JPH02663A - ナフタロシアニン誘導体及びその製造法並びにそれを用いた光学的情報記録媒体及びその光学的情報記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規なナフタロシアニン誘導体及びその製造
法並びにそれを用いた光学的情報記録媒体及びその光学
的情報記録媒体の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

近年、コンパクトディスク、ビデオディスク。

液晶表示装置、光学文字読取機等における書込みあるい
は、読取りのためかつ電子写真用光源として半導体レー
ザ光を利用することが提案されている。半４体レーザ光
による書込み又は、読取りのためには、半導体レーザ光
すなわち近赤外光を吸収できる物質が不可欠である。

近赤外光を吸収する有機色素としては、従来、シアニン
色素がよく知られており、またオキシムやチオールの金
属錯体、アミノ化されたキノン誘導体も近赤外光を吸収
する色素として知られている〔有機合成化学協会誌、４
３巻、３３４頁（Ｉ９８５年）２色材協会誌、５３巻、
１９７頁（Ｉ９８０年）２色材協会誌、５８巻、２２０
頁（Ｉ９８５年）〕。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、シアニン色素は射光堅牢性が極めて低い
ので、これを使用する場合には、多くの制約を受けざる
を得ない。また、オキシムやチオールの金属錯体も、あ
る種の媒体中では、錯体から金属が脱離して、近赤外光
の吸収能力が消失する欠点がある。アミノ化されたキノ
ン誘導体は、近赤外光を吸収する能力が極めて低い間厘
がある。

一方、これらの問題点を克服できる材料として、最近ナ
フタロシアニン誘導体が知られているが、従来のｆｉｌ
換金換金フナフタロシアニンニーナル・オブシｘ−キミ
（Ｚｈｕｒｎａｌ　０ｂｓｈｃｈｅｉ　Ｋｈｉｍｉｉ）
　。

第３９巻２５５４頁、１９６９年２モル・クリスト・リ
フ・クリスト（Ｍｏ１．Ｃｒｙｓｔ、Ｌｉｑ、Ｃｒｙｓ
ｔ、）第１１２巻３４５頁、１９８４年〕は、有機溶媒
に不溶であるために、精製が極めて困難である。また、
最近、有機溶媒に可溶なナフタロシアニン誘導体の合成
が報告されている（特開昭６０−２３４５１号公報、特
開昭６０−１８４５６５号公報、特開昭６１−２１５６
６２号公報、特開昭６１−２１５６６３号公報）が、こ
れらのナフタロシアニン誘導体は、その吸収が溶媒の種
類、濃度、温度等により大きく変化し、高濃度の溶液中
あるいは固体膜とした場合には、半導体レーザ光を吸収
する能力が極めて低下してしまうだけでなく、光ディス
クにおいて記録された情報の読み出しに反射光を用いる
場合に重要な反射率が、半導体レーザ領域（７８０〜８
３０　ｎ　ｍ）で非常に低いという間頂点があった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、一般式（［） どのＩＶｂ族の金属又は金属酸化物、Ｏｖなどのｖｂ族
の金属酸化物、Ｃｒ、Ｍｏなどのｖｂ族の金属、Ｍｎ、
ＣＱＭｎなどのｖｂ族の金属又は金属のハロゲン化物又
はＦ　ｅ　、　ＣＱ　Ｆ　ｅ　、　Ｃｏ　。

Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄなどの■族の金属又は金属のハロゲン
化物の中の一種を示すトで表わされるナフタロシアニン
誘導体に関する。

また、本発明は一般式（ＩＩ） ［ただし、式中Ｒ１は、炭素数１〜２２個のアルキル基
であり複数個のＲ１は同一でも相異なってもよく、ｎは
同−又は相異していてもよい１〜４の整数であり、Ｍは
Ｃｕなどのｉｂ族金属、ＭｇなどのＩｌａ族金属、Ｚｎ
などのｎｂ族金属、ＡＡ。

ＣＱＡＱ、ＨＯＡＱ、Ｉｎ、ＣＱＩｎなどのＨａ族の金
属、金属のハロゲン化物又は金属の水酸化物、Ｓｉ、Ｃ
Ｑ２Ｓｉ、（ＨＯ）２Ｓｉ、Ｇｅ。

ＣＭ□Ｇｅ、（ＨＯ）２Ｇ　ｅ　、Ｓ　ｎ　ＨＣＱｚＳ
　ｎ　ｒ（ＨＯ）２Ｓｎ、ＰｂなどのＩＶａ族の金属、
金属のハロゲン化物又は金属の水酸化物、Ｔｉ、○Ｔｉ
な［ただし、式中Ｒ１は、炭素数１〜２２個のアルキル
基であり複数個のＲ１は同一でも相異してもよく、ｎは
同−又は相異していてもよい１〜４の整数であり、Ｙ工
及びＹ２は同一でも相異してもよくアリールオキシル基
、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル基、トリア
リールシロキシル基、トリアルコキシシロキシル基、ト
リアリールオキシシロキシル基又はトリチルオキシル基
であり、ＭはＡＱ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎであり、
ＭがＡＱのときは、Ｙ工のみが、ＭがＴｉ、Ｓｉ。

Ｇｅ又はＳｎのときはＹ工及びＹ２がＭに共有結合して
いる。コで表わされるナフタロシアニン誘導体に関する
。

一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）で表わされるす溶であ
り、容易に精製し純度を向上できるだけでなく、半導体
レーザ光を吸収する能力に著しく優れている。

上記芳香族系溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリメチル
ベンゼン、１−タロロナフタレン。

キノリン等があり、上記ハロゲン系溶媒としては、塩化
メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、トリクロロエタ
ン等があり、上記エーテル系溶媒としては、ジエチルエ
ーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコー
ルジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル。

ジエチレングリコールジメチルエーテル等があり、ケト
ン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルプロピルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサ
ノン、アセトンアルコール等があり、飽和炭化水素系溶
媒としては、ペンタン。

ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン。

ウンデカン等がある。

前記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）において、Ｒ１の１〜２
２個のアルキル基の例としては、メチル基。

エチル基、ｎ−プロピル基、５ｅｃ−プロピル基。

ｎ−ブチル基、　５ｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基。

ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、２−アミル基、３−アミ
ル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基
、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オク
タデシル基、エイコシル基、トコシル基等があげられる
。

前記−形成（Ｉ）において、Ｍの例としてはＣし、Ｍｇ
、Ｚｎ、ＡＱ、ＣＱＡＱ、ＨＯＡＱ。

Ｉｎ、ＣＱＩｎ、Ｓｉｔ　ＣＱ２Ｓｉ、（ＨＯ）２Ｓｌ
ｌＧｅ、ＣＱ２Ｇｅ、（ＨＯ）２Ｇｅ、Ｓｎ、ＣＱ２Ｓ
ｎ。

（ＨＯ）２Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、ＯＴｉ＋○Ｖ、Ｃｒ。

Ｍｏ、Ｍｎ、ＣＱＭｎ、Ｆｅ、ＣＱＦｅ、Ｇｏ。

Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等があげられる。

前記−形成（Ｉ１）において、Ｍの例としては。

ＡＱ、Ｔｉ、Ｓｉｒ　Ｇｅ、Ｓｎ等があげられ、Ｙ工及
びＹ２の例としては、アリールオキシル基としてフェノ
キジル基、トリルオキシル基、ア二テトラデシロキシル
基、ヘキサデシロキシル基。

オフタデシロキシル基、エイコ″／Ａ序彷キシル基。

トコ牧＃キシル基等があり、トリアルキルシロキシル基
としては、トリメチルシロキシル基、トリエチルシロキ
シル基、トリプロピルシロキシル基、トリブチルシロキ
シル基等があり、トリアリールシロキシル基としては、
トリフェニルシロキシル基、トリアニシルシロキシル基
、トリトリルシロキシル基等があり、トリアルコキシシ
ロキシル基としては、トリメトキシシロキシル基、トリ
エトキシシロキシル基、トリプロポキシシロキシル基、
トリブトキシシロキシル基等があり、トリアリールオキ
シシロキシル基としては、トリフエノキシシロキシル基
、ドリアニシロキシシロキシル基、トリトリルオキシシ
ロキシル基等がある。

前記−形成（Ｉ）において、ＭがＣｕ、Ｚｎ。

ＣｎＡＱ、ＣＱ　Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、○■。

Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ又はＰｄであるナフタロシアニン誘導
体が好ましい。

前記−形成（Ｉ）において、ｎが１であるナフタロシア
ニン誘導体が好ましい。

前記−形成（Ｉ）において、Ｒ１が、炭素数１３〜２２
個のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体が好まし
い。

前記−形成（ＩＩ）において、ＭがＧｅであるナフタロ
シアニン誘１体が好ましい。

前記−形成（ＩＩ）において、ｎが１であるナフタロシ
アニン誘導体が好ましい。

前記−形成（ＩＩ）において、Ｙ工及びＹ２がいずれも
トリアルキルシロキシル基であるナフタロシアニン誘導
体が好ましい。

前記−形成（ＩＩ）において、Ｙ□及びＹ２がいずれも
アルコキシル基であるナフタロシアニ′：／誘導体が好
ましい。

本発明に係るナフタロシアニン誘導体の具体例を次に示
す。

（ＩＩ−Ｃ，６Ｈ３３）Ｏｚ　に ＣＯｚ　（ＩＩ−ｃｔ　６　Ｈ３３） ＬＣＵ２　（Ｃ２Ｈ５ル。

ＣＯ２（ＩＩ−Ｃ，ｏ　Ｈ２１） ［ＣＯ２（Ｃ２１（Ｓ　）］２ ［Ｃ０２（Ｃ２Ｈ５）コ。

ＣＯ２（ＩＩ−Ｃ８Ｈ，７） ＣＯｚ　（ＩＩ−Ｃ５Ｈｘ　ｘ　） ＣＯ２（ＩＩ−（＋４Ｈｇ〕 また、 本発明は。

一般式 （ただし、式中Ｒ１は、炭素数１〜２２個のアルキル基
を示し、ｎは１〜４の整数である）で表わされるアルコ
キシカルボン−２，３−ジシアノナフタレンの少なくと
も１種を一般式（ＴＶ−１）ＭＸｐ　　　　　　　　　
　　　　　　（ＩＶ−１）（ただし、式中Ｘはハロゲン
原子又はアシロキシル店及びｐはＯ又は金属ＭへのＸの
結合数を示す正の整数であり、Ｍは、ＣｕなどのＩｂ族
、ＭｇなどのｒＩａ族、Ｚｎなどのｎｂ族、ＡＱ、、Ｉ
ｎなどのＩｎ　ａ族、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂなどのｌ
Ｖａ族、Ｔ工などのＩＶｂ族、Ｖなどのｖｂ族、Ｃｒ。

Ｍｏなどの■ｂ族、Ｍｎなどの■ｂ族又はＦｅ。

Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄなどの■族の金属を示す）で表
わされる金属又は金属塩と反応させる一般式［ただし、
式中Ｒ’　、　ｎ及びＭは前記一般式（Ｉ）と同じ意味
を示す］で表わされるナフタロシアニン誘導体の製造法
に関する。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式（ＩＩＩ）で表わされるアルコキシカ金属塩を０
．１〜１　ｍｏ　Ｑ　共存させて加熱反応することによ
り得ることができる。この場合、反応温度は１５０〜３
００　’Ｃが好ましく、反応時間は３０分〜１０時間が
好ましい。このためには、溶媒なしで反応させるか、あ
るいは溶媒として尿素、テトラリン、キノリン、１−ク
ロロナフタレン、１−ブロモナフタレン、１，２．３−
トリメチルベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベ
ンゼン等を使用するのが好ましい。上記金属又は金属塩
としては、Ｍｇ、Ｚｎ、ＡＱＣＱ、、ＩｎＣＪ。

５ｉＣＱ４．ＧｅＣＱ４，５ｎＣＲ２，ＰｂＣＲ２゜Ｔ
ｉｃ（Ｉ４，ＶＣＱ、、ＣｒＣＪ、ＭｏＣＱ２゜Ｍ　ｎ
　（○・Ｃ０ＣＨ，）２．ＦｅＣＱ、、ＣｏＣ１１Ｉ２
゜Ｎ　ｉ　ＣＱ２．　Ｐ　ｔ　ＣＱ２．　Ｐ　ｄ　ＣＱ
２等がある。

ナフタロシアニン誘導体の反応混合物からの単離・精製
は１反応混合物を希塩酸で洗浄後、水。

アルコール、アセトンなどの前記ナフタロシアニンの貧
溶媒で充分に洗浄し、ハロゲン系溶媒または芳香族系溶
媒に溶ける可溶物を濃縮乾固して固体を採取する方法な
どによって行うことができる。

一般式（ｍ）で表わされるアルコキシカルボニル−２，
３−ジシアノナフタレンは、例えば次のように製造する
ことができる。

すなわち、その一つは、一般式（ＩＸ）（ただし式中Ｒ
１は、炭素数１〜２２個のアルキル基を示し、ｎは１〜
４の整数を表わす）で表ねされるアルコキシカルボニル
−〇−キシレンと式（ただし式中Ｒ１は、炭素数１〜２
２個のアルキル基を示し、ｎは１〜４の整数を表わす）
で表ねされる化合物を、式（ＸＩＩ） ＨＣＮ ＼　／ ＩＩ　　　　　　　　　　　　（ＸＩＩ　）／　＼ ＮＣＲ で表わされるフマロニトリルと加熱上反応させて一般式
（ＩＩＩ）で表わされるアルコキシカルボニル−２，３
−ジシアノナフタレンを合成する方基である。

他の一つは、上記により合成した一般式（ＩＩＩ）で表
わされるＮ−ブロモこはく酸イミドとを、加熱上光照射
されて得られる一般式（Ｘ［）（ただし式中Ｒ１及びｎ
は、前記一般式（Ｘ［）と同じ意味を示す）で表わされ
るアルコキシカルボニル−２，３−ジシアノナフタレン
を一般式（ＸＩ）Ｒ’ＯＨ（ＸＩ） （ただし、式中Ｒ４は、Ｒ１と異なる炭素数１〜２２個
のアルキル基を示す）で表わされるアルコールと加熱不
反応させて一般式（■′）（ただし、式中Ｒ４は、炭素
数１〜２２個のアルキル基を示し、ｎは、１〜４の整数
を表わす）で表わされるアルコキシカルボニル−２，３
−ジシアノナフタレンを合成する方基である。

一般に、一般式（ＩＸ）で表わされるアルコキシカルボ
ニル−０−キシレンと式（Ｘ）で表わされるＮ−ブロモ
こはく酸イミドとの反応は、アルコキシカルボニル−０
−キシレン０．２ｍｏ（Ｌ　　とＮ−ブロモこはく酸イ
ミド０．８ｍｏＱ　を高圧水銀灯照射下、光照射に対し
て不活性な溶媒中で、４〜１２時間加熱還流することに
より行うことができる。反応は、光反応開始剤として、
ラジカル発生剤である過酸化物を添加する必要がある。

過酸化物としては、過酸化ベンゾイル、過酸化オクタノ
イル、過酸化シクロヘキサノン、過酸化インブチリル、
過酸化２，４−ジクロロベンゾイル、過酸化メチルエチ
ルケトンなどが挙げられ、通常、溶媒５００ｍ１２に対
して５００　ｍ　ｇ−２ｇの範囲でな 使用される。また光照射に対して不活性ｊ溶媒としては
、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン系溶媒、ま
たは、ベンゼン、クロベンゼンなどの芳香族系溶媒から
適宜選択される。

また、次の一般式（Ｘ［）で表わされる化合物と式（Ｘ
［ｌ）で表わされるフマロニトリルとの反応は、一般式
（Ｘ［）で表わされる化合物１　ｍｏ　Ｑに対して、式
（Ｘｌｌ）で表わされるフマロニトリルを１〜２ｍｏＱ
の比で共存させ、反応温度は、７０°Ｃ〜１００°Ｃが
好ましく、反応時間は、５〜１０時間が好ましい。７容
媒としては、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ
−ジエチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルアセトアミ
ド等の極性有機溶媒が好ましい。

一般式（ＩＸ）で表わされるアルコキシカルボニル−０
−キシレンは、下記式（Ａ）の経路により製造すること
ができる。

（ＸＮ）　　　　　　　　　　　　　（ＩＸ）（Ａ） すなわち、ヒドロキシカルボニル−〇−キシレン（ただ
し、式中ｎは１〜４の整数を示す）［式（Ｘｌｖ）］　
１ｍｏＱ当り７／Ｉ／：ｌ−／Ｌ／［Ｒ１０Ｈ，（ただ
し、式中Ｒ１は、炭素数１〜２２個のアルキル基である
］を１　ｍｏ　Ｑ以上存在させ溶媒の存在下または、存
在しない条件下、触媒としてルイス酸をヒドロキシカル
ボニル−〇−キシレンの２５〜５０モル％共存させ、加
熱して脱水することにより、アル了 コキシ力ルボニルー〇−キシレン［一般式（母）コを得
ることができる。ここで、上記溶媒としては、ベンゼン
、トルエン、キシレン、クロロベンゼン。

ジクロロベンゼン、トリメチルベンゼン、１−クロロナ
フタレン等が好ましく、触媒としては、硫酸、ｐ−１−
ルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸等が好ましく、
反応温度は、８０〜２４０°Ｃの範囲で行うのが好まし
く、反応時間は１〜１０時間が好ましい。

ある一般式（■）（ただし、式中Ｒ１は炭素数１〜２２
個のアルキル基を示し、ｎは１〜４の整数を表わす）で
表わされるアルコキシカルボニル−２，３−ジシアノナ
フタレン１　ｍｏ　＋２に対して一般式（ＸＩ）で表わ
されるアルコール１　ｍｏ　Ｑ以上を、溶媒の存在下ま
たは、存在しない条件下、触媒としてルイス酸を、原料
のアルコキシカルボニル２．３−ジシアノナフタレンと
等モル以上共存させ、加熱還流してエステル交換反応を
行わせることにより、別のアルコキシカルボニル−２，
３−ジシアノナフタレンを得ることができる。ここで、
上記溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、ク
ロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリメチルベンゼン
、１−クロロナフタレン等が好ましく、触媒としては、
硫酸、Ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸等
が好ましく、反応温度は、８０〜２４０℃の範囲で行う
のが好ましく、反応時間は１〜５０時間程度が好ましい
。

一般式（■）（ただし、式中Ｒ１は炭素数１〜２２ｇＡ
のアルキル基を示す）で表わされるアルコキシカルボニ
ル−２，３−ジシアノナフタレンの反応混合物からの単
離精製は、反応混合物をクロロホルムで抽出後、再結晶
法、カラムクロマトグラフィー法などによって行うこと
ができる。

前記一般式（ｒＶ−１）において、ＭがＣｕ。

Ｚｎ、Ａ（Ｉ，Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｎ。

Ｃｏ、Ｎｉ又はＰｄであり、一般式（Ｉ）においてＭが
それぞれＣｕ　＋　Ｚ　ｎ　＋　ＣＱ　Ａ　Ｑ＋　ＣＱ
Ｉ　ｎ　＋前記一般式（ＩＩＩ）及び一般式（Ｉ）にお
いて、ｎが１であるナフタロシアニン誘導体の製造法が
好ましい。

前記一般式（Ｉ）及び一般式（Ｉ）において、（ただし
、式中Ｒ１は炭素数１〜２２個のアルキル基を示し、ｎ
は１〜４の整数である）で表わされるアルコキシカルボ
ニル−２，３−ジシアノナフタレンを一般式（ＩＶ−２
） Ｍ　Ｘ　ｐ　　　　　　　　　　　　（ｒＶ−２）（た
だし、式中Ｘは、ハロゲン原子及びＰは金属ＭへのＸの
結合数を示す正の整数であり、ＭはＡＱ、Ｔｉ、Ｓｉ、
Ｇｅ又はＳｎを示す）で表わされる金属ハロゲン化物と
反応させて、一般式また、本発明は、一般式（ＩＩＩ） 〔ただし、式中Ｒ１は、炭素数１〜２２個のアルキル基
であり、複数個のＲ１は同一でも相異なつ味を示し、Ｘ
、及びＸ２は、ハロゲン原子を示し、ＭがＡＱ（７）と
きはｘ□のみが、ＭがＴｉ、Ｓｉ。

