JPH0263014A - 光透過型液晶表示体 - Google Patents
光透過型液晶表示体Info
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Landscapes
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- Laminated Bodies (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガラス、プラスチック、セラミック、結晶体
等の透明な絶縁体上に半導体層を形成し、その上に目的
とする金属メツキした無電解メツキ〔従来の技術〕 従来、液晶表示体は、透明導電膜が形成された2枚のガ
ラス板の間に液晶を約10μの厚さで封入し、この透明
導電膜に電界をかけて、この電界のかけた部分だけの液
晶の配列を変えて偏光板を用いて表示するものであった
。
等の透明な絶縁体上に半導体層を形成し、その上に目的
とする金属メツキした無電解メツキ〔従来の技術〕 従来、液晶表示体は、透明導電膜が形成された2枚のガ
ラス板の間に液晶を約10μの厚さで封入し、この透明
導電膜に電界をかけて、この電界のかけた部分だけの液
晶の配列を変えて偏光板を用いて表示するものであった
。
また、透明導電膜は抵抗が大きいため、マトリックス表
示の場合は、マトリックスパネルの行電極、列電極等の
抵抗値が大きいので、これらの抵抗値を低くするために
、極く細い金属膜を行電極、列電極等に用いて抵抗値を
下げるという方法は、特開昭50−50948、’特開
昭51−131298 ナトG::見うレるが、液晶表
示体の通過光防止については具体的な記載は見当らない
。
示の場合は、マトリックスパネルの行電極、列電極等の
抵抗値が大きいので、これらの抵抗値を低くするために
、極く細い金属膜を行電極、列電極等に用いて抵抗値を
下げるという方法は、特開昭50−50948、’特開
昭51−131298 ナトG::見うレるが、液晶表
示体の通過光防止については具体的な記載は見当らない
。
したがって、これらの方法では液晶表示体を透過光とし
て利用する場合、電界のかかったところと、電界のかか
らないところとを比較すると光を透過させる部分(画像
部すなわち画像)はよいとしても、光を非透過とする部
分にあっては、必ず充 若干の光モレがあることから、胎透過型液晶表示体例え
ばカメラ写し込み用液晶表示体にはフィルムを感光させ
てしまい、フィルムに写し込むべきパターンが明瞭に写
すことができず、またフィルムの余分な面まで感光させ
てしまい、写真の外観を損なうものであった。
て利用する場合、電界のかかったところと、電界のかか
らないところとを比較すると光を透過させる部分(画像
部すなわち画像)はよいとしても、光を非透過とする部
分にあっては、必ず充 若干の光モレがあることから、胎透過型液晶表示体例え
ばカメラ写し込み用液晶表示体にはフィルムを感光させ
てしまい、フィルムに写し込むべきパターンが明瞭に写
すことができず、またフィルムの余分な面まで感光させ
てしまい、写真の外観を損なうものであった。
そこで、本発明は上記のような問題点を解決し、写し込
み性能のよい液晶表示体を提供しようとするものである
。
み性能のよい液晶表示体を提供しようとするものである
。
本発明の光透過型液晶表示体は、
相対向する各々透明基板上に透明電極を有し、前記透明
基板間に液晶を挟持して電界の印加により駆動させて画
像を表示するカメラ写し込み用液晶表示体において、 一方の透明基板の透明電極上には前記画1象に相当する
透明電極以外のところに無電メツキ波膜が形成されてい
ることを特徴とする。
基板間に液晶を挟持して電界の印加により駆動させて画
像を表示するカメラ写し込み用液晶表示体において、 一方の透明基板の透明電極上には前記画1象に相当する
透明電極以外のところに無電メツキ波膜が形成されてい
ることを特徴とする。
本発明の詳細な説明する前に、本発明に用いる無電解メ
ツキ体の製造方法について述べる。
ツキ体の製造方法について述べる。
この無電解メツキ体の製造方法は従来の前工程を省き、
絶縁体基板上に半導体層を形成することによって密着性
の良い、均一なメツキ膜を得る方法を示すものである。
絶縁体基板上に半導体層を形成することによって密着性
の良い、均一なメツキ膜を得る方法を示すものである。
