JPH0266964A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0266964A JPH0266964A JP63219488A JP21948888A JPH0266964A JP H0266964 A JPH0266964 A JP H0266964A JP 63219488 A JP63219488 A JP 63219488A JP 21948888 A JP21948888 A JP 21948888A JP H0266964 A JPH0266964 A JP H0266964A
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- Japan
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- lead frame
- resin molded
- molded body
- box
- semiconductor element
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
免肛立玖土上１
本発明は、半導体装置、特に固体撮像装置、次元光セン
サ−、あるいは紫外線消去形Ｆ、ＰＲＯＭのような受光
用透光性窓材を具備する半導体装置の製造方法に関し、
さらに詳しくは、樹脂モールド部を損傷させずに、リー
ドフレーム上に発生する樹脂のフラッシュバリの除去と
、箱型樹脂成形体に付着している粒子（たとえば、ゴミ
および／または樹脂粒子）の除去とを同時に行なってリ
ードフレームと半導体素子との電気的接続を良好にする
気密封正式半導体装置の製造方法に関する。
サ−、あるいは紫外線消去形Ｆ、ＰＲＯＭのような受光
用透光性窓材を具備する半導体装置の製造方法に関し、
さらに詳しくは、樹脂モールド部を損傷させずに、リー
ドフレーム上に発生する樹脂のフラッシュバリの除去と
、箱型樹脂成形体に付着している粒子（たとえば、ゴミ
および／または樹脂粒子）の除去とを同時に行なってリ
ードフレームと半導体素子との電気的接続を良好にする
気密封正式半導体装置の製造方法に関する。
の ｔ びに の
箱型中空樹脂成形体、リードフレーム、半導体チップ、
ボンディングワイヤーおよび蓋材からなる気密封止式の
半導体装置の製造方法において、従来、箱型中空樹脂成
形体を成形する際には、リードフレームを金型内に埋込
んだ後、この金型内で樹脂を射出成形やトランスファー
成形することにより、リードフレームと箱型中空樹脂成
形体とを一体化する、いわゆるインサート成形を行なう
のが一般的である。
ボンディングワイヤーおよび蓋材からなる気密封止式の
半導体装置の製造方法において、従来、箱型中空樹脂成
形体を成形する際には、リードフレームを金型内に埋込
んだ後、この金型内で樹脂を射出成形やトランスファー
成形することにより、リードフレームと箱型中空樹脂成
形体とを一体化する、いわゆるインサート成形を行なう
のが一般的である。
しかしながら、このようなインサート成形では、リード
フレームの表面に樹脂のフラッシュバリが発生するため
、リードフレームと半導体素子との電気的接続が容易に
行なうことができないという問題点があった。
フレームの表面に樹脂のフラッシュバリが発生するため
、リードフレームと半導体素子との電気的接続が容易に
行なうことができないという問題点があった。
この問題点を解消するために、従来、あらかじめリード
フレーム上に半導体素子を電気的に接続した後、樹脂成
形する方法が一般に採用されている。
フレーム上に半導体素子を電気的に接続した後、樹脂成
形する方法が一般に採用されている。
しかしながら、この方法では、成形時に半導体素子が高
熱および衝翠を受けるため、半導体素子の機能が損われ
易いという問題点があった。
熱および衝翠を受けるため、半導体素子の機能が損われ
易いという問題点があった。
また、上記フラッシュバリを除去してリードフレームと
半導体素子との電気的接続を容易にする方法が試みられ
ている。たとえば砥粒を用いてフラッシュバリを除去す
るプラス１一方法、薬品を用いてフラッシュバリを溶解
剥離する方法、液体を高圧噴射してフラッシュバリを除
去する方法（特開昭６０−１５０２０３３号公報）があ
る。
半導体素子との電気的接続を容易にする方法が試みられ
ている。たとえば砥粒を用いてフラッシュバリを除去す
るプラス１一方法、薬品を用いてフラッシュバリを溶解
剥離する方法、液体を高圧噴射してフラッシュバリを除
去する方法（特開昭６０−１５０２０３３号公報）があ
る。
しかしながら、上記ブラスト方法では、樹脂モールド部
の表面が損傷するため、樹脂モールド部分の表面をマス
キングしなければならず、製造工程が複雑になるという
問題点があった。また、薬品を用いる方法では、フラッ
