JPH01145194A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
- Publication number
- JPH01145194A JPH01145194A JP62303770A JP30377087A JPH01145194A JP H01145194 A JPH01145194 A JP H01145194A JP 62303770 A JP62303770 A JP 62303770A JP 30377087 A JP30377087 A JP 30377087A JP H01145194 A JPH01145194 A JP H01145194A
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- JP
- Japan
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- group
- carbon atoms
- substituent
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体レーザーの集束ビームを用いて追記す
ることが可能な光学記録媒体に関するものであり、更に
詳しくは、コンピューター外部メモリー。
ることが可能な光学記録媒体に関するものであり、更に
詳しくは、コンピューター外部メモリー。
画像、音声等の各種情報の記録に用いられる光記録媒体
に関する。
に関する。
(従来の技術)
上記した追記可能な光記録媒体としては、テルル。
テルル合金、ビスマス合金等の低融点金属薄膜の無機系
記録層を有する記録媒体が実用化されはじめている。し
かしながら、これらの記録媒体は、真空蒸着、スパッタ
リング等の真空中での薄膜形式によるため生産性が低く
、さらに記録層の熱伝導率が大きいため記録密度の点で
限界があり、またテルル等の有毒物質を使用するので衛
生性の点で問題がある。
記録層を有する記録媒体が実用化されはじめている。し
かしながら、これらの記録媒体は、真空蒸着、スパッタ
リング等の真空中での薄膜形式によるため生産性が低く
、さらに記録層の熱伝導率が大きいため記録密度の点で
限界があり、またテルル等の有毒物質を使用するので衛
生性の点で問題がある。
このような問題点を解決するために、近年、有機系色素
を記録媒体として使用する方法が検討されており2例え
ば、ポリメチン色素(特開昭58−112790号)、
ナフトキノン(特開昭58−112793号)、フタロ
シアニン色素(米国特許4298975号)、ナフタロ
シアニン色素(米国特許4492750号)等の半導体
レーザー発振波長領域に吸収を有する有機色素を記録層
とした記録媒体が提案されている。しかしながら、これ
までに提案されている有機色素を用いた記録媒体では、
耐久性。
を記録媒体として使用する方法が検討されており2例え
ば、ポリメチン色素(特開昭58−112790号)、
ナフトキノン(特開昭58−112793号)、フタロ
シアニン色素(米国特許4298975号)、ナフタロ
シアニン色素(米国特許4492750号)等の半導体
レーザー発振波長領域に吸収を有する有機色素を記録層
とした記録媒体が提案されている。しかしながら、これ
までに提案されている有機色素を用いた記録媒体では、
耐久性。
反射率の面で、十分な特性が得られなかったり、溶剤へ
の溶解性が悪く、経済的に有利な塗布方式による薄膜形
成法が適用できないという欠点を有していた。
の溶解性が悪く、経済的に有利な塗布方式による薄膜形
成法が適用できないという欠点を有していた。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは、有機色素を用いた記録媒体の問題点を改
善すべく、鋭意検討した結果、実用上優れた特性を持ち
、さらに経済的にも有利な光学記録媒体を発明するに至
った。
善すべく、鋭意検討した結果、実用上優れた特性を持ち
、さらに経済的にも有利な光学記録媒体を発明するに至
った。
すなわち2本発明は、レーザービームなどの高密度ヱネ
ルギー照射によって状態変化を生じさせ記録を行なう情
報記録媒体において、透明基板上に、下記一般式(1)
で示されるボルフィラジンニ抗体化合物を含有する記録
層を有する光学記録媒体である。
ルギー照射によって状態変化を生じさせ記録を行なう情
報記録媒体において、透明基板上に、下記一般式(1)
で示されるボルフィラジンニ抗体化合物を含有する記録
層を有する光学記録媒体である。
一般弐(1)
式中、環A、〜A6はそれぞれ独立にベンゼン環。
ナフタリン環、アントラセン環。
Bは、−N=N−、−CH=N−又は−CH=CH−を
表す。
表す。
Rは、置換基を有してもよいアリール基または(−CH
=CH−)nを表す。ここでnは1〜4の整数である。
=CH−)nを表す。ここでnは1〜4の整数である。
M+、Mzはそれぞれ独立に1周期律表のIA。
IB、I[A、nB、II[A、I[[B、IVA、I
’/B、VBVIB、■B及び■族に属する金属原子を
表す。
’/B、VBVIB、■B及び■族に属する金属原子を
表す。
Z、Yはそれぞれ独立にハロゲン原子、水酸基。