この無電解メツキの概要は以下の通りである。
ガラス、プラスチック、セラミック、結晶体等の絶縁体
基板上にCVD (化学気相蒸着)、スパッタ、蒸着、
浸漬法等によりIn203.5n02、TiO2等の半
導体層を形成する。その基板に無電解メツキの通常の前
処理工程を行う。即ち、脱脂としてアルカリ性液中での
超音波洗浄、酸中和、水洗を行う。次に塩化第一スズ(
SnCl72)溶液(ご基板を浸漬する。これは、メツ
キすべき金属の析出核となる触媒性金属の微粒を表面各
部に一様に還元分布させるために使用される還元溶液で
あり、この溶液に浸漬処理を行うことをセンシタイジン
グという。次に、表面の活性化を行う。これはメツキ金
属の生長核となりメツキ反応の触媒として働く微粒子を
被メツキ体表面に付着させることによって自動的に反応
を始動させ、メツキ膜の密着性を向上させるために行う
操作でアクティベーティングという。前述のセンシタイ
ジングによって基板表面上に付着している5nCfJ2
のSnと活性触媒である金属とガイオン化傾向の相違に
より置換されるといわれている。活性化液としては、塩
化パラジウム溶液(260g2)、硝酸銀溶液(AgN
O3)、全溶液(HAuC# 4 )等が使用されてい
る。
基板上にCVD (化学気相蒸着)、スパッタ、蒸着、
浸漬法等によりIn203.5n02、TiO2等の半
導体層を形成する。その基板に無電解メツキの通常の前
処理工程を行う。即ち、脱脂としてアルカリ性液中での
超音波洗浄、酸中和、水洗を行う。次に塩化第一スズ(
SnCl72)溶液(ご基板を浸漬する。これは、メツ
キすべき金属の析出核となる触媒性金属の微粒を表面各
部に一様に還元分布させるために使用される還元溶液で
あり、この溶液に浸漬処理を行うことをセンシタイジン
グという。次に、表面の活性化を行う。これはメツキ金
属の生長核となりメツキ反応の触媒として働く微粒子を
被メツキ体表面に付着させることによって自動的に反応
を始動させ、メツキ膜の密着性を向上させるために行う
操作でアクティベーティングという。前述のセンシタイ
ジングによって基板表面上に付着している5nCfJ2
のSnと活性触媒である金属とガイオン化傾向の相違に
より置換されるといわれている。活性化液としては、塩
化パラジウム溶液(260g2)、硝酸銀溶液(AgN
O3)、全溶液(HAuC# 4 )等が使用されてい
る。
この場合基板上に形成された半導体層により、触媒金属
の密着性の向上及び無電解メツキ波膜の密着性の向上が
なされている。但し、無電解メツキのメッキ厚が2μm
を越えるとメツキ層の剛性か増し基板との密着性が極め
て悪くなるため、メッキ厚を2μm以下とする。
の密着性の向上及び無電解メツキ波膜の密着性の向上が
なされている。但し、無電解メツキのメッキ厚が2μm
を越えるとメツキ層の剛性か増し基板との密着性が極め
て悪くなるため、メッキ厚を2μm以下とする。
ここで、塩化第一スズと塩化パラジウムの両塩を含んだ
溶液によって、センシタイジングとアクティベイティン
グを同時に行ってもよい。以上のようにして得られた活
性化された基板を、公知の無電解ニッケル浴、無電解銅
浴、無電解コバルト浴、無電解金浴(置換型メツキ浴で
なく、自己触媒型メツキ浴)等に、それぞれに適当な濃
度、温度条件により浸漬する。このようにして得られた
メツキ被膜は、半導体層の付いていない部分へのメツキ
波膜に比較して、均一であり密着性も向上した。
溶液によって、センシタイジングとアクティベイティン
グを同時に行ってもよい。以上のようにして得られた活
性化された基板を、公知の無電解ニッケル浴、無電解銅
浴、無電解コバルト浴、無電解金浴(置換型メツキ浴で
なく、自己触媒型メツキ浴)等に、それぞれに適当な濃
度、温度条件により浸漬する。このようにして得られた
メツキ被膜は、半導体層の付いていない部分へのメツキ
波膜に比較して、均一であり密着性も向上した。
以下製造例を用いて詳細に説明する。
製造例 l
CVD (化学気相蒸着)によってS n O2が片面
付いたホウケイ酸系ガラス(25mmX 100mm)
を3%KOH溶液で脱脂、水洗後、塩化第一スズ1容液
(SnCl2 2 、 lsr/g 、HCΩ
lcc/g)に5分間浸漬する。後、充分水洗し、塩化
パラジウム溶液(260g2.2g/R,20cc/Ω
)に5分間浸漬する。後、充分水洗し、日本カニゼン(
株)製のシューマー8680を純水にて8倍希釈した無