シュバリを剥離させることは可能であっても、完全にフ
ラッシュバリを取除くことができず、さらにブラッシン
グなどを行なう必要があるため、樹脂モールド部の表面
が損傷し、上記ブラスト法と同様の問題点があった。ま
た、液体を高圧噴射する方法では、リードフレームの表
裏面に付着しているフラッシュバリを除去しなければな
らないなめ、噴射ノズルを２個具備する複雑な構造を有
する高圧液体噴射装置を必要とするという問題点があっ
た。
の表面が損傷するため、樹脂モールド部分の表面をマス
キングしなければならず、製造工程が複雑になるという
問題点があった。また、薬品を用いる方法では、フラッ
シュバリを剥離させることは可能であっても、完全にフ
ラッシュバリを取除くことができず、さらにブラッシン
グなどを行なう必要があるため、樹脂モールド部の表面
が損傷し、上記ブラスト法と同様の問題点があった。ま
た、液体を高圧噴射する方法では、リードフレームの表
裏面に付着しているフラッシュバリを除去しなければな
らないなめ、噴射ノズルを２個具備する複雑な構造を有
する高圧液体噴射装置を必要とするという問題点があっ
た。
さらに、上記のようなインサート成形では、プラスチッ
ク中に含まれる充填剤によるゴミ（粒子）またはプラス
チックのパリによるゴミ（粒子）の発生が避は得す、そ
のまま後工程に移行すると半導体装置の苔材の内表面や
半導体素子表面に付着するため、半導体装での蓋材とし
て石英ガラス板、サファイア板などの透明な蓋材を用い
るイメージセンサ−１Ｅ Ｐ −ＲＯＭ （Ｅｒａｓａ
ｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏａｒａｍｎａｂｌｅ Ｒｅａｄ
０ｎｌｙ Ｈｅ１ｏｒｙ）などの半導体装置では、画
像の雑音が発生したり、紫外線透過性が低下するなどの
大きな問題点が生じる。
ク中に含まれる充填剤によるゴミ（粒子）またはプラス
チックのパリによるゴミ（粒子）の発生が避は得す、そ
のまま後工程に移行すると半導体装置の苔材の内表面や
半導体素子表面に付着するため、半導体装での蓋材とし
て石英ガラス板、サファイア板などの透明な蓋材を用い
るイメージセンサ−１Ｅ Ｐ −ＲＯＭ （Ｅｒａｓａ
ｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏａｒａｍｎａｂｌｅ Ｒｅａｄ
０ｎｌｙ Ｈｅ１ｏｒｙ）などの半導体装置では、画
像の雑音が発生したり、紫外線透過性が低下するなどの
大きな問題点が生じる。
免肌ム１光
本発明は、上記のような問題点を解決しようとするもの
であって、樹脂モールド部を損傷させずに、リードフレ
ーム上に発生ずる樹脂のフラッシュバリの除去と、箱型
樹脂成形体に付着している粒子の除去とを同時に行なっ
てリードフレームと半導体素子との電気的接続を良好に
するとともに、多数個の半導体装置について上記除去処
理が一度に行なえる半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的としている。
であって、樹脂モールド部を損傷させずに、リードフレ
ーム上に発生ずる樹脂のフラッシュバリの除去と、箱型
樹脂成形体に付着している粒子の除去とを同時に行なっ
てリードフレームと半導体素子との電気的接続を良好に
するとともに、多数個の半導体装置について上記除去処
理が一度に行なえる半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的としている。
几匪座ＪＬＦ。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子、リ
ードフレーム、および該半導体素子の電極とリードフレ
ームとを電気的に接続するボンディングワイヤーを具備
し、かつ、該半導体素子が収容される凹部を有する箱型
樹脂成形体と、該箱型樹脂成形体の四部全体を密閉する
蓋材とを具備する半導体装置を製造するに際して、リー
ドフレームを金型内に設置した状態で金型内に樹脂を射
出成形して、リードフレームと一体となった箱型樹脂成
形体を得る工程と、前工程で得られたリードフレーム付
箱型樹脂成形体を、液体に浸して超音波照射の処理を行
なって、該箱型樹脂成形体に付着しているゴミ、樹脂等
の粒子およびリードフレーム上のフラッシュバリを除去
する工程と、 リードフレームのアイランドに半導体素子をダイボンデ
ィングした後、該半導体素子の電極とリードフレームと
をワイヤーボンディングする工程と、 前記箱型樹脂成形体の凹部に蓋材を接着もしくは溶着し
て箱型樹脂成形体の凹部全体を密閉する工程とからなる
ことを特徴としている。
ードフレーム、および該半導体素子の電極とリードフレ
ームとを電気的に接続するボンディングワイヤーを具備
し、かつ、該半導体素子が収容される凹部を有する箱型