−OR,、−3R,、−3eR,、−TdR,または−
O31RzR3R4であり、ここでRIは炭素数1以上
のアルキル基、炭素数6以上のアリール基。
O31RzR3R4であり、ここでRIは炭素数1以上
のアルキル基、炭素数6以上のアリール基。
炭素数4以上のアシル基、炭素数4以上のシクロアルキ
ル基またはポリエーテルであり、 Rt、 R3゜
R4は同一でも異別でもよく、それぞれ炭素数1〜18
のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基。
ル基またはポリエーテルであり、 Rt、 R3゜
R4は同一でも異別でもよく、それぞれ炭素数1〜18
のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基。
炭素数4以上のシクロアルキル基、シロキシ基または炭
素数1以上のアルコキシ基である。
素数1以上のアルコキシ基である。
置換基Xは、同一でも異別でもよく、それぞれ別個にハ
ロゲン原子、水酸基、置換基を有してもよいアルキル基
、置換基を有してもよい了り−ル基、置換基を有しても
よいフェニルアゾ基、置換基を有してもよいナフチルア
ゾ基、置換基を有してもよい複素環基、 ORs、
SRs、 NR6R?、 SOz N Rs R
q 、 CON Rs Rq 、 CHZ N
HCOCH2NRBR9,COOR1,NO!。
ロゲン原子、水酸基、置換基を有してもよいアルキル基
、置換基を有してもよい了り−ル基、置換基を有しても
よいフェニルアゾ基、置換基を有してもよいナフチルア
ゾ基、置換基を有してもよい複素環基、 ORs、
SRs、 NR6R?、 SOz N Rs R
q 、 CON Rs Rq 、 CHZ N
HCOCH2NRBR9,COOR1,NO!。
−3O3H,−CNを表す。
ここでR9はR2と同一である。
R6,Rtは同一でも異別でもよく、それぞれが水素原
子、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数4以上のシク
ロアルキル基、炭素数6以上のアリール基であるか、ま
たはR6,R7が一緒になって該N原子を含む4〜7員
環の複素環を形成していてもよい。R8は水素原子また
は炭素数1〜20のアルキル基を表す。R7は水素原子
、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有しても
よいアリール基。
子、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数4以上のシク
ロアルキル基、炭素数6以上のアリール基であるか、ま
たはR6,R7が一緒になって該N原子を含む4〜7員
環の複素環を形成していてもよい。R8は水素原子また
は炭素数1〜20のアルキル基を表す。R7は水素原子
、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有しても
よいアリール基。
置換基を有してもよい複素環基または−R1゜−NR1
、R1□を表し;ここでRIGは炭素数1〜4のアルキ
ル基、 RII+ Rt2は同一でも異別でもよい
。それぞれ別個に置換基を有してもよいアルキル基また
はR11+ R,□が一緒になってN、OまたはS原子
を含むペテロ環を表す。
、R1□を表し;ここでRIGは炭素数1〜4のアルキ
ル基、 RII+ Rt2は同一でも異別でもよい
。それぞれ別個に置換基を有してもよいアルキル基また
はR11+ R,□が一緒になってN、OまたはS原子
を含むペテロ環を表す。
p及びqは0.1または2のいずれかであって置換基Z
及びYの個数を表す。
及びYの個数を表す。
i、j、に、l、m、nはそれぞれ独立にO〜8の整数
を表し、置換基Xの個数を表す。
を表し、置換基Xの個数を表す。
一般式〔I〕で示されるボルフィラジン二核体化合物は
たとえば下記一般式(n)、 CI[I)、 (I
V)(V)、 (VI)又は〔■〕で示される化合物
と下記。
たとえば下記一般式(n)、 CI[I)、 (I
V)(V)、 (VI)又は〔■〕で示される化合物
と下記。
一般式〔■〕で示される0−ジシアノ化合物と金属また
は金属化合物とを一般の有機溶媒中で反応させることに
よって合成することができる。
は金属化合物とを一般の有機溶媒中で反応させることに
よって合成することができる。
一般式〔■〕
式中、環A、〜A3はそれぞれ独立にベンゼン環。
ナフタリン環、アントラセン環。
を表す。
置換基Xは、同一でも異別でもよく、それぞれ別個にハ
ロゲン原子、水酸基、置換基を有してもよいアルキル基
、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有しても
よい複素環基、 ORs、 SRs。
ロゲン原子、水酸基、置換基を有してもよいアルキル基
、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有しても
よい複素環基、 ORs、 SRs。
−N Rh R? 、S Oz N Rs R9、CO
N RsR*、 −CHtN HCOCHz N R*
Rw、−C00Rq、−N Ox、 −S OsH,C
Nを表す。
