JPH0268483A - 光ディスク原盤の加熱乾燥装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、遠赤外線若しくは赤外線ヒータを用いて光デ
ィスク原盤を輻射加熱する光ディスク原盤の加熱乾燥装
置に関する。

背景技術 従来の加熱乾燥装置としては、第６図に示すいわゆるヒ
ートトンネルが知られている。この加熱乾燥装置におい
ては、被加熱物６１がベルトコンベア６２によって移送
され、ヒータ６３で構成されたトンネル内を通過する際
のトンネル内の雰囲気温度による熱伝導によって被加熱
物６１の加熱乾燥か行なわれる構成となっている。

この加熱乾燥装置においては、ベルトコンベア６２への
被加熱物６］の載置及び取出しの作業位置か全く反対側
であるため、これらの作業を１人の作業者か行なうとす
ると、光ディスク原盤を被加熱物とした場合、その原盤
の取扱いに細心の注意を要することから、非常に作業性
か悪いという欠点かあった。また、ヒータ６２の温度及
び光ディスク原盤の表面温度の温度管理も困難であった
。

発明の概要 そこで、本発明は、作業性に優れ、しかもヒタの温度及
び光ディスク原盤の表面温度の温度管理をも行ない得る
光ディスク原盤の加熱乾燥装置を提供することをＬ１的
とする。

本発明による光ディスク原盤の加熱乾燥装置においては
、光ディスク原盤を第１位置である待機位置と第２位置
である加熱乾燥位置との間で移動可能とし、加熱乾燥位
置には光ディスク原盤を輻射加熱する加熱手段を設け、
この加熱手段の温度が所定値に達したことを検出したら
光ディスク原盤を待機位置から加熱乾燥位置へ移動せし
め、光ディスク原盤の表面温度が所定値に達したことを
検出したら光ディスク原盤を加熱乾燥位置から１、シ機
位置へ移動せしめるべく制御する構成となっている。

実施例 以下、本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す装置外観図、第２図は
その構造図である。これら各図において、光ディスク原
盤であるガラス原盤１はその一面にフォトレジストが塗
布されており、フォトレジスＩ・か塗布された面が下面
となるようにスピンドル２により担持される。スピンド
ル２は筐体３内に収納されたスピンドルモータ４によっ
て回転駆動される。スピンドル２及びスピンドルモータ
４はスピンドルベース５に取り付けられており、リニア
スライド６にて案内されつつメインベース７上をスピン
ドルベース駆動モータ８によって駆動されて移送される
ことにより、スピンドル２は筐体３の上面にガラス原盤
１の半径と大略等しい長さに形成された長孔９に沿って
図に実線で示す位置と一点鎖線で示す位置との間を移動
する。

ガラス原盤１及びスピンドル２の実線で示す位置は待機
位置であり、この待機位置にてガラス原盤１のローディ
ング及びアンローディング並びに加熱処理後の冷却処理
か行なイ）れる。また、−点鎖線で示す位置は加熱乾燥
（ベーキング）位置であり、この位置にて加熱乾燥処理
が行なわれる。

本装置は水平気流型クリーンベンチ内に設置されてクリ
ーンルーム内にて使用されるが、図の左側が作業者側、
右側がクリーンベンチ側となるように配置される。この
位置関係により、最も汚染に対して弱い乾燥工程での汚
染を最小限に抑えることができる。すなわち、クリーン
ルーム内では発塵源となる作業者が常に風下にて作業を
行なうことにより、また重力の影響を受けて沈降してく
る粒子に対しては、第２図に矢印で示す如く清浄気流で
外へ押し流すと共に、ガラス原盤１の被加熱面を下側に
セットすることにより、さらには機構部からの発塵に対
しては、排気用チューブ１０によって筺体３の内部を排
気することにより、汚染に対処している。また、筺体３
の上面は、いくつかの開口部分がある他は原則的に同一
平面となっており、これにより汚染粒子の蓄積防止と清
掃の容易化を図っている。