電解ニッケル浴(50℃)にガラス基板を5分間浸漬し
、水洗、湯洗後乾燥した。
付いたホウケイ酸系ガラス(25mmX 100mm)
を3%KOH溶液で脱脂、水洗後、塩化第一スズ1容液
(SnCl2 2 、 lsr/g 、HCΩ
lcc/g)に5分間浸漬する。後、充分水洗し、塩化
パラジウム溶液(260g2.2g/R,20cc/Ω
)に5分間浸漬する。後、充分水洗し、日本カニゼン(
株)製のシューマー8680を純水にて8倍希釈した無
電解ニッケル浴(50℃)にガラス基板を5分間浸漬し
、水洗、湯洗後乾燥した。
得られたメツキ面(メッキ厚1600’ )で20kg
の圧力をかけて6回こすったところ、Sn02層につい
てニッケル面には何の変化も見られなかったが、ガラス
面に直接ついたニッケル面にはニッケルが剥離した跡が
見られた。
の圧力をかけて6回こすったところ、Sn02層につい
てニッケル面には何の変化も見られなかったが、ガラス
面に直接ついたニッケル面にはニッケルが剥離した跡が
見られた。
製造例 2
蒸着によってIn2O3が片面材いたホウケイ酸系ガラ
ス(25mmX 100n+n+)を実施例1と同様の
メツキ工程によってニッケルメッキ(1600厚)を行
った。得られたメツキ面をサランで20kgの圧力をか
けて6回こすったところ、In2O3層についたニッケ
ルメッキには何の変化も見られなかったが、ガラス面に
直接ついたニッケル面にはニッケルが剥離した跡が見ら
れた。
ス(25mmX 100n+n+)を実施例1と同様の
メツキ工程によってニッケルメッキ(1600厚)を行
った。得られたメツキ面をサランで20kgの圧力をか
けて6回こすったところ、In2O3層についたニッケ
ルメッキには何の変化も見られなかったが、ガラス面に
直接ついたニッケル面にはニッケルが剥離した跡が見ら
れた。
製造例 3
蒸着によって5n02が片面たけ付いたPET(ポリエ
チレンテレフタレート)フィルムを3%KOHで脱脂水
洗後、日立化成製増感剤H5−101Bを所定の手段に
て希釈した溶液に3分間浸漬し、水洗後、日立化成製密
着促進剤ADP−201をイオン交換水にて8倍希釈し
た溶液に5分間浸漬し、水洗後、日本カニゼン(株)製
のシューマー3680をイオン交換水にて8倍希釈した
無電解ニッケル浴(45℃)に30分間(メツキ層1μ
)浸漬した。両面にニッケルが析出したが、5n02の
蒸着された面に付いたニッケル皮膜は均一で鏡面となっ
たが、5n02の付いていない面は不均一なメツキ面と
なった。メツキの密着性を調べる目的で、粘着テープを
両面に貼りはがした。5n02の蒸着された面に付いた
ニッケル皮膜は剥離しなかったが、5n02の付いてい
ない面のニッケル皮膜は剥離した。
チレンテレフタレート)フィルムを3%KOHで脱脂水
洗後、日立化成製増感剤H5−101Bを所定の手段に
て希釈した溶液に3分間浸漬し、水洗後、日立化成製密
着促進剤ADP−201をイオン交換水にて8倍希釈し
た溶液に5分間浸漬し、水洗後、日本カニゼン(株)製
のシューマー3680をイオン交換水にて8倍希釈した
無電解ニッケル浴(45℃)に30分間(メツキ層1μ
)浸漬した。両面にニッケルが析出したが、5n02の
蒸着された面に付いたニッケル皮膜は均一で鏡面となっ
たが、5n02の付いていない面は不均一なメツキ面と
なった。メツキの密着性を調べる目的で、粘着テープを
両面に貼りはがした。5n02の蒸着された面に付いた
ニッケル皮膜は剥離しなかったが、5n02の付いてい
ない面のニッケル皮膜は剥離した。
製造例 4
蒸着によって5n02が片面だけ付いたガラスを実施例
3と同様の工程で前処理を行った。
3と同様の工程で前処理を行った。
このようにして活性化されたガラス基板をシアン金カリ
ウム 5.8g/lシアン化カリウム
6.5g/Ω水酸化カリウム 11.2g
/D水素化ホウ素カリウム 10.8g/IIの組成
のメツキ浴(70℃)に30分間浸漬し、水洗後乾燥し
た。5n02が付いている側には均一な金メツキ皮膜が
付いたが、ガラス基板上にはほとんど金メツキ皮膜がつ
かなかった。
ウム 5.8g/lシアン化カリウム
6.5g/Ω水酸化カリウム 11.2g
/D水素化ホウ素カリウム 10.8g/IIの組成
のメツキ浴(70℃)に30分間浸漬し、水洗後乾燥し
た。5n02が付いている側には均一な金メツキ皮膜が
付いたが、ガラス基板上にはほとんど金メツキ皮膜がつ