N RsR*、 −CHtN HCOCHz N R*
Rw、−C00Rq、−N Ox、 −S OsH,C
Nを表す。
ここでR3はR1と同一である。
Rh、R’+は同一でも異別でもよく、それぞれが水素
、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数4以上のシクロ
アルキル基、炭素数6以上のアリール基であるか、また
はRh、 R’tが一緒になって該N原子を含む4〜
7員環の複素環を形成していてもよい。
、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数4以上のシクロ
アルキル基、炭素数6以上のアリール基であるか、また
はRh、 R’tが一緒になって該N原子を含む4〜
7員環の複素環を形成していてもよい。
R11は水素原子または炭素数1〜20のアルキル基を
表す。R7は水素原子、置換基を有してもよいアルキル
基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
もよい複素環基または−R8゜−NR,、R目を表し;
ここでR1゜は炭素数1〜4のアルキル基。
表す。R7は水素原子、置換基を有してもよいアルキル
基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
もよい複素環基または−R8゜−NR,、R目を表し;
ここでR1゜は炭素数1〜4のアルキル基。
RII+ RI2は同一でも異別でもよい。それぞれ
別個に置換基を有してもよいアルキル基またはRz、R
1□が一緒になってN、 OまたはS原子を含むヘテロ
環を表す。
別個に置換基を有してもよいアルキル基またはRz、R
1□が一緒になってN、 OまたはS原子を含むヘテロ
環を表す。
i、j、に、(1,m、nはそれぞれ0〜8の整数であ
り、置換基Xの個数を表す。
り、置換基Xの個数を表す。
また、一般式(1)のポルフィラジン二核体化合物の合
成の際、副成物としてポルフィラジン三核体以上の化合
物が得られる。これらはシリカゲルカラムにより分離で
きるが、場合によってはこれらポルフィラジン三核体以
上の化合物が混入した方が良好な特性が得られることも
あり、混合物のままで使用可能である。
成の際、副成物としてポルフィラジン三核体以上の化合
物が得られる。これらはシリカゲルカラムにより分離で
きるが、場合によってはこれらポルフィラジン三核体以
上の化合物が混入した方が良好な特性が得られることも
あり、混合物のままで使用可能である。
また、原料としては、ニトリル類に限らず、無水フタル
酸類、無水ナフタル酸類、フタルイミド類。
酸類、無水ナフタル酸類、フタルイミド類。
ナフタルイミド類又はジイミノイソインドリン類等を使
用することもできる。
用することもできる。
本発明において用いられる透明基板としては、信号の書
き込みや読み出しを行なうための光の透過率が、好まし
くは85%以上であり、かつ光学異方性の小さいものが
望ましい。例えば、ガラス、またはアルクル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂
、塩化ビニル樹脂、ポリビニルエステル樹脂、ポリスチ
レン系樹脂、ポリオレフィン樹脂(ポリ−4−メチルペ
ンテン等)、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱可塑性
樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂などの熱硬化樹脂を用
いた基板が挙げられる。これらの中で、成形のしやすさ
、案内溝やアドレス信号等の付与のしやすさなどから前
記した熱可塑性樹脂が好ましく、更に光学特性や機械的
特性からアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂が特に望
ましい。
き込みや読み出しを行なうための光の透過率が、好まし
くは85%以上であり、かつ光学異方性の小さいものが
望ましい。例えば、ガラス、またはアルクル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂
、塩化ビニル樹脂、ポリビニルエステル樹脂、ポリスチ
レン系樹脂、ポリオレフィン樹脂(ポリ−4−メチルペ
ンテン等)、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱可塑性
樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂などの熱硬化樹脂を用
いた基板が挙げられる。これらの中で、成形のしやすさ
、案内溝やアドレス信号等の付与のしやすさなどから前
記した熱可塑性樹脂が好ましく、更に光学特性や機械的
特性からアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂が特に望
ましい。
本発明においては、これらの透明な基板の厚さは。
特に制限がなく、板状でもフィルム状でも良い。また、
その形状は1円形やカード状でもよく、その大きさには
特に制限はない。
その形状は1円形やカード状でもよく、その大きさには