Ｇｅ又はＳｎのときはｘｌ及びＸ２がＭに共有結合して
いる〕で表わされるナフタロシアニン誘導体を合成し、
次にこの一般式（Ｖ）で表わされる化合物を加水分解さ
せることにより一般式（ＶＩ）てもよく、ｎは同−又は
相異していてもよい１〜λ ４の整数であり、Ｍは前記一般式（ＩＶ−士）と同じ意
味を示し、Ｚ工及びＺ２　はヒドロキシル基を示し、Ｍ
がＡＱのときにはＺ工のみか、ＭがＴｉ。

Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎのときは２工及びＺ２がＭに共有結
合している〕で表わされるナフタロシアニン誘導体を得
、続いてこの一般式（Ｖｌ）で表わされる化合物を一般
式（■） （Ｒ２）　３　Ｓ　ｉＯＨ（■） 〔ただし１式中Ｒ２は、アルキル基、アリール基。

アルコキシル基又はアリールオキシル基である。〕で表
わされるシラノール又は一般式（■）Ｒ３０Ｈ（■） 〔ただし、式中Ｒ３は、アルキル基、アリール基又はト
リチル基である。〕で表わされるアルコールと反応させ
ることを特徴とする一般式（ＩＩ）以下余白 〔ただし、式中Ｒ１は、炭素Ｓ！１１〜２２個のアルキ
ル基であり、複数個のＲ１は同一でも相異なつ〔ただし
式中Ｒｉ＋　ｎ　＋　Ｙ　ｌｒ　Ｉ２及びＭは前記−般
式（ＩＩ）と同じ意味を示す〕で表わされるナフタロシ
アニン誘導体の製造法に関する。

一般式（ＩＴ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は
、一般式（ＶＩ）で表わされる化合物と大過剰の一般式
（■）で表わされるシラノール又は、一般式（■）で表
わされるアルコールを加熱し、脱水反応させることによ
り得ることができる。この場合、反応温度は、８０〜２
５０　’Ｃが好ましく、反応時間は３０分〜１０時間が
好ましい。この反応は、溶媒なしで反応させるか、ある
いは溶媒としてベンゼン、トルエン、キシレン、トリメ
チルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン。

トリタロロベンゼン、１−タロロナフタレン、テ１〜ラ
リン、キノリン等を使用するのが好ましい。

一般式（Ｈ）で表わされるナフタロシアニン誘導体の反
応混合物からの単雛、精製は、反応混合物を、カラムク
ロマトグラフィー法または薄層タロマドグラフィー法に
より分層した後、再結晶法により精製するなどの方法に
よって行うことができる。

一般式（ＶＩ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は
、一般式（Ｖ）で表わされる化合物を、加熱上加水分解
反応をさせることにより得ることができる。この場合１
反応温度は５０〜１５０　’Ｃが好ましく反応時間は、
３０分〜１０時間が好ましい。このためには、ピリジン
／水、ピリジン／アンモニア水、メタノール／アンモニ
ア水、エタノール／アンモニア水、プロパツール／アン
モニア水などの混合溶媒中で反応させるのが好ましい。

一般式（Ｖ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式（ＩＩＩ）で表わされるアルコキシカルボニル−
２，３−ジシアノナフタレン１モルに対して一般式（Ｉ
Ｖ−２）で表わされる金属ハロゲン化物を０．２５〜１
モルの比で共存させて加熱反応させて得ることができる
。この場合、反応温度は１５０〜３００　°Ｃが好まし
く、反応時間は、３０分〜５時間が好ましい。このため
には溶媒なしで反応させるか、あるいは溶媒として、尿
素。

テトラリン、キノリン、１−クロロナフタレン、１−ブ
ロモナフタレン、１，２．４−トリメチルベンゼン、１
，２．３−トリメチルベンゼン、ジクロロベンゼン、ト
リクロロベンゼン等を使用するのが好ましい。上記金属
ハロゲン化物としては、ＡＱＣＱｓ、ＴｉＣ１１４，５
ｉＣＱ４．ＧｅＣＱ＋。

ＧｅＢｒ４．ＧｅＩ４，５ｎＣＱｚ、ＳｎＩ２等がある
。

一般式（ＩＩＩ）で表わされるアルコキシカルボニル−
２，３−ジシアノナフタレンは、前記−の発明で述べた
方法によって製造することができる。

前記一般式（ＴＶ−２）　、　（Ｖ）　、　（ＶＩ）及
び（ＩＩ）において、ＭがＧｅであるナフタロシアニン
誘導体の製造法が好ましい。

前記一般式（ＩＩＴ）　、　（Ｖ）　、　（Ｖｌ）及び
（ＩＩ）において、ｎが１であるナフタロシアニン誘導
体の製造法が好ましい。

前記一般式（■）において、Ｒ２がアルキル基であり、
一般式（ＩＩ）においてＹｌ及びＩ２が、いずれもトリ
アルキルシロキシル基であるナフタロシアニン誘導体の
製造法が好ましい。

前記一般式（ＶＩＩ）において、Ｒ３がアルキル基であ
り、一般式（ＩＴ）においてＹｔ及びＩ２がいずれもア
ルコキシル基であるナフタロシアニン誘導体の製造法が
好ましい。

また、本発明は、基板表面に下記一般式（Ｔ）〔ただし
、式中Ｒ’、ｎ及びＭは前記−形成（Ｉ）と同じ、意味
を示す〕で表わされるナフタロシアニン：ｙＩ誘導体主
成分とする記録膜層が形成されていることを特徴とする
光学的情報記録媒体に関する。

また、本発明は、−形成（ＩＩ） 〔ただし、式中Ｒ１，ｎ、　Ｙｌ、　Ｙ２及びＭは前記
−形成（ＩＩ）と同じ意味を示す〕で表わされるナフタ
ロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成されて
いることを特徴とする光学的情報記録媒体に関する。

本発明に係る光学的情報記録媒体は、基板上に本発明の
一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体を主
成分とする記録層を設けたものであり、また、別の本発
明に係る光学的情報記録媒体は、基板上に本発明の一般
式（ＩＩ）で表されるナフタロシアニン誘４体を主成分
とする記録層を設けたものであるが必要に応じて下地層
や保護層などの他の層を設けることができる。

また、−形成（Ｉ）と−形成（ＩＩ）で表されるナフタ
ロシアニン誘導体を併用することができる。

使用される基板材料は、当業者には既知のものであり、
使用されるレーザー光に対して透明または不透明のいず
れでもよい。しかし、基板側からレーザー光で書き込み
、読出しを行う場合は、そのレーザー光に対して透明で
なければならない。

一方、基板と反対側すなわち記８Ｍ側から書き込み、読
出しを行う場合は、使用するレーザー光に対して透明で
ある必要はない。基板材料としては、ガラス、石英、マ
イカ、セラミック、板状または箔状の金属などの無機材
料のほか、紙、ポリカーボネート、ポリエステル、酢酸
セルロース、ニトロセルロース、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン。

ポリ塩化ビニル、塩化ビニリデン共重合体、ポリアミド
、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート及びメチル
メタクリレート共重合体等の有機高分子材料の板が挙げ
られるが、これらに限定されない。記録時に熱損失が少
なく、感度をあげるという意味で低熱伝導率の有機高分
子からなる支持体が望ましく、基板には必要に応じて凹
凸で形成される案内溝を設けても良い。

また、基板には必要に応じて下地膜を設けてもよい。

前記−形成（［）において、ＭがＣｕ、Ｚｎ。

ＣＤ、ＡＱ、ＣＱＩｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、○Ｖ。

Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ又はＰｄであるナフタロシアニン誘導
体を主成分とする記録膜層が形成されている光学的情報
記録媒体が好ましい。

前記−形成（Ｉ）において、ｎが１であるナフタロシア
ニン誘導体を主成分とする記８膜層が形成されている光
学的情報記録媒体が好ましい。

前記−形成（Ｉ）において、Ｒ１が炭素数１３〜２２個
のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分と
する記録膜層が形成されている光学的情報記録媒体が好
ましい。

前記−形成（ＩＩ）において、ＭがＧｅであるナフタロ
シアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成されてい
る光学的情報記録媒体が好ましい。

１涌記−形成（ＩＩ）において、ｎが１であるナフタロ
シアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成されてい
る光学的情報記録媒体が好ましい。

前記−形成（ＩＩ）において、Ｙ□及びＹ２がいずれも
トリアルキルシロキシル基であるナフタロシアニン誘導
体を主成分とする記録膜層が形成されている光学的情報
記録媒体が好ましい。

前記−形成（ＩＩ）において、Ｙ工及びＹ２がいずれも
アルコキシル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分
とする記録膜層が形成されている光学的情報記録媒体が
好ましい。

また、本発明は、−形成（Ｉ） 以下余白 〔ただし、式中Ｒ□、ｎ及びＭは前記−形成（Ｉ）と同
じ意味を示す〕で表されるナフタロシアニン誘導体を主
として有機溶媒に溶解した溶液を用いて基板表面に記録
膜層を形成することを特徴とする光学的情報記録媒体の
製造方法に関する。

また、本発明は、−形成（■） 〔ただし、式中Ｒ１，ｎ、Ｙ□、Ｙ２及びＭは前記−形
成（ＩＩ）と同じ意味を示す〕で表わされるナフタロシ
アニン誘導体を主として有機溶媒に溶解した溶液を用い
て基板表面に記録膜層を形成することを特徴とする光学
的情報記録媒体の製造方法に関する。

上記有機溶媒としては、−形成（Ｉ）及び−形成（ＩＩ
）で表わされるナフタロシアニン誘導体を溶解する前記
芳香族系、ハロゲン系、エーテル系。

ケトン系及び飽和炭化水素系等の溶媒の中から選択され
、単一でも混合された溶媒でもよい。ただし、使用する
基板を浸さない溶媒を用いるのが好ましい。

一般式（Ｉ）及び／又は（ＩＩ）で表わされるナフタロ
シアニン誘導体を有機溶媒に溶解した溶液を用いた記録
膜層の形成方法としては、塗布法。

印刷法、浸１法がある。具体的には、色素を上記溶媒に
溶解し、スプレー、ローラーコーティング。

スピンコーティング、ディッピングで行う。なお、記録
媒体形成時に、必要に応じてポリマーバインダー等の結
着材、安定剤等を添加することもできる。バインダーと
しては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、アクリル樹脂等を挙げることができるが、これ
らに限定されない。

該記録層材料は、単独あるいは２種以上の組み合わせで
用いられ、２種以上の組み合わせの場合は、積層構造で
も、混合された単一層構造でもよい。記録層の膜厚は５
０〜１００００人の範囲が好ましく、特に１００〜５０
００人の範囲が好ましい。

また、形成された記Ｂ像を光学的に再生する時、反射光
を利用することが多い。この場合にはコントラストを高
める有効な方法として、基板側から書き込み、読み出し
を行う場合は基板と反対側の記９層の表面に、高い反射
率を示す金属層を設けることもでき、基板と反対側すな
わち記録層側から書き込み、読み出しを行う場合は、基
板と記録層の間に高い反射率を示す金属層を設けること
もできる。この高反射率の金属としては、ＡＱ。

Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎなどが用いられる。これらの膜
は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ蒸着などの公
知の薄膜形成技術で形成することができ、その膜厚は１
００〜１００００人の範囲で選ばれる。

ただし、該ナフタロシアニン誘導体の中で、形成（ＩＩ
）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、それ自身の
反射率が高く、金属反射層を設ける必要はない。

また、基板自身の表面平滑性が問題になるときは、基板
上に有機高分子の均一な膜を設けるとよい。これらのポ
リマーとしては、ポリエステル。

ポリ塩化ビニルなどの市販のポリマーが適用可能である
。

さらに、最外層に保護層を設け、これにより安定性、保
護性を増し、さらに、表面反射率の低減による感度増加
を目的とする層を設けることもできる。このような保ｆ
ｆ１Ｊｆｆｉに用いられる材料としては、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニリデンとアクリロニ
トリル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリイミド、ポリメ
チルメタクリレートウポリスチレン、ポリイソプレン、
ポリブタジェン、ポリウレタン、ポリビニルブチラール
、フッ素ゴム、ポリエステル、エポキシ樹脂、シリコー
ン樹脂、酢酸セルロースなどがある。これらは、単独で
またはブレンドとして用いられる。保護Ｍ梨 にシリコーンオイル、帯電防止剤、無橋剤などを存在さ
せることは、膜性能の強化の点で好ましい。

また、保護層は２層に重ねることもできる。上述した保
護層用の材料は、適当な溶剤に溶解して塗布するか、講
いフィルムとしてラミネートする方法が適用可能である
。このような保護層の膜厚は０．１　〜１０．ｃＬｍの
厚みに設けるが、好ましくは０・１〜２μｍで用いられ
る。

前記一般式（Ｉ）において、ＭがＣｕ、Ｚｎ。

ＣＱＡＱ、ＣＱＩｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＯＶ。

Ｍ　ｎ　Ｉ　Ｃｏ　、Ｎ　ｘ又はＰｄであるナフタロシ
アニン誘導体を用いた光学的情報記録媒体の製造方法が
好ましい。

前記一般式（Ｉ）において、ｎが１であるナフタロシア
ニン誘導体を用いた光学的情報記録媒体の製造方法が好
ましい。

前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１が炭素数１３〜２２個
のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を用いた光
学的情報記録媒体の製造方法が好ましい。

前記一般式（ＩＩ）において、ＭがＧｅであるナフタロ
シアニン誘導体を用いた光学的情報記録媒体の製造方法
が好ましい。

前記一般式（ＩＩ）において、ｎが１であるナフタロシ
アニン誘導体を用いた光学的情報記録媒体の製造方法が
好ましい。

前記一般式（ＩＩ）において、Ｙｌ及びＹ２がいずれも
トリアルキルシロキシル基であるナフタロシアニン誘導
体を用いた光学的情報記録媒体の製造方法が好ましい。

荊記一般式（ＩＩ）において、Ｙｌ及びＹ２がいずれも
アルコキシル基であるナフタロシアニン誘導体を用いた
光学的情報記録媒体の製造方法が好ましい。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により説明するが本発明は何らこ
れらに限定されるものではない。

合成例１ 〔３，４−ジメチル安息香酸メチルの合成〕３．４−ジ
メチル安息香酸４７．６　　ｇ　（０，３１７ｍｏＱ、
）をメタノール２００ｍＱ中に加え、約６ｍＱの１硫酸
存在下、モレキュラーシーブス３Ａ（和光補薬工業（株
）製乾燥剤）で脱水しながら、約４時間還流した。放冷
後、水約６００ｍＱを加え、ベンゼン約２００ｍＱを用
いて３回抽出した。

ベンゼン溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で３回、
続いて水で３回洗浄後、無水硫酸ナトリウムを加えて乾
燥した。ベンゼン溶液を濃縮後、減圧上蒸留すると、沸
点１３３−１３４℃／　３０　ｎ＋ｍＨｇで４９．４　
　ｇの無色液体を得た。下記の分析結果から、この液体
は３，４−ジメチル安息香酸メチルであることを確認し
た。

（Ｉ）元素分析値： ＣＨ 計算値（％）　　　７３．１５　　７．３７実測値（％
）　　７３．１３　　７．４６（２）核磁気共鳴（ＮＭ
Ｒ）スペクトル値：ＣＤＣＱ３溶媒 δ値　７．８１　（ＬＨ，ｂ　ｒ−ｓ）７．７６　　（
ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝７．９３゜１　、５３　Ｈｚ　） ７．１８　　（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝７．９３Ｈｚ）３　、８
９　　（３Ｉ−！　、　　ｓ　）２．３０　　（６Ｈ，
５） （３）赤外吸収（ＩＲ）スペクトル（塗布法）を第１図
に示す。約１７１０■−１付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮
振動に帰因する吸収を有する。

合成例２ 〔６−メドキシカルボニルー２，３−ジシアノナフタレ
ンの合成〕 ３．４−ジメチル安息香酸メチル３３．８　　ｇ（０，
２ｍｏ（Ｉ）及びＮ−ブロモこはく酸イミド１−４２．
４　ｇ　（０，８ｍｏＱ）の四塩化炭素５００ｍＱ溶液
に過酸化ベンゾイル１ｇを加え内部照射管中で還流しな
がら８〜１２時間高圧水銀灯（Ｉ００Ｗ）により光照射
した。放冷後、析出した白色結晶を吸引ろ過して除き、
母液の四塩化炭素溶液を減圧下５．′！縮した。得られ
た固体をヘキサン／塩化メチレンより再結晶すると無色
の結晶として３゜４−ビス（ジブロモメチル）安息香酸
メチル７９ｇを得た。３，４−ビス（ジブロモメチル）
安息香酸メチルの物性は下記に示すものであった。

（Ｉ）融点９９．５〜１００．５°Ｃ （２）元素分析値： ＨＢｒ （３）ＮＭＲスペクトル値：ＣＤＣＱ、溶媒δ　８．２
９　（ＬＨ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．０３　（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝８．２４゜１．５３Ｈｚ
） ７．８１　（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝８．２４Ｈｚ）７．１８　
（ＬＨ，ｂ　ｒ−ｓ） ７．０９　（ＬＨ，ｂｒ−ｓ） ３．９６　（３Ｈ，５） （４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２図に示す。

約１７０５ｃ＋ｎ−１付近にエステルのＣ＝○伸縮振動
に帰因する吸収を有する。

次に、得られた３、４−ビス（ジブロモメチル）安息香
酸メチル４８ｇ　（０，１ｍｏｆ２）　、フマロニトリ
ル１３．５　ｇ　（０，１７３ｍｏＱ）の無水Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド４００ｍΩ溶液に、よくかくはん
しながらヨウ化ナトリウム１００ｇ（０，６７ｍｏＱ）
を加え、窒素雰囲気下約７５°Ｃで約７時間かくはんし
た。反応後、内容物を約２ｋｇの氷中へ注ぎ出した。赤
かっ色水溶液が淡黄色になるまで徐々に亜硫酸水素ナト
リウムを加え、わずかに過剰量亜硫酸水素ナトリウムを
加え、しばらくかくはんした後、室温下−晩装置した。

析出した淡黄色固体を吸引ろ過し充分に水、次にメタノ
ールで洗浄した。淡黄色固体をアセトン／メタノールか
ら再結晶することによって無色針状晶が１３．９ｇ得ら
れた。この結晶は、下記の分析結果から６−メドキシカ
ルボニルー２，３−ジシアノナフタレンであることを確
認した。

（Ｉ）￥！Ａ点２点在６４〜２６５ °Ｃ）元素分析値 ＨＮ （３）ＮＭＲスペクトル値：　ＣＤＣＱ３溶媒δ値　８
．７２　（ＩＨ，ｂｒ−ｓ） ８．４７　（ＬＨ，ｓ） ８．４１　（ＬＨ，ｓ） ８．３８　（ＬＨ，ｄｄ、Ｊ＝８．５５゜１．５３Ｈｚ
） ８．０６　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８．５５Ｈｚ）４　、０４
　（３Ｈ、ｓ　） （４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３図に示す。

約１７００ロー１付近にエステルのＣ＝０伸縮振動に帰
因する吸収を有する。

合成例３ 〔３，４−ジメチル安息香酸ｎ−アミルの合成〕３．４
−ジメチル安息香酸６０ｇ（０，４ｍｏＱ）。

ｎ−アミルアルコール４３ｍＱ　（０，４ｍｏＱ）　。

ｐ−トルエンスルホン酸・上水和物２２　ｇ　（０，１
１６ｍｏＱ）をベンゼン１５０ｍＱに加え、ディーンス
ターク、続いてモレキュラーシーブス３Ａで脱水しなが
ら、約６時間還流した。放冷後、飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液１００ｍＱで、反応混合物を３回洗浄後、水で
３回洗浄した。反応混合物のベンゼン溶液を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下濃縮した。油状物を減圧下
蒸留すると、１４５〜１４８°Ｃ／　８　ｎｙｎ　Ｈｇ
で７７ｇの無色液体を得た。下記の分析結果から、この
液体は３，４−ジメチル安息香酸ｎ−アミルであること
を確認した。