筐体３の上面のクリーンベンチ側の一部は、略扇型形状
の開口部１１を有する輻射熱遮蔽板］２となっている。

輻射熱遮蔽板１２は例えばステンレスからなっており、
筺体３と一体に構成されても良い。開口部１１の下方に
は、この開口部１］を介してガラス原盤］を輻射加熱す
る遠赤外線若しくは赤外線ヒータエレメント１３を含む
ヒータユニット１４が配置されている。このヒータユニ
ツー・１４において、第３図から特に明らかなように、
ヒータエレメント１３は加熱乾燥位置にあるガラス原盤
１の半径領域の一部と対向するようにヒータ取付板］５
に取り付けられ、図示せぬ支持体により外板］６に固定
されている。外板１６の上部には、断熱を兼ねたスペー
サ１７を介して輻射熱遮蔽板１２か固定されている。ヒ
ータ取付板１５と外板］６とで形成されるジャケット部
分はυ１気用チューブ］８によって排気され、これによ
りヒータエレメント］３は加熱によって熱拡散型のｔυ
染か発生しないように負圧に保たれている。

また、ヒータ取付板Ｉ・１４を排気することにより、不
要な熱の伝達を防止し、装置の温度か上昇するのを防止
している。ヒータエレメント１３の温度測定は、ヒータ
エレメント１３に（＝ｊ属の熱電対（図示せず）によっ
て行なわれる。

筺体３の内部には放射温度４１つか設けられており、こ
の放射温度計１９は筐体３の上面に形成されたＡ１１ｌ
定窓２０を介してガラス原盤１の表面温度の測定を行な
う。この放射温度計１９の測定出力はコントローラ２１
に供給される。コントロー２］は例えばマイクロコンピ
ュータによって構成されており、ヒータエレメント１３
の温度制御、スピンドル２の回転開始及び回転停止の制
御、スピンドル２の移送制御等、ガラス原盤１の加熱乾
燥処理のための一連の制御を行なう。

次に、コントローラ２１のプロセッサによって実行され
る加熱乾燥の処理手順の基本シーケンスについて第４図
のフローチャートにしたがって説明する。

装置電源が投入（オン）されると、プロセッサは先ず、
ヒータエレメント１３のプレヒートを開始する（ステッ
プＳｌ）。ヒータエレメント１３の温度は例えば２１５
℃に設定されており、２１５±５℃にて準備完了となる
。プレヒートの目的は、ヒータ加熱の時定数が大きいこ
とにより、予めヒータニレメンＩ・１３を加熱しておか
ないと加熱乾燥時間か長くなるためであり、温度測定は
ヒタエレメント１３に付属の熱電対によって行なわれる
。

ガラス原盤１がスピンドル２にセットされ、続いてスタ
ートスイッチ（図示せず）がオンされると（ステップＳ
２）、プロセッサは、スピンドル２を例えば３　［ｒ、
ｐ、ｒｒｌ、］の回転数で回転させ（ステップＳ３）、
熱雷対のｌ１ｌｌ＋定出力に基づいてヒタエレメント１
３の温度か設定温度Ｔ１に達したことを検出したら（ス
テップＳ４）、スピンドルベース駆動モータ８を駆動制
御することによってスピンドル２を待機位置から加熱乾
燥位置へ前進させる（ステップＳ５）。そして、この位
置でガラス原盤］のフォトレジストに対してヒータエレ
メント１３の輻射加熱によって加熱乾燥処理が行なわれ
る（ステップＳ６）。

この加熱乾燥工程において、放射温度計１９の測定出力
に基づいてガラス原盤１の表面温度が所定温度Ｔ２、例
えば９０±０．５°Ｃに達したことを検出したら（ステ
ップＳ７）、スピンドルベス駆動モータ８を駆動制御す
ることによってスピンドル２を加熱乾燥位置から待機位
置へ後退させる（ステップＳ８）。この待機位置では加
熱後のガラス原盤１の冷却処理が行なわれ（ステップＳ
９）、この冷却工程において、放射温度計１９の測定出
力に基づいてガラス原盤１の表面温度が所定温度Ｔ３、
例えば５５±０．５℃以下になったことを検出したら（
ステップ５１０）、スピンドル２の回転を停止させる（
ステップ５１１）。そして、スピンドル２からガラス原
盤１を取り外すことにより、一連の処理が完了すること
になる。

