JPH0266527A - 波長変換素子 - Google Patents

波長変換素子

Info

Publication number
JPH0266527A
JPH0266527A JP63218747A JP21874788A JPH0266527A JP H0266527 A JPH0266527 A JP H0266527A JP 63218747 A JP63218747 A JP 63218747A JP 21874788 A JP21874788 A JP 21874788A JP H0266527 A JPH0266527 A JP H0266527A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nonlinear optical
substrate
single crystal
modulus
wavelength conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63218747A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayuki Kato
孝行 加藤
Yoshitaka Takahashi
佳孝 高橋
Hidetaka Ninomiya
英隆 二宮
Yoshitaka Morita
森田 美貴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP63218747A priority Critical patent/JPH0266527A/ja
Publication of JPH0266527A publication Critical patent/JPH0266527A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Radiation-Therapy Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野J 本発明は、レーザー光の波長変換に用いられる光高調波
発生装置等に用いる波長変換素子に関する。
[発明の背景] 非線形光学効果が1961年に発見されて以来、非線形
光学効果を有する材料及び非線形光学効果を利用したデ
バイスに関する研究が進められてきた。従来、非線形光
学効果を有する材料としては、LiNbO5やKDP 
(KH2PO4)などの無機系材料が知られていた。
しかしながら近年これらの無機系材料に較べ、非線形光
学定数が大幅に上回る有機系材料が注目されはじめた。
この様な物質には、例えばMNA(2−メチル−4−ニ
トロアニリン)、mNA(メタニトロアニリン)、RO
M(3−メチル−4−ニトロピリジン−1−オキサイド
)などがある。
これら有機非線形光学材料を用いたデバイスとして、ガ
ラス製の基板の上に非線形光学材料の単結晶薄膜を形成
したものが知られている。
しかしながら、上記のデバイスはその製造において、有
機非線形光学材料の融点以上に温度を土げなけれならず
、そのため基板の熱膨Il!係数と有機非線形光学材料
の熱膨脹係数の違いによると思われる原因で単結晶が良
好にできなかったり、また、最悪の場合は単結晶が基板
から剥がれてしまうことがあった。さらに、本発明者ら
が試みたところ、単結晶の剥がれ、亀裂等は、単結晶性
に優れた有機非線形光学材料において顕著に生じた。
また、長時間高温にさらされるため、結晶に、基板であ
るガラスから不純物が拡散し、変換効率が低下するのが
認められた。
エポキシ樹脂の毛細管を用いた第2次高調波発生素子は
知られている。(J、Opt、Soc、An+、  B
Vol、4.No、6 (June  1987) p
 998〜1012)本発明者らは、該第2次高調波発
生素子について調べたところ、該素子おいては不純物の
拡散による欠陥の発生は防止することはできたが、依然
として単結晶の剥がれ、亀裂等の欠陥は生じ、変換効率
のよい第2次高調波発生素子を得ることは困難であった
