JPH0264527A - 液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、アクティブマトリックス型液晶表示装置に用
いる液晶表示パネルの製造方法に関するものである。

従来の技術 近年、液晶表示装置の絵素数増大に伴って、走査線数が
増え、従来から用いられている単純マトリックス型液晶
表示装置では表示コントラストや応答速度が低下するた
め、各絵素にスイッチング素子を配置したアクティブマ
トリックス型液晶表示装置が利用されつつある。しかし
ながら前記液晶表示装置に用いるアクティブマトリック
スアレイには数万個以上の薄膜トランジスタ（以後ＴＰ
Ｔと呼ぶ）を形成する必要がある。したがってすべての
アクティブマトリックスアレイを無欠陥で作製すること
は困難であり、現在の技術ではアクティブマトリックス
アレイ上に形成されたＴＰＴを検査し、良否を判別する
必要がある。そこで容易にアクティブマトリックスアレ
イを検査することのできる液晶表示パネルの製造方法が
待ち望まれていた。

以下、従来液晶表示パネルの製造方法について図面を参
照しながら説明する。

第８図（ａ）は液晶表示パネルの製造工程にあって液晶
注入後の液晶表示パネルの平面図である。

第８図（ｂ）は第８図（ａ）のＡＡ’線での断面図であ
る。

第８図（ａ）（ｂ）において１はガラスなどの絶縁基板
、２は絵素駆動用スイッチング素子のゲートを制御する
信号発生用ＩＣ（以後、ゲートドライブＩＣと呼ぶ）積
載部、３は絵素駆動用スイッチング素子のソース端子へ
の信号を発生するＩＣ（以後、信号ドライブＩＣと呼ぶ
）積載部、４はＩＴＯなどからなる対向電極などが形成
された対向電極基板、５は液晶を封止する封止樹脂、６
は液晶表示パネルの表示領域、７はＴＰＴなどのスイッ
チング素子形成部、８は対向電極である。

なお、図面において説明に不要な箇所は省略してあり、
また一部拡大あるいは縮少した部分が存在する。以上の
ことは以下の図面においても同様である。

第９図は第８図（ａ）のアで示す点線内の一部拡大平面
図、第１０図は第８図（ａ）のイで示す点線内の一部拡
大平面図である。第９図、第１０図において９はゲート
信号線、１０はゲートドライブＩＣの端子電極と接続す
るための引き出し端子。１）はゲートドライブＩＣを制
御する信号を伝達するためのゲートドライブＩＣ制御信
号線（以後、ゲート制御信号線と呼ぶ）、１２はソース
信号線、１３は信号ドライブＩＣの端子電極と接続する
ための引き出し端子、１４は信号線ドライブＩＣを制御
する信号を伝達するための信号ドライブＩＣ制御信号線
（以後、信号制御信号線と呼ぶ）である。

ただし、これらの図面において作図を容易にするため、
引き出し端子数、信号線数は非常に少なく描いている。

以上のことは以下の図面に対しても同様である。また第
１）図は第８　（ａ）図の液晶表示パネルの表示領域の
一部拡大平面図である。

第１）図において点線で囲まれた部分１５が絵素駆動用
スイッチング素子としてのＴＰＴ、１６は絵素電極であ
る。

ただし、第１）図では図面による理解を容易にするため
対向電極基板４を除去したところを示している。

従来の液晶表示パネルの製造方法としては、まず第１工
程にて、ＴＰＴなどで形成された基板１に配向膜などを
形成し、次に前記基板上に対向電極基板４を取り付ける
。同時に基板１と対向電極基板４との間に液晶膜厚を規
定するスペーサ（図示せず）を散布し、また封止樹脂５
により前記基板１．４の周辺部を封止する。次に前記基
板１と４間に液晶を受入、封止する。以上の第１工程終
了後の液晶表示パネルを示したものが第８図（ａ）（ｂ
）である。

次に第２工程について第１２図を用いて説明する。

第２工程は前記第１工程までを終了した液晶表示パネル
の良否を判定する検査工程である。第１２図は第２工程
である液晶表示パネルの検査工程を説明するための説明
図である。第１２図において、Ｇ１−Ｇ４はゲート信号
線、８１〜Ｓ４はソース信号線、Ｔｌ１−Ｔ４４はＴＦ
Ｔ、ｐＨ〜Ｐ４４は絵素電極、１７．１８は各信号線に
接続を取るためのプローブ、２０はプローブ１７．１８
間の抵抗値を測定するための抵抗値測定手段、１９はゲ
ート信号線Ｇ２とソース信号線Ｓ４の交点部に発生した
短絡（以後、クロスショートと呼ぶ）である。