特に制限はない。
また本発明の透明基板には、記録および読み出しの際の
位置制御のための案内溝やアドレス信号や各種マーク等
のプリフォーマット用の凹凸を通常有しているが、これ
らの凹凸は前記したような熱可塑性樹脂を成形(射出、
圧縮等)する際にスタンパ−などを用いて付与するのが
、好ましい。
位置制御のための案内溝やアドレス信号や各種マーク等
のプリフォーマット用の凹凸を通常有しているが、これ
らの凹凸は前記したような熱可塑性樹脂を成形(射出、
圧縮等)する際にスタンパ−などを用いて付与するのが
、好ましい。
本発明の光学記録媒体において、ポルフィラジン二核体
化合物を含有する記録層を透明な基板上に定着するには
1例えば真空蒸着法、スパッタリング法。
化合物を含有する記録層を透明な基板上に定着するには
1例えば真空蒸着法、スパッタリング法。
イオンプレート法およびLB法(ラングミュアブロジェ
ット法)などの方法で薄膜化できるが、これらの方法は
操作が繁雑であり、かつ生産性の点で劣るので、いわゆ
る塗布による方法が最も好ましい。塗布法によって記録
層を形成する場合には、ポルフィラジン二核体化合物を
アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、
エーテル類、エステル類。
ット法)などの方法で薄膜化できるが、これらの方法は
操作が繁雑であり、かつ生産性の点で劣るので、いわゆ
る塗布による方法が最も好ましい。塗布法によって記録
層を形成する場合には、ポルフィラジン二核体化合物を
アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、
エーテル類、エステル類。
脂肪族ハロゲン化炭化水素類、芳香族炭化水素類等の一
般の有機溶媒に分散または溶解して塗布する。
般の有機溶媒に分散または溶解して塗布する。
この際、ポルフィラジン二核体化合物がアミノ基を有す
る場合には有機酸とによる造塩体を形成させることによ
り、溶解性が増大するため、上記の有機溶媒中に、酢酸
、プロピオン酸、酪酸、オレイン酸。
る場合には有機酸とによる造塩体を形成させることによ
り、溶解性が増大するため、上記の有機溶媒中に、酢酸
、プロピオン酸、酪酸、オレイン酸。
ステアリン酸等の有機酸を混合して使用することもでき
る。また、このとき場合によっては、高分子バインダー
を加えても良い。高分子バインダーとしては、塩化ビニ
ル樹脂、アクリル酸樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチ
レン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、メタクリル酸樹Nu、 酢酸ビニル樹脂、
ニトロセルロース、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン
テレフタレート樹脂、フェノール樹脂またはこれらの共
重合体などがあげられる。その際ポルフィラジン二核体
化合物に対する樹脂の比率は10wt%以下が好ましい
。
る。また、このとき場合によっては、高分子バインダー
を加えても良い。高分子バインダーとしては、塩化ビニ
ル樹脂、アクリル酸樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチ
レン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、メタクリル酸樹Nu、 酢酸ビニル樹脂、
ニトロセルロース、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン
テレフタレート樹脂、フェノール樹脂またはこれらの共
重合体などがあげられる。その際ポルフィラジン二核体
化合物に対する樹脂の比率は10wt%以下が好ましい
。
また2本発明のポルフィラジン二核体化合物に。
他の色素を混合分散あるいは混合溶解して使用すること
もできる。混合して使用できる色素としては。
もできる。混合して使用できる色素としては。
すでに公知の例えば、芳香族または不飽和脂肪族ジアミ
ン系金属錯体、芳香族または不飽和脂肪族ジチオール系
金属錯体、フタロシアニン系錯体、ナフタロシアニン系
錯体、スクアリウム系色素、ナフトキノン系錯体、アン
トラキノン系色素やポリメチン系色素が挙げられる。
ン系金属錯体、芳香族または不飽和脂肪族ジチオール系
金属錯体、フタロシアニン系錯体、ナフタロシアニン系
錯体、スクアリウム系色素、ナフトキノン系錯体、アン
トラキノン系色素やポリメチン系色素が挙げられる。
透明基板上に形成するボルフィラジン二核体化合物を含
有する記録層は、10μm以下で、好ましくは500人
/2μmである。また塗布した後、クロロホルム、テト
ラヒドロフラン、トルエン等の有機溶媒の蒸気にさらす
ことによって、薄膜の吸収波長が長波長にシフトし、半
導体レーザーの発振波−長域の光に対する感度を著しく
向上させることができる場合もある。
有する記録層は、10μm以下で、好ましくは500人
/2μmである。また塗布した後、クロロホルム、テト
ラヒドロフラン、トルエン等の有機溶媒の蒸気にさらす
ことによって、薄膜の吸収波長が長波長にシフトし、半