（Ｉ）元素分析値： ＣＨ 計算値（％）　　　７６．３３　　９．１５実測値（％
）　　　　７６．２２　　９．２５（２）ＮＭＲスペク
トル値：ＣＤＣＱ、溶媒δ値　７．８１　（ＬＨ，ｂｒ
−ｓ） ７．７７　（ＬＨ，ｄｄ、Ｊ＝７．９４゜１　、９８　
Ｈｚ　） ７　ｒ　ｌ　８　　（Ｉ　Ｈ、ｄ　、Ｊ−７，９４Ｈｚ
　）４．２９　　（２Ｈ，ｔ、Ｊ＝６．７２Ｈｚ）２　
、３０　　（６Ｈ、ｓ　） １　、７６　　（２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ、　Ｊ　＝６．
７２Ｈｚ　）１．４０　　（４Ｈ，ｍ） ０．９３　　（３Ｈ，ｔ、Ｊ＝６．７２Ｈｚ）（３）Ｉ
Ｒスペクトル（−１ｉ布法）を第４図に示す。

約１．７１．Ｏｃ＋ｎ”付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振
動に帰因する吸収を有する。

合成例４ （６−（ＩＩ−アミロキシカルボニル ジシアノナフタレンの合成〕 ３、・１−ジメチル安息香酸ｎ−アミル４４．ＩＦＣ　
（０．２　ｍｏＱ）及びＮ−ブロモこはく酸イミド１　
４　２、４　ｇ　（０．８ｍｏＱ．）の四塩化炭素５０
０ｍＱ溶液に過酸化ベンゾイル１ｇを加え、内部照射管
中で、還流しながら１１時間，高圧水銀灯（Ｉ００減圧
下充分に濃縮した。得られた淡かつ色油状物を、無水Ｎ
，Ｎ−ジメチルホルムアミド８００ｍ　Ｑ．に溶かし、
フマロニトリル２　７　ｇ（０．３　４　６ｍｏ１次い
で、よくかくはんしながら、ヨウ化ナトリウム２００ｇ
　（Ｉ．３４ｍｏｆｌ　）を加え、窒素雰囲気下７５°
Ｃで約７時間かくはんした。反応後、内容物を約４囮の
氷中へ注ぎ出した赤かつ色の水溶液が淡黄色になるまで
徐々に亜硫酸水素ナトリウムを加え、わずかに過剰量亜
硫酸水素す１ヘリウムを加えしばらくかくはんした後、
室温下−晩装置した。析出した淡黄色固体を吸引ろ過し
、充分に水洗した後、数回メタノールで洗浄した。淡黄
色固体を約５００ｍＱのクロロホルムに溶かし、クロロ
ホルム層を水層と分離後、無水硫酸マグネシウム上で乾
燥した。クロロホルム溶液を減圧下１、□′ｌ縮後、ク
ロロホルム／エタノールから２度再結晶することによっ
て無色針状結晶が、２０ｇ得られた。この結晶は、下記
の分析結果から、６−（ＩＩ−アミロキシカルボニル）
−２．３−ジシアノナフタレンであることを確認した。

（Ｉ）ＦＡ点　１５０−１５２℃ （２）元素分析値： ＨＮ （３）ＮＭＲスペクトル値：ＣＤＣ１３溶媒δ値　８．
７０　（ＬＨ，　ｂｒ−ｓ）８、４９　（ＬＨ，ｓ） ８、４１　（ＬＨ，ｓ） ８、３８　（ＬＨ，ｄｄ，Ｊ＝８．５５。

１　、　５　３　Ｈ　ｚ　） ８、０６　（ＬＨ，ｄ，Ｊ＝８．５５Ｈｚ）４、４３　
　（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．７２Ｈｚ）１、８４　（２Ｈ，
ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ：＝６．７２Ｈｚ）１、４４　（Ｌ
Ｈ，ｍ） ０、９６　　（３Ｈ，ｔ，Ｊ　＝６．７２Ｈｚ）（４）
工Ｒスペクトル（ＫＢｒ法）を第５図に示す。

約１７００ロー１付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に帰
因する吸収を有する。

合成例５ 〔３，４−ジメチル安息香ｍｎ−オクチルの合成〕３、
４−ジメチル安息香酸４０　ｇ（０．２７ｍｏＱ）。

ｎ−オクタツール１００ｍＱ　（０．６３５＋ｎｏＱ）
。

ｐ−トルエンスルホン酸・１水和物２　２　ｇ　（０．
＋１６ｍｏｂ）をベンゼン１００ｍＱ中に加え、ディー
ンスターク、続いてモレキュラーシーブス３Ａで脱水し
ながら、約６時間′ａ流した。放冷後、反応混合物を合
成例３と同様に処理し、減圧下蒸留すると、沸点１４８
−１５２℃／　３　ｎｒｎ　Ｈ　Ｋで６　０．５ｇの無
色液体を得た。下記の分析結果からこの液体は、３，４
−ジメチル安息香酸ｎ−オクチルであることを確認した
。

（Ｉ）元素分析値： Ｃ　　　　　　　　　　Ｈ 計算値（％）　　　　７７、８２　　　９．９９実測値
【％）　　　７７、２１　　１０．０７（２）　Ｎ　Ｍ
　Ｒスペクトル値：ＣＤＣＱ．溶媒δ値　７．８　１　
（ＬＨ，　ｂ　ｒ−ｓ）７、７７　（ＬＨ，ｄｄ，Ｊ＝
７．６３。

１、８３Ｈｚ） ７、１９　（ＬＨ，ｄ，Ｊ＝７．６３Ｈｚ）４．２９　
　（２Ｈ，ｔ、Ｊ＝６．７２Ｈｚ）２．３１　　（６Ｈ
，ｓ） １　、７６　　（２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ、　Ｊ　＝６．
７２Ｈｚ　）１　、１〜１　、５　　（Ｉ０Ｈ、ｍ　）
０　、８８　　（３Ｈ、ｔ　、　Ｊ　＝　６　、７２　
Ｈｚ　）（３）丁Ｒスペクトル（塗布法）を第６図に示
す。

約１７１０印−１付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に帰
因する吸収を有する。

合成例６ （６−（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）　−２，３−
ジシアノナフタレンの合成〕 ３．４−ジメチル安息香酸ｎ−オクチル５２．５ｇ　（
Ｑ、２　ｍｏＱ）及びＮ−ブロモこはく酸イミド１４２
．４ｇ　（０，８ｍｏｆｆ）の四塩化炭素５００ｍＱ溶
液に過酸化ベンゾイル１ｇを加え、内部照射管中で還流
しながら約１１時間高圧水銀灯（Ｉ００Ｗ）により光照
射した。放冷後、反応混合物を、合成例４と同様に処理
し、フマロニトリルと反応させ処理した後、クロロホル
ム／エタノールから数回再結晶することによって、無色
針状晶が、約７ｇ得られた。この結晶は、下記の分析結
果から６−（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）−２，３
−ジシアノナフタレンであることを確認した。

（Ｉ）融点　１４２〜１４４℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ （３）ＮＭＲスペクトル値二〇ＤＣＱ３溶媒δ値　８．
７０　（ＬＨ，ｂ　ｒ−ｓ）８　、４９　（Ｌ　Ｈ、ｓ
　） ８．４２　（ＬＨ，ｓ） ８．３８　（ＬＨ，ｄｄ、Ｊ＝８．５５゜１　、５２　
Ｈｚ　） ８．０６　（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝８．５５Ｈｚ）４．４２　
（２Ｈ，ｔ、Ｊ＝６．７２Ｈｚ）１　、８３　（２Ｈ，
ｑｕｉｎｔｅｔ、　Ｊ　＝６．７２Ｈｚ　）１．２〜１
．６　（Ｉ０Ｈ，ｍ） ０．８９　（３Ｈ，ｔ、Ｊ＝６．７２Ｈｚ）（４）ＩＲ
スペクトル（ＫＢｒ法）を第７図に示す。

約１７００ａ＋＋−１付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動
に帰因する吸収を有する。

合成例７ （６−（ＩＩ−オクタデシロキシカルボニル）−２゜３
−ジシアノナフタレンの合成〕 ６−メドキシカルボニルー２，３−ジシアノナフタレン
３．１４ｇ　（Ｉ３，３ｍｏ１２）、１−オクタデカノ
ール３．６　ｇ　（Ｉ３，３ｍｏＱ）をベンゼン４０ｍ
１２中、Ｐ−トルエンスルホン酸・１水和物２．２ｇ　
（Ｉ１，６ｍｍｏＱ）存在下、モレキュラーシーブス３
Ａで脱水、脱メタノールしながら約６時間還流した。放
冷後、クロロホルム約１５０ｍＱを加え、クロロホルム
溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で３回、水で３回
洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。クロロホルム
溶液を濃縮後、ベンゼンを展開溶媒として、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーにより精製した。得られた無
色固体をエタノール／クロロホルムから再結晶すること
により、無色針状晶が０．６８　　ｇ得られた。下記の
分析結果からこの無色針状晶は、６−（ＩＩ−オクタデ
シロキシカルボニル）−２゜−ジシアノナフタレンであ
ることを確認した。

（Ｉ）融点　１３９〜１４０°Ｃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）７８．４４　８．９２　５．９０実測値（
％）　　　７８．５２　９．０５　５．８７（３）ＮＭ
Ｒスペクトル値：ＣＤＣ１，溶媒δ値　８．７１　（Ｉ
Ｈ，ｂｒ−ｓ） ８．４９　（ＬＨ，ｓ） ８．４２　（ＬＨ，ｓ） ８．３８　（ＬＨ，ｄｄ、Ｊ＝８．５５゜１　、５３　
Ｈｚ　） ８．０６　（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝８．５５Ｈｚ）４．４２　
　（２Ｈ，ｔ、Ｊ　＝６．７２Ｈｚ）１　、８３　（２
Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ、　Ｊ　＝６．７２Ｈｚ　）１．２
５　（３０Ｈ，ｂｒ−ｓ） ０．８８　（３Ｈ，ｔ、Ｊ＝６．７２Ｈｚ）（４）ＩＲ
スペクトル（ＫＢｒ法）を第８図に示す。

約１７００ｃｍ−’付近にエステルのＣ＝○伸縮振効に
帰因する吸収を有する。

合成例８ （６−（ＩＩ−テトラデシロキシカルボニル）−２゜３
−ジシアノナフタレンの合成〕 ６−メドキシカルボニルー２，３−ジシアノナフタレン
２３６ｍｇ　（ＩｍｍｏＱ）、１−テトラデカノール１
０．７　ｇ　（５０ｍｍｏＱ）をベンゼン１００ｍＱ中
、ｐ−トルエンスルホン酸、・１水和物１．９４ス ｇ　（Ｉ０，２ｍｍｏＱ、）存在下、モレキュラーシー
ブ４３Ａで脱水、脱メタノールしながら、約１２時間還
流した。放冷後、ベンゼン倦媚を留去し、トルエン／ク
ロロホルム（体積比１：１の溶媒）を展開溶媒として、
シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。

さらに、アセトン／メタノールから再結晶する辷 ことによりＡ色結晶が１０３　ｍ　ｇ得られた。下記？ の分析結果からこの％色結晶は、６−（ＩＩ−テトラデ
シロキシカルボニル フタレンであることを確認した。

（Ｉ）融点　１４２〜１　４　２．５°Ｃ（２）元素分
析値： Ｃ　　　　　ＨＮ 計算値（％）　　　７７、４８　　８．１９　　６．６
９δ値　８．６８　（ＬＨ，　ｂ　ｒ−ｓ）８、４７　
　（ＬＨ，ｓ） ８　、　３　９　　（　Ｉ　Ｈ　、　　ｓ　）８、３６
　　（ＬＨ，ｄｄ，Ｊ＝８．５５。

１　、　５　２　Ｈ　ｚ　） ８、０４　　（ＬＨ，ｄ，Ｊ＝８．８５Ｈｚ）４、４０
　　（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．７１Ｈｚ）１　、　８　１　
　（　２　Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ，　Ｊ　＝６．７１Ｈ　
ｚ　）１、２５　　（２２Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ０、８７　　（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．７１Ｈｚ）（４）Ｉ
Ｒスペクトル（ＫＢｒ法）を第９図に示す。

約１７１０ａｎ−１付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

合成例９ （６　−　（ＩＩ−ヘキサデシロキシカルボニル）−２
。

３−ジシアノナフタレンの合成〕 ６−メ１〜キシカルボニル−２，３−ジシアノナフタレ
ン２３６ｍｇ　（Ｉｍｍｏｆ２）、１−ヘキサデカノー
ル１２．１ｇ　（５０ｍｍｏＱ）をベンゼン１００ｍＱ
中、ｐ−トルエンスルホン酸，・１水和物１．９４ス ｇ　（Ｉ　０．２ｍｍｏＱ）存在下、モレキュラーシー
乃３Ａで脱水，脱メタノールしな゛がら、約１２時間還
流した。放冷後，ベンゼン＃−や−を留去し、トルエン
／クロロホルム（体積化１：１．の溶媒）を展開溶媒と
して、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
した。さらに、アセ１−ン／メタノールから再結晶する
ことによりＺ色結晶が２４７セ ｍｇ得られた。下記の分析結果からこの明色結晶は、６
−（ＩＩ−ヘキサデシロキシカルボニル）−２、３−ジ
シアノナフタレンであることを確認した。

（Ｉ）融点　１４１〜１４２°Ｃ （２）元素分析値： Ｃ　　　　　　ＨＮ 計算値（％）　　　７７、９９　　８．５８　　６．２
７（３）ＮＭＲ値：ＣＤＣＱ３溶媒 δ値　８．６９　（ＬＨ，　ｂｒ−ｓ）８、４７　　（
ＬＨ，ｓ） ８　、　３　９　　（　Ｌ　Ｈ　、　　ｓ　）８、３７
　　（ＬＨ，ｄｄ，Ｊ＝８．５５。

１、５３Ｈｚ） ８　、　０　４　　（　Ｉ　Ｈ　、　　ｄ　、　Ｊ　＝
　８　、　５　５　Ｈ　ｚ　）４、、４１　　（２Ｈ，
ｔ．、Ｊ＝６．７２Ｈｚ）１、８　１　　（２Ｈ，ｑｕ
ｉｎｔｅｔ，６．７　２）（ｚ）１、２５　　（２６Ｈ
，ｂ　ｒ−ｓ） ０、８　７　　（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．７２Ｈｚ）（４）
ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１０図に示す。

約１７１０ａｎ−’付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

合成例１０ （６−（ＩＩ−エイコシロキシ力ルボニル）−２。

３−ジシアノナフタレンの合成〕 ６−メドキシカルボニルー２，３−ジシアノナフタレン
２３６ｍｇ　　（ＩｍｍｏＱ）、１−エイコサノール１
５．６　ｇ　（５０ｍｍｏＱ）をベンゼン１００ｍＱ中
、ｐ−トルエンスルホン酸ヶ・１水和物１．９４ｇ　（
ＩＱ、２ｍｍｏＱ）存在下、モレキュラーシーブ、３Ａ
で脱水、脱メタノールしながら、約２８時間還流した。

放冷後、ベンゼン≠謀を留去し、トル開溶媒として、シ
リカゲルクロマトグラフィーによりＩ！１１製した。さ
らに、アセトン／メタノールか鎗、 ら再結晶することにより、り色結晶が１６６ｍｇ得られ
た。下記の分析結果からこの皮包結晶は、６−（ＩＩ−
エイコシロキシ力ルボニル）−２，３−ジシアノナフタ
レンであることを確認した。

（Ｉ）融点　１３８〜１３８．５℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　　７ｇ、８４　９．２２　５．５７（
３）ＮＭＲ値：　ＣＤＣＱ３溶媒 δ値　８　、７０　（Ｌ　Ｈ、ｂ　ｒ　−ｓ　）８　、
４８　　（Ｌ　Ｈ、ｓ　） ８．４１　　（ＩＨ，ｓ） ８．３８　　（ＬＨ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５゜１．５２Ｈ
ｚ） ８．０５　　（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝８．８５Ｈｚ）４．４２
　　（２Ｈ，ｔ、Ｊ　＝６．７１Ｈｚ）１　、８３　　
（２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ、　Ｊ　＝６．７１Ｈｚ　）１
．２５　　（３４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ０．８８　　（３Ｈ，ｔ、Ｊ　＝６．７１Ｈｚ）（４）
ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１１図に示す。

約１７１０ａｎ−’付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

合成例１１ ［６−（ＩＩ−トコシロキシカルボニル）　−２，３−
ジシアノナフタレンの合成〕 ６−メドキシカルボニル−２，３−ジシアノナフタレン
２３６ｍｇ　（ＩｍｍｏＱ）、１−ドコサノール１６．
３　ｇ（５０ｍｍｏＱ）を、ベンゼン１００ｍＱ中、ｐ
−トルエンスルホン酸、・１水和物１．９４ｇ　（Ｉ０
，２ｍｍｏｎ）存在下、モレキュラーシーブ４３Ａで脱
水、脱メタノールしながら、約２８時間還流した。放冷
後、ベンゼン椿萼を留去し、トルエン／ｎ−ヘキサン（
体積比４／１の溶媒）を展開１容媒として、シリカゲル
力ラムグロマトグラフイーにより精製した。さらに、ア
セトン／メタノールから再結晶することにより、％色結
晶が１６１芸 ｍｇ得られた。下記の分析結果からこのグ色結晶は、６
−（ＩＩ−トコシロキシカルボニル）−２゜３−ジシア
ノナフタレンであることを確認した。

（Ｉ）融点　１３５〜１３６．５℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　　７９．２０　９．４９　５．２８（
３）　Ｎ　Ｍ　Ｒ値：　ＣＤＣＱ、溶媒δ値　８．７０
（ＬＨ，ｂｒ−ｓ） ８．４８　　（ＬＨ，ｓ） ８．４１　　（ＬＨ，ｓ） ８．３７　　（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝８．５５゜１．５３Ｈ
ｚ） ８．０５　　（ＬＨ，ｄ、Ｊ　＝８．５５Ｈｚ）４．４
２　　（２Ｈ，ｔ、Ｊ＝６．７２Ｈｚ）１　、８３　　
（２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ、　Ｊ　＝６．７２Ｈｚ　）１
　、２５　　（３８Ｈ、ｂ　ｒ　−ｓ　）０．８８　　
（３Ｈ，ｔ、Ｊ＝６．７２Ｈｚ）（４）ＩＲスペクトル
（ＫＢｒ法）を第１２図に示す。

約１７１０ａｎ−１付近にエステルのｃ＝Ｏ伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

実施例１ ［テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）バナジル
ナフタロシアニン〔例示化合物（Ｉ）〕の合成］６−（
ＩＩ−アミロキシカルボニル）−２，３−ジシアノナフ
タレン１．４６ｇ　（５ｍｍｏＱ）、三塩化バナジウム
０．３２ｇ　（２，０１ｍｍｏＱ）、モリブデン酸アン
モニウム１０ｍｇおよび尿素５ｇを約２２０℃で約２．
５　時間よくかきまぜながら反応させた。放冷後、固化
した反応混合物に５％塩酸４０ｍＱを加え、ある程度は
ぐした後、約５゜℃で３０分間よくかくはんした。かく
はん後、不溶物を吸引ろ過し、水、メタノール、次いで
、アセトンで充分に洗浄した。得られた固体をソックス
レー抽出器で、溶媒としＺメタノール／アセトン（Ｉ／
１）の混合溶媒を用いて、約５０時間不純物の抽出を行
なった。次に、溶媒をクロロホルムに変更して、ソック
スレー抽出を２０時間行なった。得られた濃緑色クロロ
ホルム溶液を熱時吸引ろ過した後減圧下濃縮乾固し、光
沢のある黒色結晶を８６１ｍｇ得た。この結晶は、下記
の分析結果から、テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボ
ニル）バナジルナフタロシアニンであることを確認した
。

（Ｉ）融点　〉３００℃（少なくとも３００　’Ｃ以下
では安定） （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　　６９．９５　５．２２　９．０６実
測値（％）　　　７０．１３　５．１４　９．３３（３
）電子スペクトル値（ＣＨＣＱ、溶液）を第１３図に示
す。

（４）ＩＲスペク１〜ル（ＫＢｒ法）を第１４図に示す
。

約１７００ｃｍ−’付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

実施例２ ［テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）銅ナフタ
ロシアニン〔例示化合物（８）〕の〕合成コローｎ−ア
ミロキシカルボニル）−２，３−ジシアノナフタレン１
．４６ｇ　（５ｍｍｏｆｌ）、塩化第二銅・２水和物２
７３ｍｇ（Ｉ，６ｍｍｏＱ）、モリブデン酸アンモニウ
ム１０　ｍ　ｇおよび尿素５ｇを約２２０℃で約２．５
　時間よくかきまぜながら反応させた。放冷後、反応混
合物を実施例１と同様に処理することによって、光沢の
ある黒色結晶を９８７ｍｇ得た。この結晶は、下記の分
析結果から、テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル
）銅ナフタロシアニンであることを確認した。