検査方法としては、ゲート信号線Ｇ１にプローブ１７を
圧接し、またプローブ１８をソース信号線Ｓ１に圧接す
る０次にプローブ１７．１８間の抵抗値を抵抗値測定手
段２０で測定する。次にプローブ１７は固定しておき、
プローブ１８を順次ソース信号線Ｓ２から８７に圧接し
、各圧接状態での抵抗値を測定する。ゲート信号線Ｇ１
に対する各ソース信号線間の抵抗値の測定が終了すると
、プローブ１７をゲート信号線Ｇ２に圧接し、同様にプ
ローブ１８をソース信号線Ｓ１からＳｎまで圧接してい
き、各圧接状態での抵抗値を測定する。以上の動作をす
べてのゲート信号線およびソース信号線におこなうこと
により各交点での抵抗値を測定する。第１２図に示す液
晶表示パネルではクスロショート１９が発生しているた
め、プローブ１７をゲート信号線Ｇ２にプローブ１８を
ソース信号線Ｓ４に圧接したとき、抵抗値測定手段に通
常よりも低い電圧が測定されることにより、クロスショ
ート１９を検出することができる。

また信号線間の隣接ショート検査にあっては、プローブ
１７および１８を隣接した信号線たとえばソース信号線
Ｓｌと８２に圧接し、前記状態でのプローブ間の抵抗値
を測定することにより信号線の隣接ショートを検出する
。

次に第３工程について説明する。第３工程では第２工程
で良品と判定された液晶表示パネルにゲートドライブＩ
Ｃ（図示せず）および信号線ドライブＩＣ（図示せず）
を引き出し端子１０．１３に接続する。

以上の第１から第３工程により液晶表示パネルは完成す
る。

発明が解決しようとする課題 近年、液晶表示パネルの信号線の間隔は２００μｍ以下
の微小化の傾向にあり、また信号線の本数は数百本以上
と増加の傾向にある。したがって、従来の液晶表示パネ
ルの製造方法の第二工程では、プローブ１７．１８を各
信号線に圧接する際に非常な困難がともなう。前述の困
難とは以下に示す事である。まず第１に液晶表示パネル
の信号線の間隔が微小になってきているため、信号線の
先端に形成されるプローブ圧接用パットが１５０μｍ角
程度あ６いはそれ以下と微小になってきていることがあ
げられる。したがって、プローブを正確に位置決めする
必要がある。前記位置決めのためには高度の位置決め装
置を用いる必要があるため装置コストが高くつく。また
、位置決めに長時間を要するという問題点があった。第
２に液晶表示パネルの信号線本数が増大してきているた
め、プローブに圧接および位置決め回数が増大してきて
いることがあげられる。したがってすべての信号線のク
ロスショートを検出しようとすると膨大な時間を要する
。

以上の理由により従来の液晶表示パネルの製造方法では
第２工程に膨大な時間と製造コストがかかる。したがっ
て、はとんど第２工程はおこなわず、液晶表示パネルの
完成後、前記パネルに映像を表示させて表示状態からパ
ネルの良・不良を判定していた。しかし、パネルの完成
後、不良と判定された場合、装着した信号およびゲート
ドライブＩＣとパネルをともにすてざるをえず、製造コ
ストが増大するという問題点があった。

課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の液晶表示パネルの製
造方法は、第１の基板上にＴＰＴに信号を供給するソー
ス信号線を互いに隣接する前記ソース信号線が相異なる
信号線ドライブＩＣに接続されるように形成し、前記第
１の基板上に対向電極基板を装着することによりパネル
を形成し、次にゲートドライブＩＣおよびソース信号線
の偶数番目あるいは奇数番目に信号ドライブＩＣを積載
する。次に前記ドライブＩＣのうち少な（とも−方を動
作させ、偶数番目あるいは奇数番目のソース信号線に出
力される信号から前記パネルの良否の判定をおこなう。

