δθを求め、ブラッグの式、 2 A −5in(δθ)mmλ、 (m−± 1. ±2. ・・・) ・・・(1)を
用いて行っている。ここでλはflll+定波長である
。
下周期性表面構造という)の周期Aの測定は、回折光も
しくは反射光を入射光方向に戻し、回折光と反射光の角
度の差δθを求め、ブラッグの式、 2 A −5in(δθ)mmλ、 (m−± 1. ±2. ・・・) ・・・(1)を
用いて行っている。ここでλはflll+定波長である
。
一方、光の回折強度を利用して周期性表面構造の深さを
推定できるが、回折強度の基板面内分布を求めた例とし
ては富士通研究所の報告(検出ら、昭和61年電子通信
学会総合全国大会No、931)がある。また、回折格
子の回折効率並びに基板からの反射光、散乱光を観察す
る技術がKDD研究所より報告(秋葉ら、昭和61年応
用物理学会総会No、ip−に−2)されている。
推定できるが、回折強度の基板面内分布を求めた例とし
ては富士通研究所の報告(検出ら、昭和61年電子通信
学会総合全国大会No、931)がある。また、回折格
子の回折効率並びに基板からの反射光、散乱光を観察す
る技術がKDD研究所より報告(秋葉ら、昭和61年応
用物理学会総会No、ip−に−2)されている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、従来の光の回折を利用した周期性表面構
造の周期への測定方法では、回折光もしくは反射光の角
度を求めるために、反射光あるいは回折光を入射光方向
に正確に戻さなければならないが、それは原理上無理で
必ずn1定光ビーム径に応じた誤差を生じる。その誤差
は周期に換算して、士数オングストロームとなる。回折
格子の周期により発振波長が決定されるような分布帰還
型半導体レーザではこの誤差は設計上無視できないもの
である。また、従来の方法では周期の自動測定も困難で
ある。従って回折格子の周期の分布状態を自動的に測定
する装置はこれまで報告されていない。
造の周期への測定方法では、回折光もしくは反射光の角
度を求めるために、反射光あるいは回折光を入射光方向
に正確に戻さなければならないが、それは原理上無理で
必ずn1定光ビーム径に応じた誤差を生じる。その誤差
は周期に換算して、士数オングストロームとなる。回折
格子の周期により発振波長が決定されるような分布帰還
型半導体レーザではこの誤差は設計上無視できないもの
である。また、従来の方法では周期の自動測定も困難で
ある。従って回折格子の周期の分布状態を自動的に測定
する装置はこれまで報告されていない。
また、前述の富士通研究所の報告による技術では、aP
I定点の位置を常に可視光でモニターしながら、測定点
を中心にして試料を回転することによって回折強度の最
大値を求めるために、1測定点あたりに比較的時間を要
する。また、この技術では回折強度に関する知見しか得
られない。
I定点の位置を常に可視光でモニターしながら、測定点
を中心にして試料を回転することによって回折強度の最
大値を求めるために、1測定点あたりに比較的時間を要
する。また、この技術では回折強度に関する知見しか得
られない。
また、前述のKDD研究所より報告されている技術は、
回折パダーンを視覚的にとらえるだけであるために空間
的な解像度が著しく劣る欠点がある。
回折パダーンを視覚的にとらえるだけであるために空間
的な解像度が著しく劣る欠点がある。
本発明の目的は上記の問題点に鑑み、基板上に作製した
回折格子などのような周期性を有する表面構造の形状分
布を短時間、且つ高精度で測定できる周期性表面構造の
測定装置を提供することにある。
回折格子などのような周期性を有する表面構造の形状分
布を短時間、且つ高精度で測定できる周期性表面構造の
測定装置を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明は上記の目的を達成するために、請求項1では、
周期的な表面構造を有する測定対象物の表面にレーザ光
を照射し、該nj定対象物の表面からの回折光と反射光
のそれぞれの該測定対象物の表面に対する角度から該a
ll定対象物の表面構造の形状を求める周期性表面構造
”の測定装置において、前記測定対象物の表面構造の周
期に対応した回折光と反射光をそれぞれ独立に、且つ同
時に受光する複数の受光素子アレイを設け、前記複数の
受光素子アレイの出力信号に基づいて、前記表面構造の
周期を算出する周期算出手段を備えた。
周期的な表面構造を有する測定対象物の表面にレーザ光