（Ｉ）融点　）３００℃（少なくとも３００℃以下では
安定） （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　　７０，１４　５．２３　９．０６実
測値（％）　　　６９．４５　５．２０　９．１７（３
）電子スペクトル値（ＣＨＣｆｌ、溶液）を第１５図に
示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１６図に示す。

約１７００Ｃ！Ｉ＋−１付近にエステルのＣ＝○伸縮振
動に帰因する吸収を有する。

実施例３ ［テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）亜鉛ナフ
タロシアニン〔例示化合物（Ｉ３）　）の合成］６−（
ＩＩ−アミロキシカルボニル）−２，３−ジシアノナフ
タレン１．４６ｇ　（５ｍｍｏＱ）、粉末亜鉛１０５ｍ
ｇ（Ｉ，６ｍｍｏＱ）、モリブデン酸アンモニウム１０
　ｍ　ｇおよび尿素５ｇを約２２０　’Ｃで約２．５　
時間よくかきまぜながら反応させた。

放冷後、反応混合物を実施例１と同様に処理することに
よって、光沢のある黒色結晶を９３７ｍｇ得た。この結
晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ＩＩ−アミロ
キシカルボニル）亜鉛ナフタロシアニンであることを確
認した。

（Ｉ）融点　〉３００°Ｃ（少なくとも３００′Ｃ以下
では安定） （２）元素分析値： ＣＨＮ （３）電子スペクトル（ＣＨＣＱ、溶液）を第１７図に
示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１８図に示す。

約１７００ａｎ−１付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

実施例４ ［テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）バナジ
ルナフタロシアニン〔例示化合物（２）〕の合成］ ６−　（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）−２，３−ジ
シアノナフタレン１．６７　ｇ　（５ｍｍｏＱ）、三塩
化バナジウム０．３２　ｇ（Ｉ，６ｍｍｏα）、モリブ
デン酸アンモニウム１０ｍｇおよび尿素５ｇを約２２０
　’Ｃで約２．５　時間よくかきまぜながら反応させた
。放冷後、反応混合物を実施例１と同様に処理すること
によって光沢のある黒色結晶を１．３３　　ｇ得た。こ
の結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ＩＩ−オ
クチロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニンであ
ることをＷ認した。

（Ｉ）融点＞３００℃（少なくとも３００°Ｃ以下では
安定） （２）元素分析値： ＣＨＮ （３）電子スペクトル値（ＣＨＣＱ、溶液）を第１９図
に示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２０図に示す。

約１７００■−１付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に帰
因する吸収を有する。

実施例Ｓ ［テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）銅ナフ
タロシアニン〔例示化合物（９）〕の〕合成コローｎ−
オクチロキシカルボニル）−２，３−ジシアノナフタレ
ン１．６７　ｇ　（５ｍｍｏΩ）、塩化第二銅、２水和
物２７３ｍｇ　（Ｉ，６ｍｍｏＱ）。

モリブデン酸アンモニウム１０ｍｇおよび尿素５Ｋを約
２２０℃で約２．５時間よくかきまぜながら反応させた
。放冷後、反応混合物を実施例１と同様に処理すること
によって光沢のある黒色結晶を１．３９　　ｇ得た。こ
の結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ＩＩ−オ
クチロキシカルボニル）銅ナフタロシアニンであること
を確認した。

（Ｉ）融点　＞３００’Ｃ（少なくとも３００℃以下で
は安定） （２）元素分析値： ＣＨＮ ′＃ｉ＃値　（％）　　　　７１．９５　６．０８　８
．１４（３）電子スペクトル（ＣＨＣＱ、溶液）を第２
１図に示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２２図に示す。

約１７００ロー１付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に帰
因する吸収を有する。

実施例６ ［テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）亜鉛ナ
フタロシアニン〔例示化合物（Ｉ４）　）の合成］６−
（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）−２，３−ジシアノ
ナフタレン１．６’７　ｇ　（５ｍｍｏＱ）、亜鉛末１
０５ｍｇ（Ｉ，６ｍｍｏ（Ｉ）、モリブデン酸アンモニ
ウム１０ｍｇおよび尿素５ｇを約２２０°Ｃで約２．５
時間よくかきまぜながら反応させた。

放冷後、反応混合物を実施例１と同様に処理することに
よって、光沢のある黒色結晶を１．２６　　ｇシアニン
であることを確認した。

（Ｉ）融点　）３００℃（少すくトも３００’Ｃ以下で
は安定である。） （２）元素分析値： ＣＨＮ （３）電子スペクトル値（ＣＨＣＱ３溶液）を第２３図
に示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２４図に示す。

約１７００　ａｎ−１付近にエステルのＣ＝○伸縮振動
に帰因する吸収を有する。

実施例７ ［テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ニッケル
ナフタロシアニン〔例示化合物（Ｉ６）　）の合成コロ
−（ＩＩ−アミロキシカルボニル）−２，３＝ジシアノ
ナフタレン１．４６　ｇ　（５ｍｍｏＱ）、塩化ニッケ
ル、・６水和物３８０ｍｇ　（Ｉ，６ｍｍｏＱ）。

モリブデン酸アンモニウム１０ｍｇおよび尿素５ｇを約
２２０　℃で約２．５　時間よくかきまぜながら反応さ
せた。放冷後、反応混合物を実施例１と同様に処理する
ことによって光沢のある黒色結晶として、テトラキス（
ＩＩ−アミロキシカルボニル）ニッケルナフタロシアニ
ンを２８７ｍｇ得た。

その電子スペクトル、１（ＣＨＣＱ３溶液）を第２５図
に示す。この化合物も少なくとも３００　’Ｃ以下では
安定である。ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２６図に
示す。約１７００■−”付近にエステル０Ｃ＝Ｏ伸縮振
動に帰因する吸収を有する。

実施例８ ［テＩ〜ラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）パラジ
ウムナフタロシアニン〔例示化合物（Ｉｇ）　）の合成
コ ロ−（ＩＩ−アミロキシカルボニル）−２，３−ジシア
ノナフタレン１．４６　ｇ　（５ｍｍｏｎ）、塩化パラ
ジウム２８４ｍｇ（Ｉ，６ｍｍｏＱ）、モリブデン酸ア
ンモニウム１０ｍｇおよび尿素５ｇを約２２０℃で約２
．５時間よくかきまぜながら反応させた。放冷後、反応
混合物を実施例１と同様に処理することによって光沢の
ある黒色結晶として、テトラキス（ＩＩ−アミロキシカ
ルボニル）パラジウムナフタロシアニンを４０５ｍｇ得
た。その電子スペクトル（ＣＨＣ（ｉ、溶液）を第２７
図に示す。この化合物も、少なくとも３００℃以下では
安定である。ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２８図に
示す。約１７００ｃｍ−１付近にエステルのＣ＝○伸縮
振動に帰因する吸収を有する。

実施例９ ［テトラキス（ＩＩ−オクタデシロキシカルボニル）バ
ナジルナフタロシアニン〔例示化合物（５）〕の合成］ ６−（ＩＩ−オクタデシロキシカルボニル）−２゜３−
ジシアノナフタレン６５０ｍｇ　（Ｉ，３７ｍｍｏｆｌ
）、三塩化バナジウム８８ｍｇ（Ｉ，６ｍｍｏＱ）。

モリブデン酸アンモニウム３ｍｇおよび尿素１．３７ｇ
を約２２０°Ｃで約２．５　時間よくかきまぜながら反
応させた。放冷後、反応混合物を実施例１と同様に処理
することによって光沢のある黒色結晶として、テトラキ
ス（ＩＩ−オクタデシロキシカルボニル）バナジルナフ
タロシアニンを５５６ｍｇ得た。この結晶は、下記の分
析結果からテトラキス（ＩＩ−オクタデシロキシカルボ
ニルジルナフタロシアニンであることを確認した。

（Ｉ）軟化点　１３５〜１３８°Ｃ （２）元素分析値： Ｃ　　　Ｈ　　　Ｎ （３）電子スペクトル（ＣＨＣＱ３溶液）を第２９図に
示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３０図に示す。

約１７００ｃｍ−’付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

実施例１０ ［テトラキス（ＩＩ−オクタデシロキシカルボニル）銅
ナフタロシアニン〔例示化合物（Ｉ２）　）の合成］６
−（ＩＩ−オクタデシロキシカルボニル）−２。

３−ジシアノナフタレン２００ｍｇ　（０．４２ｍｍｏ
Ｑ）、塩化第二銅・２水和物２３ｍｇ　（０．１３ｍｍ
ｏＱ）、モリブデン酸アンモニウム１ｍｇおよび尿素０
．４２ｇを約２２０°Ｃで約２．５時間よくかきまぜな
がら反応させた。放冷後、反応混合物を実施例１と同様
に処理することによって光沢のある黒色結晶として、テ
トラキス（ＩＩ−オクタデシロキシカルボニル）ｆｉ４
ナフタロシアニンを１６０ｍｇ得た。この結晶は、下記
の分析結果からテトラキス（ＩＩ−オクタデシロキシカ
ルボニル）銅ナフタロシアニンであることを確認した。

（Ｉ）軟化点　１１９〜１２１°Ｃ （２）元素分析値： Ｃ　　　　　　Ｈ　　　　　Ｎ （３）電子スペクトル（ＣＨＣＱ３　溶液）を第３１図
に示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３２図に示す。

約１７２０ａ＋＋−’付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動
に帰因する吸収を有する。

実施例１１ ［テトラキス（ＩＩ−テトラデシロキシカルボニル）バ
ナジルナフタロシアニン〔例示化合物（３）〕の合成］ ６−（ＩＩ−テトラデシロキシカルボニル）−２゜３−
ジシアノナフタレン４２ｍｇ　（０，１ｍｍｏｎ）。

三塩化バナジウム６．４ｍｇ　（０，０４ｍｍｏＱ）。

モリブデン酸アンモニウム０．２ｍｇおよび尿素１００
ｍｇを約２２０°Ｃで約２．５　時間よくかきまぜなが
ら反応させた。放冷後、反応混合物を実施例１と同様に
処理することによって、光沢のある黒色結晶を２１ｍｇ
得た。この結晶は下記の分析結果から、テトラキス（Ｉ
Ｉ−テトラデシロキシカルボニル）バナジルナフタロシ
アニンであることを確認した。

（Ｉ）軟化点　２１０〜２１２°Ｃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　７４．５０　７．８７　６．４４実測
値（％）　　７４．６６　７．９６　６．３２イ４ （３）電子スペクトル（ＣＨＣＱ、溶媒）を第３３図に
示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３４図に示す。

約１７２０ａｎ−１付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

実施例１２ ［テトラキス（ＩＩ−テトラデシロキシカルボニル）銅
ナフタロシアニン〔例示化合物（Ｉ０）　）の合成］６
−（ＩＩ−テトラデシロキシカルボニル）−２゜３−ジ
シアノナフタレン４２ｍｇ　（０，１ｍｍｏＱ）。

塩化第二銅・２水和物５．４ｍｇ（０，０３ｍｍｏＱ）
。

モリブデン酸アンモニウム０．２ｍｇ　および、尿素１
００ｍｇを約２２０℃で約２．５時間よくかきまぜなが
ら反応させた。放冷後、反応混合物を実施例１と同様に
処理することによって、光沢のある黒色結晶を２１ｍｇ
得た。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（
ＩＩ−テトラデシロキシカルボニル）銅ナフタロシアニ
ンであることを確認した。

（Ｉ）軟化点　１６８〜１７１℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　７４．６４　７．８９　６．４５実測
値（％）　　７４．８２　７．７６　６．３７汲 （３）電子スペクトル（ＣＨＣＱ、、溶媒）を第３５図
に示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３６図に示す。

約１７２０ｃｍ−’付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

実施例１３ ［テトラキス（ＩＩ−ヘキサデシロキシカルボニル）バ
ナジルナフタロシアニン〔例示化合物（４）〕の合成コ ロ−（ＩＩ−ヘキサデシロキシカルボニル）−２゜３−
ジシアノナフタレン４５ｍｇ　（０，１ｍｍｏＱ）。

三塩化バナジウム６．４ｍｇ　（０，０４ｍｍｏＱ）。

モリブデン酸アンモニウム０．２ｍｇおよび尿素１００
　ｍ　ｇを約２２０　’Ｃで約２．５　時間よくかきま
ぜながら反応させた。放冷後、反応混合物を実施例１と
同様に処理することによって、光沢のある黒色結晶を１
３ｍｇ得た。この結晶は、下記の分析結果から、テトラ
キス（ＩＩ−ヘキサデシロキシカルボニル）バナジルナ
フタロシアニンであることを確認した。

（Ｉ）軟化点　１５１〜１５４°Ｃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　７５．１７　８．２７　６．０５実測
値（％）　　７５．２６　８．１９　６．１３−便 （３）電子スペクトル（ＣＨＣＱ３溶媒）を第３７図に
示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３８図に示す。

約１７２０ｃｍ−１付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

実施例１４ ［テトラキス（ＩＩ−エイコシロキシ力ルボニル）バナ
ジルナフタロシアニン〔例示化合物（６）〕の合成］ ６−（ＩＩ−エイコシロキシ力ルボニル）−２゜３−ジ
シアノナフタレン５２ｍｇ（０，１ｍｍｏＱ、）。

三塩化バナジウム６．４ｍｇ　（０，０４ｍｍｏＱ）。

モリブデン酸アンモニウムＱ、２ｍｇおよび尿素１００
ｍｇを約２２０℃で約２．５時間よくかきまぜながら反
応させた。放冷後１反応混合物を実施例１と同様に処理
することによって、光沢のある黒色結晶を２６ｍｇ得た
。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ＩＩ
−エイコシロキシ力ルボニル）バナジルナフタロシアニ
ンであることを確認した。

（Ｉ）軟化点　８３〜８５℃ （２）元素分析値： ＣＨ 計算値（％）　　７６．３０　８．９３実劃値（％）　
　７６．９２　８．８９（３）電子スペクトル（ＣＨＣ
Ｑ３ 図に示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法） す。

５．３９ ５、ヱ８ 溶層）を第３９ を第４０図に示 約１７２０■−１付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰
因する吸収を有する。

実施例１５ ［テトラキス（ＩＩ−エイコシロキシ力ルボニル）銅ナ
フタロシアニン〔例示化合物（Ｉ１）’］の合成］６−
（ＩＩ−エイコシロキシ力ルボニル）−２，３−ジシア
ノナフタレン５２ｍｇ　（０，１ｍｍｏＱ）＋塩化第二
銅・２水和物５．５ｍｇ（０，０３ｍｍｏＱ）。

モリブデン酸アンモニウムＱ、２ｍｇおよび尿素１００
ｍｇを約２２０°Ｃで約２．５　時間よくかきまぜなが
ら反応させた。放冷後、反応混合物を実施例１と同様に
処理することによって、光沢のある黒色結晶を３６ｍｇ
得た。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（
ＩＩ−エイコシロキシ力ルボニル）銅ナフタロシアニン
であることを確認した。

（Ｉ）軟化点　６７〜７０’Ｃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　７６．４３　８．９４　５．４０実測
値（％）　　７６．６２　８．７８　５．６１瓜 （３）電子スペクトル（ＣＨＣＱ、溶媒）を第４１図に
示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第４２図に示す。

約１７２０ｃｍ−１付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

実施例１６ ［テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）コバルト
ナフタロシアニン〔例示化合物（２０）　）の合成］６
−（ＩＩ−アミロキシカルボニル）−２，３−ジシアノ
ナフタレン１．４６　ｇ　（５ｍｍｏＱ、）、塩化コバ
ルト６水和物０．３８５ｇ　（Ｉ，６ｍｍｏ１２）。

モリブデン酸アンモニウム１０ｍｇおよび尿素５ｇを約
２２０°Ｃで約２．５　時間よくかきまぜながら反応さ
せた。放冷後、反応混合物を実施例１と同様に処理する
ことによって、光沢のある黒色結晶を８２３ｍｇ得た。

この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ＩＩ−
アミロキシカルボニル）コバルトナフタロシアニンであ
ることを確認した。

（Ｉ）融点　）３００’Ｃ（少なくとも３００　’Ｃ以
下では安定） （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　７０，４１　５．２５　９．１２実測
値（％）　　６９．５４　５．０２　９．３６（３）電
子スペクトル（ＣＨＣＱ３溶液）を第４３図に示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第４４図に示す。

約１７００ｃｍ−１付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

実施例１７ ［テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）マンガン
ナフタロシアニン〔例示化合物（２２））の合成コロ−
（ＩＩ−アミロキシカルボニル）−２，３−ジシアノナ
フタレン１．４６　ｇ（５ｍｍｏｆｌ）、酢酸マンガン
・４水和物３９２ｍｇ　（Ｉ，６ｍｍｏＱ）。

モリブデン酸アンモニウム１０ｍｇおよび尿素５ｇを約
２２０　’Ｃで約２．５　時間よくかきまぜながら反応
させた。放冷後、反応混合物を実施例１と同様に処理す
ることによって、光沢のある黒色結晶を６０５ｍｇ得た
。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ＩＩ
−アミロキシカルボニル）マンガンナフタロシアニンで
あることを確認した。

（Ｉ）融点　〉３００℃（少なくとも３００　’Ｃ以下
では安定） （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　７０．６４　５，２７　９．１５実測
値（％）　　７０．７９　５．１９　９．６６（３）電
子スペクトル（ＣＨＣ１ｌｔ３溶液）を第４５図に示す
。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第４６図に示す。

約１７００ロー１付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に帰
因する吸収を有する。

実施例１８ ［テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）クロロ
インジウムナフタロシアニン〔例示化合物（２７）　）
の合成］ ６−　（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）　−２，３−
ジシアノナフタレン１．６７　ｇ　（５ｍｍｏＱ）、三
塩化インジウム・４水和物４７０ｍｇ　（Ｉ，６ｍｍｏ
Ｑ）、モリブデン酸アンモニウム１０　ｍ　ｇおよび尿
素５ｇを約２２０℃で約２．５　時間よくかきまぜなが
ら反応させた。放冷後、反応混合物を実施例１と同様に
処理することによって、光沢のあルボニル）クロロイン
ジウムナフタロシアニンであることを確認した。

（Ｉ）融点　〉３ｏＯ℃（少なくとも３００°Ｃ以下で
は安定） （２）元素分析値： ＨＮＣＱ 計算値（％）　　６７．８１　５，９６　７，５３　２
．３８実測値（％）　　６７．８８　５，７４　７，７
８　１．９９（３）電子スペクトル（ＣＨＣＱ、溶液）
を第４７図に示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第４８図に示す。

約１７００ａｎ−’付近にエステルのＣ＝０伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

実施例１９ ［テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）クロロ
アルミニウムナフタロシアニンｌ〔例示化合物（２４）
　）の合成］ ６−　（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）−２，３−ジ
シアノナフタレン１．６７ｇ（５ｍｍｏＱ）、塩化アル
ミニウム２１３ｍｇ（Ｉ，６ｍｍｏＱ）、モリブデン酸
アンモニウム１ｏ■および尿素５ｇを約２２０℃で、約
２．５時間よくかきまぜながら反応させた。放冷後、固
化した反応混合物にメタノール４０ｍＱを加え、ある程
度はぐした後、約５０℃で３０分間よくかくはんした。

かくはん後、不溶物を吸引ろ過し、メタノール次いでア
セトンで充分に洗浄した。得られた固体をソックススレ
ー抽出器で、まず溶媒としてメタノールを用いて約１０
０時間、次いで、アセトンを用いて約５０時間不純物の
抽出を行なった。次に、溶媒をクロロホルムに変更して
ソックスレー抽出を約２０時間行なった。得られた濃緑
色クロロホルム溶液を熱時吸引ろ過した後、減圧上濃縮
乾固し、光沢のある黒色結晶を２４３■得た。この結晶
は、下記の分析結果から、テトラキス（ＩＩ−オクチロ
キシカルボニル）クロロアルミニウムナフタロシアニン
であることを確認した。