最後にすべてのドライブＩＣを積載するものである。

作用 本発明では、ゲートドライブＩＣをゲート信号線に接続
する。前記ドライブＩＣを動作させ、ゲート信号線に所
定の電圧を印加する。もしゲート信号線とソース信号線
間にクロスショートなどが生じておれば、ゲート信号線
の電圧がソース信号線に印加されるため、ゲート信号線
にブロービングをおこなわずにソース信号線にブロービ
ングをおこなうだけでクロスショートを検出することが
できる。また信号ドライブＩＣを偶数番目のソース信号
線のみに接続し、ソース信号線に所定の電圧を印加する
。次に奇数番目のソース信号線のみにブロービングをお
こなう。もしソース信号線間に隣接ショートが発生して
おれば、奇数番目のソース信号線に偶数番目に印加され
た電圧が検出される。したがって隣接ショートを検出す
ることができる。

実施例 以下、本発明の液晶表示パネルの製造方法の一実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。

まず第１工程は従来の液晶表示パネルの製造方法と同様
である。ただし、本発明の製造方法では少なくとも液晶
表示パネルのソース信号線は偶数番目と奇数番目とを分
離して液晶表示パネルの上下にわけて信号ドライブＩＣ
に接続できるように形成する。以下前述のように形成す
ることを千鳥引き出しに形成すると呼ぶ。次にゲートド
ライブＩＣおよび信号ドライブＩＣを液晶表示パネルに
積載する。このとき信号ドライブＩＣは偶数番目あるい
は奇数番目のソース信号線のみに接続する。

ここでは偶数番目に信号ドライブＩＣを接続したと仮定
して説明をおこなう。以上の工程が終了したところの液
晶表示パネルの平面図を第１図に示す。第１図において
３ａは信号ドライブＩＣ積載部、２１はゲートドライブ
ＩＣ，２２は信号ドライブＩＣである。また第２図は第
１図アに示す点線内の拡大図、第２図は第１図つに示す
点線内の拡大図、第３図は第１図イに示す点線内の拡大
図を示している。第３図および第４図において２３ａ。

２３ｂはプローブとソース信号線との接続をおこなうた
めの端子電極（以後、信号線端子電極と呼ぶ）である。

なお引き出し電極１０．１３とゲートおよび信号ドライ
ブＩＣの端子電極（図示せず）の接続はガラスオンチッ
プという技術を用いておこなう。

前述のガラスオンチップという技術は以下にのべるよう
な方法である。まずドライブＩＣの端子電極上にはメツ
キ技術あるいはネイルヘッドボンディングの技術を用い
て数μｍから１００μｍの高さのＡｕからなる突起電極
（図示せず）を形成する。また、突起電極上には数＋μ
ｍの導電性接合層を形成する。前記導電性接合層は接着
剤としてエポキシ系、フェノール系等を主剤として、Ａ
ｇ・Ａｕ　−Ｎｉ　−Ｃ−８ｉＯ２などのフレークを混
ぜたものであり、転写等の技術で形成される。以上の突
起電極と導電性接合層を介してドライブＩＣの端子電極
と引き出し電極は電気的に接続される。第１図の状態で
は導電性接合層は本硬化をおこなわず、仮硬化をおこな
っている。前述の仮硬化をおこなう理由は、液晶表示パ
ネルが第２工程の検査工程で不良と判定された場合、本
硬化されているとドライブＩＣを取りはずすことができ
ないためである。したがってフェノール系を主剤として
用いる場合、約８０℃の熱を印加し、ドライブＩＣを取
りはずすことができるように仮硬化をおこなう。

また仮硬化状態では前記電極間の抵抗は数１０Ω程度と
なる場合があるが、検査工程ではドライブＩＣの動作速
度は１０ＫＨｚ以下とゆっくりであるため、入力抵抗で
ＩＣが誤動作が発生するという問題は生じない。

第５図および第６図は本発明の液晶表示パネルの第２工
程の検査工程を説明するための説明図である。第５図は
一絵素電極にＴＦＴを１個接続された液晶表示パネルの
検査工程を説明するための説明図であり、第６図に一絵
素電極にＴＰＴを２個接続された液晶表示パネルの検査
工程を説明するための説明図である。

まず第５図に示す液晶表示パネルの検査工程を説明する
。第５図において２４はＴＦＴのＴ２２に発生したゲー
ト・ドレイン短絡欠陥（以後Ｇ−Ｄシヨードと呼ぶ）、
２５は信号検出手段、ＳＳＩ、ＳＳ３は所定のソース信
号線上の信号を信号検出手段２５に伝達するための切換
え手段、ＰＳｌ、ＰＳ３は所定のソース信号線と接続を
とるための接続手段（以後、プローブと呼ぶ）である。

