JPH1115009A - 表示装置の製造方法 - Google Patents
表示装置の製造方法Info
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- JPH1115009A JPH1115009A JP16307797A JP16307797A JPH1115009A JP H1115009 A JPH1115009 A JP H1115009A JP 16307797 A JP16307797 A JP 16307797A JP 16307797 A JP16307797 A JP 16307797A JP H1115009 A JPH1115009 A JP H1115009A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 41
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 claims abstract description 19
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- 239000011538 cleaning material Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 abstract 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 abstract 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 abstract 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 21
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910017888 Cu—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005844 autocatalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明電極パターンとめっき層の密着性を向上
させ、めっき層の膨れや剥がれを防止する。 【解決手段】 液晶セルを形成した後に、透明電極パタ
ーン上の配向汚れを除去する工程と、触媒を付与する工
程と、透明電極パターン上に無電解めっきによりＮｉめ
っき層を設ける工程とＮｉめっき層上に無電解めっきに
より上部めっき層を設ける工程により透明電極パターン
上にめっき層を形成する。
させ、めっき層の膨れや剥がれを防止する。 【解決手段】 液晶セルを形成した後に、透明電極パタ
ーン上の配向汚れを除去する工程と、触媒を付与する工
程と、透明電極パターン上に無電解めっきによりＮｉめ
っき層を設ける工程とＮｉめっき層上に無電解めっきに
より上部めっき層を設ける工程により透明電極パターン
上にめっき層を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス基板や有機フ
ィルム等の上に形成した透明電極層上に更に無電解めっ
きによりめっき層を被覆した表示装置の製造方法に関す
るものである。
ィルム等の上に形成した透明電極層上に更に無電解めっ
きによりめっき層を被覆した表示装置の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ガラス基板の上に駆動用半導体素
子を搭載したＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ＯｎＧｌａｓｓ，チッ
プ・オン・グラス）方式の液晶表示モジュールが提案さ
れ、既に実用化されている。ＣＯＧ方式の液晶モジュー
ルによれば、ＩＴＯを透明導電材として用いて、透明導
電層を形成しているが、そのＩＴＯ自体の抵抗値（シー
ト抵抗：１０〜２００Ω／□）が大きいために、駆動用
半導体を駆動させるだけの十分な電流量を確保すること
ができなかった。
子を搭載したＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ＯｎＧｌａｓｓ，チッ
プ・オン・グラス）方式の液晶表示モジュールが提案さ
れ、既に実用化されている。ＣＯＧ方式の液晶モジュー
ルによれば、ＩＴＯを透明導電材として用いて、透明導
電層を形成しているが、そのＩＴＯ自体の抵抗値（シー
ト抵抗：１０〜２００Ω／□）が大きいために、駆動用
半導体を駆動させるだけの十分な電流量を確保すること
ができなかった。
【０００３】そこで、ＩＴＯ透明導電層の上にＮｉ−Ｐ