（Ｉ）融点〉３００℃（少なくとも３００　’Ｃ以下で
は安定） （２）元素分析値： ＣＨＮ　　　　　（、Ｑ 計算値（％）　　７２．０６　６．３４　８．００　２
．５３実測値（％）　　７１．８１　６．２７　７．７
４　２．０７（３）電子スペクトル（ＣＨＣＱ、溶液）
を第４９図に示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第５０図に示す。

約１７００■−１付近にエステルのｃ＝０伸縮振動に帰
因する吸収を有する。

実施例２０ ［テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）シリコン
ナフタロシアニン〔例示化合物（２９））の合成］６−
（ＩＩ−アミロキシカルボニル）−２，３−ジシアノナ
フタレン１．４６ｇ（５ｍｍｏＱ）、四塩化ケイ素０．
２９ｍｆｌ（ｊ、５ｍｍｏＱ）、モリブデン酸アンモニ
ウム１０ｍｇおよび尿素５ｇを約２２０°Ｃで約２．５
時間よくかきまぜながら反応させた。

放冷後、固化した反応混合物に５％塩酸４０ｍＱを加え
、ある程度はぐした後、約５０℃で３０分間よくかくは
んした。かくはん後、不溶物を吸引ろ過し、水、メタノ
ール、次いで、アセトンで充分に洗浄した。得られた固
体をソックスレー抽出器で、溶媒として、まずメタノー
ル次いでアセトンを用いて、それぞれ約１００時間不純
物の抽出を行なった。次に、溶媒をクロロホルムに変更
して、ソックスレー抽出を２０時間行なった。得られた
濃緑色クロロホルム溶液を熱時吸引ろ過した後減圧下濃
縮乾固し、光沢のある黒色結晶を２４７ｍｇ得た。この
結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ＩＩ−アミ
ロキシカルボニル）シリコンナフタロシアニンであるこ
とを確認した。

（Ｉ）融点＞３００’Ｃ（少なくとも３００　’Ｃ以下
では安定） （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　７２，２２　５．３９　９．３６実測
値（％）　　７２，４１　５．５２　９．２９（３）電
子スペクトル値（ＣＨＣＱ、溶液）を第５１図に示す。

（４）ＦＴ−ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第５２図に
示す。

約１７１６（７）−１付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動
に帰因する吸収を有す。

実施例２１ ［テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ゲルマニ
ウムナフタロシアニン〔例示化合物（３１））の合成コ ロ−（ＩＩ−アミロキシカルボニル）−２，３’−ジシ
アノナフタレン１．４６ｇ　（５ｍｍｏＱ）、四塩化ゲ
ルマニウム０．２８ｍＱ（２，４７ｍｍｏＱ）、モリブ
デン酸アンモニウム１１０１Ｔ１および尿素５ｇを約２
２０°Ｃで約２．５時間よくかきまぜながら反応させた
。放冷後、反応混合物を実施例２０と同様に処理するこ
とによって、光沢のある黒色結晶を７８６ｍｇ得た。こ
の結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ＩＩ−ア
ミロキシカルボニル）ゲルマニウムナフタロシアニンで
あることを確認した。

（Ｉ）融点＞３００℃（少なくとも３００℃以下では安
定） （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　６９．６３　５．１９　９．０２実測
値（％）　　６９．３６　５．０６　９，２８（３）電
子スペクトル値（ＣＨＣｆｌ、溶液）を第５３図に示す
。

（４）ＦＴ−ＩＲスペクトル、（ＫＢｒ法）第５４図振
動に帰因する吸収を有する。

実施例２２ ［テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）スズナフ
タロシアニン〔例示化合物（３３））の合成］６−（Ｉ
Ｉ−アミロキシカルボニル）−２，３−ジシアノナフタ
レン１．４ｆ３ｇ　（５ｍｍｏＱ）、塩化第一スズ４７
４■（２，５ｍｍｏ込）、モリブデン酸アンモニウム１
０■および尿素５ｇを約２２０　’Ｃで約２．５　時間
よくかきまぜながら反応させた。

放冷後、反応混合物を実施例２０と同様に処理すること
によって、光沢のある黒色結晶を７６７■Ｉ得た。この
結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ＩＩ−アミ
ロキシカルボニル）スズナフタロシアニンであることを
確認した。

（Ｉ）融点〉３００°Ｃ（少なくとも３００　’Ｃ以下
では安定） （２）元素分析値： ＣＨＮ （３）電子スペクトル（ＣＨＣＱ、溶液）を第５５図に
示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第５６図に示す。

約１．７００　（Ｉｌ＋−１付近にエステルのＣ＝○伸
縮振動に帰因する吸収を有する。

実施例２３ ［ビス（トリエチルシロキシ）ゲルマニウム−テトラキ
ス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタロシアニン〔
例示化合物（４１）］の合成］６−（ＩＩ−アミロキシ
カルボニル）−２，３−ジシアノナフタレン１．４６　
ｇ（５ｍｍｏＱ）、モリブデン酸アンモニウム１０■お
よび尿素５ｇに、四塩化ゲルマニウム０．２８　ｍ　Ｑ
　（２，５ｍｍｏＱ）を加え、約２２０°Ｃで約２．５
　時間よくかきまぜながら反応させた。放冷後、固化し
た反応混合物に水を加えよくほぐした後、黒色固体を吸
引ろ過し、引続いてメタノールで充分に洗浄した。乾燥
後、黒色固体が３．０６　ｇ　得られた。この黒色固体
は、下記の分析結果よりジクロロゲルマニウム−テトラ
キス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタロシアニン
（−形成（Ｖ））　　：ただし、Ｒ１＝立ヒゴ丑土任キ
≠はすにてｎ−アミル基でありｎは１であり、ＭはＧｅ
でありＸは塩素原子である）と考えられるが、この化合
物は、これ以上精製せず、次の反応に用いた。

（Ｉ）電子スペクトル（ＣＨＣＱ３溶液）を第５７図に
示す。

（２）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第５８図に示す。

約１７１０■−１付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰
因する吸収を有する。

以上のようにして得られたジクロロゲルマニウム−テト
ラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタロシアニ
ン７６６ｍｇ　（０，５８ｍｍｏＱ）を濃アンモニア水
１９ｍＱ、エタノール１９ｍＱ、水７６ｒｒ＋Ｑの混合
溶媒中で約２時間還流した。放冷後、反応混合物を吸引
ろ過し、得られた固体を充分にメタノールで洗浄し、乾
燥したところ黒色固体が２１３■得られた。この黒色固
体は、下記の分析結果よりジヒドロキシゲルマニウム−
テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタロシ
アニン（−形成（■）：だたしＲ１゛半シはすべてｎ−
アルミ基であり、ｎは１であり、ＭはＧｅである）と考
えられるが、この化合物は、これ以上精製せず次の反応
に用いた。

（Ｉ）電子スペクトル（ＣＨＣＱ　３溶液）を第５９図
に示す。

（２）ＩＲスペクＩ−ル（ＫＢｒ法）を第６０図に示す
。

約１７００ｃｍ−”付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

以上のようにして得られたジヒドロキシゲルマニウムー
テ１−ラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタロ
シアニン２１０ｍｇ　（０，１６ｍｍｏＱ）をグロロベ
ンゼン１５ｍＱ中、トリエチルシラノール０．６ｍＱ　
存在下、約１１時間還流した後、反応混合物を約５ｍＱ
に濃縮した。放冷後、メタノール約５０ｍｆ２を加え、
しばらく放置し、析出した固体を吸引ろ過しメタノール
で充分に洗浄した。

よく乾燥した黒色固体をアルミナ薄層クロマトグラ鵠 フィーにより、ベンゼンを展開溶媒に用いて分格・精製
を行うことにより、濃緑色固体が１８■得られた。この
濃緑色固体は、下記の分析結果よりビス（トリエチルシ
ロキシ）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシ
カルボニル）ナフタロシアニン〔例示化合物（４１））
であることを確認した。

（Ｉ）融点＞３００’Ｃ（３００℃以下では安定）（２
）元素分析値： ＣＨＮ （３）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第６１
図に示す）：ＣＤＣＱ３溶媒 δ値　Ｌｏ、２７　（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）１０．１７　
（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ９．４５　（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．７３　（４Ｈ，ｄ、　Ｊ＝８．７０Ｈｚ）８．５３
　（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．７１０，１．５３Ｈｚ）４．
５８　（８Ｈ，ｔ、　Ｊ＝６．７１Ｈｚ）２．００　　
（８Ｈ，ｑｕｊｎｔｅｔ、Ｊ＝６．７　１Ｈｚ）１．５
９（Ｉ６Ｈ，ｍ） １．０７　　（Ｉ２Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．０２Ｈｚ）−１，
００（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．９４Ｈｚ）−２，０１（Ｉ
２Ｈ，ｑ、Ｊ＝７．９４Ｈｚ）（４）電子スペクトル（
ＣＨ（ｄｉ、溶液）を第６２図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第６３図に示す。

約１７２０印−１付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に起
因する吸収を有する。

実施例２４ ［ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウム−テトラキ
ス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタロシアニン〔
例示化合物（４３）］の合成］実施例２３に記載した方
法により合成したジヒドロキシゲルマニウム−テトラキ
ス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタロシアニン２
５５ｒｒ１ｇ（０，２ｍｍｏＱ）をクロロベンゼン１９
ｍＱ中、トリブチルシラノール１ｍＱ存在下、約１時間
還流した後、反応混合物を約５ｍＱに濃縮した。放冷後
、メタノール約５０ｍ（ｌを加え、しばらく放置し、析
出した固体を吸引ろ過し、メタノールで充分に洗浄した
。よく乾燥した黒色固体をアルミナ３層クロマトグラフ
ィーにより、ベンゼンを展開溶媒に用いて分離・精製を
行ったところ、濃緑色固体が１３■得られた。この濃緑
色固体は下記の分析結果よりビス（トリブチルシロキシ
）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボ
ニル）ナフタロシアニン〔例示化合物（４３））である
ことを確認した。

（Ｉ）融点２８０〜２９０°Ｃ（分解）（２）元素分析
値 ＣＨＮ （３）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第６４
図に示す）：ＣＤＣＤ、溶媒 δ値　１０．１９　（４Ｈ，５） １０．０８　（４Ｈ，Ｓ） ９．３９　　（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．６６　（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．７０Ｈｚ）８．４６　
（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．７０，１．５３Ｈｚ）４．５１
　　（８Ｈ，ｔ、Ｊ＝６．７２Ｈｚ）１．９３　（８Ｈ
，ｑｕｉｎｔｅｔ、Ｊ　＝６　、７２Ｈｚ）１．５０（
Ｉ６Ｈ，ｍ） １．００　（Ｉ２Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．０２Ｈｚ）−０，０
９（３０Ｈ，ｍ） ０．９９　（Ｉ２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ−１ｉｋｅ　　ｍ
）−２，０８（Ｉ２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　　ｍ）（４）
電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）乙 を第１５図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第６６図に示す。

約１７２０ｃ＋ｎ−１付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動
に帰因する吸収を有する。

実施例２５ ［ビス（Ｉ−リエチルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ
キス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフタロシアニ
ン〔例示化合物（４４）　）の合成コロ−（ＩＩ−オク
チロキシカルボニル）−２，３−ジシアノナフタレン１
．６７ｇ（５ｍｍｏＱ）、モウ リブデン酸アンモニ！ム１０　ｍｇおよび尿素５ｇに四
塩化ゲルマニウム０．２８ｍＱ、（２，５ｍｍｏＱ）を
加え、約２２０　’Ｃで約２．５時間よくかきまぜなが
ら反応させた。放冷後、反応混合物を実施例２３と同様
に処理することにより黒緑色固体が３．３５　ｇ　得ら
れた。この黒緑色固体は、下記の分析結果よりジクロロ
ゲルマニウムーテＩ・ラキス（ＩＩ−オクチロキシカル
ボニル）ナフタロシアニン（−形成（■）：ただし、Ｒ
１ はすべてｎ−オクチル基であり、ｎは２であり、ＭはＧ
ｅでありＸは塩素原子である）と考えられるが、この化
合物は、これ以上精製せず、次の反応に用いた。

（Ｉ）電子スペクトルＣＣＨＣＱ、３溶液）を第６７図
に示す。

（２）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第６８図に示す。

約１７１０ｃｍ−１付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

以上のようにして得られたジクロロゲルマニウム−テト
ラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフタロシア
ニン２ｇ　（Ｉ，３５ｍ１ＩｏＱ）を濃アンモニア水５
０ｍＱ、　エタノール５０ｍＱ、水２００ｍＱの混合溶
媒中で約２時間還流した。放冷後、反応混合物を実施例
２３と同様に処理したところ緑色固体が７５８１ＴＩｇ
得られた。この緑色固体は、下記の分析結果より、ジヒ
ドロキシゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−オクチロキ
シカルボニル）ナフタロシアニン（−形成（■）：ただ
し、Ｒ１＝二仁シ。

キ牛Ｅ共≠はすべてｎ−オクチル基であり、ｎは１であ
り、ＭはＧｅである）と考えられるが、この化合物はこ
れ以上精製せず次の反応に用いた。

（Ｉ）電子スペクトル（ＣＨＣＱ３溶液）を第６９図に
示す。

（２）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第７０図に示す。

約１７００■′″１付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

以上のようにして得られたジヒドロキシゲルマニウム−
テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフタロ
シアニン３６０ｍｇ　（０，２５ｍｍｏＱ）をグロロベ
ンゼン２４ｍＱ中、トリエチルシラノール１．２ｍｇ　
存在下、約１時間還流した後、反応混合物を約５ｍＱに
濃縮した。放冷後、メタノール約５０ｍＱを加え、しば
らく放置し析出した固体を吸引ろ過し、メタノールで充
分に洗浄した。

よく乾燥した濃緑色固体をアルミナ薄層クロマトグラフ
ィーによりベンゼン／ヘキサ、ｆｉ（Ｉ／１）の混合溶
媒を展開溶媒に用いて、分離・精製を行うことにより、
濃緑色固体が４７ｍｇ得られた。この濃緑色固体は、下
記の分析結果よりビス（トリエチルシロキシ）ゲルマニ
ウム−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナ
フタロシアニン〔例示化合物（４４）’］であることを
確認した。

（Ｉ）融点〜２８０’Ｃ（分解） （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　６８．９３　７．１１　６．７０（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第７１図に
示す）：ｃｏｃｃ、溶媒 δ値　１０．２０　（４Ｈ，５） １０．０９　（４Ｈ，ｓ） ９．３８　（４Ｈ，ｓ） ８．６５　（４Ｈ，ｄ、　Ｊ＝８．５５Ｈｚ）８．４６
　（４Ｈ，ｄｄ、　Ｊ＝８．５５．１．５２Ｈｚ）４．
５１　　（８８，ｔ、Ｊ＝６．４１Ｈｚ）１．９１　（
８Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ、Ｊ＝６．４１Ｈｚ）１．５１（
４０Ｈ，ｍ） ０．８９　（Ｉ２Ｈ，ｔ、Ｊ＝６．７２Ｈｚ）−１，，
０７（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．９４Ｈｚ）２．０８　（Ｉ
２Ｈ，ｑ、Ｊ＝７．９４Ｈｚ）（４）電子スペクトル（
テトラヒドロフラン溶液）を第７２図に示す。

を （５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）第７３図に示す。

約１７２０印−１付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰
因する吸収を有する。

実施例２６ ［ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウム−テトラキ
ス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフタロシアニン
〔例示化合物（４５））の合成コ実施例２５により合成
したジヒドロキシゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−オ
クチロキシカルボニル）ナフタロシアニン２８９ｍｇ　
（０，２ｍｍｏＱ）をクロロベンゼン１９ｍＱ中、トリ
ブチルシラノール１ｍＱ、存在下、約１時間還流した後
、反応混合物を約５ｍＱに濃縮した。放冷後、メタノー
ル約５０ｍＱを加え、しばらく放置し、析出した固体を
吸引ろ過し、メタノールで充分に洗浄した。よく乾燥し
た濃緑色固体をアルミナ薄層クロマトグラフィーにより
、ベンゼンを展開溶媒に用いて分離・精製を行ったとこ
ろ、濃緑色固体が４１ｍｇ得られた。この濃緑色固体は
、下記の分析結果よりビス（トリブチルシロキシ）ゲル
マニウム−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル
）ナフタロシアニン〔例示化合物（４５））であること
を確認した。

（Ｉ）融点１９５〜２００℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ （３）ＮＭＲスペクトル値（Ｎ　Ｍ　Ｒスペクトルを第
７４図に示す）：ｃＤｃＱ３溶媒 δ値　１０．１９　（４Ｈ，５） Ｌｏ、０８　（４Ｈ，ｓ） ９．３９　（４Ｈ，ｓ） ８．６６　（４Ｈ，ｄ、　Ｊ＝８．８５Ｈｚ）８．４６
　（４Ｈ，ｄｄ、　Ｊ＝８．８５．１．５３Ｈｚ）４．
５０　（８Ｈ，ｔ、、　Ｊ＝６．７１Ｈｚ）１．９２　
（８Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ、Ｊ　＝６．７１Ｈｚ）１．５
０　（４０Ｈ，ｍ） ０．９０　（Ｉ２Ｈ，ｔ、Ｊ＝６．７１Ｈｚ）−１，０
９（３０Ｈ，ｍ、　） ０．９９　（Ｉ２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）
−２，０８（Ｉ２Ｈ，”＝　−１ｉｋｅ　ｍ）（４）電
子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）を第７５図に
示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）Ａ第７６図に示す。

約１７２０ｃｍ−１付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

実施例２７ ［ビス（ＩＩ−ドブシロキシ）ゲルマニウム−テトラキ
ス（ＩＩ−アミロキシカルボニルシアニン〔例示化合物
（５３）］の合成コ実施例２３により得られたジヒドロ
キシゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカル
ボニル）ナフタロシアニン３２０ｍｇ　（０．２５ｍｍ
ｏＱ）をクロロベンゼン２５ｍＲ中、１−ドデカノール
１。

４ｇ　（７．５ｍｍｏＱ）存在下約１時間還流した後、
反応混合物を約５ｍＱに濃縮した。放冷後、メタノール
約５０ｍＱを加え、しばらく放置し、析出した固体を吸
引ろ過し、メタノールで充分に洗浄して分離・精製を行
うことにより、濃緑色固体が１２■得られた。この濃緑
色固体は，下記の分析結果よりビス（ＩＩ−ドブシロキ
シ）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカル
ボニル）ナフタロシアニン〔例示化合物（５３））であ
ることを確認した。

（Ｉ）融点２３０−２４０℃（分解） （２）元素分析値： Ｃ　　　　　　ＨＮ （３）電子スペクトル（ＣＨＣＱ３溶液）を第７７図に
示す。

（４）■Ｒスペクトル（ＫＢｒ法）を第７８図に示す。

杓１７２０■ー１付近にエステルのＣ＝○伸縮振３　’
．ニー５ａ　Ａする吸収を有する。

実施例２８ ［ビス（ＩＩ−オクタデシロキシ）ゲルマニウム−テト
ラ上ス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタロシアニ
ン（例示化合物（５４））の合成］実施例２３に記載し
た方法により合成したジヒドａｌシゲルマニウムーテト
ラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタロシアニ
ン３２Ｏｆｆ１ｇ（０．２５ｍｍｏＱ）をクロロベンゼ
ン２　Ｓ　ｍ　Ｑ中、１−オクタデカノール２．０３　
ｇ　（７．５ｍｍｏＱ）存在下、約１時間還流した後、
反応混合物を約５ｍＱに濃縮した。放冷後、メタノール
約５０ｍＱを加え、しばらく放置し、析出した固体を吸
引ろ過し、メタノールで充分に洗浄した。よく乾燥した
黒色固体をアルミナ？ａ層クロマトグラフィーにより、
ベンゼンを展開溶媒に用いて分離・精製を行ったところ
、濃緑色固体が１６ｒｒ１ｇ得られた。この濃緑色固体
は、下記の分析結果よりビス（ＩＩオクタデシロキシ）
ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニ
ル）ナフタロシアニン〔例示化合物（５４））であるこ
とを確認した。

（Ｉ）融点　２２０℃−２３０’ｃ　（分り（２）元素
分析値： Ｃ　　　　　　ＨＮ （３）電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）を第
７９図に示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第８０図に示す。

