JPH0263A - フォトマスクカバー - Google Patents
フォトマスクカバーInfo
- Publication number
- JPH0263A JPH0263A JP1089136A JP8913689A JPH0263A JP H0263 A JPH0263 A JP H0263A JP 1089136 A JP1089136 A JP 1089136A JP 8913689 A JP8913689 A JP 8913689A JP H0263 A JPH0263 A JP H0263A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- photomask
- plasticizer
- thickness
- cellulose
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリソグラフィーにおけるフォトマスク保護用の
樹脂薄膜から成るフォトマスクカバーに関するものであ
る。
樹脂薄膜から成るフォトマスクカバーに関するものであ
る。
集積回路の製造のためのリソグラフィーにおいて、光源
に紫外線を用いたフォトレジストは、高い解像力と高い
生産性が特徴であり、特に集積度の高いウェハ乃至チッ
プの製造に極めて有用である。
に紫外線を用いたフォトレジストは、高い解像力と高い
生産性が特徴であり、特に集積度の高いウェハ乃至チッ
プの製造に極めて有用である。
この方式は、解像力が高いだけにフォトマスクの画像面
上への小さなゴミの付着はエツチング画像の精度を低下
させ、不良品発生の原因になるほか、ゴミ除去の作業に
より、フォトマスク自体を傷めやすく、その寿命を低下
させる。
上への小さなゴミの付着はエツチング画像の精度を低下
させ、不良品発生の原因になるほか、ゴミ除去の作業に
より、フォトマスク自体を傷めやすく、その寿命を低下
させる。
上記の対策として、フォトマスクの画像面側の光路中に
樹脂薄膜からなるフォトマスクカバーを挿入して、空気
中のゴミの付着からフォトマスク画像を保護する方法が
用いられている。
樹脂薄膜からなるフォトマスクカバーを挿入して、空気
中のゴミの付着からフォトマスク画像を保護する方法が
用いられている。
この場合、ゴミはフォトマスクの画像面上に付着するか
わりに、樹脂薄膜の表面に付着することになる。この際
、薄膜自身の厚み及びフォトマスク画像と薄膜との距離
が全面にわたって一定であれば、薄膜上の異物、即ちゴ
ミの存在の影響をレジスト面においてアウトフォーカシ
ングさせることが可能であり、フォトマスク画像に忠実
なパターンを露光により得ることができる。
わりに、樹脂薄膜の表面に付着することになる。この際
、薄膜自身の厚み及びフォトマスク画像と薄膜との距離
が全面にわたって一定であれば、薄膜上の異物、即ちゴ
ミの存在の影響をレジスト面においてアウトフォーカシ
ングさせることが可能であり、フォトマスク画像に忠実
なパターンを露光により得ることができる。
発明者等は、鋭意研究の結果、可塑剤が添加されていな
いセルロースエステル薄膜をフォトマスクカバーの薄膜
材料として使用することにより、フォトマスク保護用に
適したフォトマスフカバーが得られることを認め、本発
明に到達した。
いセルロースエステル薄膜をフォトマスクカバーの薄膜
材料として使用することにより、フォトマスク保護用に
適したフォトマスフカバーが得られることを認め、本発
明に到達した。
本発明に使用する薄膜の材料に要求される物性は以下の
通りである。
通りである。
イ 露光に使用する光の特定領域、（特にこの場合ＵＶ
領域）で、できるだけ吸収が少ないこと。
領域）で、できるだけ吸収が少ないこと。
口 薄い膜厚でも十分強度があり、支持枠で支持した後
、クリープや収縮のないこと。
、クリープや収縮のないこと。
ハ 結晶や配向により透過光に方向性を生じせしめない
こと。
こと。
二 薄膜よりフォトマスクに悪影響を及ぼすような物質
がでないこと。
がでないこと。
本発明の可塑剤が添加されていないセルロースエステル
薄膜はこれらの条件を満足するものである。
薄膜はこれらの条件を満足するものである。
即ち、本発明は可塑剤を添加していないセルロースエス
テルを有機溶剤に溶解し、平滑なガラス板上に流延した
薄膜を、水中で剥離し、湿潤状態で支持枠に支持させた
後乾燥させることにより得られたフォトマスクカバーで
ある。
テルを有機溶剤に溶解し、平滑なガラス板上に流延した
薄膜を、水中で剥離し、湿潤状態で支持枠に支持させた
後乾燥させることにより得られたフォトマスクカバーで
ある。
本発明に使用する膜材料としてはセルロースエステルが
適当であり、セルロースエステルとは、硝酸セルロース
、酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸酢酸
セルロースなどを指す。就中、硝酸セルロースは本発明
の目的に特に適当である。
適当であり、セルロースエステルとは、硝酸セルロース
、酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸酢酸
セルロースなどを指す。就中、硝酸セルロースは本発明
の目的に特に適当である。
樹脂薄膜の製造には、所謂流延方式を用いることによっ