また、従来公知の、基板の上あるいは基板に設けた講の
中に有機非線形光学材料を形成した第2次高調波発生素
子において、該基板として、エポキシ樹脂を用いてみた
が上記欠陥は解消されなかった。
そこで、本発明者らが検討したところ、光学的非線形性
を有する物質と接する部材としである特定の弾性率(剛
性率)を有する高分子化合物を用いることによって上記
単結晶の剥がれ、亀裂等の欠点がなくなり、変換効率の
よい第2次高調波発生素子が得られることを見出だした
[発明の目的] したがって、本発明の目的は、基板からの不純物拡散に
よって有機非線形光学材料に生ずる欠陥、基板と有機非
線形光学材料の熱膨脹係数の違いによって生ずるひずみ
、亀裂、剥がれ等の欠陥に対処し、作製が容易で、且つ
、変換効率が高い波長変換素子を提供することにある。
[発明の構成] 上記目的は、光学的非線形性を有する物質と、基本波の
導波モードと第2次高調波の導波モードまたは放射モー
ドとが位相整合するよう調整された部材とから形成され
てなる波長変換素子において、前記物質が有機物質であ
り、前記部材が前記物質と接しており、かつ、弾性率(
剛性率)が0.3 xlQ’ kr/−〜4.Ox10
’ kg/cdの高分子化合物であることを特徴とする
波長変換素子によって達成された。
次に本発明の詳細な説明する。
光学的非線形性を有する物質については、例えば「有機
非線形光学材料」 (シー・エム・シー社1985年刊
) 、  rNonlinear 0ptical P
ropertiesof Organic Mo1ec
ules and CrystalJVol、1 。
2 (Acadenic  Presslnc 、 1
987) 、日本化学会54年〜56年の年会予稿集等
に記載されている。
本発明に好ましく用いられる光学的非線形性を有する物
質として、例えばニトロアニリン誘導体に代表される電
子吸引性基及び電子供与性基で置換されたベンゼン、ナ
フタレン等の芳香環、ピリジン、ピリミジン等の複素環
、スチルベン、ピリジン−N−オキサイド及び尿素を挙
げることができる。
以下に本発明で用いられる光学的非線形性を有する有機
物質の好ましい例を示す。
以 下 余 白 上記において、単結晶性および非線形光学効果を考える
とNα10〜16の化合物が好ましく、さらに好ましい
ものは、Nα10.11.12.16の化合物である。
本発明の高分子化合物としては、弾性率(剛性率)が0
.3 X 10’ kg/−〜4.0 x 10’ k
+r/ Cl11 (測定法 ASTM : D747
 )の範囲のものであれば種々の高分子化合物を用いる
ことができるが、特に、弾性率(w1性率) カ0.3
 X 10’ kg/cJ〜1.4x10’kr/−の
範囲のものが良い。
また、該高分子材料は、その熱膨張係数が1.0X10
−’〜30x10−’/”C(ASTM: D696に
て測定)のものが好ましい、さらに、熱膨張係数は使用
する有機非線形光学材料になるべく近いものくその差が
0.4 xlO−’/”Cまでのもの)が好ましい。
次に、本発明で用いられる好ましい高分子化合物の弾性
率(剛性率)、耐熱性、屈折率、熱膨張係数を示す。
高密度ポリエチレン 120〜135 アクリロニトリル− スチレン共重合物 87〜90 ポリスルホン ポリカーボネイト ポリ塩化ビニリデン 71〜93 ポリスチレン 塩化ビニル ポリプロピレン 70〜100 50〜70 99〜110 熱膨張係数の試験法 1.54 0.4〜1.1 2.8〜3.5 1.63 2.4〜2.7 1.59 2.0〜2.4 1.60〜1.63 0.3〜0.6 1.59〜1.60 2.8〜4.2 1.52〜1.55 2.5〜4.2 1.48〜1.50 0.9〜1.4 ASTM  D 696 1.0〜1.1 6〜8 4.9〜5.6 6〜8 5〜18.5 [実施例] 以下、本発明を、実施例によりさらに具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されない 実施例1 第1図は、本発明の実施例の非線形2次高調波発生素子
を示す図である。