約１７２０ａｎ””付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に
帰因する吸収を有す。

実施例２９ ［ビス（ＩＩ−ドブシロキシ）ゲルマニウムーテ１ヘラ
キス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフタロシアニ
ン〔例示化合物（５５））の合成］実施例２５記載の方
法により得られたジヒドロキシゲルマニウム−テトラキ
ス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフタロシアニン
３６０■（０，２５ｍｆｆ１ｏＱ）をクロロベンゼン２
４ｍＱ中、１−ドデカノール１．４ｇ（７，５ｍｍｏＱ
）存在下、約１時間還流した後、反応混合物を約、５ｍ
Ｑに濃縮した。

放冷後、メタノール約５０ｍＲを加え、しばらく放置し
析出した固体を吸引ろ過し、メタノールで充分に洗浄し
た。よく乾燥した濃緑色固体をアルミナ薄層クロマトグ
ラフィーにより、ベンゼン／ヘキサン（Ｉ／１）の混合
溶媒を展開溶媒に用いて、分離・精製を行うことにより
、濃緑色固体が３０■得られた。この濃緑色固体は、下
記の分析結果より、ビス（ＩＩ−ドブシロキシ）ゲルマ
ニウム−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）
ナフタロシアニン〔例示化合物（５５）］であることを
確認した。

（Ｉ）融点　２２０’Ｃ−２３０℃（分解）（２）元素
分析値： ＣＨＮ （３）電子スペクトル値（クロロホルム溶液）を第８１
図に示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第８２図に示す。

約１７２０ｃｍ−’付近にエステルのＣ＝○伸縮振動に
帰因する吸収を有する。

実施例３゜ ［ビス矢絣テ（ＩＩ−オクタデシロキシ）ゲルマニウム
−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフタ
ロシアニン〔例示化合物（５６）］の合成コ実施例２５
により合成したジヒドロキシゲルマニウム−テトラキス
（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフタロシアニン３
６０ｍｇ　（０，２５ｍｍｏＱ）をクロロベンゼン２Ｓ
ｍＱ中、１−オクタデカノール２．０３＃　（７，５ｍ
ｍｏＱ）存在下、約１時間還流した後、反応混合物を約
５　ｍ　ｆｌに濃縮した。

放冷後、メタノール約５０ｍＱを加え、しばらく放置し
、析出した固体を吸引ろ過し、メタノールで充分に洗浄
した。よく乾燥した濃緑色固体をアルミナ薄層クロマト
グラフィーにより、ベンゼンを展開溶媒に用いて分離・
精製を行ったところ、ａ緑色固体が２６ｍｇ得られた。

このａ緑色固体は、下記の分析結果よりビス（ＩＩ−オ
クタデシロキシ）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−オ
クチロキシカルボニル）ナフタロシアニン〔例示化合物
（５６））であることを確認した。

（Ｉ）融点　２２０’Ｃ−２３０’Ｃ（分解）（２）元
素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　７３．９４　８，３８　５．７５（３
）電子スペクトル値（テトラヒドロフラン溶液）を第８
３図に示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第８４図に示す。

約１７２０■−１付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰
因する吸収を有す。

試験例１ ビス（トリエチルシロキシ）ゲルマニウム−テトラキス
（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタロシアニン〔例
示化合物（４１））を種々の溶媒に溶かし、電子スペク
トルを測定した。第６２図、第８５図、第８６図、第８
７図にそれぞれクロロホルム中、テトラヒドロフラン中
、アセトン中、ベンゼン中の電子スペクトルを示したが
、溶媒の種類の違いによる吸収波形の変化及び溶液の濃
度による吸収波形の変化は、まったく観測されなかった
。

試験例２ ビス（ＩＩ−ドブシロキシ）ゲルマニウム−テトラキス
（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタロシアニン〔例
示化合物（５３）　）を種々の溶媒に溶かし、電子スペ
クトルを測定した。第７７図、第８８図。

第８９図にそれぞれクロロホルム中、テトラヒドロフラ
ン中、ベンゼン中の電子スペクトルを示し娃 だが、溶液の種類の違いによる吸収波形の変化及び溶液
の濃度による吸収波形の変化はまったく観測されなかっ
た。

比較例１ 文献〔ラニーナル・オブシェ・キミ（ＺｈｕｒｎａｌＯ
ｂｓｈｃｈｅｉ　Ｋｈｉｍｉｉ）　、第４２巻６９６頁
、１９７２年〕記載の方法により合成したテトラ（ｔ−
ブチル）バナジルナフタロシアニンをクロロホルムｉ容
液中で電子スペクトルを測定した図を第９０図に、ベン
ゼン溶液中で測定したものを第９１図に示したようにこ
の化合物では、溶媒の種類及び濃度が変化すると、吸収
波形が変化し、高濃度になるほど８００ｎｍ付近の吸収
が低下し、７２０〜７３０ｎｍの吸収が大きくなること
が観測された。

テトラ（ｔ−ブチル）バナジルナフタロシアニン試験例
３ ガラス板上にビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウム
−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフタ
ロシアニン〔例示化合物（４５））　２重ｆｆ１部とＬ
　Ｌ、２−）−リクロロエタン９８重量部からなる液を
スピンコード法で塗布し、約８０’Ｃで約１５分間乾燥
し、有機膜を形成した。この化合物の有機膜の透過スペ
クトル及び５重正反射スペクトルを第９２図及び第９３
図にそれぞれ示した。半導体レーザ領域（７８０〜８３
０ｎｍ）で高い光の吸収能力及び高い反射率（〜４７％
）を示すことがわかった。

比較例２ ガラス板上に、比較例１で用いたテトラ（シーブチル）
バナジルナフタロシアニンを試験例２と同様にして有機
膜を形成し、この透過スペクトル（第９４図）及び５重
正反射スペクトル（第９５図）を測定した。半導体レー
ザ領域（７８０〜８３０ｎｍ）であまり高い光の吸収能
力及び反射率（く２０％）を示さなかった。

試験例４ ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウム−テトラキス
（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフタロシアニン％
〔例示化合物（４５））の溶解度は１次のようにして測
定した。２ｍＱのサンプル管にビス（トリブチルシロキ
シ）ゲルマニウムーテトラス　　　　　　オフ＋ キｆｐ（ＩＩ−〈ロキシカルボニル）ナフタロシアニン
１００ｍｇ及び溶媒０．５＋ｎＱを添加、密栓後４０’
Ｃで１５分間超音波振盪し、次いで室温下−晩装置した
後、ろ過した。ろ紙上の残渣を集め減圧乾燥後、最初に
用いた量から残渣量を差し引いた値から溶解度を求めた
。

十２＋ トラキス（ＩＩ−ｇｏキシカルボニル シアニンの種々の溶媒に対する溶解度 実施例３１ 厚さ１　、　５　ｍｍ　、直径１　５　０　ｎｍのポリ
メチルメタク葵 リレート２Ｐｌ上に、テトラキス（ＩＩ−オクチロキシ
カルボニル）バナジルナフタロシアニン〔１列示化合物
（２）　）　４重量部とクロロホルム９６重１部からな
る液をスピンコー１へ法で塗布し，約８。

°Ｃで約１５分間乾燥し、記録層を形成した。この記録
層の厚さは、タリステップによる測定で、約２０００人
であった。このようにして作った光学記録媒体を記録層
を上にしてターンテーブルに乗せ、１１０００ｒｐの速
度で回転させながら、８３０ｎｍの発振波長と基板面で
の出力が８ｍＷを有する半導体レーザーを装備した光学
ヘッドを用いて光学記録媒体の下側つまり基板側からレ
ーザービームがポリメチルメタクリレート樹脂板を通し
て記録層に集光するように制御しながら、中心から半径
４０〜６０ｍｍの間で１ＭＨｚのパルス信号の記録を行
った。次に同じ装置を用いて半導体レーザーの基板面で
の出力０．７ｍＷ　にして同じようにしながら、記録し
た信号の再生を行った。この時の信号・雑音比（Ｓ／Ｎ
）は、５６ｄＢで極めて良好な信号の書き込みと読み出
しが行えた。

実施例３２ 厚さ１．５ｏｎ＋、直径１５０ｎｉｎのポリメチルメタ
基 リレート２Ｐ板上にテ１〜ラキス（ＩＩ−オクチロキ７
′１ ジカルボニル）銅ナフタロシアニン〔例示化合物（９）
〕のクロロホルム溶液を実施例３１と同様にスピンコー
ド法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚みは
、約２５００人であった。このテ ようにして作った光記録媒体を実施例３１と同様にして
記録・再生を行ったところＳ／Ｎ比は、５１ｄＢで極め
て良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例３３ 厚さ１．５ｍｍ、直径１５０臘のポリメチルメタ基竿 リレート２Ｐ板上にテトラキス（ＩＩ−オクチロキシカ
ルボニル）亜鉛ナフタロシアニン〔例示化合物（Ｉ４）
）を実施例３１と同様にクロロホルム溶液としてスピン
コード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚
みは、約３０００人であった。

↑ このようにして作った光記録媒体を実施例３１と同様に
して信号の記録・再生を行ったところＳ／Ｎ比は、４９
ｄＢで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた
。

実施例３４ 厚さ１．５ｍｍ、直径１５０ｍのポリメチルメタクリレ
−１−２Ｐ　板上にテトラキス（ＩＩ−アミロキシカル
ボニル）バナジルナフタロシアニン〔例示を 化合物（Ｉ）〕実施例３１と同様にクロロホルム溶液と
してスピンコード法で塗布し、記１Ｔｈ［を形成した。

この記録層の厚みは、約２６００人であつ↑ だ。このようにして作った光記録媒体を実施例３１と同
様にして信号の記録・再生を行ったところＳ　／　Ｎ比
は、５０ｄＢで極めて良好な信号の書き込みと読み出し
が行えた。

実施例３５ 厚さ１．５ｎｗｎ、直径１５０ｍのポリメチルメタ基 クリレー１−２　Ｐ板上にテ１−ラキス（ＩＩ−アミロ
キシカルボニル）銅ナフタロシアニン〔例示化合物（８
）〕　を実施例３１と同様にクロロホルム溶液としてス
ピンコード法で塗布し、記録層を形成した。

この記ＲＭの厚みは、約２３００人であった。このよう
にして作った光学記録媒体を実施例３１と同様にして信
号の記録・再生を行ったところＳ／Ｎ比は、５１ｄＢで
極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例３６ 厚さ１．５ｍｍ、直径１５０ｎｗｎのポリメチルメタ基 クリレート２Ｐ板上にテトラキス（ＩＩ−アミロキハ ジカルボニル）亜鉛ナフタロシアニン〔例示化合物（Ｉ
３））を実施例３１と同様にクロロホルム溶液としてス
ピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層
の厚みは、約２５００人であった。

このようにして作った光学記録媒体を実施例３１と同様
にして信号の記録・再生を行ったところＳ／Ｎ比は、５
２ｄＢで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例３７ 厚さ１．５＋ｍｍ、直径１５０ｍｍのポリメチルメタ基 クリレート２Ｐ板上に、テトラキス（ＩＩ−アミロキシ
カルボニル）ニッケルナフタロシアニン〔例示化合物（
Ｉ６））を実施例３１と同様にクロロホルム溶液として
スピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録
層の厚みは、約２１００人であった。このようにして作
った光学記録媒体を実施例３１と同様にして信号の記録
・再生を行ったところＳ／Ｎ比は、５４ｄＢで極めて良
好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例３８ 厚さ１．５ｎｖｎ、直径１５０ｍのポリメチルメタ界 クリレート２ＰＡ板上に、テトラキス（ＩＩ−アミロキ
シカルボニル）パラジウムナフタロシアニン〔例示化合
物（Ｉ８））を実施例３１と同様にクロロホルム溶液と
してスピンコード法で塗布し記録層例３１と同様にして
信号の記録・再生を行ったところＳ／Ｎ比は、５１ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例３９ 厚さ１．５ｎｖｕ、直径１５０ｎｗｎのポリメチルメタ
基 クリレート２Ｐ板上に、テトラキス（ＩＩ−オクチロキ
シカルボニル）クロロインジウムナフタロシアニン〔例
示化合物（２７））　２量部とクロロホルム９８重量部
からなる液をスピンコード法で塗布し、約８０℃で約１
５分間乾燥し、記録層を形成した。

この記８Ｐ：Ｊの厚さは、約１０００人であった。この
ようにして作った光学記録媒体を実施例３１と同様にし
て記録再生を行ったところ、柔Ｓ／Ｎｌ比は、５４ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行なえた。

実施例４０ 厚さ１．５；、直径１５０ｍのポリメチルメタ基 クリレート２Ｐ板上にテトラキス（ＩＩ−オクチロキシ
カルボニル）クロロアルミニウムナフタロシアニン〔例
示化合物（２４）］のクロロホルム溶液を実施例３９と
同様にスピンコード法で塗布し、記８層を形成した。こ
の記録層の厚みは、約１５００人であった。このように
して作った光学記録媒体を実施例３９と同様にして記録
・再生を行なったところＳ　／　Ｎ比は、５１ｄＢで極
めて良好な信号の書き込みと読み出しが行なえた。

実施例４１ 厚さ１．５ｔｎ、直径１５０ｍのポリメチルメタ基 クリレート２ＰＦｉ上に、テトラキス（ＩＩ−アミロキ
シカルボニル）コバルトナフタロシアニン〔例示化合物
（２０）　〕のクロロホルム溶液を実施例３９と同様に
スピンコード法で塗布し、約８０℃で約１５分間乾燥し
、記８層を形成した。この記録層の厚さは、約１１００
人であった。このようにして作った光学記録媒体を実施
例３９と同様にして記録・再生を行ったところＳ　／　
Ｎ比は、４９ｄＢで極めて良好な信号の書き込みと読み
出しが行なえた。

実施例４２ 厚さ１．５ｍｍ、直径１５０　ｎｎのポリメチルメタ秦 クリレー）−２Ｐ、板上にテトラキス（ＩＩ−アミロキ
シカルボニル）マンガンナフタロシアニン〔例示化合物
（２２）　）のクロロホルム溶液を実施例３９と同様に
スピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記＠
層の厚みは、約１３００人であった。

↑ このようにして作った光μ録媒体を実施例３９と同様に
して記録・再生を行なったところＳ／Ｎ比は、５１ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行なえた。

実施例４３ 厚さ１．５ｎｖｎ、直径１５０ｍのポリメチルメタ基 クリレート２Ｐ板上にテトラキス（ＩＩ−アミロキシカ
ルボニル）シリコンナフタロシアニン〔例示化合物（２
９）〕のクロロホルム溶液を実施例３９と同様にスピン
コード法で塗布し、約８０°Ｃで約１５分間乾燥し、記
録層を形成した。この記録層ころＳ／Ｎ比は、５２ｃｌ
Ｂで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例４４ 厚さ１．５ｍｍ、直径１５０ｎｙｎのポリメチルメタ÷ クリシー１−２Ｐ板上にテトラキス（ＩＩ−アミロキシ
カルボニル）ゲルマニウムナフタロシアニン〔例示化合
物（３１））のクロロホルム溶液を実施例３９と同様に
スピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録
層の厚みは、約９００人であ宝 っだ。このようにして作った光４記録媒体を実施例３９
と同様にして記録・再生を行ったところＳ／Ｎ比は、５
１ｄＢで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行え
た。

実施例４５ ジカルボニル）スズナフタロシアニン〔例示化合物（３
３））を実施例３９と同様にクロロホルム溶液としてス
ピンコード法で塗布し、記録層を形成し同様にして信号
の記録・再生を行ったところＳ／Ｎ１４比は、４９　ｄ
　Ｂで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた
。

実施例４６ ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニ
ル）ナフタロシアニン〔例示化合物（４１））　２重量
部とトルエン９８重量部からなる液をスピンコード法で
塗布し、約８０’Ｃで約１５分間乾燥し、記録層を形成
した。この記録層の厚さは、タリスチップによる測定で
、約１０００人であった。このようにして作った光学記
録媒体を記録層を上にしてターンテーブルに乗せ、９０
０ｒｐｍの速度で回転させなから８３０ｎｍの発振波長
と基板面での出力が６ｍＷを有する半導体レーザーを装
備した光学ヘッドを用いて光学記録媒体の下側つまり基
板側からレーザービームがポリメタクリレート樹脂板を
通して記Ｂ層に集光するように制御しながら、中心から
半径４０〜６０ｎｎの間で２ＭＨｚのパルス信号の記録
を行った。次に同じ装置を用いて半導体レーザーの基板
面での出力０．７ｍＷにして同じようにしながら、記録
した信号の再生を行った。この時のキャリアー・雑音比
（Ｃ／Ｎ）は５７ｄＢで極めて良好な信号の書き込みと
読み出しが行えた。

実施例４７ 厚さ１．２ｎｎ、直径１３０ｍのポリメチルメタ基 クリレート２Ｐ板上に、ビス（トリブチルシロキシ）ゲ
ルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル
）ナフタロシアニン〔例示化合物（４３））２重量部と
トルエン９８重量部からなる液を実施例４６と同様にス
ピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層
の厚みは約７００人であった。このようにして作った光
学記録媒体を実施例４６と同様にして記録・再生を行っ
たところＣ／Ｎ比は、５５ｄＢで極めて良好な信号の書
き込みと読み出しが行えた。

実施例４８ 厚さ１．２ｎ＋ｍ、直径１３０ｎｎ＋のポリメチルメタ
基 クリレート２Ｐ板上に、ビス（トリエチルシロキシ）ゲ
ルマニウム−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニ
ル）ナフタロシアニン〔例示化合物（４４）３２重量部
とトルエン９８重量部からなる液を実施例４６と同様に
スピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録
層の厚みは約８００ナ スであった。このようにして作った光、記録媒体を実施
例４６と同様にして記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比
は５６ｄＢで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが
行えた。

実施例４９ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのポリメチルメタ基 クリレート２　Ｐ、板上に、ビス（トリブチルシロキシ
）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカル
ボニル）ナフタロシアニン〔例示化合物え （４５）辻１量部とトルエン９８重量部からなる液を実
施例４６と同様にスピンコード法で塗布し、記録層を形
成した。この記録層の厚みは約６００人であった。この
ようにして作った光学記録媒体を実施例４６と同様にし
て記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５７ｄＢで極め
て良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例５０ 厚さ１．２ｍ直径１３０ｍのポリメチルメタ基 リレート２Ｐ板上に、ビス（ＩＩ−トデシロキシ）ゲル
マニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）
ナフタロシアニン〔例示化合物（５３）：ｌ　２重量部
とトルエン９８重量部からなる液を実施例４６と同様に
スピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録
層の厚さは、約１０００人であった。このようにして作
った光学記録媒体を実施例４６と同様にして記録再生を
行ったところＣ／Ｎ比は５２ｄＢで極めて良好な信号の
書き込みと読み出しが行えた。

実施例５１ 厚さ１．２ｎｎ＋、直径１３０ｍｎ＋のポリメチルメタ
ク暴 リレート２Ｐ板上に、ビス（ＩＩ−オフタデシロキメ ン）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカル
ボニル）ナフタロシアニン〔例示化合物（５４））２重
量部とトルエン９８重量部からなる液を実施を形成した
。この記録層の厚さは、約７００人であった。このよう
にして作った光学記録媒体を実施例４６と同様にして記
録再生を行ったところＣ／Ｎ比は５４ｄＢで極めて良好
な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例５２ ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボ
ニル）ナフタロシアニン〔例示化合物（５５）　）２重
量部とトルエン９８重量部からなる液を実施例４６と同
様にスピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この
記録層の厚みは約８００人であった。このようにして作
った光学記録媒体を実施例４６と同様にして記録・再生
を行ったところＣ／Ｎ比は、５５ｄＢで極めて良好な信
号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例５３ 厚さ１．２ｎｗｎ、直径１３０ｍｍのポリメチルメタク
苓 リレート２Ｐ板上に、ビス（ＩＩ−オクタデシロキシ）
ゲルマニウムーテ１ヘラキス（ＩＩ−オクチロキシカル
ボニル）ナフタロシアニン〔例示化合物（５６））　２
重量部とトルエン９８重量部からなる液を実施例４６と
同様にスピンコード法で塗布し、記録層を形成した。こ
の記Ｂ層の厚みは約６００人であった。このようにして
作った光学記録媒体を実施例４６と同様にして記録・再
生を行ったところＣ／Ｎ比は５３ｄＢで極めて良好な信
号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例５４ 先に例示したテトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル
）バナジルナフタロシアニン〔例示化合物（Ｉ）〕　を
クロロホルムに溶解し、１％の溶液を調製し１回転塗布
法にて、厚さ１゜２圃のガラス基板上に７００人の記録
膜層を形成した。このようにして形成された記録媒体に
波長８３０ｎｍの半導体レーザーをガラス基板側から照
射し、記録特性を評価したところ、ビーム径１．６　μ
ｍ、線速０．５ｍ／秒、６．４ｍＷで記録が可能であっ
た。