て、配向性のない膜を得る。セルロースエステルはケト
ン、低級脂肪酸エステルなどの比較的低沸点溶剤に容易
に溶解し、溶液濃度及び流延厚みを規定することにより
、所定の出来上がり厚みの薄膜を製造することができる
。
て、配向性のない膜を得る。セルロースエステルはケト
ン、低級脂肪酸エステルなどの比較的低沸点溶剤に容易
に溶解し、溶液濃度及び流延厚みを規定することにより
、所定の出来上がり厚みの薄膜を製造することができる
。
フォトマスク保護用薄膜には、例えば２．８±０．３μ
ｍや４．５±０．３μｍなどの一定の厚みのものが使用
される。
ｍや４．５±０．３μｍなどの一定の厚みのものが使用
される。
流延時の流延基板を平滑なガラス板とし、溶媒除去後水
中に浸漬すると、薄膜はガラス板から自然に剥がれるの
で、容易に回収することができる。この薄膜をアルミニ
ウム支持枠に直接マウントし、生乾きの状態のとき、支
持枠と膜の接触部分に沿って、揮発性の溶剤を少量塗布
し乾燥させると、膜が支持枠に接着するとともに、ごく
僅かに膜が収縮しようとして、均一な緊張状態での支持
が得られる。
中に浸漬すると、薄膜はガラス板から自然に剥がれるの
で、容易に回収することができる。この薄膜をアルミニ
ウム支持枠に直接マウントし、生乾きの状態のとき、支
持枠と膜の接触部分に沿って、揮発性の溶剤を少量塗布
し乾燥させると、膜が支持枠に接着するとともに、ごく
僅かに膜が収縮しようとして、均一な緊張状態での支持
が得られる。
硝酸セルロースをはじめとするセルロースエステルは透
明度が高く、ＵＶ領域にも吸収が少なく、光学的に優れ
た材料である。また、本来結晶性が小さいのに分子構造
が剛直であるため、成形後のディメンショナルスタビリ
ティがある。
明度が高く、ＵＶ領域にも吸収が少なく、光学的に優れ
た材料である。また、本来結晶性が小さいのに分子構造
が剛直であるため、成形後のディメンショナルスタビリ
ティがある。
適当な流延溶剤が利用でき、ガラス板への密着性に乏し
いため、力を加えずに薄膜だけを回収することができ、
薄膜は水によりごく僅か膨潤するなど種々の利点がある
が、本発明はこれらの利点をたくみに利用したものであ
る。
いため、力を加えずに薄膜だけを回収することができ、
薄膜は水によりごく僅か膨潤するなど種々の利点がある
が、本発明はこれらの利点をたくみに利用したものであ
る。
−ｍにセルロースエステルの加工性は、可塑剤を使用す
ることにより向上するが、可塑剤の使用はＵＶ領域の吸
収、ガラス面への接着性、クリープ性、可塑剤の揮発に
よるフォトマスクへの汚染など、本発明の目的には好ま
しくない効果が出る。本発明によれば、可塑剤が添加さ
れていないセルロースエステル薄膜を使用することによ
り、上記のセルロースエステル本来の性能を利用して、
本発明の目的を達成し得る。
ることにより向上するが、可塑剤の使用はＵＶ領域の吸
収、ガラス面への接着性、クリープ性、可塑剤の揮発に
よるフォトマスクへの汚染など、本発明の目的には好ま
しくない効果が出る。本発明によれば、可塑剤が添加さ
れていないセルロースエステル薄膜を使用することによ
り、上記のセルロースエステル本来の性能を利用して、
本発明の目的を達成し得る。
以下の実施例によりさらに本発明を説明する。
実施例１
硝化綿Ｒ３−５（ダイセル化学工業製、イソプロパツー
ル混綿、固型分７０％）６４ｇ、メチルエチルケトン１
４６ ｇ 、酢酸ブチル１２０ｇ及びトルエン１２０ｇ
からなる硝化綿ドープを、クリアランス５０μｍのパー
コーターを用いて、平滑なガラス板上に塗布し、２４時
間室温（２０℃）に放置乾燥し、さらに６０℃で１時間
乾燥した。乾燥フィルム化した硝化綿をガラス板ごと静
かに清浄な水中に浸漬した。暫時放置すると、硝化綿フ
ィルムはガラス板から自然に剥離したので、−旦直径約
１５０ｍｍの円形アルミフレームを用いて形を崩さない
ようすくい上げ、該フレーム内の部分を内径１００ｍｍ
、外径１１０ｍｍ、厚みｌＱｍｍのアルミニウム支持枠
の上面にマウントした。次いで、フィルムの支持枠との
接触界面に沿って、少量のメチルエチルケトンを塗布し
、風乾することによって、フィルムを支持枠に接着させ
た。支持枠の外側にはみ出している部分のフィルムを切
り除き、６０℃で３時間乾燥させると、均一な緊張度で
支持された厚さ３μｍ（比重１．６）の硝酸セルロース
フィルムから成るフォトマスクカバーを得た。
ル混綿、固型分７０％）６４ｇ、メチルエチルケトン１
４６ ｇ 、酢酸ブチル１２０ｇ及びトルエン１２０ｇ
からなる硝化綿ドープを、クリアランス５０μｍのパー
コーターを用いて、平滑なガラス板上に塗布し、２４時
間室温（２０℃）に放置乾燥し、さらに６０℃で１時間
乾燥した。乾燥フィルム化した硝化綿をガラス板ごと静
かに清浄な水中に浸漬した。暫時放置すると、硝化綿フ
ィルムはガラス板から自然に剥離したので、−旦直径約
１５０ｍｍの円形アルミフレームを用いて形を崩さない
ようすくい上げ、該フレーム内の部分を内径１００ｍｍ
、外径１１０ｍｍ、厚みｌＱｍｍのアルミニウム支持枠
の上面にマウントした。次いで、フィルムの支持枠との
接触界面に沿って、少量のメチルエチルケトンを塗布し
、風乾することによって、フィルムを支持枠に接着させ
た。支持枠の外側にはみ出している部分のフィルムを切