かなかった。
製造例 5
蒸着によって5n02が片面だけ付いたホウケイ酸系ガ
ラスを実施例3と同様の工程で前処理を行った。無電解
メツキ浴としては、日本カニゼン(株)製のシューマー
5680をイオン交換水にて8倍希釈した無電解ニッケ
ル浴(40℃)に、活性化されたガラス基板を6分間浸
漬し、水洗、湯洗後乾燥した。5n02の付いた面には
ニッケルメッキ被膜(メッキ厚1500 )が均一に
付いたのであるが、5n02の付いていない面にはほと
んどニッケルメッキ被膜が付かなかった。密着性を調べ
るために、サランで20kgの圧力をかけて6回こすっ
たがメツキ面には何の変化も起らなかった。
ラスを実施例3と同様の工程で前処理を行った。無電解
メツキ浴としては、日本カニゼン(株)製のシューマー
5680をイオン交換水にて8倍希釈した無電解ニッケ
ル浴(40℃)に、活性化されたガラス基板を6分間浸
漬し、水洗、湯洗後乾燥した。5n02の付いた面には
ニッケルメッキ被膜(メッキ厚1500 )が均一に
付いたのであるが、5n02の付いていない面にはほと
んどニッケルメッキ被膜が付かなかった。密着性を調べ
るために、サランで20kgの圧力をかけて6回こすっ
たがメツキ面には何の変化も起らなかった。
以上のように、絶縁体の基板上に半導体層を媒介として
無電解メツキを行うと、均一かつ密告力の強いメツキ面
が得られた。
無電解メツキを行うと、均一かつ密告力の強いメツキ面
が得られた。
なお、これらの基板に画像を形成させるには公知の方法
でエツチングをしてメツキ被膜を除去すればよい。
でエツチングをしてメツキ被膜を除去すればよい。
以上の製造例で示したような液晶パネル用無電解メツキ
体を用いたカメラ写し込み用液晶表示体について例示的
に説明する。
体を用いたカメラ写し込み用液晶表示体について例示的
に説明する。
第1図はカメラの日付は写し込み用の液晶表示体(液晶
パネル)である。1.2はパネルの前面及び背面基板で
あり0.4mmの厚さのガラスからなる。3.4はCV
Dによって形成されたSnO2の透明電極である。5は
本発明の手段によって付けられた1200 厚のニッケ
ルメッキであり、5aは画像部である。6は10μのギ
ャップ剤を含んだエポキシ樹脂のシール剤である。この
ようにして成るパネルに所定の成分を持つ正の液晶組成
物を7を注入する。8は偏光板である。
パネル)である。1.2はパネルの前面及び背面基板で
あり0.4mmの厚さのガラスからなる。3.4はCV
Dによって形成されたSnO2の透明電極である。5は
本発明の手段によって付けられた1200 厚のニッケ
ルメッキであり、5aは画像部である。6は10μのギ
ャップ剤を含んだエポキシ樹脂のシール剤である。この
ようにして成るパネルに所定の成分を持つ正の液晶組成
物を7を注入する。8は偏光板である。
第2図はカメラの日付は写し込み機構の模式図である。
9は光源、10は第1図に示したパネル及びその支持体
、11はフィルムである。パネルが日付けを表示し、1
1のフィルムに写し込むのであるが、第1図の5のニッ
ケルメッキがなされていないと、光がいく分か偏光板か
らもれ、写真にパネルの全体の輪郭が写ることになり都
合が悪い。ニッケルメッキを行ったことによりその光の
もれを防ぐことが出来、写真には日付けの数字だけが鮮
明に写るようになった。第1図の5の部分は、蒸着、ス
パッタ等の手段でも他の金属を付けることはできるが、
コストの面から考えると本発明による無電解メツキ体の
応用として、プラスチックフィルムを硝酸イソジウム液
に浸漬し、200℃にて焼成する。これを実施例2と同
様の方法によりニッケルメッキを行い、所定のパターン
にエッチメングすれば回路基板が出来る。
、11はフィルムである。パネルが日付けを表示し、1
1のフィルムに写し込むのであるが、第1図の5のニッ
ケルメッキがなされていないと、光がいく分か偏光板か
らもれ、写真にパネルの全体の輪郭が写ることになり都
合が悪い。ニッケルメッキを行ったことによりその光の
もれを防ぐことが出来、写真には日付けの数字だけが鮮
明に写るようになった。第1図の5の部分は、蒸着、ス
パッタ等の手段でも他の金属を付けることはできるが、
コストの面から考えると本発明による無電解メツキ体の
応用として、プラスチックフィルムを硝酸イソジウム液
に浸漬し、200℃にて焼成する。これを実施例2と同
様の方法によりニッケルメッキを行い、所定のパターン
