JPH0265238A - 半導体集積装置 - Google Patents
半導体集積装置Info
- Publication number
- JPH0265238A JPH0265238A JP21752388A JP21752388A JPH0265238A JP H0265238 A JPH0265238 A JP H0265238A JP 21752388 A JP21752388 A JP 21752388A JP 21752388 A JP21752388 A JP 21752388A JP H0265238 A JPH0265238 A JP H0265238A
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- Japan
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- signal
- shield
- signals
- wiring
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野1
本発明はアナログ・デジタル混在型半導体集積装置のレ
イアウト方法に関する。
イアウト方法に関する。
従来、ノイズに敏感なアナログ回路が半導体集積回路上
に有る時、デジタル信号(特に高い周波数)をアナログ
回路のブロックから遠ざけて配置するという手法がとら
れていた。
に有る時、デジタル信号(特に高い周波数)をアナログ
回路のブロックから遠ざけて配置するという手法がとら
れていた。
[発明が解決しようとする課題]
しかし年々回路の集積度が上るにつれ1つの機能を持っ
た回路ブロックはまとめて配置する方が面積効率が良(
なり、特にアナログ回路の信号を不用に長(することは
特性上好ましくない。又、抵抗素子や容量素子など比較
的大きな面積を占める素子が多数ある場合、高速デジタ
ル信号との距離を遠ざけるという手法は限度がある。
た回路ブロックはまとめて配置する方が面積効率が良(
なり、特にアナログ回路の信号を不用に長(することは
特性上好ましくない。又、抵抗素子や容量素子など比較
的大きな面積を占める素子が多数ある場合、高速デジタ
ル信号との距離を遠ざけるという手法は限度がある。
そこで本発明は、高速デジタル信号のスイッチングノイ
ズからアナログ回路等ノイズに敏感な回路への影響を抑
えることを目的としている。
ズからアナログ回路等ノイズに敏感な回路への影響を抑
えることを目的としている。
[課題を解決するための手段]
上記問題点を解決する為、本発明の半導体集積装置は、
同一配線層においである信号配線から距離LIだけ離し
て両側に平行した2本の信号(シールド信号)を配置し
、さらにいずれかのシールド信号の外側に前記シールド
信号から距離L2だけ離して別の信号配線(被シールド
信号)を配置し、前記2本のシールド信号には一定の電
位(シールド電位)を与え、又前記L1、L2はL1≦
L2 という関係を有することを特徴とする。
同一配線層においである信号配線から距離LIだけ離し
て両側に平行した2本の信号(シールド信号)を配置し
、さらにいずれかのシールド信号の外側に前記シールド
信号から距離L2だけ離して別の信号配線(被シールド
信号)を配置し、前記2本のシールド信号には一定の電
位(シールド電位)を与え、又前記L1、L2はL1≦
L2 という関係を有することを特徴とする。
[実 施 例]
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。
第1図は本発明の構成の特徴を示す図である。
デジタル信号1の両側に配線間隔L1てシールド信号2
.3が配置されている。そしてシールド信号2から配線
間隔L2て、信号1のスイッチングノイズを避ける必要
がある信号4が配置されている。ここでシールド信号2
.3に安定した一定の電位(シールド電位)を与えてお
くことにより、信号1から発生される電気力線が曲げら
れ、信号4との結合力が低下する為、ノイズ耐性が向上
する。
.3が配置されている。そしてシールド信号2から配線
間隔L2て、信号1のスイッチングノイズを避ける必要
がある信号4が配置されている。ここでシールド信号2
.3に安定した一定の電位(シールド電位)を与えてお
くことにより、信号1から発生される電気力線が曲げら
れ、信号4との結合力が低下する為、ノイズ耐性が向上
する。
シールド電源5としては簡単な構成にする為には電源電
圧(VDD)や接地電圧(VSS)が選ばれるが変動の
少ない安定した電圧であればその第2図はD/A変換回
路、A/D変換回路等のアナログ回路では良く使用され
るサンプルホールド回路である。回路動作を以下に説明
する。21は入力電圧VINでサンプリングパルス23
が来る度にトランスミッションゲー1−22を通過し、
コンデンサ24とオペアンプ26により信号25へ入力
電圧2]が貯えられる。この信号25はオペアンプ26
のボルテージフォロワ入力となり出力電圧27へ出力さ
れ、次のサンプリングパルス23が来るまで出力電圧2
7はホールドされる。
圧(VDD)や接地電圧(VSS)が選ばれるが変動の
少ない安定した電圧であればその第2図はD/A変換回
路、A/D変換回路等のアナログ回路では良く使用され
るサンプルホールド回路である。回路動作を以下に説明
する。21は入力電圧VINでサンプリングパルス23
が来る度にトランスミッションゲー1−22を通過し、
コンデンサ24とオペアンプ26により信号25へ入力
電圧2]が貯えられる。この信号25はオペアンプ26
のボルテージフォロワ入力となり出力電圧27へ出力さ
れ、次のサンプリングパルス23が来るまで出力電圧2
7はホールドされる。
このサンプルホールド回路のすぐそばに高速なデジタル
信号29が配置されると、正確な入力電圧がボールドさ
れなくなるおそれがある。
信号29が配置されると、正確な入力電圧がボールドさ
れなくなるおそれがある。
第3図はデジタル信号29を単純に配置した時のサンプ
ルホールド回路のタイミング図である。
ルホールド回路のタイミング図である。
サンプリングパルス23と異なるタイミングでデジタル
信号29が動作す葛湯合、そのスイッチングノイズの影
響で信号25にノイズがのる。このノイズはごく短かい
時間で消えるが、信号25のホールド電圧はたまたま正
しいホールド電圧からずれた値をホールドしてしまう可
能性がある。すると出力電圧27の値も正しい値からず
れてしまう。
信号29が動作す葛湯合、そのスイッチングノイズの影
響で信号25にノイズがのる。このノイズはごく短かい
時間で消えるが、信号25のホールド電圧はたまたま正
しいホールド電圧からずれた値をホールドしてしまう可
能性がある。すると出力電圧27の値も正しい値からず
れてしまう。
そこで本発明の様にデジタル信号29の両側に平行して
2本の信号線(シールド信号)を配置しこの2本の信号
にはシールド電圧として■SS電位を与えておく。この
時の電位はVDDでもVSSでも又その中間電位でも良
いが、変動の少ない電源電圧が良い。さらにこのシール
ド電圧は電源電圧変動の影響を受けにくい圧電圧回路の
出力電圧を用いるとシールドの効果は上がる。
2本の信号線(シールド信号)を配置しこの2本の信号
にはシールド電圧として■SS電位を与えておく。この
時の電位はVDDでもVSSでも又その中間電位でも良