を照射し、該nj定対象物の表面からの回折光と反射光
のそれぞれの該測定対象物の表面に対する角度から該a
ll定対象物の表面構造の形状を求める周期性表面構造
”の測定装置において、前記測定対象物の表面構造の周
期に対応した回折光と反射光をそれぞれ独立に、且つ同
時に受光する複数の受光素子アレイを設け、前記複数の
受光素子アレイの出力信号に基づいて、前記表面構造の
周期を算出する周期算出手段を備えた。
また、請求項2では、周期的な表面構造を有する測定対
象物の表面にレーザ光を照射し、該測定対象物の表面か
らの回折光と反射光のそれぞれの該測定対象物の表面に
対する角度から該測定対象物の表面構造の形状を求める
周期性表面構造のn1定装置において、前記a11定対
象物の表面構造の周期に対応した回折光と反射光をそれ
ぞれ独立に、且つ同時に受光する複数の受光素子アレイ
を設け、前記複数の受光素子アレイの出力信号に基づい
て、前記表面構造の周期を算出する周期算出手段を備え
ると共に、前記測定対象物の表面からの散乱光を受光す
る2個以上の受光素子と、前記2個以上の受光素子のそ
れぞれの出力信号に基づいて、前記散乱光の強度を算出
する散乱光強度算出手段とを備えた。
象物の表面にレーザ光を照射し、該測定対象物の表面か
らの回折光と反射光のそれぞれの該測定対象物の表面に
対する角度から該測定対象物の表面構造の形状を求める
周期性表面構造のn1定装置において、前記a11定対
象物の表面構造の周期に対応した回折光と反射光をそれ
ぞれ独立に、且つ同時に受光する複数の受光素子アレイ
を設け、前記複数の受光素子アレイの出力信号に基づい
て、前記表面構造の周期を算出する周期算出手段を備え
ると共に、前記測定対象物の表面からの散乱光を受光す
る2個以上の受光素子と、前記2個以上の受光素子のそ
れぞれの出力信号に基づいて、前記散乱光の強度を算出
する散乱光強度算出手段とを備えた。
(作 用)
本発明の請求項1によれば、複数の受光素子アレイによ
り、測定対象物の表面構造の周期に対応した回折光と反
射光のそれぞれが独立に、且つ同時に受光され、周期算
出手段により、前記複数の受光素子アレイの出力信号に
基づいて、前記表面構造の周期が算出される。
り、測定対象物の表面構造の周期に対応した回折光と反
射光のそれぞれが独立に、且つ同時に受光され、周期算
出手段により、前記複数の受光素子アレイの出力信号に
基づいて、前記表面構造の周期が算出される。
また、請求項2によれば、複数の受光素子アレイにより
、11定対象物の表面構造の周期に対応した回折光と反
射光のそれぞれが独立に、且つ同時に受光され、周期算
出手段により、前記複数の受光素子アレイの出力信号に
基づいて、前記表面構造の周期が算出される。更に、2
個以上の受光素子により、前記測定対象物の表面からの
散乱光が受光され、散乱光強度算出手段により、前記2
個以上の受光素子のそれぞれの出力信号に基づいて、前
記散乱光の強度が算出される。
、11定対象物の表面構造の周期に対応した回折光と反
射光のそれぞれが独立に、且つ同時に受光され、周期算
出手段により、前記複数の受光素子アレイの出力信号に
基づいて、前記表面構造の周期が算出される。更に、2
個以上の受光素子により、前記測定対象物の表面からの
散乱光が受光され、散乱光強度算出手段により、前記2
個以上の受光素子のそれぞれの出力信号に基づいて、前
記散乱光の強度が算出される。
(実施例)
本発明の一実施例として、表面に回折格子を有する基板
を試料としだn1定において、回折格子の周期、深さ(
回折強度)、反射光及び散乱光の強度、並びに基板の光
吸収に基づくフォトルミネセンスの分布を測定する測定
装置を構成した。
を試料としだn1定において、回折格子の周期、深さ(
回折強度)、反射光及び散乱光の強度、並びに基板の光
吸収に基づくフォトルミネセンスの分布を測定する測定
装置を構成した。
第1図は本発明の一実施例における光学系配置図、第2
図は本発明の一実施例における」1定処理系統図、第3
図は本発明の一実施例における制御プログラムチャート
である。
図は本発明の一実施例における」1定処理系統図、第3
図は本発明の一実施例における制御プログラムチャート
である。
第1図において、1は11定光源で、例えば、波長λが
383.8nmのレーザ光を出射するHe−Cdレーザ
装置である。測定光源1から出射されたレーザ光は、ハ
ーフミラ−2により分けられ、一部はフォトダイオード
3に至り、レーザ出力1exとしてモニターされるよう
になっている。また、ハーフミラ−2により分けられた