系もしくはＮｉ−Ｂ系等のめっき膜及びそれらを組み合
わせた膜の上にＡｕ等の金属を蒸着法やスパッタ法もし
くは無電解めっき法等により形成する構造が提案されて
いる。（特開平３−６４８６９号、特開昭６３−２５５
３７７号参照）。そして、上記成膜法のうち、選択的に
成膜でき、かつ、成膜コストが低減できる無電解めっき
法を採用する傾向がある。
系もしくはＮｉ−Ｂ系等のめっき膜及びそれらを組み合
わせた膜の上にＡｕ等の金属を蒸着法やスパッタ法もし
くは無電解めっき法等により形成する構造が提案されて
いる。（特開平３−６４８６９号、特開昭６３−２５５
３７７号参照）。そして、上記成膜法のうち、選択的に
成膜でき、かつ、成膜コストが低減できる無電解めっき
法を採用する傾向がある。
【０００４】また、ＣＯＧ方式の液晶モジュールにおい
て、上記無電解めっきを行う場合には、（１）２枚のガ
ラス基板を貼り合わせる前の段階の各ガラス基板に対し
てめっきする方法、あるいは、（２）２枚のガラス基板
を貼り合わせした後の液晶セルにめっきする方法、があ
るが、生産効率や工程内不良損失を低減するために、後
者（２）の方法を採用する傾向にある。
て、上記無電解めっきを行う場合には、（１）２枚のガ
ラス基板を貼り合わせる前の段階の各ガラス基板に対し
てめっきする方法、あるいは、（２）２枚のガラス基板
を貼り合わせした後の液晶セルにめっきする方法、があ
るが、生産効率や工程内不良損失を低減するために、後
者（２）の方法を採用する傾向にある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
（２）の方法にしたがって無電解めっきをおこなった場
合には、透明導電層と無電解めっきとの密着性が悪いと
いう問題点がある。以下にこの問題点を図２によって説
明する。同図は液晶表示パネル１の要部拡大断面図であ
る。２は走査側ガラス基板、３は信号側ガラス基板であ
り、両ガラス基板２、３の間にシール部４を介して液晶
材５を封入して表示領域６を形成している。また、両ガ
ラス基板２、３の各内面には透明電極パターン７、８を
形成し、透明電極パターン７、８上には配向膜９が形成
され、透明電極パターン８を信号側ガラス基板３の非表
示領域１０に延在させ、この延在された透明電極パター
ン１１上に無電解めっきにより金属層１２を積層する。
金属層１２は例えばＮｉ−Ｐ系層とＡｕ層の積層構造で
ある。
（２）の方法にしたがって無電解めっきをおこなった場
合には、透明導電層と無電解めっきとの密着性が悪いと
いう問題点がある。以下にこの問題点を図２によって説
明する。同図は液晶表示パネル１の要部拡大断面図であ
る。２は走査側ガラス基板、３は信号側ガラス基板であ
り、両ガラス基板２、３の間にシール部４を介して液晶
材５を封入して表示領域６を形成している。また、両ガ
ラス基板２、３の各内面には透明電極パターン７、８を
形成し、透明電極パターン７、８上には配向膜９が形成
され、透明電極パターン８を信号側ガラス基板３の非表
示領域１０に延在させ、この延在された透明電極パター
ン１１上に無電解めっきにより金属層１２を積層する。
金属層１２は例えばＮｉ−Ｐ系層とＡｕ層の積層構造で
ある。
【０００６】しかしながら、上記構成の液晶表示パネル
１によれば、封入する液晶材を配向させるために、配向
膜形成後ラビング処理を行うが、配向膜の転写、ラビン
グ処理に使用するラビング布の汚れの転写等により、非
表示領域の透明電極パターン上に汚染物が付着する。こ
れによりその後無電解めっきを行っても、透明電極パタ
ーンと無電解めっき層の間に汚染物が介在するため、ア
ニール処理を行っても透明電極パターンと無電解めっき
層の間の密着強度が十分に得られず、特に汚染状態が著
しい場合には、めっき層が透明電極パターンより剥離
し、ふくれたり、脱落してピンホールになるという問題
点があった したがって、本発明は上記事情に鑑みて完成されたもの
であり、めっき方法を改良することで、めっき層と透明
電極パターンとの間の密着性を改善し、信頼性の高い表
示装置を得ることを目的とする。
１によれば、封入する液晶材を配向させるために、配向
膜形成後ラビング処理を行うが、配向膜の転写、ラビン
グ処理に使用するラビング布の汚れの転写等により、非
表示領域の透明電極パターン上に汚染物が付着する。こ
れによりその後無電解めっきを行っても、透明電極パタ
ーンと無電解めっき層の間に汚染物が介在するため、ア
ニール処理を行っても透明電極パターンと無電解めっき
層の間の密着強度が十分に得られず、特に汚染状態が著
しい場合には、めっき層が透明電極パターンより剥離
し、ふくれたり、脱落してピンホールになるという問題