上述した加熱乾燥工程において、ヒータエレメント１３
によって発生された赤外線は＋ＪＪ視光線と同様に直進
する性質を持ち、輻射熱遮蔽板１２の開口部１１を介し
て対向するガラス原盤１に到達し、フォトレジストに吸
収されて熱を発生する。

その単位面積当りの発熱量は、ヒータエレメント１３と
対向している時間、ヒータエレメント１３自身のもつ発
熱量分布、周囲から受ける冷却効率等の諸条件により概
ね定められることになる。したがって、輻射熱遮蔽板１
２を設けない場合には、ガラス原盤１のレジスト面の温
度分布は、第５図（ｂ）に示すように、中心部か低く、
外周へ行く程高くなり、最外周では冷却効果が大きいこ
とにより再び低くなる。これに対し、開口部１１をｆｆ
する輻射熱遮蔽板］２を設け、開口部１１の略扇型形状
によって上記単位面積当りの発熱量をその関係する因子
全てを含んで補正することにより、第５図（ａ）に示す
ように、内周から外周の全面に亘って均一な温度分布を
得ることかできる。第５図（Ｃ）は、第６図に示す従来
装置による特性を示している。

発明の詳細 な説明したように、本発明による光ディスク原盤の加熱
乾燥装置においては、光ディスク原盤を待機位置と加熱
乾燥位置との間で移動可能とし、加熱乾燥位置には光デ
ィスク原盤を輻射加熱する加熱手段を設け、この加熱手
段の温度が所定値に達したことを検出したら光ディスク
原盤を待機位置から加熱乾燥位置へ移動せしめ、光ディ
スク原盤の表面温度が所定値に達したことを検出したら
光ディスク原盤を加熱乾燥位置から待機位置へ移動せし
めるべく制御する構成となっているので、待機位置側の
みでの作業か可能であることから作業者か１人でも作業
を容易に行なえ、しかも加熱手段の温度及び光ディスク
原盤の表面温度の温度管理を行なうこともできる。

］１

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す装置外観図、第２図は
その構造図、第３図は第２図におけるヒタユニットの拡
大断面図、第４図はプロセッサによって実行される加熱
乾燥の処理１順の基本シケンスを示すフローチャート、
第５図は基を温度に対する各半径の温度偏差を示す特性
図、第６図（Ａ）は従来装置の外観図、（Ｂ）はその正
断面図である。 主要部分のｎ号の説明 １・・・・・ガラス原盤　　　２・・・・・・スピンド
ル４・・・・・・スピンドルモータ ８・・・・スピンドルベース駆動モータ１０．１８・・
・・・・排気用チューブ１１・・・・・開口部　　　　
１２・・・・・・輻射熱遮蔽板１３・・・・・・ヒータ
エレメント １４・・・・・・ピー９ユニツト １９・・・・・・放射温度計　　２］・・・・・・コン
トローラ□明電

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）光ディスク原盤を担持する担持手段と、この担持
   手段を第１位置と第２位置との間で移動せしめる移送手
   段と、前記第２位置において前記光ディスク原盤を輻射
   加熱する加熱手段と、前記光ディスク原盤の表面温度を
   測定する第１の温度測定手段と、前記加熱手段の温度を
   測定する第２の温度測定手段と、この第２の温度測定手
   段の出力に基づいて前記加熱手段の温度が所定値に達し
   たことを検出したら前記光ディスク原盤を前記第１位置
   から前記第２位置へ移動し、前記第１の温度測定手段の
   出力に基づいて前記光ディスク原盤の表面温度が所定値
   に達したことを検出したら前記光ディスク原盤を前記第
   ２位置から前記第１位置へ移動すべく前記移送手段を駆
   動制御する制御手段とを備えたことを特徴とする光ディ
   スク原盤の加熱乾燥装置。
2. （２）前記光ディスク原盤は前記担持手段によって回転
   自在に担持されており、前記制御手段は、前記光ディス
   ク原盤を前記第１位置へ移動させた後、前記第１の温度
   測定手段の出力を監視し、前記光ディスク原盤の表面温
   度が所定値以下になったら前記担持手段による前記光デ
   ィスク原盤の回転駆動を停止せしめるべく制御すること
   を特徴とする請求項１記載の光ディスク原盤の加熱乾燥
   装置。