第1図において、1はポリプロピレン(弾性率(剛性率
) 1.2 x 10’ kr/ d )基板を、2は
非線形光学材料、バニリンの単結晶薄膜を示す。
第2図は、上記本発明の非線形2次高調波発生素子を製
造方法を説明するための図である。
第2図において、3はポリプロピレン基板、4はポリエ
チレンよりなる補助基板を表わす。
該ポリプロピレン基板3とポリエチレンよりなる補助基
板4との間には、ポリカーボネートフィルムよりなるス
ペーサー(厚さ3μm)5.5′によって3μmの間隙
が形成される。
該間隙にバニリンを毛細管法(電子通信学会論文誌’8
8/10  vat、 J69−CNo、10 p12
8fl+−1290参照)によりバニリンを充填した後
、該バニリン薄膜を単結晶薄膜とするために、縦型帯域
溶融法を応用し、温度分布を持った炉の内部を1111
1/時の速度で降下させ、再結晶させた。なお、炉内温
度は81℃であった。
この様にして単結晶化を行った後、補助基板4を分離し
、非線形2次高調波発生素子を作製した。
本実施例によれば、亀裂、剥れ等による欠陥は生ぜず、
さらに、単結晶性もガラス基板に比べ良好であった。ま
た、ひずみ、基板からの不純物の混入もなく、変換効率
が高くなった。
実施例2 第3図は、本発明の他の実施例の非線形2次高調波発生
素子を示す図である。
第3図において、6はメタクリル酸メチル樹脂(PMM
A)C弾性率(wi性率) 3.2 x10’ kir
/−〕基板を、7はバラーブロモエトキシm:トロベン
ゼン(非線形光学材料)の単結晶薄膜を示す。
上記素子は、基板6にグイシングツ−装置により、深さ
3μm、幅100μmの溝8を形成し、該溝8にバラー
ブロモエトキシm:トロベンゼンの粉末を充填する0次
いで、パラーブロモエトキシm:トロベンゼンの融点で
ある66°Cまで加熱し、溝8内に結晶を形成する。該
結晶に、実施例1のごとく縦型帯域溶融法を応用し、該
結晶を単結晶薄膜7とした。ただし、この時、炉内の温
度を66℃とし、降下速度を0.5開/hとした。
本実施例のものは、実施例1と同様の効果を奏するばか
りでなく、作製が容易となり、且つ、側面にも基板が存
在しているので非線形光学材料の保護性も増す。
実施例3 第4図は、本発明のまた他の実施例の非線形2次高調波
発生素子を示す図である。
第4図において、9は高密度ポリエチレン〔弾性率(M
性率) 0.7 x10’ bread) ノ中空7y
イバー状の部材を、10は非線形光学材料、パラ−ヒド
ロキシ−安息香酸メチルのファイバー状単結晶を示す。
第5図は、上記本発明の非線形2次高調波発生素子の製
造装置の説明図である。
第5図において、11は、非線形光学材料を溶融するた
めの溶融炉であり、その底部には、中空の砂嘴状の流出
路12が設けられ、また、非線形光学材料、パラ−ヒド
ロキシ−安息香酸メチルを溶融するためのヒーター13
が設けられている。
−m的に流出路12の出口14の内径は5μm〜50μ
mが良い。
15は、基本波の導波モードと第2次高調波の導波モー
ドまたは放射モードとが位相整合するように調整された
部材の材料、高密度ポリエチレンを溶融するための溶融
炉であり、その下部は、先細りとなっており該部材の流
出路16となっている。また、溶融炉15の下部の周囲
にはヒーター17が設けられている。−数的に流出路1
6の出口18の内径は1關〜IQamが良い。
流出路16の下には温度勾配がつけられたヒーター19
が設けられている。
20は形成された非線形2次高調波発生素子を示す。
上記製造装置で非線形2次高調波発生素子を製造する場
合、非線形光学材料と基本波の導波モードと第2次高調
波の導波モードまたは放射モードとが位相整合するよう
に調整された部材の材料の融点がほぼ同じであることが
必要である。
非線形光学材料のバラ−ヒドロキシ−安息香酸メチルを
溶融炉11に、また、基本波の導波モードと第2次高調
波の導波モードまたは放射モードとが位相整合するよう
に調整された部材の材料のポリエチレンを溶融炉15に
入れ、それぞれを131℃〜140℃のヒーター13.