点があった したがって、本発明は上記事情に鑑みて完成されたもの
であり、めっき方法を改良することで、めっき層と透明
電極パターンとの間の密着性を改善し、信頼性の高い表
示装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、液晶セルに無電解めっき法を用いて透明
電極パターン上にめっき層を形成する表示装置の製造方
法において、透明電極パターンが形成された一方の透明
基板と他方の透明基板とをシール部材を介して貼り合わ
せ、液晶を注入し、液晶セルを形成する工程と、透明電
極パターン上の配向汚れを除去する工程と、触媒を付与
する工程と、透明電極パターン上に無電解めっきにより
Ｎｉめっき層を設ける工程とＮｉめっき層上に無電解め
っきにより上部めっき層を設ける工程とからなる構成と
した。
に、本発明は、液晶セルに無電解めっき法を用いて透明
電極パターン上にめっき層を形成する表示装置の製造方
法において、透明電極パターンが形成された一方の透明
基板と他方の透明基板とをシール部材を介して貼り合わ
せ、液晶を注入し、液晶セルを形成する工程と、透明電
極パターン上の配向汚れを除去する工程と、触媒を付与
する工程と、透明電極パターン上に無電解めっきにより
Ｎｉめっき層を設ける工程とＮｉめっき層上に無電解め
っきにより上部めっき層を設ける工程とからなる構成と
した。
【０００８】また、上記透明電極パターン上の配向汚れ
を除去する工程において、アルカリ系洗浄材を使用して
洗浄することとした。また、上記透明電極パターン上の
配向汚れを除去する工程において、プラズマクリーニン
グを使用して洗浄こととした。また、上記透明電極パタ
ーン上の配向汚れを除去する工程において、機械的研磨
により汚れを除去することとした。
を除去する工程において、アルカリ系洗浄材を使用して
洗浄することとした。また、上記透明電極パターン上の
配向汚れを除去する工程において、プラズマクリーニン
グを使用して洗浄こととした。また、上記透明電極パタ
ーン上の配向汚れを除去する工程において、機械的研磨
により汚れを除去することとした。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を図面に
基づいて説明する。 （実施例1）図１はＣＯＧ方式の液晶表示パネルの駆動
用半導体素子を搭載する前の構成を示し、これを液晶セ
ルと称する。図１はこの液晶セル１３の要部拡大断面図
である。
基づいて説明する。 （実施例1）図１はＣＯＧ方式の液晶表示パネルの駆動
用半導体素子を搭載する前の構成を示し、これを液晶セ
ルと称する。図１はこの液晶セル１３の要部拡大断面図
である。
【００１０】図１の液晶セル１３によれば、一方の透明
基板であるガラス基板１４と他方の透明基板であるガラ
ス基板１５とをシール部１６で貼り合わせた構造であ
り、そのシール部１６によって囲まれた内部領域に液晶
材Ｌが封入され、表示領域１７をなす。各ガラス基板１
４、１５のそれぞれの内面（対向面）に透明電極パター
ンとしてＩＴＯ透明電極１８、１９（膜厚：５００〜３
０００Å、シート抵抗２０Ω／□）が形成されている。
これらＩＴＯ透明電極１８、１９は相互に直交するよう
に配列され、その上に配向膜２０を形成し、更にこの表
面をラビング処理して液晶分子の向きを所定の方向に設
定する。
基板であるガラス基板１４と他方の透明基板であるガラ
ス基板１５とをシール部１６で貼り合わせた構造であ
り、そのシール部１６によって囲まれた内部領域に液晶
材Ｌが封入され、表示領域１７をなす。各ガラス基板１
４、１５のそれぞれの内面（対向面）に透明電極パター
ンとしてＩＴＯ透明電極１８、１９（膜厚：５００〜３
０００Å、シート抵抗２０Ω／□）が形成されている。
これらＩＴＯ透明電極１８、１９は相互に直交するよう
に配列され、その上に配向膜２０を形成し、更にこの表
面をラビング処理して液晶分子の向きを所定の方向に設
定する。
【００１１】また、ガラス基板１５の非表示領域２１の
ＩＴＯ透明電極１９上にはＮｉめっき層としてのＮｉ−
Ｐ層２２（膜厚：０．５〜１．０μｍ）と、上部めっき
層としてのＡｕ層２３（膜厚：０．２〜１．５μｍ）と
が順次積層されている。次に液晶セル１３を作製する工
程を詳述する。まず、ガラス基板１４、１５の一主面上
にスパッタリングもしくは蒸着によりＩＴＯ膜（厚み５
００〜３０００Å）を形成し、フォトエッチングにより
正方形もしくは矩形状の表示領域１７に複数のＩＴＯ透
明電極パターン１８、１９をライン状に配列する。ま
た、このＩＴＯ透明電極１９はガラス基板１５の非表示
領域にまで延在している。
ＩＴＯ透明電極１９上にはＮｉめっき層としてのＮｉ−
Ｐ層２２（膜厚：０．５〜１．０μｍ）と、上部めっき
