JPH0749911B2 - 光ディスク原盤の加熱乾燥装置 - Google Patents
光ディスク原盤の加熱乾燥装置Info
- Publication number
- JPH0749911B2 JPH0749911B2 JP63219982A JP21998288A JPH0749911B2 JP H0749911 B2 JPH0749911 B2 JP H0749911B2 JP 63219982 A JP63219982 A JP 63219982A JP 21998288 A JP21998288 A JP 21998288A JP H0749911 B2 JPH0749911 B2 JP H0749911B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating
- master
- drying
- spindle
- optical disc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、遠赤外線若しくは赤外線ヒータを用いて光デ
ィスク原盤を輻射加熱する光ディスク原盤の加熱乾燥装
置に関する。
ィスク原盤を輻射加熱する光ディスク原盤の加熱乾燥装
置に関する。
背景技術 従来の加熱乾燥装置としては、第６図に示すいわゆるヒ
ートトンネルが知られている。この加熱乾燥装置におい
ては、被加熱物61がベルトコンベア62によって移送さ
れ、ヒータ63で構成されたトンネル内を通過する際のト
ンネル内の雰囲気温度による熱伝導によって被加熱物61
の加熱乾燥が行なわれる構成となっている。
ートトンネルが知られている。この加熱乾燥装置におい
ては、被加熱物61がベルトコンベア62によって移送さ
れ、ヒータ63で構成されたトンネル内を通過する際のト
ンネル内の雰囲気温度による熱伝導によって被加熱物61
の加熱乾燥が行なわれる構成となっている。
この加熱乾燥装置においては、ベルトコンベア62への被
加熱物61の載置及び取出しの作業位置が全く反対側であ
るため、これらの作業を１人の作業者が行なうとする
と、光ディスク原盤を被加熱物とした場合、その原盤の
取扱いに細心の注意を要することから非常に作業性が悪
く、しかも装置が大型であるという欠点があった。
加熱物61の載置及び取出しの作業位置が全く反対側であ
るため、これらの作業を１人の作業者が行なうとする
と、光ディスク原盤を被加熱物とした場合、その原盤の
取扱いに細心の注意を要することから非常に作業性が悪
く、しかも装置が大型であるという欠点があった。
発明の概要 そこで、本発明は、作業性に優れ、しかも装置の小型化
を可能にした光ディスク原盤の加熱乾燥装置を提供する
ことを目的とする。
を可能にした光ディスク原盤の加熱乾燥装置を提供する
ことを目的とする。
本発明による光ディスク原盤の加熱乾燥装置は、フォト
レジストが塗布されたガラス原盤からなる光ディスク原
盤を前記フォトレジストの塗布面が下面となるように担
持して回転駆動する回転駆動手段と、前記光ディスク原
盤を待機させる第１の位置と加熱乾燥する第２の位置と
の間で前記回転駆動手段を水平方向に移送せしめる移送
手段と、前記第２の位置において前記光ディスク原盤の
フォトレジスト塗布面の半径領域の一部と対向するよう
に配置されて前記光ディスク原盤を輻射加熱する加熱手
段と、を備えたことを特徴としている。
レジストが塗布されたガラス原盤からなる光ディスク原
盤を前記フォトレジストの塗布面が下面となるように担
持して回転駆動する回転駆動手段と、前記光ディスク原
盤を待機させる第１の位置と加熱乾燥する第２の位置と
の間で前記回転駆動手段を水平方向に移送せしめる移送
手段と、前記第２の位置において前記光ディスク原盤の
フォトレジスト塗布面の半径領域の一部と対向するよう
に配置されて前記光ディスク原盤を輻射加熱する加熱手
段と、を備えたことを特徴としている。
実施例 以下、本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す装置外観図、第２図は
その構造図である。これら各図において、光ディスク原
盤であるガラス原盤１はその一面にフォトレジストが塗
布されており、フォトレジストが塗布された面が下面と
なるようにスピンドル２により担持される。スピンドル
２は筐体３内に収納されたスピンドルモータ４によって