樹脂成形体と、該箱型樹脂成形体の四部全体を密閉する
蓋材とを具備する半導体装置を製造するに際して、リー
ドフレームを金型内に設置した状態で金型内に樹脂を射
出成形して、リードフレームと一体となった箱型樹脂成
形体を得る工程と、前工程で得られたリードフレーム付
箱型樹脂成形体を、液体に浸して超音波照射の処理を行
なって、該箱型樹脂成形体に付着しているゴミ、樹脂等
の粒子およびリードフレーム上のフラッシュバリを除去
する工程と、 リードフレームのアイランドに半導体素子をダイボンデ
ィングした後、該半導体素子の電極とリードフレームと
をワイヤーボンディングする工程と、 前記箱型樹脂成形体の凹部に蓋材を接着もしくは溶着し
て箱型樹脂成形体の凹部全体を密閉する工程とからなる
ことを特徴としている。
ｉ匪立且左煎五泗
以下、本発明に係る半導体装置の製造方法を図に基づい
て具体的に説明する。
て具体的に説明する。
第１図は、本発明に係る製造方法により得られる半導体
装置の構成を表わす概略図である。
装置の構成を表わす概略図である。
まず本発明に係る半導体装置の製造方法の第１工程では
、リードフレーム２が一体となった箱型樹脂成形体１を
インサート成形法によって得る。
、リードフレーム２が一体となった箱型樹脂成形体１を
インサート成形法によって得る。
本発明における箱型樹脂成形体１を構成する樹脂として
は、リードフレーム２との密着性の良い熱硬化性樹脂が
用いられ、具体的には、ビスフェノールＡ型、ノボラッ
ク型、グリシジルアミン型などのエポキシ系樹脂、ポリ
アミノビスマレイミド、ポリピロメリットイミドなとの
イミド系樹脂が用いられ、硬化剤、硬化促進剤、充填剤
、カップリング剤等の添加剤なども含む。
は、リードフレーム２との密着性の良い熱硬化性樹脂が
用いられ、具体的には、ビスフェノールＡ型、ノボラッ
ク型、グリシジルアミン型などのエポキシ系樹脂、ポリ
アミノビスマレイミド、ポリピロメリットイミドなとの
イミド系樹脂が用いられ、硬化剤、硬化促進剤、充填剤
、カップリング剤等の添加剤なども含む。
本発明において、上記インサート成形の条件は、使用す
る樹脂によっても異なるが、通常、圧力１〜５００ｋｇ
／ｃｊ、温度１００〜２５０°Ｃの条件で加圧加熱を行
なう。
る樹脂によっても異なるが、通常、圧力１〜５００ｋｇ
／ｃｊ、温度１００〜２５０°Ｃの条件で加圧加熱を行
なう。
本発明における箱型樹脂成形体１の成形は、上記熱硬化
性樹脂の硬化度が１０〜７０％、好ましくは２０〜５０
％の範囲内にあるときに終了させることが好ましい、こ
の場合、後硬化は第２工程終了後にオーブン中で実施す
る。なお、本明細書中、「熱硬化性樹脂の硬化度」とは
、箱型樹脂成形体１の所定成形温度において、該成形材
料をキュラストメーターでトルクを測定した時の最大到
達トルク値に対する、所定成形時間におけるトルク値の
百分率を措す。
性樹脂の硬化度が１０〜７０％、好ましくは２０〜５０
％の範囲内にあるときに終了させることが好ましい、こ
の場合、後硬化は第２工程終了後にオーブン中で実施す
る。なお、本明細書中、「熱硬化性樹脂の硬化度」とは
、箱型樹脂成形体１の所定成形温度において、該成形材
料をキュラストメーターでトルクを測定した時の最大到
達トルク値に対する、所定成形時間におけるトルク値の
百分率を措す。
次に、本発明に係る製造方法の第２工程では、前工程で
得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体１を液体に浸
して超音波照射の処理を行なって、この箱型樹脂成形体
１に付着している粒子およびリードフレーム２上のフラ
ッシュバリを除去する。
得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体１を液体に浸
して超音波照射の処理を行なって、この箱型樹脂成形体
１に付着している粒子およびリードフレーム２上のフラ
ッシュバリを除去する。
本発明における上記液体は、箱型樹脂成形体１を構成す
る熱硬化性樹脂を溶解することのない不活性溶媒を、超
音波照射処理用の洗浄液として用いる。この液体の具体
例としては、水、メタノール、エタノール、インプロパ
ツール等のアルコール類、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン等のケトン類、またはトリクロロエタ
ン、トリクロロエチレン、パークロロエチレン、トリク
ロロトリフロロエタン、テトラクロロシフ０ロエタン等
のハロゲン化炭化水素類などが挙げられる。
る熱硬化性樹脂を溶解することのない不活性溶媒を、超
音波照射処理用の洗浄液として用いる。この液体の具体
例としては、水、メタノール、エタノール、インプロパ
ツール等のアルコール類、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン等のケトン類、またはトリクロロエタ