残りのレーザ光は、ミラー4、スリット5、レンズ6を
通過した後、X−Y−θステージ7の上に置かれた測定
対象物である試料8に入射角αで照射されるようになっ
ている。試料8は、表面に干渉露光法で回折格子を作製
した15mmX 12mmのInP基板である。9はフ
ォトダイオードアレイで、試料8の表面からの回折光を
シリンドリカルレンズ10を介して受光できる位置に配
設されている。更に、フォトダイオードアレイ9の何番
目のフォトダイオードで回折光を受光したかにより、試
料8の表面に対する回折光の角度即ち、回折角βを算出
できるようになっている。11はフォトダイオードアレ
イで、試料8の表面からの反射光をシリンドリカルレン
ズ12を介して受光できる位置に配設されている。更に
、フォトダイオードアレイ11の何番目のフォトダイオ
ードで反射光を受光したかにより、試料8の表面に対す
る反射光の角度即ち、反射角αを算出できるようになっ
ている。
383.8nmのレーザ光を出射するHe−Cdレーザ
装置である。測定光源1から出射されたレーザ光は、ハ
ーフミラ−2により分けられ、一部はフォトダイオード
3に至り、レーザ出力1exとしてモニターされるよう
になっている。また、ハーフミラ−2により分けられた
残りのレーザ光は、ミラー4、スリット5、レンズ6を
通過した後、X−Y−θステージ7の上に置かれた測定
対象物である試料8に入射角αで照射されるようになっ
ている。試料8は、表面に干渉露光法で回折格子を作製
した15mmX 12mmのInP基板である。9はフ
ォトダイオードアレイで、試料8の表面からの回折光を
シリンドリカルレンズ10を介して受光できる位置に配
設されている。更に、フォトダイオードアレイ9の何番
目のフォトダイオードで回折光を受光したかにより、試
料8の表面に対する回折光の角度即ち、回折角βを算出
できるようになっている。11はフォトダイオードアレ
イで、試料8の表面からの反射光をシリンドリカルレン
ズ12を介して受光できる位置に配設されている。更に
、フォトダイオードアレイ11の何番目のフォトダイオ
ードで反射光を受光したかにより、試料8の表面に対す
る反射光の角度即ち、反射角αを算出できるようになっ
ている。
前記シリンドリカルレンズ10.12は、円柱状レンズ
とも呼ばれるもので、入射した光を直線上に集光するレ
ンズである。
とも呼ばれるもので、入射した光を直線上に集光するレ
ンズである。
13.13−はフォトダイオードで、試料8の表面から
の散乱光を受光して散乱強度1scaを測定するもので
あり、試料8の表面に対して任意の角度に設定できるよ
うになっている。14は硫化鉛からなる受光素子(以下
、PbSと称す)で、試料8の光吸収に基づくフォトル
ミネセンス光強度1pLをll1lJ定できるように配
設されている。
の散乱光を受光して散乱強度1scaを測定するもので
あり、試料8の表面に対して任意の角度に設定できるよ
うになっている。14は硫化鉛からなる受光素子(以下
、PbSと称す)で、試料8の光吸収に基づくフォトル
ミネセンス光強度1pLをll1lJ定できるように配
設されている。
第2図において、15はリレーで、フォトダイオードア
レイ9,11の出力信号を入力し、パーソナルコンピュ
ータ19の指示信号によってフォトダイオードアレイ9
.11の出力信号を切替えてデータ処理ユニット16に
出力する。データ処理ユニット16は、フォトダイオー
ドアレイ9゜11から出力される光電流をリレー15を
介して入力し、それぞれを精分し、これらの積分量をそ
れぞれ回折強度1dir、反射強度旨efとし、更にデ
ィジタルデータに変換してパーソナルコンピュータ19
に出力する。
レイ9,11の出力信号を入力し、パーソナルコンピュ
ータ19の指示信号によってフォトダイオードアレイ9
.11の出力信号を切替えてデータ処理ユニット16に
出力する。データ処理ユニット16は、フォトダイオー
ドアレイ9゜11から出力される光電流をリレー15を
介して入力し、それぞれを精分し、これらの積分量をそ
れぞれ回折強度1dir、反射強度旨efとし、更にデ
ィジタルデータに変換してパーソナルコンピュータ19
に出力する。
17は10チヤンネル用マルチチヤンネルデイジタルマ
ルチメータ(以下単にマルチメータ)で、フォトダイオ
ード3,13.13−の出力、並びにロックインアンプ
18を経由したPbS14の出力をディジタルデータに
変換してパーソナルコンピュータ19に出力する。また
、ロックインアンプ18はパーソナルコンピュータ、1