層としてのＡｕ層２３（膜厚：０．２〜１．５μｍ）と
が順次積層されている。次に液晶セル１３を作製する工
程を詳述する。まず、ガラス基板１４、１５の一主面上
にスパッタリングもしくは蒸着によりＩＴＯ膜（厚み５
００〜３０００Å）を形成し、フォトエッチングにより
正方形もしくは矩形状の表示領域１７に複数のＩＴＯ透
明電極パターン１８、１９をライン状に配列する。ま
た、このＩＴＯ透明電極１９はガラス基板１５の非表示
領域にまで延在している。
【００１２】次に、ガラス基板１４、１５の各表示領域
１７の透明電極パターン１８、１９上に配向膜２０を塗
布形成し、加熱固化する。次に、この配向膜２０の表面
をラビング処理する。次に、各ガラス基板１４、１５を
各ＩＴＯ透明電極ライン１８、１９が交差するように、
かつ対向するように配置し、次いで表示領域１７の周囲
をシール部１６を介して貼り合わせて空セルを形成す
る。
１７の透明電極パターン１８、１９上に配向膜２０を塗
布形成し、加熱固化する。次に、この配向膜２０の表面
をラビング処理する。次に、各ガラス基板１４、１５を
各ＩＴＯ透明電極ライン１８、１９が交差するように、
かつ対向するように配置し、次いで表示領域１７の周囲
をシール部１６を介して貼り合わせて空セルを形成す
る。
【００１３】次に、この空セルにおいて、表示領域１７
内に液晶材Ｌを注入して液晶セルを形成する。次に、液
晶セルの非表示領域２１のＩＴＯ透明電極パターン１９
上の配向汚れを除去するため、液晶セルをアルカリ系の
洗浄材に浸漬した。ここで、アルカリ系の洗浄材として
は、水酸化ナトリウム１０ｗｔ％の水溶液を７０℃に加
温した液を使用した。また、洗浄時には、適宜、揺動を
付加したり、超音波を併用することで、洗浄効果が高ま
り、さらに配向汚れを除去することができる。
内に液晶材Ｌを注入して液晶セルを形成する。次に、液
晶セルの非表示領域２１のＩＴＯ透明電極パターン１９
上の配向汚れを除去するため、液晶セルをアルカリ系の
洗浄材に浸漬した。ここで、アルカリ系の洗浄材として
は、水酸化ナトリウム１０ｗｔ％の水溶液を７０℃に加
温した液を使用した。また、洗浄時には、適宜、揺動を
付加したり、超音波を併用することで、洗浄効果が高ま
り、さらに配向汚れを除去することができる。
【００１４】次に液晶セルをＰｄ等の触媒を含有した液
に浸漬し、ガラスとＩＴＯとの親和性の差により、ＩＴ
Ｏ透明電極ライン１９上にのみ選択的に触媒を付与す
る。次に、この液晶セルをＮｉを含んだ無電解めっき液
に浸漬すると、触媒が付与された部分のみに無電解Ｎｉ
−Ｐめっき層２１が形成される。このように、液晶セル
におけるガラス基板１４、１５上の非表示領域２１にて
露出された各ＩＴＯ透明電極ライン１９上に無電解めっ
きによるＮｉ−Ｐ層２２が形成される次に、オーブンを
用いて、８０〜２００℃の温度で約１時間加熱すること
によって、Ｎｉ−Ｐ層とＩＴＯとの密着性を高める。な
お、この加熱処理は後工程において、Ａｕ層を設けた後
に行ってもよい。ここで、あらかじめ、ＩＴＯ透明電極
ライン上の配向汚れが除去されているため、Ｎｉ―Ｐ層
とＩＴＯ透明電極ラインの間に介在物がなくなり、加熱
処理による、密着性向上効果が高まった。
に浸漬し、ガラスとＩＴＯとの親和性の差により、ＩＴ
Ｏ透明電極ライン１９上にのみ選択的に触媒を付与す
る。次に、この液晶セルをＮｉを含んだ無電解めっき液
に浸漬すると、触媒が付与された部分のみに無電解Ｎｉ
−Ｐめっき層２１が形成される。このように、液晶セル
におけるガラス基板１４、１５上の非表示領域２１にて
露出された各ＩＴＯ透明電極ライン１９上に無電解めっ
きによるＮｉ−Ｐ層２２が形成される次に、オーブンを
用いて、８０〜２００℃の温度で約１時間加熱すること
によって、Ｎｉ−Ｐ層とＩＴＯとの密着性を高める。な
お、この加熱処理は後工程において、Ａｕ層を設けた後
に行ってもよい。ここで、あらかじめ、ＩＴＯ透明電極
ライン上の配向汚れが除去されているため、Ｎｉ―Ｐ層
とＩＴＯ透明電極ラインの間に介在物がなくなり、加熱
処理による、密着性向上効果が高まった。
【００１５】次にＮｉ―Ｐ層２２上に無電解めっきによ
りＡｕ層２３を設ける。ただし、Ａｕ層２３が置換Ａｕ
めっき層と厚付けＡｕめっき層とを順次積層した構成で
ある場合には、置換Ａｕめっき層は、その下地にあるＮ
ｉ−Ｐ層２２との置換反応によりＡｕが析出することで
形成されるものであって、通常、膜厚０．１μｍ以下で
ある。また、厚付けＡｕめっき層は自己触媒型であっ
て、置換Ａｕめっき層上に自己触媒作用によりＡｕが析
出することで形成されるものであり、これによってその
膜厚を大きくすることができるとともに、配線抵抗を小