導体レーザーの発振波−長域の光に対する感度を著しく
向上させることができる場合もある。
また、これらの記録層を保護するために、Alz03+
5IOz+StO,SnO等の無機化合物を蒸着して保
護層を設けても良い。また、保護層として。
5IOz+StO,SnO等の無機化合物を蒸着して保
護層を設けても良い。また、保護層として。
高分子を塗布しても良い。
上記の様にして得られた記録媒体への記録は、基板上に
設けた記録層に1μm程度に集束したレーザー光、好ま
しくは半導体レーザー光を照射することにより行なう。
設けた記録層に1μm程度に集束したレーザー光、好ま
しくは半導体レーザー光を照射することにより行なう。
レーザー光の照射された部分は、レーザーエネルギーの
吸収による分解、蒸発、溶融等の記録層の熱的な状態変
化が生じた部分と、生じていない部分の反射率の差を読
み取ることにより行なう。
吸収による分解、蒸発、溶融等の記録層の熱的な状態変
化が生じた部分と、生じていない部分の反射率の差を読
み取ることにより行なう。
光源としては、He−Neレーザー、Arレーザー、半
導体レーザー等の各種レーザーを用いることができるが
1価格、大きさの点で半導体レーザーが特に好ましい。
導体レーザー等の各種レーザーを用いることができるが
1価格、大きさの点で半導体レーザーが特に好ましい。
半導体レーザーとしては、中心波長830nm、 7
80nmおよびそれより短波長のレーザーを使用するこ
とができる。
80nmおよびそれより短波長のレーザーを使用するこ
とができる。
次に1本発明を合成例および実施例により、更に具体的
に説明するが1本発明は、以下の実施例に限定されるも
のではない0例中部は重量部である。
に説明するが1本発明は、以下の実施例に限定されるも
のではない0例中部は重量部である。
〔合成例1〕
下記の構造式(a)で示される化合物38部、構造式(
b)で示される化合物20部および塩化第一銅10部を
キノリン150部に加え200〜210℃で4時間加熱
攪拌する。
b)で示される化合物20部および塩化第一銅10部を
キノリン150部に加え200〜210℃で4時間加熱
攪拌する。
反応終了後、濾過し、メタノール200部で洗浄する。
乾燥して目的物(1)が20部得られる。
〔合成−例2〕
合成例1の(b)の代りに構造式(C)で示される化合
物23部及び塩化第一銅の代りに三塩化バナジウム10
部を合成例1と同様に反応させると目的物(2)が21
部得られる。
物23部及び塩化第一銅の代りに三塩化バナジウム10
部を合成例1と同様に反応させると目的物(2)が21
部得られる。
〔合成例3〕
下記の構造式(d)で示される化合物40部、構造式(
e)で示今れる化合物20部および四塩化ケイ素20部
をキノリン150部に加え200〜21いで水洗し乾燥
するとジヒドロキシ体25部が得られる。次いでジヒド
ロキシ体10部をピリジン200部に加えた後2時間1
00℃で攪拌する。ピリジンを薫留した後、ビス(トリ
メチルシリル)アセトアミド50部を添加し、1時間加
熱還流する。過剰のビス(トリメチルシリル)アセトア
ミドを留去すると目的物(3)が11部得られる。
e)で示今れる化合物20部および四塩化ケイ素20部
をキノリン150部に加え200〜21いで水洗し乾燥
するとジヒドロキシ体25部が得られる。次いでジヒド
ロキシ体10部をピリジン200部に加えた後2時間1
00℃で攪拌する。ピリジンを薫留した後、ビス(トリ
メチルシリル)アセトアミド50部を添加し、1時間加
熱還流する。過剰のビス(トリメチルシリル)アセトア
ミドを留去すると目的物(3)が11部得られる。
同様な方法により、目的物(4)〜(13)が得られる
。
。
Cす
1+1 :I:フ
: = ぜhr ご〆 N = 実施例1 アクリル樹脂基板上にポルフィラジン二核体化合物(a
)2.9部とクロロホルム100部からなる溶液を滴下
した後、この基板を1100Orpの速度で10秒間回
転した。
: = ぜhr ご〆 N = 実施例1 アクリル樹脂基板上にポルフィラジン二核体化合物(a
)2.9部とクロロホルム100部からなる溶液を滴下
した後、この基板を1100Orpの速度で10秒間回
転した。
次に、この基板を45℃で20分間乾燥して記録媒体を
得た。この記録層の膜厚は1080人であった。薄膜の
最大吸収波長は、790部mであり、830部mの波長
の光に対する反射率は、ポルフイラジン二核体化合物(
a)薄膜表面で25%、又アクリル樹脂基板を通しては
20%であった。
得た。この記録層の膜厚は1080人であった。薄膜の
最大吸収波長は、790部mであり、830部mの波長
の光に対する反射率は、ポルフイラジン二核体化合物(
a)薄膜表面で25%、又アクリル樹脂基板を通しては
20%であった。
この光学記録媒体をターンテーブル上に取り付け。
ターンテーブルを180Orpmで回転させながら。
1.0μmに集束した830部mのレーザー8mW、8
MHzで照射して記録を行なった。
MHzで照射して記録を行なった。
この記録を行なった光学記録媒体表面を走査型電子顕微
鏡観察を行なったところ、鮮明なピットが認められた。
鏡観察を行なったところ、鮮明なピットが認められた。
