JPH0266711A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0266711A JPH0266711A JP21940588A JP21940588A JPH0266711A JP H0266711 A JPH0266711 A JP H0266711A JP 21940588 A JP21940588 A JP 21940588A JP 21940588 A JP21940588 A JP 21940588A JP H0266711 A JPH0266711 A JP H0266711A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の1
本発明は、例えばコンピュータの磁気記録装置などに使
用される薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に薄膜磁
気ヘッド基板と保護用基板の接合方法に関するものであ
る。
用される薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に薄膜磁
気ヘッド基板と保護用基板の接合方法に関するものであ
る。
繭釆包皮直
磁気テープなどの磁気記録媒体への情報の記録及び磁気
記録媒体からの情報の再生に使用される薄膜磁気ヘッド
の一例として薄膜インダクティブヘッドを第4図及び第
5図を参照しながら説明する。同図において、1は強磁
性体、例えばフェライト製の基板、2は基板1上に部分
的に形成されたSiO2等の第1の絶縁膜、3は第1の
絶縁膜2上にスパイラル状に形成されたCu製のコイル
膜。
記録媒体からの情報の再生に使用される薄膜磁気ヘッド
の一例として薄膜インダクティブヘッドを第4図及び第
5図を参照しながら説明する。同図において、1は強磁
性体、例えばフェライト製の基板、2は基板1上に部分
的に形成されたSiO2等の第1の絶縁膜、3は第1の
絶縁膜2上にスパイラル状に形成されたCu製のコイル
膜。
4はコイル膜3上に部分的に形成された各種酸化物から
なる第2の絶縁膜、5は基板1上の一部から第2の絶縁
膜4上に部分的に形成された強磁性体の上部コア膜で、
上部コア膜5の一端は基板1と接して閉磁路を形成する
。また、この上部コア膜5と基板1との両端間の第1の
絶縁膜2の膜厚て所望の磁気ギヤ、プgが形成される。
なる第2の絶縁膜、5は基板1上の一部から第2の絶縁
膜4上に部分的に形成された強磁性体の上部コア膜で、
上部コア膜5の一端は基板1と接して閉磁路を形成する
。また、この上部コア膜5と基板1との両端間の第1の
絶縁膜2の膜厚て所望の磁気ギヤ、プgが形成される。
6,6はコイル膜3の両端から第2の絶縁膜4上に延ば
して形成されたCuやAg等からなるコイル引出し導電
膜、7は各薄膜2〜6を順次積層形成した後、接合層8
(例えば特開昭[1l−115211の従来技術として
紹介されているように二液性のエポキシ樹脂あるいは低
融点ガラス)を介して接合された保護板で、保護板7の
一端面は磁気ギャップgが形成された基板1の端面に揃
えられ、記録媒体との摺接面9を形成する。そして、こ
の記録媒体と摺接する而9を研磨して薄膜磁気ヘッド1
2を形成するのである。
して形成されたCuやAg等からなるコイル引出し導電
膜、7は各薄膜2〜6を順次積層形成した後、接合層8
(例えば特開昭[1l−115211の従来技術として
紹介されているように二液性のエポキシ樹脂あるいは低
融点ガラス)を介して接合された保護板で、保護板7の
一端面は磁気ギャップgが形成された基板1の端面に揃
えられ、記録媒体との摺接面9を形成する。そして、こ
の記録媒体と摺接する而9を研磨して薄膜磁気ヘッド1
2を形成するのである。
よ′
ところが、上述したようにヘッド基板と保護基板とを、
IIl液性のエポキシ樹脂を用いて貼り合わせると、機
械的強度が非常に弱く、ヘッドの記録媒体との摺接面の
研磨時や、媒体走行時に欠けや偏摩耗を生じて、ヘッド
出力特性の低下を招く原因となっていた。また、他の一
例として、低融点ガラスによる接合方法が考えられてい
る。この場合、通常、ガラスの粘性から概略定まる作業
点TVで接合するが、作業点(TW)が例えば600°
C以上の高温のガラスを用いると、ヘッド素rの磁性膜
の磁気特性が劣化し、また、磁気特性が劣化しない程度
に作業点が低いガラスを用いると、耐候性、機械的強度
に乏しく、薄膜磁気ヘッドの実用化に問題があった。