さくできる。
りＡｕ層２３を設ける。ただし、Ａｕ層２３が置換Ａｕ
めっき層と厚付けＡｕめっき層とを順次積層した構成で
ある場合には、置換Ａｕめっき層は、その下地にあるＮ
ｉ−Ｐ層２２との置換反応によりＡｕが析出することで
形成されるものであって、通常、膜厚０．１μｍ以下で
ある。また、厚付けＡｕめっき層は自己触媒型であっ
て、置換Ａｕめっき層上に自己触媒作用によりＡｕが析
出することで形成されるものであり、これによってその
膜厚を大きくすることができるとともに、配線抵抗を小
さくできる。
【００１６】この様にして得られた液晶表示装置は、Ｉ
ＴＯ透明電極層とめっき層の密着強度不足によるふくれ
やピンホールは全く見られず、配向汚れを除去しない液
晶表示装置と比較して、密着性が著しく向上した。な
お、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更、改良は何
ら差し支えない。
ＴＯ透明電極層とめっき層の密着強度不足によるふくれ
やピンホールは全く見られず、配向汚れを除去しない液
晶表示装置と比較して、密着性が著しく向上した。な
お、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更、改良は何
ら差し支えない。
【００１７】例えば、Ｎｉ−Ｐ層２２にかえてＮｉ−Ｂ
層、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｐ層、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ層、Ｎｉ−Ｃｒ
−Ｐ層、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ層、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ層等
を形成してもよい。またＡｕ層２３に代えてＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｐｈ、Ｐｕから選択される層を設けてもよ
い。 （実施例２）前述した実施例１と同様の工程で液晶セル
を形成し、ＩＴＯ透明電極パターン上の配向汚れをプラ
ズマを使用して除去した。プラズマ洗浄はＨｅ−Ｏ２プ
ラズマで１０Ｗ、１分間の条件で行った。その後、ＩＴ
Ｏ透明電極ライン１８上に無電解Ｎｉ−Ｐ層２２及び、
更にその上に無電解Ａｕめっき層２３を形成した。プラ
ズマ洗浄は、上記のＨｅ−Ｏ２プラズマに限るものでは
なく、アルゴンプラズマ等を使用しても同様の除去効果
が得られる。
層、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｐ層、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ層、Ｎｉ−Ｃｒ
−Ｐ層、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ層、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ層等
を形成してもよい。またＡｕ層２３に代えてＡｇ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｐｈ、Ｐｕから選択される層を設けてもよ
い。 （実施例２）前述した実施例１と同様の工程で液晶セル
を形成し、ＩＴＯ透明電極パターン上の配向汚れをプラ
ズマを使用して除去した。プラズマ洗浄はＨｅ−Ｏ２プ
ラズマで１０Ｗ、１分間の条件で行った。その後、ＩＴ
Ｏ透明電極ライン１８上に無電解Ｎｉ−Ｐ層２２及び、
更にその上に無電解Ａｕめっき層２３を形成した。プラ
ズマ洗浄は、上記のＨｅ−Ｏ２プラズマに限るものでは
なく、アルゴンプラズマ等を使用しても同様の除去効果
が得られる。
【００１８】この様にして得られた液晶表示装置におい
ても、ＩＴＯ透明電極層とめっき層の密着強度不足によ
るふくれは全く見られず、配向汚れを除去しない液晶表
示装置と比較して、密着性が著しく向上した。
ても、ＩＴＯ透明電極層とめっき層の密着強度不足によ
るふくれは全く見られず、配向汚れを除去しない液晶表
示装置と比較して、密着性が著しく向上した。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、めっき前
に透明電極層上の配向汚れを除去するため、無電解めっ
き層と透明電極パターンとの密着性が向上する。したが
って、無電解めっきにおける製造歩留まりが改善され、
これによって製造コストを削減することが出来るととも
に、本液晶パネルを使用した液晶モジュールの実装信頼