り除き、６０℃で３時間乾燥させると、均一な緊張度で
支持された厚さ３μｍ（比重１．６）の硝酸セルロース
フィルムから成るフォトマスクカバーを得た。
実施例２
実施例１の硝化綿ドープに代えて、酢酸綿ＬＴ１０５（
ダイセル化学工業製）６０ｇ、塩化メチレン８４６ｇ及
びメタノール９４ｇからなる酢酸綿を用いて、実施例１
に準じて酢酸セルロースフィルムを作製した。但し流延
厚みは５０μｍ、支持枠とフィルムとの接着に用いた溶
剤は塩化メチレン／メタノール＝９／１の混合溶剤であ
った。
ダイセル化学工業製）６０ｇ、塩化メチレン８４６ｇ及
びメタノール９４ｇからなる酢酸綿を用いて、実施例１
に準じて酢酸セルロースフィルムを作製した。但し流延
厚みは５０μｍ、支持枠とフィルムとの接着に用いた溶
剤は塩化メチレン／メタノール＝９／１の混合溶剤であ
った。
同様にして均一な緊張度で支持された厚さ３μｍ（比重
１．３）のフィルムから成るフォトマスクカバーを得た
。
１．３）のフィルムから成るフォトマスクカバーを得た
。
実施例３
硝化綿Ｒ５−７（ダイセル化学工業製、イソプロパツー
ル混綿、固型分７０％＞２０ｇ、酢酸ブチル５０ｇ１酢
酸イソブチル５０ｇ及びシクロへキサノン９０ｇからな
る硝化綿ドープを作製した。
ル混綿、固型分７０％＞２０ｇ、酢酸ブチル５０ｇ１酢
酸イソブチル５０ｇ及びシクロへキサノン９０ｇからな
る硝化綿ドープを作製した。
このドープの２３℃における粘度は４８０ｃｐであった
。このドープを用いてスピンコーティング法によりフィ
ルムを作成した。即ち、スピンナーにガラス板をセット
し、７０ｒｐｍで回転させつつ、その回転中心に上記ド
ープを５秒間を要して滴下した。滴下終了後直ちに回転
速度を１０５゜ｒｐｍに上昇（立ち上がり所要時間０．
２秒）させ、この速度で１５秒間維持する間に遠心流延
させた後、回転を停止させた。
。このドープを用いてスピンコーティング法によりフィ
ルムを作成した。即ち、スピンナーにガラス板をセット
し、７０ｒｐｍで回転させつつ、その回転中心に上記ド
ープを５秒間を要して滴下した。滴下終了後直ちに回転
速度を１０５゜ｒｐｍに上昇（立ち上がり所要時間０．
２秒）させ、この速度で１５秒間維持する間に遠心流延
させた後、回転を停止させた。
次にガラス板をスピンナーから取り外し、２４時間室内
（２３℃、６０％ＲＨ）に放置乾燥し、さらに６０℃で
１時間乾燥した。以下実施例１と同様にして水中浸漬し
、ガラス板から生成フィルムを剥離し、アルミニウム支
持枠にマウントし、接着支持させた。支持枠ごと６０℃
、３時間乾燥し、平均厚み０．２９μｍ１厚みむら０．
０３μｍ以下の均一な緊張度で支持された硝酸セルロー
スフィルムから成るフォトマスクカバーを得た。
（２３℃、６０％ＲＨ）に放置乾燥し、さらに６０℃で
１時間乾燥した。以下実施例１と同様にして水中浸漬し
、ガラス板から生成フィルムを剥離し、アルミニウム支
持枠にマウントし、接着支持させた。支持枠ごと６０℃
、３時間乾燥し、平均厚み０．２９μｍ１厚みむら０．
０３μｍ以下の均一な緊張度で支持された硝酸セルロー
スフィルムから成るフォトマスクカバーを得た。
実施例４
硝化綿Ｒ３−１２０（ダイセル化学工業製、インプロパ
ツール混綿、固型分７０％）１０ｇ、酢酸ブチル４７．
６ ｇ、酢酸イソブチル４７．６ｇ及びシクロへキサノ
ン９４．８ ｇからなる硝化綿ドープを作成した。
ツール混綿、固型分７０％）１０ｇ、酢酸ブチル４７．
６ ｇ、酢酸イソブチル４７．６ｇ及びシクロへキサノ
ン９４．８ ｇからなる硝化綿ドープを作成した。
このドープの２３℃における粘度は３００ｃｐであった
。
。
上記のドープを用い、且つ遠心流延の回転速度を７８０
ｒｐｍとしたほかは、実施例３と同様に操作し、平均厚
さ０．９０μｍ１厚みむら０．００５μｍ以下の均一な
緊張度で支持された硝酸セルロースフィルムから成るフ
ォトマスクカバーを得た。
ｒｐｍとしたほかは、実施例３と同様に操作し、平均厚
さ０．９０μｍ１厚みむら０．００５μｍ以下の均一な
緊張度で支持された硝酸セルロースフィルムから成るフ
ォトマスクカバーを得た。
実施例５
酢酸綿Ｌ−２０（ダイセル化学工業製、乾燥減率５％Ｎ
８．５ｇ、エチレングリコールアセテートモノメチルエ
ーテル９１．２ ｇ 、シクロヘキサノン４５、６ ｇ
、酢酸ブチル２２．８ ｇ及び酢酸イソブチル２２、
８ ｇからなる酢酸綿ドープを作成した。
８．５ｇ、エチレングリコールアセテートモノメチルエ
ーテル９１．２ ｇ 、シクロヘキサノン４５、６ ｇ
、酢酸ブチル２２．８ ｇ及び酢酸イソブチル２２、
８ ｇからなる酢酸綿ドープを作成した。
このドープの２３℃における粘度は５５０ＣＩ］であっ
た。
た。
上記のドープを用い、ガラス板上に滴下するときの回転
速度が２０Ｏｒｐｍ、滴下所要時間７秒間、遠心流延の
回転速度８５０ｒｐｍとしたほかは、実施例３と同様に
操作し、平均厚さ０．２９μｍ１厚みむら０．０３μｍ
以下の均一な緊張度で支持された酢酸セルロースフィル
ムから成るフォトマスクカバーを得た。
速度が２０Ｏｒｐｍ、滴下所要時間７秒間、遠心流延の
回転速度８５０ｒｐｍとしたほかは、実施例３と同様に
操作し、平均厚さ０．２９μｍ１厚みむら０．０３μｍ
以下の均一な緊張度で支持された酢酸セルロースフィル
ムから成るフォトマスクカバーを得た。
Claims (1)