9に接続され、ロックインアンプ18の動作はパーソナ
ルコンピュータ19によって制御される。
ルチメータ(以下単にマルチメータ)で、フォトダイオ
ード3,13.13−の出力、並びにロックインアンプ
18を経由したPbS14の出力をディジタルデータに
変換してパーソナルコンピュータ19に出力する。また
、ロックインアンプ18はパーソナルコンピュータ、1
9に接続され、ロックインアンプ18の動作はパーソナ
ルコンピュータ19によって制御される。
20はステージコントローラで、パーソナルコンピュー
タ19とX−Y−θステージ7に接続され、パーソナル
コンピュータ19の指令に基づいて、X−Y−θステー
ジの位置及び角度を制御する。
タ19とX−Y−θステージ7に接続され、パーソナル
コンピュータ19の指令に基づいて、X−Y−θステー
ジの位置及び角度を制御する。
21はデイスプレィユニット及びハードコピープリンタ
からなる出力系で、パーソナルコンピュータ19によっ
て算出されたデータ等を表示及び印字するものである。
からなる出力系で、パーソナルコンピュータ19によっ
て算出されたデータ等を表示及び印字するものである。
前記周期算出手段は、リレー15、データ処理ユニット
16、パーソナルコンピュータ19及びパーソナルコン
ピュータ19を動作させる制御プログラムによって構成
される。また、前記散乱光強度算出手段は、マルチメー
タ17、パーソナルコンピュータ19及びパーソナルコ
ンピュータ19を動作させる制御プログラムによって構
成される。
16、パーソナルコンピュータ19及びパーソナルコン
ピュータ19を動作させる制御プログラムによって構成
される。また、前記散乱光強度算出手段は、マルチメー
タ17、パーソナルコンピュータ19及びパーソナルコ
ンピュータ19を動作させる制御プログラムによって構
成される。
次に、本実施例の動作を第3図に示す制御プログラムフ
ローチャートに基づいて説明する。
ローチャートに基づいて説明する。
パーソナルコンピュータ19は、測定を開始する前に、
データ処理ユニット16、ステージコントローラ20、
出力系21等の初期設定を行い(SL ) 、オペレー
タにより測定条件が入力され、測定開始の命令が入力さ
れるまで待機する(S2)(S3)。オペレータは、前
記測定条件として、試料8の名称、試料8のサイズ及び
試料8のX方向とY方向の測定間隔等をパーソナルコン
ピュータ19に入力した後、測定開始命令を入力する。
データ処理ユニット16、ステージコントローラ20、
出力系21等の初期設定を行い(SL ) 、オペレー
タにより測定条件が入力され、測定開始の命令が入力さ
れるまで待機する(S2)(S3)。オペレータは、前
記測定条件として、試料8の名称、試料8のサイズ及び
試料8のX方向とY方向の測定間隔等をパーソナルコン
ピュータ19に入力した後、測定開始命令を入力する。
パーソナルコンピュータ19は、測定開始命令を受けた
後、X−Y−θステージ7を試料8のサイズ及び測定間
隔に従って移動させ(S4 ) 、測定を行う(S5)
。また、このときX−Y−θステージ7は、次に示すブ
ラッグの条件に基づいて、フォトダイオードアレイ11
により反射光を検出できるように移動される。
後、X−Y−θステージ7を試料8のサイズ及び測定間
隔に従って移動させ(S4 ) 、測定を行う(S5)
。また、このときX−Y−θステージ7は、次に示すブ
ラッグの条件に基づいて、フォトダイオードアレイ11
により反射光を検出できるように移動される。
A−nλ/ (5Ina +sinβ) −(
2)(2)式において、α、βは、それぞれ反射角、回
折角で、λは7illj定光源1の波長である。nの値
に応じてn次の回折条件になる。
2)(2)式において、α、βは、それぞれ反射角、回
折角で、λは7illj定光源1の波長である。nの値
に応じてn次の回折条件になる。
次に、パーソナルコンピュータ19は、データ処理ユニ
ット16から回折強度1dir、反射強度1rer、回
折角β、反射角α等のデータを入力し、更にマルチメー
タ17からレーザ出力Iex s散乱強度1sca及び
フォトルミネセンス光強度1pLを入力して、前記ブラ
ッグの条件を用いて各測定点毎の回折格子の周期へを算
出する(S6)。
ット16から回折強度1dir、反射強度1rer、回
折角β、反射角α等のデータを入力し、更にマルチメー
タ17からレーザ出力Iex s散乱強度1sca及び
フォトルミネセンス光強度1pLを入力して、前記ブラ