性を向上することができる
に透明電極層上の配向汚れを除去するため、無電解めっ
き層と透明電極パターンとの密着性が向上する。したが
って、無電解めっきにおける製造歩留まりが改善され、
これによって製造コストを削減することが出来るととも
に、本液晶パネルを使用した液晶モジュールの実装信頼
性を向上することができる
【図１】本発明にかかる液晶表示装置の実施例の要部拡
大図である。
大図である。
【図２】従来の液晶表示装置の要部拡大断面図である
１７ 表示領域 １８、１９ ＩＴＯ透明電極 ２１ 非表示領域 ２２ Ｎｉ−Ｐ層 ２３ Ａｕ層
Claims (3)
- 【請求項１】 液晶セルの透明電極パターン上に無電解
めっき法を用いてめっき層を形成する表示装置の製造方
法において、基板上に透明電極パターンを形成する工程
と配向膜を形成し配向する工程を含んで液晶セルを形成
する工程と、前記透明電極パターン上の配向汚れを除去
する工程と、触媒を付与する工程と、前記透明電極パタ
ーン上に無電解めっきによりＮｉめっき層を設ける工程
と、Ｎｉめっき層上に無電解めっきにより上部めっき層
を設ける工程とを具備することを特徴とする表示装置の
製造方法。 - 【請求項２】 前記透明電極パターン上の配向汚れを除
去する工程は、アルカリ系洗浄材を使用して洗浄する工
程であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の
製造方法。 - 【請求項３】 前記透明電極パターン上の配向汚れを除
去する工程は、プラズマを使用して洗浄する工程である
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16307797A JPH1115009A (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16307797A JPH1115009A (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1115009A true JPH1115009A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15766754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16307797A Pending JPH1115009A (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1115009A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806939B2 (en) * | 1999-07-02 | 2004-10-19 | Seiko Instruments Inc. | Display device |
| AT513988B1 (de) * | 2013-02-18 | 2015-02-15 | Engel Austria Gmbh | Schließeinheit einer Spritzgießmaschine |
| CN108345150A (zh) * | 2017-02-22 | 2018-07-31 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示装置及其显示面板内突出电极的品质改善的方法 |
-
1997
- 1997-06-19 JP JP16307797A patent/JPH1115009A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806939B2 (en) * | 1999-07-02 | 2004-10-19 | Seiko Instruments Inc. | Display device |
| AT513988B1 (de) * | 2013-02-18 | 2015-02-15 | Engel Austria Gmbh | Schließeinheit einer Spritzgießmaschine |
| CN108345150A (zh) * | 2017-02-22 | 2018-07-31 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示装置及其显示面板内突出电极的品质改善的方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Effective date: 20040302 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 |