第５図で明らかなように液晶表示パネルにはゲートドラ
イブＩＣ２１および偶数番目のソース信号線に信号ドラ
イブＩＣが接続されている。前記液晶表示パネルにプロ
ーブＰＳｌおよびＰＳ３を奇数番目のソース信号線に接
続する。なお第５図、第６図において信号線数およびプ
ローブ数は非常に少なく描かれているが、これに限定さ
れるものではない。

クロスショートおよびＧ−Ｄショートの検査工程では、
ゲートドライブＩＣ２１を動作させゲート信号線に所定
電圧を印加する。前記所定電圧とは一本のゲート信号線
にＴＰＴのゲートをオン状態にする電圧（以後、オン電
圧と呼ぶ）と他のゲート信号線にＴＰＴのゲートをオフ
状態にする電圧（以後、オフ電圧と呼ぶ）である。前記
所定電圧はゲートドライブＩＣに印加するシストパルス
信号により、ゲート信号線に印加するオン電圧位置がシ
フトされる。次にプローブＰｓｉ、ＰＳ３を奇数番目の
ソース信号線の引き出し端子１３に圧接する。次に切換
え手段ＳＳ１およびＳＳ３を順次閉じ、−本のソース信
号線と信号検出手段２５と接続していき、ソース信号線
に電圧が印加されていないかを測定する。今、切り換え
手段ＳＳ３を閉じたとき、クロスショート１９が発生し
ているため、信号検出手段２５にオフ電圧が検出される
。

次にＳＳ３を閉じたまま、オン電圧印加位置を順次ゲー
ト信号線Ｇ１から０４にシフトさせてい（。ゲート信号
線Ｇ３にオン電圧が印加されたとき、信号検出手段２５
にオン電圧が検出されることにより、ゲート信号線Ｇ３
とソース信号線Ｓ３の交点にクロスショートが発生して
いることを検出できる。次に以上の動作をプローブＰｓ
ｉ、ＰＳ３を奇数番目のソース信号線に圧接することに
より、ゲート信号線と奇数番目のソース信号線間のクロ
スショートをも検出することができる。

またＧ−Ｄショート２４の検出方法はプローブＰＳ１を
ソース信号線Ｓ２に圧接し、ゲート信号線Ｇ３にオン電
圧を印加し、Ｓ８１を閉じる。前記状態のときＴＰＴの
７２２がオン状態となるから、Ｇ２→Ｇ−Ｄショート２
４→Ｔ２２→Ｓ２→ＰＳ１→ＳＳＩ なる電流経路が発生するため、信号検出手段２５に信号
が検出されることにより検出することができる。前述の
クロスショートと前記Ｇ−Ｄショートの区別は検出され
る信号の大きさにより判定する。

ソース信号線間のショート（以後、隣接ショートと呼ぶ
）の検出方法としては、信号ドライブＩＣ２２を動作さ
せ、１本のソース信号線に所定電圧を印加する。次にプ
ローブＰｓｉ、ＰＳ３を奇数番目のソース信号線に圧接
する。今、ソース信号線Ｓ２に信号を印加し、ＳＳＩを
閉じた際、信号検出手段２５に前記信号が検出された場
合はソース信号線Ｓ１と８２間の隣接ショート、ＳＳ３
を閉じたとき信号検出手段２５に前記信号が検出された
場合はソース信号線Ｓ２と８３間の隣接ショートとして
検出される。以上の動作をすべてのソース信号線に対し
ておこなうことにより隣接ショートを検出できる。