ン、トリクロロエチレン、パークロロエチレン、トリク
ロロトリフロロエタン、テトラクロロシフ０ロエタン等
のハロゲン化炭化水素類などが挙げられる。
実際には、これらの液体の中から、箱型樹脂成形体を構
成する樹脂の種類に応じて適当なものが選ばれる。たと
えば、箱型樹脂成形体を構成する樹脂がポリアミノビス
マレイミドの場合は、トリクロロエチレンなど、エポキ
シ樹脂の場合は、メチルエチルケトンなどが３ｉ１であ
る。
成する樹脂の種類に応じて適当なものが選ばれる。たと
えば、箱型樹脂成形体を構成する樹脂がポリアミノビス
マレイミドの場合は、トリクロロエチレンなど、エポキ
シ樹脂の場合は、メチルエチルケトンなどが３ｉ１であ
る。
上記超音波照射で用いられる超音波の周波数は、１０〜
２，０ＯＯＫＨｚであり、第１段の超音波照射で周波数
１０〜１００ＫＨｚの超音波を用い、第２段の超音波照
射で周波数５００〜２，０００Ｋ ＨＺの超音波を用い
るのが好ましい。
２，０ＯＯＫＨｚであり、第１段の超音波照射で周波数
１０〜１００ＫＨｚの超音波を用い、第２段の超音波照
射で周波数５００〜２，０００Ｋ ＨＺの超音波を用い
るのが好ましい。
上記超音波照射の他の処理条件としては、出力が処理槽
の容積１．ｌｌ当り１０〜３０Ｗであり、上記液体の温
度が常温から液体の沸点までの範囲内であり、また処理
槽としては、液体を孔径０．１〜１μｍの精密濾過膜で
循環沢過することができ、かつ、１分間当たり槽容量の
１０〜５０％に相当する液体を循環することができるよ
うな処理槽が用いられる。
の容積１．ｌｌ当り１０〜３０Ｗであり、上記液体の温
度が常温から液体の沸点までの範囲内であり、また処理
槽としては、液体を孔径０．１〜１μｍの精密濾過膜で
循環沢過することができ、かつ、１分間当たり槽容量の
１０〜５０％に相当する液体を循環することができるよ
うな処理槽が用いられる。
本発明では、上記超音波照射の処理を行なうため、イン
サート成形して箱型樹脂成形体１を製造する際にリード
フレーム２上に発生する樹脂のフラッシュバリ、樹脂中
に含まれる充填剤による粒子（ゴミ）、および樹脂のパ
リによる粒子（ゴミ）を、樹脂モールド部を損傷させず
に、箱型樹脂成形体１から除去することができる。
サート成形して箱型樹脂成形体１を製造する際にリード
フレーム２上に発生する樹脂のフラッシュバリ、樹脂中
に含まれる充填剤による粒子（ゴミ）、および樹脂のパ
リによる粒子（ゴミ）を、樹脂モールド部を損傷させず
に、箱型樹脂成形体１から除去することができる。
次に、本発明に係る製造方法の第３工程では、リードフ
レームのアイランド２ａに半導体素子３をグイボンディ
ングした後、該半導体素子３の電極とリードフレーム２
とをワイヤーボンディングする。
レームのアイランド２ａに半導体素子３をグイボンディ
ングした後、該半導体素子３の電極とリードフレーム２
とをワイヤーボンディングする。
上記グイボンディングによりリードフレームのアイラン
ド２ａと半導体素子３とが電気的に接続され、また上記
ワイヤーボンディングにより半導体素子３の電極とリー
ドフレーム２とが金線、アルミニウム線などからなるポ
ンデイグワイヤー４を介して電気的に接続される。
ド２ａと半導体素子３とが電気的に接続され、また上記
ワイヤーボンディングにより半導体素子３の電極とリー
ドフレーム２とが金線、アルミニウム線などからなるポ
ンデイグワイヤー４を介して電気的に接続される。
本発明においては、上記電気的接続を箱型樹脂成形体１
を成形した後に行なっているため、従来のように、箱型
樹脂成形体１の成形時に半導体素子３が高熱および衝撃
を受けることはなく、したがって半導体素子３はその本
末のｉ能を保持することができる。
を成形した後に行なっているため、従来のように、箱型
樹脂成形体１の成形時に半導体素子３が高熱および衝撃
を受けることはなく、したがって半導体素子３はその本
末のｉ能を保持することができる。
最後に、本発明に係る製造方法の第４工程では、前記箱
型樹脂成形体１の凹部に蓋材５を接着もしくは溶着して
箱型樹脂成形体１の凹部全体を密閉する。
型樹脂成形体１の凹部に蓋材５を接着もしくは溶着して
箱型樹脂成形体１の凹部全体を密閉する。
本発明で用いられる蓋材５は、特に限定されず、従来公
知の蓋材を用いることができ、具体的には、石英ガラス
板、サファイア板、透明アルミナ板、透明プラスチック
板などの透明蓋材、着色ガラス板、アルミナ等のセラミ
ックス板、着色プラスチック板などの不透明蓋材が挙げ
られる。
知の蓋材を用いることができ、具体的には、石英ガラス
板、サファイア板、透明アルミナ板、透明プラスチック
板などの透明蓋材、着色ガラス板、アルミナ等のセラミ
ックス板、着色プラスチック板などの不透明蓋材が挙げ
られる。
本発明において、上記のような蓋材５を箱型樹脂成形体