一方、再生劣化に対する安定性を評価するべく、１ｍＷ
の読み出し光をくり返し照射したが、１０″回くり返し
ても反射率変化が生しなかった。なお、１過− この号等スペクトルを第９６図に示す。

比較例３ シアニン系色素ＮＫ−２９０５（日本感光色素は 研究所製）をジグロロエタンに溶解し、回転塗布。

により、ガラス基板上、厚さ５００人の記録膜層を得た
。この記録媒体に実施例５４と同様にしてレーザー光を
照射したところ、４．８ｎｒｎＷて記録が可能であった
。しかし、再生劣化に対する安定性を評価したところ、
くり返し照射回数４　Ｘ　１０４回付近から、反射率が
低下しはじめ、１０６回照射後では、初期反射率の７０
％まで低下した。

実施例５５ テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）亜鉛ナフ
タロシアニン〔例示化合物（Ｉ４））をクロロホルムに
溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上、厚さ７００
人の記録膜層を得た。この記録媒体に波長７８０ｎｍの
半導体レーザーをガラス基板側から照射し、記録特性を
評価したところ、ビーム径１．６μｍ、線速度０．５ｍ
／秒、６．９ｍＷで記録が可能であった。一方、再生劣
化に対する安定性を評価する入く、１ｍＷの読み出し光
をくり返し照射したが、１０６回くり返しても反射率化
が生じなかった。

実施例５６ テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）クロロア
ルミニウムナフタロシアニン〔例示化合物（２４））を
クロロホルムに溶解し、回転塗布法により、ガラス基板
上、厚さ９００人の記録膜層を得た。この記録媒体に実
施例５４と同様にしてレーザー光を照射したところ、６
．６ｍＷで記録が可能であった。また、再生劣化に対す
る安定性を同様に評価したところ、１０’　回くり返し
照射しても反射率変化が生じなかった。

実施例５７ 二−−ガラス基板に テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ニッケルナ
フタロシアニン〔例示化合物（Ｉ６））及びポリスチレ
ンを１＝１の割合でクロロホルムに溶解し、ミＬ 回転塗布、により厚さ１５００人の記録膜層を得た。

この記録媒体に実施例５４と同様にしてレーザー光を照
射したところ、９．６　　ｍＷで記録が可能であった。

また、再生劣化に対する安定性も同様に評価したところ
、１０’　回くり返し照射しても反射率変化が生じなか
った。

実施例５８ 実施例２３の方法に亭じて合成したビス（トリ（６４）
）をクロロホルムに溶解し、回転塗布法にて、厚さ１．
２ｍのガラス基板上に７００人の記録膜層を形成した。

この記録媒体に波長７８０ｎｍの半導体レーザーをガラ
ス基板側から照射し、記録特性を評価したところ、ビー
ム径１．６μｍ、線速度０．５ｍ／秒、４．６ｍＷで記
録が可能であった。一方、再生劣化に対する安定性を評
価するべく、１ｍＷの読み出し光をくり返し照射したが
、１０６回くり返しても反射率変化が生じなかった。

比較例４ シアニン色素ＮＫ−２８７３（日本感光色素器ミＬ 突所製）をジクロロエタンに溶解し、回転塗布により、
ガラス基板上、厚さ５００人の記録膜層を得た。この記
録媒体に実施例５４と同様にしてレーザー光を照射した
ところ、５．２ｍＷで記録が可能であった。しかし、再
生劣化に対する安定性を評価したところ、くり返し照射
回数が５Ｘ１０’回付近から、反射率が低下しはじめ、
１０６回照射後では、初期反射率の７０％まで低下した
。

実施例５９ 実施例２３の方法に準じて合成したビス（トリブチルシ
ロキシ）スズ−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボ
ニル）ナフタロシアニン〔例示化合物（６５）：ｌをジ
クロロエタンに溶解し、回転塗布により、ガラス基板上
５００人の記録膜層を得た。

この記録媒体に実施例５４と同様にしてレーザー光を照
射したところ、４．４ｍＷで記録が可能であった。また
、再生劣化に対する安定性を評価したところ、１０６回
くり返し照射しても反射率変化が生じなかった。

実施例６０ 実施例２５により合成したビス（トリエチルシロキシ）
ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボ
ニル）ナフタロシアニン〔例示化合は 物（４４））をクロロホルムに溶解し、回転塗布によ八 り、ガラス基板上、厚さ５００人の記録膜層を得た。こ
の記録媒体に実施例５４と同様にしてレーザー光を照射
したところ、４．９ｍＷで記録が可能であった。また、
再生劣化に対する安定性を評価したところ、１０６回く
り返し照射しても反射率変化が生じなかった。

実施例６１ 実施例２３の方法に箔じて合成したビス（トリブチルシ
ロキシ）チタン予−テトラキス（メトキシカルボニル）
４ナフタロシアニン〔例示化合物（６８）］　をクロロ
ホルムに溶解し、回転塗布により、ガラス基板上、厚さ
４００人の記録膜層を得た。

この記ＢＩＸ体に実施例５４と同様にしてレーザー光を
照射したところ、４．２ｍＷで記録が可能であった。ま
た、再生劣化に対する安定性を同時に評価したところ、
１０６回くり返し照射しても反射率変化が生じなかった
。

実施例６２ １０ｎｍのＴｉキレート表面保護層を有する厚さ１．２
ｍｍのポリカーボネート基板に、実施例２３の方法に準
じて合成したトリへキシルシロキシアルミニウムーテト
ラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタロシアニ
ン〔例示化合物（６９））のＩ〜ルエン溶液をスピンナ
ー塗布し、厚さ６００人の記録膜層を得た。実施例野計
同様にして、線速度５ｍ／秒で評価したところ、７．４
ｍＷで記録が可能であった。また、再生劣化に対する安
定性を同時に評価したところ、１０６回くり返し照射し
ても反射率変化が生じなかった。

実施例６３ 実施例２３の方法に準じて合成したビス（ＩＩ　−オタ
トキシ）スズ−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニ
ル）ナフタロシアニン〔例示化合物（７４））とポリス
チレンの２＝１混合物をメチルエチルケトンに溶解し、
ガラス基板上、厚さ６００人の記録膜層を得た。実施例
＞１同様にして評価したところ、記録感度４．８ｍｗ　
、再生劣化１０６回以上という結果を得た。

実施例６４ ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウムーテ１〜ラキ
ス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナツタ製した。次
いで回転塗布法にて、厚さ１゜２ｍのガラス基板上に４
００人の記録層を得た。この記録媒体に波長８３．０　
ｎ　ｍの半導体レーザーをガラス基板側か照射し、記録
特性を評価したところ、八 １／ｅ２ビーム径１．６μｍ、線速度２　、４　ｍ　／
　ｓ　ｒ７．８ｍＷで記録が可能であった。一方、再生
劣化に対する安定性を評価するべく、０．８ｍＷの読み
出し光をくり返し照射したが、１０′′　回くり返して
も反射率変化が生じなかった。

実施例６５ ビス（ＩＩ−ドブシロキシ）ゲルマニウム−テトラキス
（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタロシアニン〔例
示化合物（５３））を１，２−ジクロロエタンに溶解し
、１．５重量％の溶液を調製し、回転塗布法にて厚さ１
．２　ｒｍＩのガラス基板上に６００人の記録層を得た
。この記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体レーザー光を
基板側から照射し、記録特性を評価したところ、１／ｅ
２　ビーム径１．６μｍ、線速度２．５ｍ／ｓ、８．６
ｍＷで記録が可能であった。一方、再生劣化に対する安
定性を評価するべく、０．８　　ｍＷの読み出し光をく
り返し照射したが、１０６回くり返しても反射率変化が
生じなかった。

実施例６６ ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウム−テトラキス
（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフタロシアニン〔
例示化合物（４５））とポリスチレンの２；１混合物を
り、ｌ、２−トリクロロエタンに溶解し、厚さ１　、２
　ｎｎのガラス基板上に、回転塗布法にて厚さ８００人
の記録層を得た。この記録媒体に波長８３０ｎｍの半導
体レーザ光を基板側から照射し、記録特性を評価したと
ころ、線速度２ｍ／ｓ、６ｍＷで記録が可能であった。