回転駆動される。スピンドル２及びスピンドルモータ４
はスピンドルベース５に取り付けられており、リニアス
ライド６にて案内されつつメインベース７上をスピンド
ルベース駆動モータ８によって駆動されて移送されるこ
とにより、スピンドル２は筐体３の上面にガラス原盤１
の半径と大略等しい長さに形成された長孔９に沿って図
に実線で示す位置と一点鎖線で示す位置との間を移動す
る。
その構造図である。これら各図において、光ディスク原
盤であるガラス原盤１はその一面にフォトレジストが塗
布されており、フォトレジストが塗布された面が下面と
なるようにスピンドル２により担持される。スピンドル
２は筐体３内に収納されたスピンドルモータ４によって
回転駆動される。スピンドル２及びスピンドルモータ４
はスピンドルベース５に取り付けられており、リニアス
ライド６にて案内されつつメインベース７上をスピンド
ルベース駆動モータ８によって駆動されて移送されるこ
とにより、スピンドル２は筐体３の上面にガラス原盤１
の半径と大略等しい長さに形成された長孔９に沿って図
に実線で示す位置と一点鎖線で示す位置との間を移動す
る。
ガラス原盤１及びスピンドル２の実線で示す位置は待機
位置であり、この待機位置にてガラス原盤１のローディ
ング及びアンローディング並びに加熱処理後の冷却処理
が行なわれる。また、一点鎖線で示す位置は加熱乾燥
（ベーキング）位置であり、この位置にて加熱乾燥処理
が行なわれる。本装置は水平気流型クリーンベンチ内に
設置されてクリーンルーム内にて使用されるが、図の左
側が作業者側、右側がクリーンベンチ側となるように配
置される。この位置関係により、最も汚染に対して弱い
乾燥工程での汚染を最少限に抑えることができる。すな
わち、クリーンルーム内では発塵源となる作業者が常に
風下にて作業を行なうことにより、また重力の影響を受
けて沈降してくる粒子に対しては、第２図に矢印で示す
如く清浄気流で外へ押し流すと共に、ガラス原盤１の被
加熱面を下側にセットすることにより、さらには機構部
からの発塵に対しては、排気用チューブ10によって筐体
３の内部を排気することにより、汚染に対処している。
また、筐体３の上面は、いくつかの開口部分がある他は
原則的に同一平面となっており、これにより汚染粒子の
蓄積防止と清掃の容易化を図っている。
位置であり、この待機位置にてガラス原盤１のローディ
ング及びアンローディング並びに加熱処理後の冷却処理
が行なわれる。また、一点鎖線で示す位置は加熱乾燥
（ベーキング）位置であり、この位置にて加熱乾燥処理
が行なわれる。本装置は水平気流型クリーンベンチ内に
設置されてクリーンルーム内にて使用されるが、図の左
側が作業者側、右側がクリーンベンチ側となるように配
置される。この位置関係により、最も汚染に対して弱い
乾燥工程での汚染を最少限に抑えることができる。すな
わち、クリーンルーム内では発塵源となる作業者が常に
風下にて作業を行なうことにより、また重力の影響を受
けて沈降してくる粒子に対しては、第２図に矢印で示す
如く清浄気流で外へ押し流すと共に、ガラス原盤１の被
加熱面を下側にセットすることにより、さらには機構部
からの発塵に対しては、排気用チューブ10によって筐体
３の内部を排気することにより、汚染に対処している。
また、筐体３の上面は、いくつかの開口部分がある他は
原則的に同一平面となっており、これにより汚染粒子の
蓄積防止と清掃の容易化を図っている。
筐体３の上面のクリーンベンチ側の一部は、略扇型形状
の開口部11を有する輻射熱遮蔽板12となっている。輻射
熱遮蔽板12は例えばステンレスからなっており、筐体３
と一体に構成されても良い。開口部11の下方には、この
開口部11を介してガラス原盤１を輻射加熱する遠赤外線
若しくは赤外線ヒータエレメント13を含むヒータユニッ
ト14が配置されている。このヒータユニット14におい
て、第３図から特に明らかなように、ヒータエレメント
13は加熱乾燥位置にあるガラス原盤１の半径領域の一部
と対向するようにヒータ取付板15に取り付けられ、図示
せぬ支持体により外板16に固定されている。外板16の上
部には、断熱を兼ねたスペーサ17を介して輻射熱遮蔽板
12が固定されている。ヒータ取付板15と外板16とで形成
されるジャケット部分は排気用チューブ18によって排気
され、これによりヒータエレメント13は加熱によって熱