- 均一な緊張状態で保持された無配向のセルロースエステ
ル薄膜よりなるフォトマスクカバーにおいて、セルロー
スエステルに可塑剤が添加されていないことを特徴とす
るフォトマスクカバー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1089136A JPH0263A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | フォトマスクカバー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1089136A JPH0263A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | フォトマスクカバー |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57103488A Division JPS58219023A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 樹脂薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0263A true JPH0263A (ja) | 1990-01-05 |
| JPH0544017B2 JPH0544017B2 (ja) | 1993-07-05 |
Family
ID=13962464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1089136A Granted JPH0263A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | フォトマスクカバー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0263A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001201845A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 大型ペリクル |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI288443B (en) | 2002-05-17 | 2007-10-11 | Semiconductor Energy Lab | SiN film, semiconductor device, and the manufacturing method thereof |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5480082A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-26 | Ibm | Mask for projecting print |
| JPS5544841A (en) * | 1978-09-26 | 1980-03-29 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Method of producing laminated plates |
| JPS58196501A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-11-16 | アドバンスド セミコンダクタ プロダクツ | 光学的薄膜体の製造方法 |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP1089136A patent/JPH0263A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5480082A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-26 | Ibm | Mask for projecting print |
| JPS5544841A (en) * | 1978-09-26 | 1980-03-29 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Method of producing laminated plates |
| JPS58196501A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-11-16 | アドバンスド セミコンダクタ プロダクツ | 光学的薄膜体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001201845A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 大型ペリクル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544017B2 (ja) | 1993-07-05 |
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