ッグの条件を用いて各測定点毎の回折格子の周期へを算
出する(S6)。
また、回折強度1dif’、反射強度1ref’s散乱
強度1sca、及びフォトルミネセンス光強度1pLの
それぞれは時間的ゆらぎを有しているので、このゆらぎ
をなくすためにレーザ出力1exで除し、分布値のデー
タとしている。即ち、1dif/lexを回折強度の値
、Irer/Iexを反射強度の値、l5ca/ Ie
xを散乱強度の値、IpL/lexをフォトルミネセン
ス光強度の値としている。更に、分布図作成の際は、そ
れぞれの値を規格化している。
強度1sca、及びフォトルミネセンス光強度1pLの
それぞれは時間的ゆらぎを有しているので、このゆらぎ
をなくすためにレーザ出力1exで除し、分布値のデー
タとしている。即ち、1dif/lexを回折強度の値
、Irer/Iexを反射強度の値、l5ca/ Ie
xを散乱強度の値、IpL/lexをフォトルミネセン
ス光強度の値としている。更に、分布図作成の際は、そ
れぞれの値を規格化している。
次に、最終測定点に至ったか否かを判断しくS7 )
、最終測定点に至っていないときはS4の処理に移行し
て、X−Y−θステージを移動させた後、S5.S8の
処理を実行する。
、最終測定点に至っていないときはS4の処理に移行し
て、X−Y−θステージを移動させた後、S5.S8の
処理を実行する。
S7の判断の結果、最終測定点に至っているときは、デ
ータ処理ユニット16とマルチメータ17から入力した
複数のデータ及びこれらのデータから算出した値等をパ
ーソナルコンピュータ19の中に備わるメモリに蓄積す
ると共に(S8)、出力系21にデータ出力する(S9
)。次に、測定終了か否かの判定を行う(S 10)。
ータ処理ユニット16とマルチメータ17から入力した
複数のデータ及びこれらのデータから算出した値等をパ
ーソナルコンピュータ19の中に備わるメモリに蓄積す
ると共に(S8)、出力系21にデータ出力する(S9
)。次に、測定終了か否かの判定を行う(S 10)。
この測定終了の判定は、オペレータによって測定終了命
令が入力されたときに測定終了とし、測定継続命令が入
力されたときSlの処理に移行して測定を継続できる状
態にする。
令が入力されたときに測定終了とし、測定継続命令が入
力されたときSlの処理に移行して測定を継続できる状
態にする。
本実施例においては、試料8の周期への値を正確に1オ
ングストロ一ム単位で求めることができた。更に、周期
Aの値を算出するには1秒も要せず、従来のゴニオメー
タ等を用いた回折光と反射光の角度差を求める方法と比
べると、精度、時間ともに著しい向上をはかることがで
きた。
ングストロ一ム単位で求めることができた。更に、周期
Aの値を算出するには1秒も要せず、従来のゴニオメー
タ等を用いた回折光と反射光の角度差を求める方法と比
べると、精度、時間ともに著しい向上をはかることがで
きた。
本実施例において測定を行った例として、第4図に回折
格子の周期分布図を、第5図に回折強度分布図をそれぞ
れ示す。測定した試料は、前記試料8のInP基、板で
、測定光源1にはII e −Cdレーザ(λ−363
.8nrA)を用いた。第4図においては、周期の分布
を2オングストローム毎に、2398オングストローム
、2400オングストローム、2402オングストロー
ムの周期分布を表わしている。また、第5図においては
、回折強度を10段階の濃淡で表わしている。
格子の周期分布図を、第5図に回折強度分布図をそれぞ
れ示す。測定した試料は、前記試料8のInP基、板で
、測定光源1にはII e −Cdレーザ(λ−363
.8nrA)を用いた。第4図においては、周期の分布
を2オングストローム毎に、2398オングストローム
、2400オングストローム、2402オングストロー
ムの周期分布を表わしている。また、第5図においては
、回折強度を10段階の濃淡で表わしている。
第6図に、走査型電子顕微鏡で実?ipJシた試料8の
回折格子の深さと本実施例で測定した回折強度の関係を
示す。図において、横軸は回折格子の深さを、縦軸は回
折強度をそれぞれ表わしている。
回折格子の深さと本実施例で測定した回折強度の関係を
示す。図において、横軸は回折格子の深さを、縦軸は回
折強度をそれぞれ表わしている。
また、測定値は、n1定に際しての誤差を含んでいるの
で、図中に、その誤差をエラーパーで示した。
で、図中に、その誤差をエラーパーで示した。
この結果、回折強度は回折格子の深さと直線性を有する