１に接着する際に用いられる接着剤としては、エポキシ
系接着剤、イミド系接着剤、アクリル系接着剤などが挙
げられる。このような接着剤はシール材としての機能を
も有する。
１に接着する際に用いられる接着剤としては、エポキシ
系接着剤、イミド系接着剤、アクリル系接着剤などが挙
げられる。このような接着剤はシール材としての機能を
も有する。
九肌立力】
本発明に係る製造方法によれば、リードフレームを金型
内に設置した状態で金型内に樹脂を射出成形やトランス
ファー成形して、リードフレームと一木となった箱型樹
脂成形体を得る工程と、前工程で得られたリードフレー
ム付箱型樹脂成形本を、液体に浸して超音波照射の処理
を行なって、該箱型樹脂成形体に付着している粒子およ
びリードフレーム上のフラッシュバリを除去する工程と
を経て、半導体装置を製造するので、樹脂モールド部を
損傷させることなくリードフレーム上に発生する樹脂の
フラッシュバリと、箱型樹脂成形体に付着している粒子
（ゴミまたは樹脂等）とを同時に容易に除去することが
できるため、リードフレームと半導体素子との電気的接
続を良好にすることができるという効果がある。
内に設置した状態で金型内に樹脂を射出成形やトランス
ファー成形して、リードフレームと一木となった箱型樹
脂成形体を得る工程と、前工程で得られたリードフレー
ム付箱型樹脂成形本を、液体に浸して超音波照射の処理
を行なって、該箱型樹脂成形体に付着している粒子およ
びリードフレーム上のフラッシュバリを除去する工程と
を経て、半導体装置を製造するので、樹脂モールド部を
損傷させることなくリードフレーム上に発生する樹脂の
フラッシュバリと、箱型樹脂成形体に付着している粒子
（ゴミまたは樹脂等）とを同時に容易に除去することが
できるため、リードフレームと半導体素子との電気的接
続を良好にすることができるという効果がある。
また、本発明における除去処理方法は、複雑な工程を採
らないため、多数個の半導体装置について一度に樹脂の
フラッシュバリおよび箱型樹脂成形体に付着している粒
子（ゴミまたは樹脂等）を除去することができるという
効果がある。
らないため、多数個の半導体装置について一度に樹脂の
フラッシュバリおよび箱型樹脂成形体に付着している粒
子（ゴミまたは樹脂等）を除去することができるという
効果がある。
第１図は、本発明に係る製造方法により得られる半導体
装置の構成を表わす概略図である。 １・・・箱型樹脂成形体 ２・・・リードフレーム ２ａ・・・リードフレームのアイランド３・・・半導体
素子 ４・・・ボンディングワイヤー ５・・・蓋材
装置の構成を表わす概略図である。 １・・・箱型樹脂成形体 ２・・・リードフレーム ２ａ・・・リードフレームのアイランド３・・・半導体
素子 ４・・・ボンディングワイヤー ５・・・蓋材
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体素子、リードフレーム、および該半導体素子
の電極とリードフレームとを電気的に接続するボンディ
ングワイヤーを具備し、かつ、該半導体素子が収容され
る凹部を有する箱型樹脂成形体と、該箱型樹脂成形体の
凹部全体を密閉する蓋材とを具備する半導体装置を製造
するに際して、リードフレームを金型内に設置した状態
で金型内に樹脂を射出成形して、リードフレームと一体
となった箱型樹脂成形体を得る工程と、 前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体を、
液体に浸して超音波照射の処理を行なつて、該箱型樹脂
成形体に付着している粒子およびリードフレーム上のフ
ラッシュバリを除去する工程と、 リードフレームのアイランドに半導体素子をダイボンデ
ィングした後、該半導体素子の電極とリードフレームと
をワイヤーボンディングする工程と、 前記箱型樹脂成形体の凹部に蓋材を接着もしくは溶着し
て箱型樹脂成形体の凹部全体を密閉する工程とからなる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 ２）前記液体が、水、アルコール類、ケトン類、ハロゲ
ン化炭化水素類からなる群から選択されることを特徴と
する請求項第１項に記載の半導体装置の製造方法。 ３）前記超音波照射の処理が、周波数１０〜１００ＫＨ
ｚの超音波照射と周波数５００〜２，０００ＫＨｚの超
音波照射の２段で行なわれることを特徴とする請求項第
１項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219488A JPH0266964A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