IIl液性のエポキシ樹脂を用いて貼り合わせると、機
械的強度が非常に弱く、ヘッドの記録媒体との摺接面の
研磨時や、媒体走行時に欠けや偏摩耗を生じて、ヘッド
出力特性の低下を招く原因となっていた。また、他の一
例として、低融点ガラスによる接合方法が考えられてい
る。この場合、通常、ガラスの粘性から概略定まる作業
点TVで接合するが、作業点(TW)が例えば600°
C以上の高温のガラスを用いると、ヘッド素rの磁性膜
の磁気特性が劣化し、また、磁気特性が劣化しない程度
に作業点が低いガラスを用いると、耐候性、機械的強度
に乏しく、薄膜磁気ヘッドの実用化に問題があった。
−めの
本発明は、上記問題点を解決するために、所定の薄膜パ
ターンを順次積層形成した後、該ヘット基板と保護基板
とをガラスにて接合一体化する薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、あらかじめ両基板の接合面にPbを含まな
い高融点ガラスの薄層をスパッタリング等で形成し、そ
のすき間にビッカース硬度(Hv )が400以]−の
硬度の高いガラスを埋設して、両基板の接合を打つこと
を特徴としている。
ターンを順次積層形成した後、該ヘット基板と保護基板
とをガラスにて接合一体化する薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、あらかじめ両基板の接合面にPbを含まな
い高融点ガラスの薄層をスパッタリング等で形成し、そ
のすき間にビッカース硬度(Hv )が400以]−の
硬度の高いガラスを埋設して、両基板の接合を打つこと
を特徴としている。
1皿
本発明では、ヘッド基板と保護基板とを、あらかしめ、
両基板の接合面にPbを含まない高融点ガラスの薄層を
形成することで、従来よりも硬度の高いガラスを用いて
該ガラスの作業点Twより低い温度で接合できるため、
機械的強度や耐候性を向上させることができ、結果とし
て媒体走行時に生じていた欠けや偏摩耗なとによるヘッ
ド出力特性の劣化を改善することができる。
両基板の接合面にPbを含まない高融点ガラスの薄層を
形成することで、従来よりも硬度の高いガラスを用いて
該ガラスの作業点Twより低い温度で接合できるため、
機械的強度や耐候性を向上させることができ、結果とし
て媒体走行時に生じていた欠けや偏摩耗なとによるヘッ
ド出力特性の劣化を改善することができる。
実」1例−
本発明方法に係る薄膜磁気ヘットの製造方法を、第4図
及び第5図に示す薄膜インダクティブヘノドに適用した
−・実施例を第3図(a)〜(e)を参照しながら説明
する。ただし、第4図及び第5図と同一部分には同一参
照符号を付して重複説明を省略する。本発明の特徴は後
述する薄膜磁気ヘッド基板と保護基板の接合方法にある
。
及び第5図に示す薄膜インダクティブヘノドに適用した
−・実施例を第3図(a)〜(e)を参照しながら説明
する。ただし、第4図及び第5図と同一部分には同一参
照符号を付して重複説明を省略する。本発明の特徴は後
述する薄膜磁気ヘッド基板と保護基板の接合方法にある
。
本発明方法では、第3図(a)に示すように下部コアと
なる強磁性体基板、例えば旧−Zn単結晶フェライト1
などの上にまず5I02等の第1の絶縁膜2を形成し、
この第1の絶縁膜2上にスパイラル状のCu製のコイル
膜3を形成する。その後、第3図(b)に示すように、
第2の絶縁膜4を、例えばAi!203なとの酸化物を
スパッタリングなとによって形成する。そして、第3図
(C)示すように、上記第2の絶縁膜4及び第1の絶縁
膜2の後に形成する上部コア膜と下部コアとの接続部C
及び磁気ギャップ形成部りの第2の絶縁膜4をエツチン
グにより剥離除去する。その後、第3図(d)に示すよ
うに、基板Ll−の接続部Cから第2の絶縁膜4上を経
て端部へかけて上部コア膜5を、例えばパーマロイなど
で形成し、コイル膜3上の一部から第2の絶縁膜4」−
にコイル引出し導電膜6を積層形成する。そして、第3
図(e)に示すように、上記上部コア膜5及びコイル引
出し導電膜6の一部上、ならびに保護基板7の接合面に
Pbを含まない、例えば5102を主成分とした、軟化
点(Ts )が500°C程度のSi系の高融点ガラス
(日型硝子商品名5T−7000) 10を表1にポす
条件で、それぞれ0.5〜1μmの厚さにスパッタリン
グ被着させる。
なる強磁性体基板、例えば旧−Zn単結晶フェライト1
などの上にまず5I02等の第1の絶縁膜2を形成し、