関係にあることがわかる。走査型電子顕微鏡の測定限界
は数十n111であるが、本測定装置で測定した回折強
度を、本実施例で予測した素子特性即ち、前記回折強度
と回折格子の深さとの直線性を有する関係に対応させる
ことにより、本測定装置では回折格子の深さを数n+m
までn1定することが可能である。
関係にあることがわかる。走査型電子顕微鏡の測定限界
は数十n111であるが、本測定装置で測定した回折強
度を、本実施例で予測した素子特性即ち、前記回折強度
と回折格子の深さとの直線性を有する関係に対応させる
ことにより、本測定装置では回折格子の深さを数n+m
までn1定することが可能である。
尚、本実施例においては、il’P1定光源1としてH
e−Cdレーザ(λ−383,8na+)を用いたが、
試料8の周期Aにより、種々の波長λのレーザを選択し
て用いることにより高精度の測定データを得ることがで
きる。
e−Cdレーザ(λ−383,8na+)を用いたが、
試料8の周期Aにより、種々の波長λのレーザを選択し
て用いることにより高精度の測定データを得ることがで
きる。
また、本実施例では、散乱光を受光するためのフォトダ
イオードを2個しか配設していないが多数配設すること
により、複数の方向への散乱光強度を同時に得ることが
できるため、より詳細な形状解析を行うことができる。
イオードを2個しか配設していないが多数配設すること
により、複数の方向への散乱光強度を同時に得ることが
できるため、より詳細な形状解析を行うことができる。
また、本発明の測定装置を用いると、周期性表面構造の
周期、深さ、並びに形状に関する基板面内分布の迅速な
測定が可能になる。従来、回折格子の周期分布は光学的
には、基板の面内数点を測定した例しかなく、本装置は
周期の面内分布を、空間分解能として入射光のスポット
サイズ(約50μm)まで測定できる。これは従来の技
術では不可能であり、新しい技術として位置付けられる
ものである。
周期、深さ、並びに形状に関する基板面内分布の迅速な
測定が可能になる。従来、回折格子の周期分布は光学的
には、基板の面内数点を測定した例しかなく、本装置は
周期の面内分布を、空間分解能として入射光のスポット
サイズ(約50μm)まで測定できる。これは従来の技
術では不可能であり、新しい技術として位置付けられる
ものである。
(発明の効果)
以上説明したように本発明の請求項1によれば、周期的
な表面構造を有する測定対象物の表面にレーザ光を照射
し、該8111定対象物の表面からの回折光と反射光の
それぞれの該測定対象物の表面に対する角度から該測定
対象物の表面構造の形状を求める周期性表面構造のal
lJ定装置において、前記測定対象物の表面構造の周期
に対応した回折光と反射光をそれぞれ独立に、且つ同時
に受光する複数の受光素子アレイを設け、前記複数の受
光素子アレイの出力信号に基づいて、前記表面構造の周
期を算出する周期算出手段を備えたので、周期性表面構
造の光学的な総合#111定を短時間に且つ非破壊で行
うことができるため、素子作成プロセスの歩溜まりの著
しい向上、並びに素子特性の予測を行える等の利点を有
する。また、回折を起こすような周期的な構造をもつも
のであれば、どのようなr(1定対象物でも周期の正確
な411定、分布状態の観察を行うことができる。更に
、長さ及び深さの測定が原子のオーダーまで可能であり
、さらに改良することによって、新しい型の顕微鏡へと
発展することが期待できる。
な表面構造を有する測定対象物の表面にレーザ光を照射
し、該8111定対象物の表面からの回折光と反射光の
それぞれの該測定対象物の表面に対する角度から該測定
対象物の表面構造の形状を求める周期性表面構造のal
lJ定装置において、前記測定対象物の表面構造の周期
に対応した回折光と反射光をそれぞれ独立に、且つ同時
に受光する複数の受光素子アレイを設け、前記複数の受
光素子アレイの出力信号に基づいて、前記表面構造の周
期を算出する周期算出手段を備えたので、周期性表面構
造の光学的な総合#111定を短時間に且つ非破壊で行
うことができるため、素子作成プロセスの歩溜まりの著
しい向上、並びに素子特性の予測を行える等の利点を有
する。また、回折を起こすような周期的な構造をもつも
のであれば、どのようなr(1定対象物でも周期の正確
な411定、分布状態の観察を行うことができる。更に
、長さ及び深さの測定が原子のオーダーまで可能であり
、さらに改良することによって、新しい型の顕微鏡へと
発展することが期待できる。
また、請求項2によれば、周期的な表面構造を有する測