また、この光学記録媒体に830部m、 0゜4mW
のレーザー光を照射し9反射光の検出を行なったところ
、S/N比が50dBであった。
のレーザー光を照射し9反射光の検出を行なったところ
、S/N比が50dBであった。
実施例2
ニトロセルロース樹脂3部をメチルエチルケトン10部
に溶解し、ポルフィラジン二核体化合物(b)5部およ
びジクロルエタン100部を上記の樹脂溶液と混合溶解
した。
に溶解し、ポルフィラジン二核体化合物(b)5部およ
びジクロルエタン100部を上記の樹脂溶液と混合溶解
した。
この溶液をパイレックス基板上に滴下した後、この基板
を150Orpmで15秒間回転した。次に。
を150Orpmで15秒間回転した。次に。
この基板を90°Cで2時間乾燥して記録媒体を得た。
この記録層の膜厚は800人であった。
この薄膜の最大吸収波長は800部mであり、830部
mの波長の光に対する反射率は、ポルフイラジン二核体
化合物(b)薄膜表面側で30%、またバイレックス基
板を通しては21%であった。
mの波長の光に対する反射率は、ポルフイラジン二核体
化合物(b)薄膜表面側で30%、またバイレックス基
板を通しては21%であった。
また、この記録媒体を実施例1と同様に記録を行なった
ところ、記録層表面に鮮明なピットが認められ、また実
施例1と同様のS/N比が得られた。
ところ、記録層表面に鮮明なピットが認められ、また実
施例1と同様のS/N比が得られた。
実施例3〜10
ポリカーボネート樹脂基板上に、下記の表Iに示したポ
ルフィラジン二核体化合物(c)〜(j)を実施例1と
同様な方法により塗布して記録媒体を得た。
ルフィラジン二核体化合物(c)〜(j)を実施例1と
同様な方法により塗布して記録媒体を得た。
この薄膜の最大吸収波長および830部mの波長光に対
する反射率、およびこの記録媒体に実施例1と同様な記
録再生を行なった結果を表■に示す。
する反射率、およびこの記録媒体に実施例1と同様な記
録再生を行なった結果を表■に示す。
表■
〔発明の効果〕
本発明は以上のような構成によりなり、化学的。
物理的に安定で半導体レーザー発振領域に十分な吸収2
反射率を有し、さらに生産性の高い塗布法により記録媒
体を作成し得る特徴を有する。
反射率を有し、さらに生産性の高い塗布法により記録媒
体を作成し得る特徴を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に下記一般式〔 I 〕に示されるポルフィラ
ジン二核体化合物の少なくとも一種以上を含有する有機
薄膜層を有することを特徴とする光学記録媒体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、環A_1、〜A_8、はそれぞれ独立にベンゼン
環、ナフタリン環、アントラセン環、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼、または▲数式、化
学式、表等があります▼、 を表す。 Bは、−N=N−、−CH=N−又は−CH=−CH−
を表す。 Rは、置換基を有してもよいアリール基または(−CH
=CH−)_nを表す、ここでnは1〜4の整数である
。 M_1、M_2はそれぞれ独立に、周期律表の I A、
I B、IIA、IIB、IIIA、IIIB、IVA、IVB、VB
VIB、VIIB及び族に属する金属原子を表す。 Z、Yはそれぞれ独立にハロゲン原子、水酸基、−OR
_1、−SR_1、−SeR_1、−TeR_1または
−OSiR_2R_3R_4、であり、ここでR_1は
炭素数1以上のアルキル基、炭素数6以上のアリール基
、炭素数4以上のアシル基、炭素数4以上のシクロアル
キル基またはポリエーテルであり、R_2、R_3、R
_4は同一でも異別でもよく、それぞれ炭素数1〜18
のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数4
以上のシクロアルキル基、シロキシ基または炭素数1以
上のアルコキシ基である。 置換基Xは、同一でも異別でもよく、それぞれ別個にハ
ロゲン原子、水酸基、置換基を有してもよいアルキル基
、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有しても
よいフェニルアゾ基、置換基を有してもよいナフチルア
ゾ基、置換基を有してもよい複素環基、−OR_5、−
SR_5、−NR_6R_7、−SO_2NR_6R_
9、−CONR_8R_9、−CH_2NHCOCH_
2NR_3R_9、−COOR_9、−NO_2、−S
O_3H、−CNを表す。 ここでR_5はR_1と同一である。 R_6、R_7は同一でも異別でもよく、それぞれが水
素原子、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数4以上の
シクロアルキル基、炭素数6以上のアリール基であるか
、またはR_6、R_7が一緒になって該N原子を含む
4〜7員環の複素環を形成していてもよい。R_3は水
素原子または炭素数1〜20のアルキル基を表す。R_
9、は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置