17で加熱し、溶融する。
溶融炉11及び溶融炉15を加圧すると、中空部にバラ
−ヒドロキシ−安息香酸メチルが詰まったファイバー状
のポリエチレンが流出路15の出口18から得られる。
これを温度勾配を持ったヒーター1つによって徐々に温
度を下げ、パラ−ヒドロキシ安息香酸メチルを単結晶化
することにより、本発明の非線形2次高調波発生素子2
0が得られる。
本実施例のものは、実施例1と同様の効果を奏するばか
りでなく、作製が容易となる。
なお、上記実施例では非線形光学材料を単結晶とする場
合について述べたが、非線形光学材料をを配向させても
良い。
し発明の効果] 以上述べてきたように、本発明によれば亀裂、剥れ等が
なく、単結晶性が著しく向上し、ひずみ、基板からの不
純物の混入がなく、変換効率が高い非線形2次高調波発
生素子の形成が可能になった。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明波長変換素子の一実施例を示す斜視図
、第2図は、第1図の波長変換素子の製造方法を説明す
るための図、第3図は、本発明波長変換素子の他の実施
例を示す斜視図、第4図は、本発明波長変換素子のまた
他の実施例を示す斜視し 図、第5図は、第4図の波長変換素子の製造する装置の
説明図である。 第1図 第3図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 光学的非線形性を有する物質と、基本波の導波モードと
    第2次高調波の導波モードまたは放射モードとが位相整
    合するよう調整された部材とから形成されてなる波長変
    換素子において、前記物質が有機物質であり、前記部材
    が前記物質と接しており、かつ、弾性率(剛性率)が0
    .3×10^4kg/cm^2〜4.0×10^4kg
    /cm^2の高分子化合物であることを特徴とする波長
    変換素子。
JP63218747A 1988-09-01 1988-09-01 波長変換素子 Pending JPH0266527A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63218747A JPH0266527A (ja) 1988-09-01 1988-09-01 波長変換素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63218747A JPH0266527A (ja) 1988-09-01 1988-09-01 波長変換素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0266527A true JPH0266527A (ja) 1990-03-06

Family

ID=16724786

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63218747A Pending JPH0266527A (ja) 1988-09-01 1988-09-01 波長変換素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0266527A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Poudel et al. Controlling polymer crystallization kinetics by sample history
Arunkumar et al. Synthesis, growth and characterization of organic nonlinear optical single crystal 1, 3-bis (4-methoxyphenyl) prop-2-en-1-one (BMP) by vertical Bridgman technique
EP0368169B1 (en) Method for producing organic crystal
Schöler et al. Overgrowth of protrusion defects during sublimation growth of cubic silicon carbide using free-standing cubic silicon carbide substrates
Tomaru et al. Organic crystals growth for optical channel waveguides
JPH0266527A (ja) 波長変換素子
Da Costa et al. Thin film orientation by epitaxy of carbazolyl polydiacetylenes: guest− Host interaction on a crystal surface
Vrcelj et al. Preparation and structural evaluation of the conformational polymorphs of α-[(4-methoxyphenyl) methylene]-4-nitrobenzeneacetonitrile
Nivetha et al. Synthesis, growth, crystal structure and characterization of new stilbazolium derivative single crystal:(E)-4-(3-ethoxy-2-hydroxystyryl)-1-methyl pyridinium iodide (3ETSI)
US6608205B1 (en) Organic crystalline films for optical applications and related methods of fabrication
JPH04121717A (ja) 新規な有機非線形光学材料及びそれを用いた光波長の変換方法
EP0449254B1 (en) Fiber type wavelength converter and module
Aruchamy et al. Single Crystal Growth of 4‐Aminobenzophenone (ABP) by Solution and Seeded Czochralski Pulling Techniques for Second Harmonic Generation Applications
Taima et al. Fabrication of a frequency conversion device using a novel direction controlled crystal growth method
JPH0676280B2 (ja) 成長方位制御された有機単結晶の製造方法
JPH02259605A (ja) 有機単結晶光導波路の製造方法
JPH0525211A (ja) 有機高分子単結晶の製造方法
Pearson Growth of thin films of dicyanovinylanisole on quartz and teflon-coated quartz by physical vapor transport
JPS6347740A (ja) 非線形光学材料
CN109097835A (zh) KHg4Ga5Se12非线性光学晶体、其制备方法和非线性光学器件
Pan et al. Crack-free K3Li2− xNb5+ 2xO15+ 2x crystals grown by the resistance-heated Czochralski technique
JPH0266526A (ja) 波長変換デバイス
JPH01124834A (ja) 有機非線形光学材料
WO1991016658A1 (en) Laminated organic nonlinear optical crystal and production thereof
Dubois Organic conjugated materials for optoelectronic and applications