拡散型の汚染が発生しないように負圧に保たれている。
また、ヒータユニット14を排気することにより、不要な
熱の伝達を防止し、装置の温度が上昇するのを防止して
いる。ヒータエレメント13の温度測定は、ヒータエレメ
ント13に付属の熱電対（図示せず）によって行なわれ
る。
の開口部11を有する輻射熱遮蔽板12となっている。輻射
熱遮蔽板12は例えばステンレスからなっており、筐体３
と一体に構成されても良い。開口部11の下方には、この
開口部11を介してガラス原盤１を輻射加熱する遠赤外線
若しくは赤外線ヒータエレメント13を含むヒータユニッ
ト14が配置されている。このヒータユニット14におい
て、第３図から特に明らかなように、ヒータエレメント
13は加熱乾燥位置にあるガラス原盤１の半径領域の一部
と対向するようにヒータ取付板15に取り付けられ、図示
せぬ支持体により外板16に固定されている。外板16の上
部には、断熱を兼ねたスペーサ17を介して輻射熱遮蔽板
12が固定されている。ヒータ取付板15と外板16とで形成
されるジャケット部分は排気用チューブ18によって排気
され、これによりヒータエレメント13は加熱によって熱
拡散型の汚染が発生しないように負圧に保たれている。
また、ヒータユニット14を排気することにより、不要な
熱の伝達を防止し、装置の温度が上昇するのを防止して
いる。ヒータエレメント13の温度測定は、ヒータエレメ
ント13に付属の熱電対（図示せず）によって行なわれ
る。
筐体３の内部には放射温度計19が設けられており、この
放射温度計19は筐体３の上面に形成された測定窓20を介
してガラス原盤１の表面温度の測定を行なう。この放射
温度計19の測定出力はコントローラ21に供給される。コ
ントローラ21は例えばマイクロコンピュータによって構
成されており、ヒータエレメント13の温度制御、スピン
ドル２の回転開始及び回転停止の制御、スピンドル２の
移送制御等、ガラス原盤１の加熱乾燥処理のための一連
の制御を行なう。
放射温度計19は筐体３の上面に形成された測定窓20を介
してガラス原盤１の表面温度の測定を行なう。この放射
温度計19の測定出力はコントローラ21に供給される。コ
ントローラ21は例えばマイクロコンピュータによって構
成されており、ヒータエレメント13の温度制御、スピン
ドル２の回転開始及び回転停止の制御、スピンドル２の
移送制御等、ガラス原盤１の加熱乾燥処理のための一連
の制御を行なう。
次に、コントローラ21のプロセッサによって実行される
加熱乾燥の処理手順の基本シーケンスについて第４図の
フローチャートにしたがって説明する。
加熱乾燥の処理手順の基本シーケンスについて第４図の
フローチャートにしたがって説明する。
装置電源が投入（オン）されると、プロセッサは先ず、
ヒータエレメント13のプレヒートを開始する（ステップ
S1）。ヒータエレメント13の温度は例えば215℃に設定
されており、215±５℃にて準備完了となる。プレヒー
トの目的は、ヒータ加熱の時定数が大きいことにより、
予めヒータエレメント13を加熱しておかないと加熱乾燥
時間が長くなるためであり、温度測定はヒータエレメン
ト13に付属の熱電対によって行なわれる。
ヒータエレメント13のプレヒートを開始する（ステップ
S1）。ヒータエレメント13の温度は例えば215℃に設定
されており、215±５℃にて準備完了となる。プレヒー
トの目的は、ヒータ加熱の時定数が大きいことにより、
予めヒータエレメント13を加熱しておかないと加熱乾燥
時間が長くなるためであり、温度測定はヒータエレメン
ト13に付属の熱電対によって行なわれる。
ガラス原盤１がスピンドル２にセットされ、続いてスタ
ートスイッチ（図示せず）がオンされると（ステップS
2）、プロセッサは、スピンドル２を例えば３［r.p.
m.］の回転数で回転させ（ステップS3）、熱電対の測定
出力に基づいてヒータエレメント13の温度が設定温度T1
に達したことを検出したら（ステップS4）、スピンドル
ベース駆動モータ８を駆動制御することによってスピン
ドル２を待機位置から加熱乾燥位置へ前進させる（ステ
ップS5）。そして、この位置でガラス原盤１のフォトレ
ジストに対してヒータエレメント13の輻射加熱によって
加熱乾燥処理が行なわれる（ステップS6）。
ートスイッチ（図示せず）がオンされると（ステップS
2）、プロセッサは、スピンドル２を例えば３［r.p.