定対象物の表面にレーザ光を照射し、該測定対象物の表
面からの回折光と反射光のそれぞれの該測定対象物の表
面に対する角度から該JIIJ定対象物の表面構造の形
状を求める周期性表面構造の測定装置において、前記測
定対象物の表面構造の周期に対応した回折光と反射光を
それぞれ独立に、且つ同時に受光する複数の受光素子ア
レイを設け、前記複数の受光素子アレイの出力信号に基
づいて、前記表面構造の周期を算出する周期算出手段を
備えると共に、前記測定対象物の表面からの散乱光を受
光する2個以上の受光素子と、前記2個以上の受光素子
のそれぞれの出力信号に基づいて、前記散乱光の強度を
算出する散乱光強度算出手段とを備えたので、測定対象
物表面から複数の方向への散乱光の強度を同時に得るこ
とができるため、71111定対象物の表面構造をより
詳細に解析、観察することができる。
定対象物の表面にレーザ光を照射し、該測定対象物の表
面からの回折光と反射光のそれぞれの該測定対象物の表
面に対する角度から該JIIJ定対象物の表面構造の形
状を求める周期性表面構造の測定装置において、前記測
定対象物の表面構造の周期に対応した回折光と反射光を
それぞれ独立に、且つ同時に受光する複数の受光素子ア
レイを設け、前記複数の受光素子アレイの出力信号に基
づいて、前記表面構造の周期を算出する周期算出手段を
備えると共に、前記測定対象物の表面からの散乱光を受
光する2個以上の受光素子と、前記2個以上の受光素子
のそれぞれの出力信号に基づいて、前記散乱光の強度を
算出する散乱光強度算出手段とを備えたので、測定対象
物表面から複数の方向への散乱光の強度を同時に得るこ
とができるため、71111定対象物の表面構造をより
詳細に解析、観察することができる。
第1図は本発明の一実施例における光学系配置図、第2
図は本発明の一実施例における測定処理系統図、第3図
は本発明の一実施例における制御プログラムフローチャ
ート、第4図は本発明の一実施例による回折格子の周期
分布の測定例を示す図、第5図は本発明の一実施例によ
る回折強度分布の測定例を示す図、第6図は回折強度と
回折格子の深さの関係を示す図である。 1・・・測定光源、2・・・ハーフミラ−3,13゜1
3″・・・フォトダイオード、4・・・ミラー 5・・
・スリット、6・・・レンズ、7・・・X−Y−〇ステ
ージ、8・・・試料、9,11・・・フォトダイオード
アレイ、10.12・・・シリンドリカルレンズ、14
・・・pbs 。 15・・・リレー 16・・・データ処理ユニット、1
7・・・マルチチャンネルディジタルマルチメータ、1
8・・・ロック、インアンプ、19・・・パーソナルコ
ンピュータ、20・・・ステージコントローラ、21・
・・出力系。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 吉 1)精 孝 第3図 第4図 回J’l梧子の1:!(nm)
図は本発明の一実施例における測定処理系統図、第3図
は本発明の一実施例における制御プログラムフローチャ
ート、第4図は本発明の一実施例による回折格子の周期
分布の測定例を示す図、第5図は本発明の一実施例によ
る回折強度分布の測定例を示す図、第6図は回折強度と
回折格子の深さの関係を示す図である。 1・・・測定光源、2・・・ハーフミラ−3,13゜1
3″・・・フォトダイオード、4・・・ミラー 5・・
・スリット、6・・・レンズ、7・・・X−Y−〇ステ
ージ、8・・・試料、9,11・・・フォトダイオード
アレイ、10.12・・・シリンドリカルレンズ、14
・・・pbs 。 15・・・リレー 16・・・データ処理ユニット、1
7・・・マルチチャンネルディジタルマルチメータ、1
8・・・ロック、インアンプ、19・・・パーソナルコ
ンピュータ、20・・・ステージコントローラ、21・
・・出力系。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 吉 1)精 孝 第3図 第4図 回J’l梧子の1:!(nm)
Claims (2)
- (1)周期的な表面構造を有する測定対象物の表面にレ
ーザ光を照射し、該測定対象物の表面からの回折光と反
射光のそれぞれの該測定対象物の表面に対する角度から
該測定対象物の表面構造の形状を求める周期性表面構造
の測定装置において、前記測定対象物の表面構造の周期
に対応した回折光と反射光をそれぞれ独立に、且つ同時
に受光する複数の受光素子アレイを設け、 前記複数の受光素子アレイの出力信号に基づいて、前記