いが、変動の少ない電源電圧が良い。さらにこのシール
ド電圧は電源電圧変動の影響を受けにくい圧電圧回路の
出力電圧を用いるとシールドの効果は上がる。
そしてデジタル信号29と隣接する2本のシルト信号は
デザインルール上杵される最小間隔L1で配置される。
デザインルール上杵される最小間隔L1で配置される。
さらにシールド信号の配線巾が広い程シールド効果は高
い。
い。
又配線材料はアルミでもポリシリコンでも拡散でも同様
の効果がある。
の効果がある。
第4図は本発明による上記構成にした場合のサンプルホ
ールド回路のタイミング図である。デジタル信号29の
スイッチングの際、信号25はスイッチングノイズの影
響を受けにく(なっている。よって正しい値が出力電圧
27へ出て来る。
ールド回路のタイミング図である。デジタル信号29の
スイッチングの際、信号25はスイッチングノイズの影
響を受けにく(なっている。よって正しい値が出力電圧
27へ出て来る。
本実施例ではデジタル系からアナログ系への影響を少な
くすることを述べたが、本発明の構成を用ってすればア
ナログ系どうしのスイッチングノイズ対策、デジタル系
どうしのスイッチングノイズ対策にも適用できることは
明らかである。
くすることを述べたが、本発明の構成を用ってすればア
ナログ系どうしのスイッチングノイズ対策、デジタル系
どうしのスイッチングノイズ対策にも適用できることは
明らかである。
又低電圧系と高電圧系の信号が混在する多電源回路の場
合にも有効である。
合にも有効である。
又本構成は3層以上の配線技術にも容易に適用できる。
尚、本発明におけるデジタル信号配線、シールド信号配
線、被シールド信号配線の位置関係は、デジタル信号配
線とシールド信号配線の距離Lが少なくともデジタル信
号配線と被シールド信号配線の距離よりも長く配置され
れば、本発明の効果は達成できる。
線、被シールド信号配線の位置関係は、デジタル信号配
線とシールド信号配線の距離Lが少なくともデジタル信
号配線と被シールド信号配線の距離よりも長く配置され
れば、本発明の効果は達成できる。
[発明の効果]
本発明によれば同し半導体集積回路中から発生するデジ
タル信号のスイッチングノイズが、ノイズに敏感なアナ
ログ回路へ及ぶのを、極めて簡単な付加パターンにより
抑えることができる。
タル信号のスイッチングノイズが、ノイズに敏感なアナ
ログ回路へ及ぶのを、極めて簡単な付加パターンにより
抑えることができる。
よって本発明は、チップ面積を増大させることなく精度
の高いアナログデジタル混在型半導体集積装置を実現す
る一手段となる。
の高いアナログデジタル混在型半導体集積装置を実現す
る一手段となる。
第1図は本発明による信号配置図、第2図はサンプルホ
ールド回路図、第3図は従来技術によるサンプルホール
ドタイミング図、第4図は本発明の構成によるサンプル
ホールドタイミング図である。 以上 第
ールド回路図、第3図は従来技術によるサンプルホール
ドタイミング図、第4図は本発明の構成によるサンプル
ホールドタイミング図である。 以上 第
Claims (1)
- 同一配線層において、ある信号配線から距離L_1だけ
離して両側に平行した2本の信号(以下シールド信号と
呼ぶ)を配置し、さらにいずれかのシールド信号の外側
に前記シールド信号から距離L_2だけ離して別の信号
配線(以下被シールド信号)を配置し、前記2本のシー
ルド信号には一定の電位(以下シールド電位と呼ぶ)を
与え、又前記L_1、L_2は、L_1≦L_2という
関係を有することを特徴とする半導体集積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21752388A JPH0265238A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体集積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21752388A JPH0265238A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体集積装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265238A true JPH0265238A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=16705575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21752388A Pending JPH0265238A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体集積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0265238A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2690026A1 (fr) * | 1991-11-28 | 1993-10-15 | Samsung Electronics Co Ltd | Dispositif de mémoire destiné à supprimer le bruit produit entre des lignes de signaux. |
| EP0598563A3 (en) * | 1992-11-18 | 1995-05-17 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor conversion device. |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP21752388A patent/JPH0265238A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2690026A1 (fr) * | 1991-11-28 | 1993-10-15 | Samsung Electronics Co Ltd | Dispositif de mémoire destiné à supprimer le bruit produit entre des lignes de signaux. |
| EP0598563A3 (en) * | 1992-11-18 | 1995-05-17 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor conversion device. |
| EP0713251A3 (en) * | 1992-11-18 | 1996-08-14 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor conversion device |
| US5576575A (en) * | 1992-11-18 | 1996-11-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor conversion device |
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