換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよい
複素環基または−R_1_0−NR_1_1R_1_2
を表し;ここでR_1_0は炭素数1〜4のアルキル基
、R_1_1、R_1_2は同一でも異別でもよい。そ
れぞれ別個に置換基を有してもよいアルキル基またはR
_1_1R_1_2が一緒になってN、OまたはS原子
を含むヘテロ環を表す。 p及びqは0、1または2のいずれかであって置換基Z
及びYの個数を表す。 i、j、k、l、m、nはそれぞれ独立に0〜8の整数
を表し、置換基Xの個数を表す。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62303770A JPH01145194A (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62303770A JPH01145194A (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01145194A true JPH01145194A (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=17925075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62303770A Pending JPH01145194A (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01145194A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2459652A4 (en) * | 2009-07-31 | 2013-08-07 | Hewlett Packard Development Co | PHTHALOCYANINES AND NAPHTHALOCYANINES WITH NEAR-INFRARED ABSORPTION FOR INK RADIATION INKS |
| WO2014030768A1 (en) * | 2012-08-22 | 2014-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Phthalocyanine pigment and pigment dispersion, ink and color filter resist composition containing same |
| JP2022123689A (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-24 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 近赤外線吸収性色素、近赤外線吸収性組成物、および光学フィルタ |
-
1987
- 1987-12-01 JP JP62303770A patent/JPH01145194A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2459652A4 (en) * | 2009-07-31 | 2013-08-07 | Hewlett Packard Development Co | PHTHALOCYANINES AND NAPHTHALOCYANINES WITH NEAR-INFRARED ABSORPTION FOR INK RADIATION INKS |
| US8784548B2 (en) | 2009-07-31 | 2014-07-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Phthalocyanines and naphthalocyanines with near-IR absorptions for inkjet inks |
| WO2014030768A1 (en) * | 2012-08-22 | 2014-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Phthalocyanine pigment and pigment dispersion, ink and color filter resist composition containing same |
| CN104583336A (zh) * | 2012-08-22 | 2015-04-29 | 佳能株式会社 | 酞菁颜料及包含酞菁颜料的颜料分散体、墨和滤色器用抗蚀剂组合物 |
| JP2022123689A (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-24 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 近赤外線吸収性色素、近赤外線吸収性組成物、および光学フィルタ |
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