にエッチメングすれば回路基板が出来る。
以上の通り、本発明によれば、画像部分以外に無電解メ
ツキ被膜を形成することにより、透過光を完全に遮断す
ることができるので、鮮明な画像を与えることができる
。
ツキ被膜を形成することにより、透過光を完全に遮断す
ることができるので、鮮明な画像を与えることができる
。
また無電解メツキで半導体からなる電極上に被膜を形成
させであるので、基板上の透明電極と極めて密着がよく
、電界を印加として作動させても剥離したりすることの
ない極めて密着性のよい被膜を形成させることができ耐
久性が極めてすぐれている。
させであるので、基板上の透明電極と極めて密着がよく
、電界を印加として作動させても剥離したりすることの
ない極めて密着性のよい被膜を形成させることができ耐
久性が極めてすぐれている。
などの効果を有する。
第1図は液晶パネルの主要断面図である。
第2図はカメラの日付は写し込み機能の模式図である。
1.2・・・前面及び背面基板
3.4・・・透明電極
5・・・φ・ニッケルメッキ層
5a・・・・画像部
6・・・・・シール剤
7・・・・・液晶
8・・・・・偏光板
9・会・・・光源としてのランプ
10・・・・液晶パネル及びその支持体11参〇・$フ
ィルム 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部(他1名)第1図 第2図
ィルム 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部(他1名)第1図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 相対向する各々の透明、基板上に透明電極を有し、前記
透明基板間に液晶を挟持して電界の印加により駆動させ
て画像を表示する光透過型液晶表示体において、 一方の透明基板の透明電極上には前記画像に相当する透
明電極以外のところに無電メッキ被膜が形成されている
ことを特徴とする光透過型液晶表示体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1064606A JPH0263014A (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 光透過型液晶表示体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1064606A JPH0263014A (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 光透過型液晶表示体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55148486A Division JPS6021225B2 (ja) | 1980-10-23 | 1980-10-23 | 無電解メツキ体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0263014A true JPH0263014A (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=13263087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1064606A Pending JPH0263014A (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 光透過型液晶表示体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0263014A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924454A (ja) * | 1972-06-29 | 1974-03-04 |
-
1989
- 1989-03-16 JP JP1064606A patent/JPH0263014A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924454A (ja) * | 1972-06-29 | 1974-03-04 |
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