JPH0265231A

JPH0265231A - 半導体製造装置

Info

Publication number: JPH0265231A
Application number: JP63217925A
Authority: JP
Inventors: Masatoshi Nakamura; 中村　眞敏
Original assignee: NEC Kyushu Ltd
Current assignee: NEC Kyushu Ltd
Priority date: 1988-08-31
Filing date: 1988-08-31
Publication date: 1990-03-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は半導体製造装置に関し、特に製造工程で使用し
たレジス１−等を除去するためのアッシャ乙こ関する。

（従来の技術〕一般に、半導体装置の製造工程では、半導体基板（半導
体ウェハ）に塗布したフォトレジスト等のレジスＩ・を
除去する必要があり、このためにアッシャが使用される
。従来、この種のアンシャは、真空室内で０□プラズマ
を発生させ、このプラズマを半導体ウェハの表面に投射
させて、半導体ウェハ上のレジストを除去する構成とな
っている。

〔発明が解決しようとする課題］上述した従来のアッシャは、半導体ウェハを０２プラズ
マ中に置いてレジストを除去するために、半導体ウェハ
上の一部のレジストのみを除去することはできない。こ
のため、半導体ウェハの外周部のレジストのみを選択的
に除去することができず、半導体ウェハのパターン形成
に直接関係しないこの周辺の１／シストが異物として存
在し、半導体ウェハのパターン上に（−１着する等して
製造歩留りの低下をまねくという問題がある。

本発明は半導体ウェハの周辺部のレジストのみを除去す
ることができる半導体製造装置を提供することを目的と
する。

〔課題を解決するだめの手段〕

本発明の半導体製造装置は、レジストを塗布した半導体
基板を入れる真空チャンバと、この真空チャンバ内にお
いて前記半導体基板の外周部のみを侵入させるアッシャ
室と、このアッシャ室に配設してアッシャ室内にのみ０
□プラズマを発生させる０２導入管及びＲＦ電極とを備
えており、半導体基板の外周部のみに０゜プラズマを投
射可能に構成している。

〔作用〕

上述した構成では、半導体基板の外周部に対してのみ０
□プラズマを投射することが可能となり、半導体基板の
外周部のレジストのみを選択的に除去することができる
。

〔実施例〕

次に、本発明を図面を参照して説明する。

第１図は本発明の第１実施例の縦断面図である。

真空チャンバ１内には回転駆動ユニット２で回転される
ウェハステージ３を設け、かつこのウェハステージ３を
スライド用駆動ユニット４によって水平移動可能に構成
している。また、このウェハステージ３上には、ゲート
バルブ５を通して搬送される半導体ウェハＷを載置でき
る。また、真空チャンバ１は真空ポンプ６により内部が
所定の真空圧に設定できる。

一方、前記真空チャンバ１の内側一部にはアッシャ室７
が配置される。このアッシャ室６には真空ポンプ８が接
続されて更に高い真空圧に設定でき、また室内にはＲＦ
電源９に接続したＲＦ電極１０を配設し、更に０□ガス
導入管１１を接続することにより、アッシャ室６内に０
□プラズマを発生するようにしている。そして、このア
ッシャ室７の一部にはスリット１２が形成され、このス
リット１２を通してウェハＷの周縁部が侵入されるよう
にしている。なお、このスリット１２に臨んで光を利用
したウェハセンサ１３を配設している。

この構成によれば、半導体ウェハＷはゲートバルブ５を
通って真空チャンバ１内に移動され、ウェハステージ３
に置かれる。ゲートバルブ５が閉じて、真空ポンプ６．
８でチャンバ１の内部を所定の圧力まで真空引きする。

同時にスライド用駆動ユニット４が動作してウェハステ
ージ３を図示左方に移動することにより、半導体ウェハ
Ｗの外周部はスリット１２を通してアッシャ室７内に挿
入される。この際の半導体ウェハの外周部はウェハセン
サ１３により検出され、前記スライド用駆動ユニット４
をフィードバック制御する。

そして、０□ガスがアッシャ室７に導入されＲＦ電源９
がオンすると、アッシャ室７内に０□プラズマが発生し
、アッシャ室に侵入されている半導体ウェハＷの外周部
のレジストのみが除去される。このとき、ウェハステー
ジ３は回転駆動ユニット２により回転されるため、半導
体ウェハＷの全外周部のレジストが除去される。

なお、真空ポンプ１とアッシャ室７とは夫々別々の真空
ポンプ６．８で真空に引かれているので、アッシングし
た時のガスで半導体ウェハを汚染することはない。

第２図は本発明の第２実施例の縦断面図であり、第１図
と均等な部分には同一符号を付しである。

この実施例ではアッシャ室７′及びＲＦ電極１０を円環
状に形成すると共に、アッシャ下部室７Ａとアッシャ上
部室７Ｂとでアッシャ室７′を分割形成している。そし
て、アッシャ下部室７Ａは上下駆動ユニット１４によっ
て上下移動可能に構成している。また、ウェハステージ
３も上下駆動ユニット１５により上下移動可能に構成し
ている。

なお、ここではスライド用駆動ユニット、及びアッシャ
室専用の真空ポンプは設けてはいない。

この°構成では、ウェハステージ３が下に下がって、半
導体ウェハＷがゲートバルブ５を通って真空チャンバ１
内に移動され、ウェハステージ３に置かれる。そして、
アッシャ下部室７Ａとウェハステージ３が上動すること
により、アッシャ上部室７Ｂとでアッシャ室７′を構成
し、かつ半導体ウェハＷの外周部をアッシャ室７′内に
侵入させる。真空ポンプ８で真空チャンバ１内を所定の
圧力に真空引きした上で、アッシャ室７内に０□ガスを
導入し、かつＲＦ電源９をオンすることで、アッシャ室
７′の内部で０□プラズマが発生する。

したがって、半導体ウェハＷは外周部のみがアラシャ室
７′に入れられているので、０２プラズマによって外周
部のレジストのみが除去される。

この実施例では、半導体ウェハＷの外周部のレジストを
一度に除去するため効率が良い。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、真空チャンバ内に半導体
基板の外周部のみを侵入させるアッシャ室を配設し、こ
のアッシャ室に０２プラズマを発生させる０２導入管及
びＲＦ電極を設けているので、半導体基板の外周部に対
してのみ０２プラズマを投射することが可能となり、半
導体基板の外周部のレジストのみを選択的に除去して半
導体装置の製造歩留りを向上できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例の縦断面図、第２図は本発
明の第２実施例の縦断面図である。１・・・真空チャンバ、２・・・回転駆動ユニット、３
・・・ウェハステージ、４・・・スライド用駆動ユニッ
ト、５・・・ゲートバルブ、６・・・真空ポンプ、７，
７′・・・アッシャ室、７Ａ・・・アッシャ下部室、７
Ｂ・・・アッシャ上部室、８・・・真空ポンプ、９・・
・ＲＦ電源、１０・・・ＲＦ電極、１１・・・０゜ガス
導入管、１２・・・スリット、１３・・・ウェハセンサ
、１４．１５・・・上下駆動ユニット、Ｗ・・・半導体
ウェハ。

Claims

【特許請求の範囲】

１、レジストを塗布した半導体基板を入れる真空チャン
バと、この真空チャンバ内において前記半導体基板の外
周部のみを侵入させるアッシャ室と、このアッシャ室に
配設してアッシャ室内にのみＯ＿２プラズマを発生させ
るＯ＿２導入管及びＲＦ電極とを備え、前記半導体基板
の外周部のみにＯ＿２プラズマを投射可能に構成したこ
とを特徴とする半導体製造装置。