次に第６図に示す液晶表示パネルの検査工程を説明する
。第６図において、２６はＴＦＴのＴＭ２２に発生した
ソース・ドレイン短絡欠陥（以後、Ｓ−Ｄシミ−）と呼
ぶ）　、ＴＭＩＩ　〜ＴＭ３５．　　ＴＳＩＩ〜ＴＳ４
４はＴＦＴ、、ＰＳ５はプローブ、Ｓ８５は切換え手段
である。クロスショートＧ−ＤショートおよびＳ−Ｄシ
ョートの検査工程ではゲートドライブＩＣ２１を動作さ
せ、ゲート信号線にオン電圧またはオフ電圧を印加する
。同時にプローブＰＳ１〜ＰＳ３をソース信号線に圧接
する。まずクロスショートの検出方法について説明する
。ゲートドライブＩＣ２１からすべてのゲート信号線に
オフ電圧を印加する。次にプローブＰＳ１〜ＰＳ３を奇
数番目のソース信号線に圧接し、ＳＳＩからＳＳ３まで
順に閉じていき、各ソース信号線にオフ電圧が印加され
ていないかを信号検出手段で検出する。今、クロスショ
ー目９が発生しているためＳＳ３を閉じたとき、信号検
出手段２５にオフ電圧が検出される。次にゲートドライ
ブＩＣを制御し、ゲート信号線Ｇ１のみにオン電圧を印
加し、前記オン電圧をシフトパルス信号により順次すべ
てのゲート信号線にシフトしていく。今、オン電圧がシ
フトされゲート信号線Ｇ３に印加されたとき、信号検出
手段２５にオン電圧が検出されるためゲート信号線Ｇ３
とソース信号線８３間にクロスショートが発生している
ことを検出できる。次にプローブＰＳ１〜ＰＳ３を偶数
番目のソース信号線に圧接して前述の動作をおこなうこ
とにより、すべてのゲート信号線とソース信号線に対す
るクロスショートを検出することができる。

Ｇ−Ｄショートの検出方法はまずプローブＰＳ１−ＰＳ
３を奇数番目のソース信号線に圧接する。

次にゲートドライブＩＣを制御し、ゲート信号″ｆａＧ
１のみにオン電圧を他のゲート信号線にはオフ電圧が印
加されるようにする。次にＳＳｌからＳＳ３まで順次閉
じていき、そのときにソース信号線に出力信号がないか
を検出する。すべての切り換え手段に対しておこなった
のち、ゲートドライブＩＣに対してシフトパルス信号を
送り、オン電圧印加位置をゲート信号線Ｇ２・にする。

そして同様に切り換え手段を順次閉じていき、ソース信
号線に出力信号がないかを検出する。以上の動作をすべ
てのゲート信号線、ソース信号線に対して行なう。今、
Ｇ−Ｄショート２４が発生しているため、ゲート信号線
Ｇ４にオン電圧を印加したとき、ＴＰＴの７Ｍ３３がオ
ン状態となり Ｇ４→Ｇ−Ｄショート２４→ＴＭ３３→Ｓ３→ＰＳ３→
ＳＳ３ なる電流経路が生じる。したがってＧ−Ｄショート２４
を検出することができる。なおＴＦＴのＴＳｍｎのトラ
ンジスタにＧ−Ｄショートが発生している場合は以下の
電流経路が生じるため検出することができる。ただし今
、ＴＦＴのＴＳ２３にＧＤショートが発生していると仮
定する。前記の場合、ゲート信号線Ｇ３にオン電圧を印
加した場合、ＴＰＴの７Ｍ２３がオン状態となり ＳＳ３→ＰＳ３→ＴＭ２３→Ｐ２３→ＴＳ２３→ＧＤシ
ョート→Ｇ２ なる電流経路が発生することにより検出することができ
る。

Ｓ−Ｄショートの検出方法はＧ−Ｄショート検出方法と
同様の方法で行なう。ただし、Ｓ−Ｄショートの検出方
法では信号線ドライブＩＣを制御し、１本のソース信号
線に信号を印加する。前記信号印加位置はＳ２から順に
すべての偶数番目のソース信号線に対しておこなう。ま
ずゲート信号線Ｇ１のみにオン電圧を印加し、ソース信
号線Ｓ２に信号を印加する。次にＳ８１を閉じ、ソース
信号線Ｓ１に信号が印加されていないかを信号検出手段
２５で検出する。またＳＳ３を閉じ、ソース信号線Ｓ３
に信号が印加されていないかを検出する。次にソース信
号線Ｓ４のみに信号を印加し、ＳＳ３およびＳＳ５を閉
じ、ソース信号ｖＡＳ３゜Ｓ４に信号が印加されていな
いかを信号検出手段２５で検出する。以上の動作を今度
はゲート信号線Ｇ２のみにオン電圧を印加しておこなう
。前述の動作をすべてのゲート信号線およびソース信号
線に対しておこなう。第６図に示す液晶表示パネルでは
Ｓ−Ｄショート２６が発生しているため、ソース信号線
Ｓ２に信号を印加し、ゲート信号ｖＡＧ２にオン電圧を
印加し、かつＳＳ３を閉じたとき、Ｓ２→Ｓ−Ｄショー
ト２６→Ｐ２２→ＴＳ２２→Ｓ３→ＰＳ３→ＳＳ３ なる信号の経路が発生するため、Ｓ−Ｄショートを検出
することができる。