表面構造の周期を算出する周期算出手段を備えた ことを特徴とする周期性表面構造の測定装置。 - (2)測定対象物の表面からの散乱光を受光する2個以
上の受光素子と、 前記2個以上の受光素子のそれぞれの出力信号に基づい
て、前記散乱光の強度を算出する散乱光強度算出手段と
を備えた ことを特徴とする請求項1記載の周期性表面構造の測定
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21249388A JPH0261511A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 周期性表面構造の測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21249388A JPH0261511A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 周期性表面構造の測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0261511A true JPH0261511A (ja) | 1990-03-01 |
Family
ID=16623568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21249388A Pending JPH0261511A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 周期性表面構造の測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0261511A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011033436A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Katsura Opto Systems:Kk | チルトセンサ |
| JP2018151353A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-27 | ファナック株式会社 | 計測装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61945A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク溝形状測定装置 |
| JPS6337205A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-17 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 表面粗さ測定方法 |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP21249388A patent/JPH0261511A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61945A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク溝形状測定装置 |
| JPS6337205A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-17 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 表面粗さ測定方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011033436A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Katsura Opto Systems:Kk | チルトセンサ |
| JP2018151353A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-27 | ファナック株式会社 | 計測装置 |
| US10203201B2 (en) | 2017-03-15 | 2019-02-12 | Fanuc Corporation | Measurement device |
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