| MYPI89001095A MY104152A (en) | 1988-08-12 | 1989-08-10 | Processes for producing semiconductor devices. |
| US07/391,986 US5070041A (en) | 1988-08-12 | 1989-08-10 | Method of removing flash from a semiconductor leadframe using coated leadframe and solvent |
| CA000608088A CA1319763C (en) | 1988-08-12 | 1989-08-11 | Cure-box resin molded semiconductor device |
| EP19890308168 EP0354800A3 (en) | 1988-08-12 | 1989-08-11 | Processes for producing semiconductor devices |
| KR1019890011512A KR920008249B1 (ko) | 1988-08-12 | 1989-08-12 | 반도체장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219488A JPH0266964A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266964A true JPH0266964A (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=16736231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63219488A Pending JPH0266964A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0266964A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281451A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-10-25 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体撮像素子収容用ケース及び固体撮像装置 |
| DE102018207401A1 (de) * | 2018-05-14 | 2019-11-14 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Verfahren zur Haftverbesserung von eine elektronische Komponente umgebenden, mehrschichtigen Duroplastspritzlingen |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63219488A patent/JPH0266964A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281451A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-10-25 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体撮像素子収容用ケース及び固体撮像装置 |
| DE102018207401A1 (de) * | 2018-05-14 | 2019-11-14 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Verfahren zur Haftverbesserung von eine elektronische Komponente umgebenden, mehrschichtigen Duroplastspritzlingen |
| DE102018207401B4 (de) | 2018-05-14 | 2026-02-26 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Verfahren zur Haftverbesserung von eine elektronische Komponente umgebenden, mehrschichtigen Duroplastspritzlingen, sowie Verwendung des Verfahrens zur Umspritzung eines Getriebesteuergeräts |
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