この第1の絶縁膜2上にスパイラル状のCu製のコイル
膜3を形成する。その後、第3図(b)に示すように、
第2の絶縁膜4を、例えばAi!203なとの酸化物を
スパッタリングなとによって形成する。そして、第3図
(C)示すように、上記第2の絶縁膜4及び第1の絶縁
膜2の後に形成する上部コア膜と下部コアとの接続部C
及び磁気ギャップ形成部りの第2の絶縁膜4をエツチン
グにより剥離除去する。その後、第3図(d)に示すよ
うに、基板Ll−の接続部Cから第2の絶縁膜4上を経
て端部へかけて上部コア膜5を、例えばパーマロイなど
で形成し、コイル膜3上の一部から第2の絶縁膜4」−
にコイル引出し導電膜6を積層形成する。そして、第3
図(e)に示すように、上記上部コア膜5及びコイル引
出し導電膜6の一部上、ならびに保護基板7の接合面に
Pbを含まない、例えば5102を主成分とした、軟化
点(Ts )が500°C程度のSi系の高融点ガラス
(日型硝子商品名5T−7000) 10を表1にポす
条件で、それぞれ0.5〜1μmの厚さにスパッタリン
グ被着させる。
表1.ガラス薄膜形成条件
すなわち、表1に示す条件にて両基板1,7の接合内壁
面13.14に」二足Si系の高融点ガラス10を薄膜
形成しておき、両基板1,7が一定の間隔を保つように
、例えば両端部にセラミック等のスペーサを介して治具
(図示省略)組み付け、0.05kg f @cm程度
のトルクにて締め付け、不活性ガス、例えばArやN2
ガス雰囲気中で500〜540°Cて、60分〜30分
保持することにより、両基板1,7のすき間に)lv
400以上の硬度の高いがラス11(軟化点TsL=:
450℃9作業点TW→580℃)を流し込み、両基板
1,7の接合を行い、端面を研磨にて仕上げることによ
り、第1図に示すような薄膜インダクティブヘッド12
が製造される。また、他の実施例として両基板1,7の
接合内壁面13.14に形成する高融点ガラス10を厚
く、例えば片側で10μm程度の厚みとなるように、表
1に示した条件でスパッタリング被着させ、突き合わせ
治具に組み付け、0.10kg f @cm以上のトル
クにて締めつけ、不活性ガス雰囲気中で、薄膜形成した
ガラス10の軟化点(Ts )より50℃程度高めの温
度にて60分以1−保持することによっても、上記実施
例と同等な効果が期待できる。
面13.14に」二足Si系の高融点ガラス10を薄膜
形成しておき、両基板1,7が一定の間隔を保つように
、例えば両端部にセラミック等のスペーサを介して治具
(図示省略)組み付け、0.05kg f @cm程度
のトルクにて締め付け、不活性ガス、例えばArやN2
ガス雰囲気中で500〜540°Cて、60分〜30分
保持することにより、両基板1,7のすき間に)lv
400以上の硬度の高いがラス11(軟化点TsL=:
450℃9作業点TW→580℃)を流し込み、両基板
1,7の接合を行い、端面を研磨にて仕上げることによ
り、第1図に示すような薄膜インダクティブヘッド12
が製造される。また、他の実施例として両基板1,7の
接合内壁面13.14に形成する高融点ガラス10を厚
く、例えば片側で10μm程度の厚みとなるように、表
1に示した条件でスパッタリング被着させ、突き合わせ
治具に組み付け、0.10kg f @cm以上のトル
クにて締めつけ、不活性ガス雰囲気中で、薄膜形成した
ガラス10の軟化点(Ts )より50℃程度高めの温
度にて60分以1−保持することによっても、上記実施
例と同等な効果が期待できる。
なお、上記実施例では単一タイプの薄膜磁気ヘッドに適
用した場合について記載したが、本発明方法ではマルチ
ヘッドタイプの薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。
用した場合について記載したが、本発明方法ではマルチ
ヘッドタイプの薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。
光1廊と迭果−
以上の詳細な説明より明らかなように、本発明によれば
、処理温度制限の厳しい薄膜磁気ヘッドのガラス接合に
際して、従来よりも高温の硬いガラスを使用することが
でき、機械的温度ならびに耐候性を向上させることがで
き、媒体走行時に生じていた欠けや偏摩耗を防ぐことが
可能となり、結果としてヘッド出力特性の低下なども改
善することができ、より信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを
提供することができる。
、処理温度制限の厳しい薄膜磁気ヘッドのガラス接合に
際して、従来よりも高温の硬いガラスを使用することが
でき、機械的温度ならびに耐候性を向上させることがで
き、媒体走行時に生じていた欠けや偏摩耗を防ぐことが
可能となり、結果としてヘッド出力特性の低下なども改
善することができ、より信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを
提供することができる。
第1図及び第2図は、本発明を適用した薄膜磁気ヘッド
の要部拡大断面図である。 第3図(a)〜(e)は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す各工程図で、(a)は第1の絶縁膜及び
コイル膜の形成、(b)は第2図の絶縁膜の形成、(C
)はエツチング、(d)は上部コア膜及びコイル引き出
し導電膜の形成、(e)は高融点ガラス薄膜の形成なら
びに保護基板の固着を示す。 第4図は従来の薄膜磁気へノドの部分平面図であり、第
5図は第4図のA−A線に沿う拡大断面図である。 1・・・基板、 2・・・第1の絶縁膜、 3・・・コイル膜、 4・・・第2の絶縁膜、 5・・・上部コア膜、 6・・・コイル引き出し導電膜、 7・・・保護基板、 8・・・エポキシ樹脂または低融点ガラス、10・・・
Pbを含まないSI系の高融点ガラス11・・・1(v
400以上の高硬度ガラス、12・・・薄膜インダクテ
ィブヘラド(薄膜磁気ヘッド)。 一 塚口 ■
の要部拡大断面図である。 第3図(a)〜(e)は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す各工程図で、(a)は第1の絶縁膜及び
コイル膜の形成、(b)は第2図の絶縁膜の形成、(C
)はエツチング、(d)は上部コア膜及びコイル引き出
し導電膜の形成、(e)は高融点ガラス薄膜の形成なら
びに保護基板の固着を示す。 第4図は従来の薄膜磁気へノドの部分平面図であり、第
5図は第4図のA−A線に沿う拡大断面図である。 1・・・基板、 2・・・第1の絶縁膜、 3・・・コイル膜、 4・・・第2の絶縁膜、 5・・・上部コア膜、 6・・・コイル引き出し導電膜、 7・・・保護基板、 8・・・エポキシ樹脂または低融点ガラス、10・・・
Pbを含まないSI系の高融点ガラス11・・・1(v
400以上の高硬度ガラス、12・・・薄膜インダクテ
ィブヘラド(薄膜磁気ヘッド)。 一 塚口 ■
Claims (1)
- 下部コアとなる強磁性体の基板上に、第1の絶縁膜、ス
パイラル状のコイル膜、第2の絶縁膜及び上部コア膜を
順次積層形成して得られたヘッド基板と保護基板とを、
接合層を介して突き合わせ、加熱溶着して接合一体化す
る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上記ヘッド基板
の上部コア膜上及び保護基板の接合面にPbを含まない
高融点ガラスの薄層をスパッタリング等で形成し、上記
両基板を一定間隔となるスペーサを介して突き合わせ、
そのすき間に硬度の高い(ビッカース硬度(Hv)が4
00以上)のガラスを埋設し、両基板の接合を行うこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21940588A JPH0266711A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21940588A JPH0266711A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266711A true JPH0266711A (ja) | 1990-03-06 |
Family
ID=16734893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21940588A Pending JPH0266711A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0266711A (ja) |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP21940588A patent/JPH0266711A/ja active Pending
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