また、口 ］、ｍＷの読み出し光をくり返し照射したが、ｉｏ’Ａ
くり返し照射しても反射率変化が生じなかった。

〔発明の効果〕

発明によって新規なナフタロシアニン誘導体が提供され
、この化合物は光学的情報記録媒体の記録層材料等に有
用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、３，４−ジメチル安息香酸メチルのＩＲスペ
クトルであり、第２図は、３，４−ビス（ジブロモメチ
ル）安息香酸メチルのＩＲスペクトルであり、第３図は
、６−メドキシカルボニルー２，３−ジシアノナフタレ
ンのＩＲスペクトルであり、第４図は、３，４−ジメチ
ル安息香酸ｎアミルの丁Ｒスペクトルであり、第５図は
、６−（ＩＩ−アミロキシカルボニル）−２，３−ジシ
アノナフタレンのＩＲスペクトルであり、第６図は３，
４−ジメチル安息香酸ｎ−オクチルのＩＲスペクトルで
あり、第７図は、６−（ＩＩ−オタンキシ力ルボニル）
−２，３−ジシアノナフタレンのＩＲスペクトルであり
、第８図は、６−　（ＩＩ　−オクタデシロキシカルボ
ニル）−２，３−ジシアノナフタレンのＩＲスペクトル
であり、第９図は６−（ＩＩ−テトラデシロキシカルボ
ニル）−２゜３−ジシアノナフタレンのＩＲスペクトル
であり、第１０図は、６−（ＩＩ−ヘキサデシロキシカ
ルボニル）−２，３−ジシアノナフタレンのＩＲスペク
トルであり、第１１図は６−（ＩＩ−エイコシロキシカ
ルボニル）−２，３−ジシアノナフタレンのＩＲスペク
トルであり、第１２図は、６−　（ＩＩトコシロキシカ
ルボニル）−２，３−ジシアノナフタレンのＩＲスペク
トルであり第１３図はテトラキス（ＩＩ−アミロキシカ
ルボニル）バナジルナフタロシアニンの電子スペクトル
であり、第１４図はテトラキス（ＩＩ−アミロキジカル
ボニル）バナジルナフタロシアニンのＩＲスペクトルで
あり、第１５図はテトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボ
ニル）銅ナフタロシアニンの電子スペク１ヘルであり、
第１６図はテトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）
銅ナフタロシアニンのＩＲスペクトルであり、第１７図
はテトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）亜鉛ナフ
タロシアニンの電子スペクトルであり、第１８図はテト
ラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）亜鉛ナフタロシ
アニンのＩＲスペクトルであり、第１９図はテトラキス
（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）バナジルナフタロシ
アニンの電子スペクトルであり、第２０図はテトラキス
（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）バナジルナフタロシ
アニンのＩＲスペクトルであり、第２１図はテトラキス
（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）銅ナフタロシアニン
の電子スペクＩ−ルであり、第２２図はテトラキス（Ｉ
Ｉ−オクチロキシカルボニル）銅ナフタロシアニンのＩ
Ｒスペクトルであり、第２３図はテトラキス（ＩＩ−オ
クチロキシカルボニル）亜鉛ナフタロシアニンの電子ス
ペクトルであり、第２４図はテトラキス（ＩＩ−オクチ
ロキシカルボニル）亜鉛ナフタロシアニンのＩＲスペク
トルであり、第２５図はテトラキス（ＩＩ−アミロキシ
カルボニル）ニッケルナフタロシアニンの電子スペクト
ルであり、第２６図はテトラキス（ＩＩ−アミロキシカ
ルボニル）ニッケルナフタロシアニンのＩＲスペクトル
であり、第２７図はテトラキス（ＩＩ−アミロキシカル
ボニル）パラジウムナフタロシアニンの電子スペクトル
であり、第２８図はテトラキス（ＩＩ−アミロキシカル
ボニル）パラジウムナフタロシアニンのＩＲスペクトル
であり、第２９図はテトラキス（ＩＩ−オクタデシロキ
シカルボニル）バナジルナフタロシアニンの電子スペク
トルであり、第３０図はテトラキス（ＩＩ　−オクタデ
シロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニンのＩＲ
スペクトルであり、第３１図は、テトラキス（ＩＩ−オ
クタデシロキシカルボニル）銅ナフタロシアニンの電子
スペクトルであり、第３２図はテトラキス（ＩＩ−オク
タデシロキシカルボニル）銅ナフタロシアニンのＩＲス
ペクトルであり、第３３図はテトラキス（ＩＩ−テトラ
デシロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニンの電
子スペクトルであり、第３４図は、テトラキス（ＩＩ−
テトラデシロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニ
ンのＩＲスペクトルであり、第３５図は、テトラキス（
ＩＩ−テトラデシロキシカルボニル）Ｍナフタロシアニ
ンの電子スペクｌ−ルであり、第３６図はテＩ−ラキス
（ＩＩ−テトラデシロキシカルボニル）銅ナフタロシア
ニンのＩＲスペクトルであり、第３７図は、テｌ−ラキ
ス（ＩＩ−ヘキサデシロキシカルボニル）バナジルナフ
タロシアニンの電子スペクトルであり、第３８図は、テ
トラキス（ＩＩ−へ葦すデシロキジ力ルボニル）バナジ
ルナフタロシアニンのＩＲスペクトルであり、第３９図
は、テトラキス（ＩＩ−エイコシロキシヵルボニル）バ
ナジルナフタロシアニンの電子スペクトルであり、第４
０図は、テトラキス（ＩＩ−エイコシロキシ力ルボニル
）バナジルナフタロシアニンのＩＲスペクトルであり、
第４１図は、テ１ヘラキス（ＩＩ−エイコシロキシ力ル
ボニル）銅ナフタロシアニンの′電子スペクトルであり
、第４２図はテトラキ・ス（ＩＩ−エイコシロキシ力ル
ボニル）銅ナフタロシアニンのＩＲスペクトルであり、
第４３図はテトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）
コバルトナフタロシアニンの電子スペクトルであり、第
４４図はテトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）コ
バルトナフタロシアニンのＩＲスペクトルであり、第４
５図はテトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）マン
ガンナフタロシアニンの電子スペクトルであり、第４６
図はテトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）マンガ
ンナフタロシアニンのＩＲスペクトルであり、第４７図
はテトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）タロロ
インジウムナフタロシアニンの′電子スペクトルであり
、第４８図はテＩ−ラキス（ＩＩ−オクチロキシ力ルボ
ニル）クロロインジウムナフタロシアニンのＩＲスペク
トルであり、第４９図はテトラキス（ＩＩ　−オクチロ
キシカルボニル）タロロアルミニウムナフタロシアニン
の電子スペクトルであり、第５０図はテトラキス（ＩＩ
−オクチロキシカルボニルクロロアルミニウムナフタロ
シアニンのＩＲスペクトルであり、第５１図はテ１〜ラ
キス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）シリコンナフタロ
シアニンの電子スペク１−ルであり、第５２図はテトラ
キス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）シリコンナフタロ
シアニンのＩＲスペクトルであり、第５３図はテトラキ
ス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ゲルマニウムナフタ
ロシアニンの電子スペクトルであり、第５４図はテトラ
キス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ゲルマニウムナフ
タロシアニンのＩＲスペク１ヘルであり、第５５図はテ
トラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）スズナフタロ
シアニンの電子スペクトルであり、第５６図はテトラキ
ス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）スズナフタロシアニ
ンのＩＲスペクトルであり、第５７図は、ジクロロゲル
マニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）
ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中での電子スペク
トルであり、第５８図は、ジクロロゲルマニウム−テト
ラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタロシアニ
ンのＩＲスペクトルであり、第５９図は、ジヒドロキシ
ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニ
ル）ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中での電子ス
ペクトルであり、第６０図は、ジヒドロキシゲルマニウ
ム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタ
ロシアニンのＩＲスペクトルであり、第６１図は、ビス
（トリエチルシロキシ）ゲルマニウム−テトラキス（Ｉ
Ｉ−アミロキシカルボニル）ナフタロシアニンのＮＭＲ
スペクトルであり、第６２図は、ビス（トリエチルシロ
キシ）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカ
ルボニル）ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中での
電子スペク１〜ルであり、第６３図は、ビス（トリエチ
ルシロキシ）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロ
キシカルボニル）ナフタロシアニンのＩＲスペクトルで
ある。第６４図は、ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマ
ニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナ
フタロシアニンのＮＭＲスペクｌ−ルであり、第６５図
は、ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ
キス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタロシアニン
のテトラヒドロフラン溶液中での電子スペクトルであり
、第６６図は、ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウ
ム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナフタ
ロシアニンのＩＲスペクトルであり、第６７図は、ジク
ロロゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカ
ルボニル）ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中での
電子スペクトルであり、第６８図は、ジクロロゲルマニ
ウム−テトラキス（ＩＩーオクチロキシ力ルボニル）ナ
フタロシアニンのＩＲスペクトルであり、第６９図は、
ジヒドロキシゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−オクチ
ロキシカルボニル）ナフタロシアニンのクロロホルム）
容量中での電子スペク１〜ルであり、第７０図は、ジヒ
ドロキシゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−オクチロキ
シカルボニル）ナフタロシアニンのＩＲスペクトルであ
り、第７１図は、ビス（トリエチルシロキシ）ゲルマニ
ウム−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナ
フタロシアニンのＮＭＲスペクトルであり、第７２図は
、ビス（トリエチルシロキシ）ゲルマニウムーテ１〜ラ
キス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフタロシアニ
ンのテトラヒドロフラン溶液中での電子スペクトルであ
り、第７３図は、ビス（トリエチルシロキシ）ゲルマニ
ウム−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナ
フタロシアニンのＩＲスペクグトルであり、第７４図は
、ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウム−テトラキ
ス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフタロシアニン
のＮＭＲスペクトルであり、第７５図は、ビス（トリブ
チルシロキシ）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−オク
チロキシカルボニル）ナフタロシアニンのテトラヒドロ
フラン溶液中での電子スペクトルであり、第７６図は、
ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウム−テトラキス
（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフタロシア二ンの
ＩＲスペクトルであり、第７７図は、ビス（ＩＩ−ドブ
シロキシ）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキ
シカルボニル）ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中
での電子スペクトルであり第７８図は、ビス（ＩＩ−ド
ブシロキシ）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロ
キシカルボニル）ナフタロシアニンのＩＲスペクトルで
ある。第７９図は、ビス（ＩＩ−オクタデシロキシ）ゲ
ルマニウムーテ１−ラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニ
ル）ナフタロシアニンのテトラヒドロフラン溶液中での
電子スペクトルであり、第８０図は、ビス（ＩＩオクタ
デシタロキシ）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミ
ロキシカルボニル）ナフタロシアニンのＩＲスペクトル
であり、第８１図は、ビス（ＩＩ−ドブシロキシ）ゲル
マニウム−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル
）ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中での電子スペ
クトルであり、第８２図は、ビス（ＩＩ−ドブシロキシ
）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカル
ボニル）ナフタロシアニンのＩＲスペクトルであり、第
８３図は、ビス（ＩＩ−オクタデシロキシ）ゲルマニウ
ム−テトラキス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフ
タロシアニンのテトラヒドロフラン溶液中液中での電子
スペクトルであり、第８４図は、ビス（ＩＩ−オクタデ
シロキシ）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−オクチロ
キシカルボニル）ナフタロシアニンのＩＲスペクトルで
あり、第８５図は、ビス（トリエチルシロキシ）ゲルマ
ニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカルボニル）ナ
フタロシアニンのテトラヒドロフラン溶液中での電子ス
ペクトルであり、第８６図は、ビス（トリエチルシロキ
シ）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカル
ボニル）ナフタロシアニンのアセトン溶液中での電子ス
ペクトルであり、第８７図は、ビス（トリエチルシロキ
シ）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカル
ボニル）ナフタロシアニンのベンゼン溶液中での電子ス
ペクトルであり、第８８図は、ビス（ＩＩ−ドブシロキ
シ）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミロキシカル
ボニル）ナフタロシアニンのテトラヒドロフラン溶液中
での電子スペクトルであり、第８９図は、ビス（ＩＩ−
ドブシロキシ）ゲルマニウム−テトラキス（ＩＩ−アミ
ロキシカルボニル）ナフタロシアニンのベンゼン溶液中
での電子スペクトルであり、第９０図は、テトラ（ｔ−
ブチル）バナジルナフタロシアニンのクロロホルム溶液
中での電子スペクトルで、（ａ）は２．３７　Ｘ　１０
−６Ｍ；１３度、（ｂ）は１．８９　Ｘ　１０−５Ｍ　
＋７湊度であり、第９１図は、テトラ（ｔ−ブチル）バ
ナジルナフタロシアニンのベンゼン溶液中（９、５Ｘ　
１０−’ＭＪ度）での電子スペクトルであり、第９２図
は、ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウム−テトラ
キス（ＩＩ−オクチロキシカルボニル ンコード膜の透過スペクトルであり、第９３図は、ビス
（＋ヘリブチルシロキシ）ゲルマニウムーテ１ーラキス
（ＩＩ−オクチロキシカルボニル）ナフタロシアニンの
スピンコード膜の５°正反射スペクトルであり、第９４
図は、テトラ（し−ブチル）バナジルナフタロシアニン
のスピンコード膜の透過≠―＝≠季中キナフタロシアニ
ンのスピンコード膜の５°の正反射スペタトルであり、
第９６図は、トルである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［ただし、式中Ｒ＾１は、炭素数１〜２２個のアルキル
   基であり、複数個のＲ＾１は同一でも相異してもよく、
   ｎは、同一又は相異してもよい１〜４の整数であり、Ｍ
   は、Ｃｕなどの I ｂ族金属、ＭｇなどのIIａ族金属、
   ＺｎなどのIIｂ族金属、Ａｌ、ＣｌＡｌ、ＨＯＡｌ、Ｉ
   ｎ、 ＣｌＩｎなどのIIIａ族の金属、金属のハロゲン化物又
   は金属の水酸化物、Ｓｉ、Ｃｌ＿２、Ｓｉ、（ＨＯ）＿
   ２Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｌ＿２Ｇｅ、（ＨＯ）＿２Ｇｅ、Ｓｎ
   、Ｃｌ＿２Ｓｎ、（ＨＯ）＿２Ｓｎ、ＰｂなどのIVａ族
   の金属、金属のハロゲン化物又は金属の水酸化物、Ｔｉ
   、ＯＴｉなどのIVｂ族の金属又は金属酸化物、ＯＶなど
   のＶｂ族の金属酸化物、Ｃｒ、ＭｏなどのVIｂ族の金属
   、Ｍｎ、ＣｌＭｎなどのVIIｂ族の金属又は金属のハロ
   ゲン化物又はＦｅ、ＣｌＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ
   などのVIII族の金属又は金属のハロゲン化物の中の一種
   を示す。］で表わされるナフタロシアニン誘導体。 ２、一般式（ I ）において、ＭがＣｕ、Ｚｎ、ＣｌＡ
   ｌ、ＣｌＩｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＯＶ、Ｍｎ、Ｃｏ、
   Ｎｉ又はＰｄである請求項１記載のナフタロシアニン誘
   導体。 ３、一般式（ I ）において、ｎが１である請求項１又
   は２記載のナフタロシアニン誘導体。 ４、一般式（ I ）においてＲ＾１が、炭素数１３〜２
   ２個のアルキル基である請求項１、２又は３記載のナフ
   タロシアニン誘導体。 ５、一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ［ただし、式中Ｒ＾１は、炭素数１〜２２個のアルキル
   基であり、複数個のＲ＾１は同一でも相異してもよく、
   ｎは同一又は相異してもよい１〜４の整数であり、Ｙ＿
   １及びＹ＿２は同一でも相異してもよく、アリールオキ
   シル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル基、
   トリアリールシロキシル基、トリアルコキシシロキシル
   基、トリアリールオキシシロキル基又はトリチルオキシ
   ル基であり、ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎであ
   り、ＭがＡｌのときはＹ＿１のみが、Ｍが、Ｔｉ、Ｓｉ
   、Ｇｅ又はＳｎのときはＹ＿１及びＹ＿２がＭに共有結
   合している］で表わされるナフタロシアニン誘導体。 ６、一般式（II）において、ＭがＧｅである請求項５記
   載のナフタロシアニン誘導体。 ７、一般式（II）において、ｎが１である請求項５又は
   ６記載のナフタロシアニン誘導体。 ８、一般式（II）において、Ｙ＿１及びＹ＿２がいずれ
   もトリアルキルシロキシル基である請求項５、６又は７
   記載のナフタロシアニン誘導体。 ９、一般式（II）において、Ｙ＿１及びＹ＿２がいずれ
   もアルコキシル基である請求項５、６又は７記載のナフ
   タロシアニン誘導体。 １０、一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （ただし、式中Ｒ＾１は、炭素数１〜２２個のアルキル
   基を示し、ｎは１〜４の整数である）で表わされるアル
   コキシカルボニル−２、３−ジシアノナフタレンの少な
   くとも１種を一般式（IV−１）ＭＸｐ（IV−１） （ただし、式中Ｘはハロゲン原子又はアシロキシル基及
   びｐは０又は金属ＭへのＸの結合数を示す正の整数であ
   り、Ｍは、Ｃｕなどの I ｂ族、ＭｇなどのIIａ族、Ｚ
   ｎなどのIIｂ族、Ａｌ、ＩｎなどのIIIａ族、Ｓｉ、Ｇ
   ｅ、Ｓｎ、ＰｂなどのIVａ族、ＴｉなどのIVｂ族、Ｖな
   どのＶｂ族、Ｃｒ、ＭｏなどのVIｂ族、ＭｎなどのVII
   ｂ族又は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＰｄなどのVIII族
   の金属を示す）で表わされる金属又は金属塩と反応させ
   ることを特徴とする一般式（ I ）▲数式、化学式、表
   等があります▼（ I ） ［ただし、式中Ｒ＾１は、炭素数１〜２２個のアルキル
   基であり、複数個のＲ＾１は同一でも相異してもよく、
   ｎは同一又は相異していてもよい１〜４の整数であり、
   ＭはＣｕなどの I ｂ族の金属、ＭｇなどのIIａ族金属
   、ＺｎなどのIIｂ族の金属、Ａｌ、ＣｌＡｌ、ＨＯＡｌ
   、Ｉｎ、ＣｌＩｎなどのIIIａ族の金属、金属のハロゲ
   ン化物又は金属の水酸化物、Ｓｉ、Ｃｌ＿２Ｓｉ、（Ｈ
   Ｏ）＿２Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｌ＿２Ｇｅ、（ＨＯ）＿２Ｇｅ
   、Ｓｎ、Ｃｌ＿２Ｓｎ、（ＨＯ）＿２Ｓｎ、Ｐｂなどの
   IVａ族の金属、金属のハロゲン化物又は金属の水酸化物
   、Ｔｉ、ＯＴｉなどのIVｂ族の金属又は金属酸化物、Ｏ
   ＶなどのＶｂ族の金属酸化物、Ｃｒ、ＭｏなどのVIｂ族
   の金属、Ｍｎ、ＣｌＭｎなどのVIIｂ族の金属又は金属
   のハロゲン化物又はＦｅ、ＣｌＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ
   、ＰｄなどのVIII族の金属又は金属のハロゲン化物の中
   の一種を示す。］で表わされるナフタロシアニン誘導体
   の製造法。 １１、一般式（IV−１）において、ＭがＣｕ、Ｚｎ、Ａ
   ｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ又
   はＰｄであり、一般式（ I ）においてＭがそれぞれＣ
   ｕ、Ｚｎ、ＣｌＡｌ、 ＣｌＩｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＯＶ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ
   又はＰｄである請求項１０記載のナフタロシアニン誘導
   体の製造法。 １２、一般式（III）及び一般式（ I ）において、ｎが
   １である請求項１０又は１１記載のナフタロシアニン誘
   導体の製造法。 １３、一般式（III）及び一般式（ I ）においてＲ＾１
   が炭素数１３〜２２個のアルキル基である請求項１０、
   １１又は１２記載のナフタロシアニン誘導体の製造法。 １４、一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （ただし、式中Ｒ＾１は、炭素数１〜２２個のアルキル
   基を示し、ｎは１〜４の整数である）で表わされるアル
   コキシカルボニル−２、３−ジシアノナフタレンの少な
   くとも１種を一般式（IV−２） ＭＸｐ（IV−２） （ただし、式中Ｘはハロゲン原子であり、ｐはＭへのＸ
   の結合数を示す正の整数であり、ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ
   、Ｇｅ又はＳｎを示す）で表わされる金属ハロゲン化物
   と反応させて、一般式（Ｖ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） ［ただし、式中Ｒ＾１は、炭素数１〜２２個のアルキル
   基であり、複数個のＲ＾１は同一でも相異なってもよく
   、ｎは同一又は相異していてもよい１〜４の整数であり
   、Ｍは前記一般式（IV−２）と同じ意味を示し、Ｘ＿１
   及びＸ＿２は、ハロゲン原子を示し、ＭがＡｌのときは
   Ｘ＿１のみが、ＭがＴｉ、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎのときは
   Ｘ＿１及びＸ＿２がＭに共有結合している］で表わされ
   るナフタロシアニン誘導体を合成し、次にこの一般式（
   Ｖ）で表わされる化合物を加水分解させることにより一
   般式（VI） ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） ［ただし、式中Ｒ＾１は、炭素数１〜２２個のアルキル
   基であり、複数個のＲ＾１は同一でも相異なつてもよく
   、ｎは同一又は相異していてもよい１〜４の整数であり
   、Ｍは前記一般式（IV−２）と同じ意味を示し、Ｚ＿１
   及びＺ＿２はヒドロキシル基を示し、ＭがＡｌのときに
   はＺ＿１のみが、ＭがＴｉ、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎのとき
   はＺ＿１及びＺ＿２がＭに共有結合している］で表わさ
   れるナフタロシアニン誘導体を得、続いてこの一般式（
   VI）で表わされる化合物を一般式（VII） （Ｒ＾２）＿３ＳｉＯＨ（VII） ［ただし、式中Ｒ＾２は、アルキル基、アリール基、ア
   ルコキシル基又はアリールオキシル基である。］で表わ
   されるシラノール又は、一般式（VIII） Ｒ＾３ＯＨ（VIII） ［ただし、式中Ｒ＾３は、アルキル基、アリール基又は
   トリチル基である。］で表わされるアルコールと反応さ
   せることを特徴とする一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ［ただし、式中Ｒ＾１は、炭素数１〜２２個のアルキル
   基であり、複数個のＲ＾１は同一でも相異なつてもよく
   、ｎは同一又は相異していてもよい１〜４の整数であり
   、Ｙ＿１及びＹ＿２、は、同一又は相異していてもよく
   、アリールオキシル基、アルコキシル基、トリアルキル
   シロキシル基、トリアリールシロキシル基、トリアルコ
   キシシロキシル基、トリアリールオキシシロキシル基又
   はトリチルオキシル基であり、Ｍは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉ
   、Ｇｅ又はＳｎであり、ＭがＡｌのときは、Ｙ＿１のみ
   がＭがＴｉ、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎのときはＹ＿１及びＹ
   ＿２がＭに共有結合している］で表わされるナフタロシ
   アニン誘導体の製造法。 １５、一般式（IV−２）、（Ｖ）、（VI）及び（II）に
   おいてＭがＧｅである請求項１４記載のナフタロシアニ
   ン誘導体の製造法。 １６、一般式（III）、（Ｖ）、（VI）及び（II）にお
   いてｎが１である請求項１４又は１５記載のナフタロシ
   アニン誘導体の製造法。 １７、一般式（VII）においてＲ＾２がアルキル基であ
   り、一般式（II）においてＹ＿１及びＹ＿２がいずれも
   トリアルキルシロキシル基である請求項１４、１５又は
   １６記載のナフタロシアニン誘導体の製造法。 １８、一般式（VIII）においてＲ＾３がアルキル基であ
   り、前記一般式（II）においてＹ＿１及びＹ＿２がいず
   れもアルコキシル基である請求項１４、１５又は１６記
   載のナフタロシアニン誘導体の製造法。 １９、基板表面に、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［ただし、式中Ｒ＾１は、炭素数１〜２２個のアルキル
   基であり複数個のＲ＾１は同一でも相異なつてもよく、
   ｎは同一又は相異していてもよい１〜４の整数であり、
   Ｍは、Ｃｕなどの I ｂ族金属、ＭｇなどのIIａ族金属
   、ＺｎなどのIIｂ族金属、Ａｌ、ＣｌＡｌ、ＨＯＡｌ、
   Ｉｎ、ＣｌＩｎなどIIIａ族の金属、金属のハロゲン化
   物又は金属の水酸化物、Ｓｉ、Ｃｌ、Ｓｉ、（ＨＯ）＿
   ２Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｌ＿２Ｇｅ、（ＨＯ）＿２Ｇｅ、Ｓｎ
   、Ｃｌ＿２Ｓｎ、（ＨＯ）＿２Ｓｎ、ＰｂなどのIVａ族
   の金属、金属のハロゲン化物又は金属の水酸化物、Ｔｉ
   、ＯＴｉなどのIVｂ族の金属又は金属酸化物、ＯＶなど
   のＶｂ族の金属酸化物、Ｃｒ、ＭｏなどのVIｂ族の金属
   、Ｍｎ、ＣｌＭｎなどのVIIｂ族の金属又は金属のハロ
   ゲン化物又はＦｅ、ＣｌＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ
   などのVIII族の金属又は金属のハロゲン化物の中の一種
   を示す］で表わされるナフタロシアニン誘導体を主成分
   とする記録膜層が形成されていることを特徴とする光学
   的情報記録媒体。 ２０、一般式（ I ）において、ＭがＣｕ、Ｚｎ、Ｃｌ
   Ａｌ、ＣｌＩｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＯＶＭｎ、Ｃｏ、
   Ｎｉ又はＰｄであるナフタロシアニン誘導体を主成分と
   する記録膜層が形成されている請求項１９記載の光学的
   情報記録媒体。 ２１、一般式（ I ）において、ｎが１であるナフタロ
   シアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成されてい
   る請求項１９又は２０記載の光学的情報記録媒体。 ２２、一般式（ I ）においてＲ＾１が、炭素数１３〜
   ２２個のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を主
   成分とする記録膜層が形成されている請求項１９、２０
   又は２１記載の光学的情報記録媒体。 ２３、基板表面に、一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ［ただし、式中Ｒ＾１は、炭素数１〜２２個のアルキル
   基であり複数個のＲ＾１は同一でも相異なってもよく、
   ｎは同一又は相異していてもよい１〜４の整数であり、
   Ｙ＿１及びＹ＿２は同一又は相異していてもよく、アリ
   ールオキシル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキ
   シル基、トリアリールシロキシル基、トリアルコキシシ
   ロキシル基、トリアリールオキシ、シロキシル基又はト
   リチルオキシル基であり、ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ
   又はＳｎであり、ＭがＡｌのときは、Ｙ＿１のみが、Ｍ
   がＴｉ、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎのときはＹ＿１及びＹ＿２
   がＭに共有結合している］で表わされるナフタロシアニ
   ン誘導体を主成分とする記録膜層が形成されていること
   を特徴とする光学的情報記録媒体。 ２４、一般式（II）において、ＭがＧｅであるナフタロ
   シアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成されてい
   る請求項２３記載の光学的情報記録媒体。 ２５、一般式（II）において、ｎが１であるナフタロシ
   アニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成されている
   請求項２３又は２４記載の光学的情報記録媒体。 ２６、一般式（II）において、Ｙ＿１及びＹ＿２がいず
   れもトリアルキルシロキシル基であるナフタロシアニン
   誘導体を主成分とする記録膜層が形成されている請求項
   ２３、２４又は２５記載の光学的情報記録媒体。 ２７、一般式（II）において、Ｙ＿１及びＹ＿２がいず
   れもアルコキシル基であるナフタロシアニン誘導体を主
   成分とする記録膜層が形成されている請求項２３、２４
   又は２５記載の光学的情報記録媒体。 ２８、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［ただし、式中Ｒ＾１は、１〜２２個のアルキル基であ
   り複数個のＲ＾１は同一でも相異なつてもよく、ｎは同
   一又は相異していてもよい１〜４の整数であり、ＭはＣ
   ｕなどの I ｂ族金属。 ＭｇなどのIIａ族金属、ＺｎなどのIIｂ族金属、Ａｌ、
   ＣｌＡｌ、ＨＯＡｌ、Ｉｎ、ＣｌＩｎなどのIIIａ族の
   金属、金属のハロゲン化物又は金属の水酸化物、Ｓｉ、
   Ｃｌ＿２Ｓｉ、（ＨＯ）＿２Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｌ＿２Ｇｅ
   、（ＨＯ）＿２Ｇｅ、Ｓｎ、Ｃｌ＿２Ｓｎ、（ＨＯ）＿
   ２Ｓｎ、ＰｂなどのIVａ族の金属、金属のハロゲン化物
   又は金属の水酸化物、Ｔｉ、ＯＴｉなどのIVｂ族の金属
   又は金属酸化物、ＯＶなどのＶｂ族の金属酸化物、Ｃｒ
   、ＭｏなどのVIｂ族の金属、Ｍｎ、ＣｌＭｎなどの、V
   IIｂ族の金属又は金属のハロゲン化物又はＦｅ、ＣｌＦ
   ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＰｄなどのVIII族の金属又は金
   属のハロゲン化物の中の一種を示す］で表わされるナフ
   タロシアニン誘導体を主として有機溶媒に溶解した溶液
   を用いて基板表面に記録膜層を形成することを特徴とす
   る光学的情報記録媒体の製造方法。 ２９、一般式、（ I ）において、ＭがＣｕ、Ｚｎ、Ｃ
   ｎＡｌ、ＣｌＩｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＯＶ、Ｍｎ、Ｃ
   ｏ、Ｎｉ又はＰｄであるナフタロシアニン誘導体を用い
   た請求項２８記載の光学的情報記録媒体の製造方法。 ３０、一般式（ I ）において、ｎが１であるナフタロ
   シアニン誘導体を用いた請求項２８又は２９記載の光学
   的情報記録媒体の製造方法。 ３１、一般式（ I ）においてＲ＾１が、炭素数１３〜
   ２２個のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を用
   いた請求項２８、２９又は３０項記載の光学的情報記録
   媒体の製造方法。 ３２、一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ［ただし、式中Ｒ＾１は、炭素数１〜２２個のアルキル
   基であり複数個のＲ＾１は同一でも相異なつてもよく、
   ｎは同一又は相異していてもよい１〜４の整数であり、
   Ｙ＿１及びＹ＿２は同一又は相異していてもよく、アリ
   ールオキシル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキ
   シル基、トリアリールシロキシル基、トリアルコキシシ
   ロキシル基、トリアリールオキシシロキシル基又はトリ
   チルオキシル基であり、ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ又
   はＳｎであり、ＭがＡｌのときは、Ｙ＿１のみが、Ｍが
   Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎのときはＹ＿１及びＹ＿２が
   Ｍに共有結合している。］で表わされるナフタロシアニ
   ン誘導体を主として有機溶媒に溶解した溶液を用いて基
   板表面に記録膜層が形成することを特徴とする光学的情
   報記録媒体の製造方法。 ３３、一般式（II）において、ＭがＧｅであるナフタロ
   シアニン誘導体を用いた請求項３２記載の光学的情報記
   録媒体の製造方法。 ３４、一般式（II）において、ｎが１であるナフタロシ
   アニン誘導体を用いた請求項３２又は３３記載の光学的
   情報記録媒体の製造方法。 ３５、一般式（II）において、Ｙ＿１及びＹ＿２がいず
   れもトリアルキルシロキシル基であるナフタロシアニン
   誘導体を用いた請求項３２、３３又は３４記載の光学的
   情報記録媒体の製造方法。 ３６、一般式（II）において、Ｙ＿１及びＹ＿２がいず
   れもアルコキシル基であるナフタロシアニン誘導体を用
   いた請求項３２、３３又は３４記載の光学的情報記録媒
   体の製造方法。