隣接ショートは第５図で示す液晶表示パネルの検査方法
と同様である。

次に本発明の液晶表示パネルの製造方法の第３工程につ
いて説明する。第３工程終了後の液晶表示パネルの一部
拡大平面図を第７図に示す。ただし、第７図は第１図の
点線イで示す部分の図である。

第３工程では第２工程で良品と判定された液晶表示パネ
ルに対して行う。第２工程で不良と判定された液晶表示
パネルはゲートおよび信号ドライブＩＣを取りはずされ
、前記ＩＣは再使用される。

まず開放状態となっているソース信号線に信号ドライブ
ＩＣをガラスオンチップ技術を用い接続する。次に電気
オーブン・ヒートコラムなどの方法を用い、フェノール
系を主剤とする場合約１２０℃で３０分間程度加熱し、
導電性接合層を本硬化させ、液晶表示パネルは完成する
。

なお、本発明の検査工程の実施例において、奇数番目と
偶数番目のソース信号線にわけてプローブＰＳを接続す
るとしたがこれに限るものではなく、たとえば引き出し
端子１３および信号線端子電極２３ａ、２３ｂを用いて
、奇数番目と偶数番目のソース信号線に同時に接続をお
こなってもよいことは明らかである。

また、本発明の実施例において、第２工程前に導電性接
合層を仮硬化させるとしたが、第２工程において、基板
１などに振動などを与えることがなく、ゲートおよび信
号ドライブＩＣに位置ずれが生じさせることがない場合
は仮硬化させる必要がないことは明らかである。またゲ
ートおよび信号ドライブＩＣが低価格で液晶表示パネル
が不良のとき、ＩＣとパネルを同時にすててもコストに
影響しない場合は第２工程前に本硬化させてもよいこと
は明らかである。

また、各ドライブＩＣはＴＰＴなどが形成された基板に
積載するとしたが、これに限定するものではなく、ＴＦ
Ｔなどのスイッチング素子が接続された信号線に信号を
印加できる部位であればよいことは明らかである。

また、各ドライブＩＣはガラスオンチップ技術で積載す
るとしたが、これに限定するものではなく、信号線に容
易に信号を印加できるように、かつ容易にＩＣを取りは
ずしかできる技術であればよいことは明らがである。

発明の効果 本発明の液晶表示パネルの製造方法は、ゲートおよび信
号ドライブＩＣをパネルに装着し、前記ドライブＩＣを
制御することにより、前記パネルの良否検査をおこなう
ものである。したがって、ゲート信号線にプローブを圧
接する必要がなく、またソース信号線に圧接するプロー
ブ数も少なくてすむ。さらに微細間隔で形成されたゲー
ト信号線およびソース信号線に所定電圧または信号を印
加することができる。ゆえに絵素ピッチが非常に微細に
なっても十分にブロービングができ、かつ高速な検査を
おこなうことができる。また検査工程で液晶表示パネル
が不良である場合、各ドライブＩＣは取りはずして再使
用することが可能である。したがって液晶表示パネルの
製造コストを大幅に低減させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の液晶表示パネルの製造方法における
第１工程後の液晶表示パネルの平面図、第２図、第３図
、第４図、第７図は第１図の一部拡大図、第５図、第６
図は検査工程の説明図、第８図は従来の液晶表示パネル
の製造方法における第１工程後の液晶表示パネルの平面
図および断面図、第９図、第１０図、第１）図は第８図
の一部拡大図、第１２図は従来の検査工程の説明図であ
る。 ｌ・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ゲートドラ
イブＩＣ積載部、３．３ａ・・・・・・信号ドライブＩ
Ｃ積載部、４・・・・・・対向電極基板、５・・・・・
・封止樹脂、６・・・・・・表示領域、７・・・・・・
スイッチング素子形成部、８・・・・・・対向電極、９
・・・・・・ゲート信号線、１０．１３・・・・・・引
き出し線、１）・・・・・・ゲートドライブＩＣ制御信
号線、１２・・・・・・ソース信号線、１４・・・・・
・信号ドライブＩＣ制御信号線、１５・・・・・・ＴＦ
Ｔ、１６・・・・・・絵素電極、１７゜１８・・・・・
・プローブ、１９・・・・・・クロスショート、２０・
旧・・抵抗値測定手段、２１・・・・・・ゲートドライ
ブＩＣ１２２・・・・・・信号ドライブＩＣ１２３ａ、
２３ｂ・・・・・・信号線端子電極、２４・・・・・・
ゲート・ドレイン短絡欠陥、２５・・・・・・信号検出
手段、２６・・・・・・ソース・ドレイン短絡欠陥、Ｔ
ｌｌ〜Ｔ４４．ＴＭＩＩ〜ＴＭ３５．ＴＳＩＩ〜ＴＳ４
４・・・・・・ＴＦＴＳＧｌ〜Ｇ４・・・・・・ゲート
信号線、Ｓ１〜Ｓ５・・・・・・ソース信号線、Ｐｓｉ
〜ＰＳ５・・・・・・プローブ、ＳＳＩ〜ＳＳ３・・・
・・・切換え手段。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はか１名３ｃＬ＝−
４号ドライブｘｃｎ載部 ２１・・・ゲートドライブＩＣ ２２−・信号ドライ７ＺＣ ふ°−償号課境′８迎垣 Ｚ３ｂ−°゛イ菖号線ネ蛤子誓り石ｉ ２４°”°ゲート　ドレイシｙｚ玲欠７缶だ一信号埃出
子役 ＳＳｔ、　５Ｓｓ−−一切検丸子役 ＃１６　図 第１０図 Ｕ′−ソース・ドレイン刈Ｊ瞥欠陽 ＴＭｕ　−７Ｍ３Ｓ、　ＴＳｒｌ　〜７５４４°−ＴＦ
Ｔｆｓ５−７’　ロー　７ ＳＳｓ−一一切換九子役 １２−・−ソース福号碌 ｔｓ　・−ｇ　＋き出し＠子 ！４−傷号ドライブＩＱ智１イ岬信号ｄ艷第１）図 １５−ＴＰＴ １６・−減希ｖｌ−服 ／７．　Ｉｆ）・−プローブ １９−　　グロスシ！Ｉ−） υ−・−褥才凡値済１定子役 丁１）νＴ４４−　ＴＦＴ Ｓｒ−Ｓ４−　　ソースイを号課

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）アクティブマトリックス型液晶表示パネルの製造
   方法であって、第１の基板上に絵素駆動用スイッチング
   素子に映像信号を伝達する第１の信号線を互いに隣接す
   る前記第１の信号線が相異なる信号線ドライブＩＣに接
   続されるように形成し、前記第１の基板上に対向電極が
   形成された第２の基板を装着してパネルを形成し、次に
   前記スイッチング素子のゲートを制御する信号を伝達す
   る第２の信号線にゲートドライブＩＣを接続するととも
   に、第１の信号線に隣接した第１の信号線が開放状態に
   なるように少なくとも１個の信号ドライブＩＣを接続す
   る第１の接続工程を行ない、次に前記ゲートドライブＩ
   Ｃと信号ドライブＩＣのうち少なくとも一方を動作させ
   、第１の信号線に出力される信号から前記パネルの良否
   を判定したのち、前記開放状態の第１の信号線に信号ド
   ライブＩＣを接続する第２の接続工程をおこなうことを
   特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
2. （２）ゲートドライブＩＣおよび信号ドライブＩＣは前
   記ＩＣの端子上に突起電極を有することを特徴とする請
   求項（１）記載の液晶表示パネルの製造方法。
3. （３）ゲートドライブＩＣおよび信号ドライブＩＣはチ
   ップオンガラス技術を用いて第１の基板上に積載するこ
   とを特徴とする請求項（１）記載の液晶表示パネルの製
   造方法。
4. （４）第１の接続工程でドライブＩＣの端子と第１の基
   板とを接続する接着剤が半硬化状態にすることを特徴と
   する請求項（１）記載の液晶表示パネルの製造方法。
5. （５）第２の接続工程でドライブＩＣの端子と第１の基
   板とを接続する接着剤を完全硬化状態にすることを特徴
   とする請求項（１）記載の液晶表示パネルの製造方法。