m.］の回転数で回転させ（ステップS3）、熱電対の測定
出力に基づいてヒータエレメント13の温度が設定温度T1
に達したことを検出したら（ステップS4）、スピンドル
ベース駆動モータ８を駆動制御することによってスピン
ドル２を待機位置から加熱乾燥位置へ前進させる（ステ
ップS5）。そして、この位置でガラス原盤１のフォトレ
ジストに対してヒータエレメント13の輻射加熱によって
加熱乾燥処理が行なわれる（ステップS6）。
この加熱乾燥工程において、放射温度計19の測定出力に
基づいてガラス原盤１の表面温度が所定温度T2、例えば
90±0.5℃に達したことを検出したら（ステップS7）、
スピンドルベース駆動モータ８を駆動制御することによ
ってスピンドル２を加熱乾燥位置から待機位置へ後退さ
せる（ステップS8）。この待機位置では加熱後のガラス
原盤１の冷却処理が行なわれ（ステップS9）、この冷却
工程において、放射温度計19の測定出力に基づいてガラ
ス原盤１の表面温度が所定温度T3、例えば55±0.5℃以
下になったことを検出したら（ステップS10）、スピン
ドル２の回転を停止させる（ステップS11）。そして、
スピンドル２からガラス原盤１を取り外すことにより、
一連の処理が完了することになる。
基づいてガラス原盤１の表面温度が所定温度T2、例えば
90±0.5℃に達したことを検出したら（ステップS7）、
スピンドルベース駆動モータ８を駆動制御することによ
ってスピンドル２を加熱乾燥位置から待機位置へ後退さ
せる（ステップS8）。この待機位置では加熱後のガラス
原盤１の冷却処理が行なわれ（ステップS9）、この冷却
工程において、放射温度計19の測定出力に基づいてガラ
ス原盤１の表面温度が所定温度T3、例えば55±0.5℃以
下になったことを検出したら（ステップS10）、スピン
ドル２の回転を停止させる（ステップS11）。そして、
スピンドル２からガラス原盤１を取り外すことにより、
一連の処理が完了することになる。
上述した加熱乾燥工程において、ヒータエレメント13に
よって発生された赤外線は可視光線と同様に直進する性
質を持ち、輻射熱遮蔽板12の開口部11を介して対向する
ガラス原盤１に到達し、フォトレジストに吸収されて熱
を発生する。その単位面積当りの発熱量は、ヒータエレ
メント13と対向している時間、ヒータエレメント13自身
のもつ発熱量分布、周囲から受ける冷却効率等の諸条件
により概ね定められることになる。したがって、輻射熱
遮蔽板12を設けない場合には、ガラス原盤１のレジスト
面の温度分布は、第５図（ｂ）に示すように、中心部が
低く、外周へ行く程高くなり、最外周では冷却効果が大
きいことにより再び低くなる。これに対し、開口部11を
有する輻射熱遮蔽板12を設け、開口部11の略扇型形状に
よって上記単位面積当りの発熱量をその関係する因子全
てを含んで補正することにより、第５図（ａ）に示すよ
うに、内周から外周の全面に亘って均一な温度分布を得
ることができる。第５図（ｃ）は、第６図に示す従来装
置による特性を示している。
よって発生された赤外線は可視光線と同様に直進する性
質を持ち、輻射熱遮蔽板12の開口部11を介して対向する
ガラス原盤１に到達し、フォトレジストに吸収されて熱
を発生する。その単位面積当りの発熱量は、ヒータエレ
メント13と対向している時間、ヒータエレメント13自身
のもつ発熱量分布、周囲から受ける冷却効率等の諸条件
により概ね定められることになる。したがって、輻射熱
遮蔽板12を設けない場合には、ガラス原盤１のレジスト
面の温度分布は、第５図（ｂ）に示すように、中心部が
低く、外周へ行く程高くなり、最外周では冷却効果が大
きいことにより再び低くなる。これに対し、開口部11を
有する輻射熱遮蔽板12を設け、開口部11の略扇型形状に
よって上記単位面積当りの発熱量をその関係する因子全
てを含んで補正することにより、第５図（ａ）に示すよ
うに、内周から外周の全面に亘って均一な温度分布を得
ることができる。第５図（ｃ）は、第６図に示す従来装
置による特性を示している。
発明の効果 以上説明したように、本発明による光ディスク原盤の加
熱乾燥装置は、フォトレジストが塗布されたガラス原盤
からなる光ディスク原盤をフォトレジストの塗布面が下
面となるように担持して回転駆動する回転駆動手段と、
光ディスク原盤を待機させる第１の位置と加熱乾燥する
第２の位置との間で回転駆動手段を水平方向に移送せし
める移送手段と、第２の位置において光ディスク原盤の
フォトレジスト塗布面の半径領域の一部と対向するよう
に配置されて光ディスク原盤を輻射加熱する加熱手段
と、により構成される故、待機位置と加熱乾燥位置との
間の移動は光ディスク原盤の大略半径に等しい短い距離
で良いため、装置の小型化が図れ、しかも待機位置側の
みでの作業が可能であることから作業者が１人でも作業
を容易に行なえることになる。
熱乾燥装置は、フォトレジストが塗布されたガラス原盤
からなる光ディスク原盤をフォトレジストの塗布面が下
面となるように担持して回転駆動する回転駆動手段と、
光ディスク原盤を待機させる第１の位置と加熱乾燥する
第２の位置との間で回転駆動手段を水平方向に移送せし
める移送手段と、第２の位置において光ディスク原盤の
フォトレジスト塗布面の半径領域の一部と対向するよう
に配置されて光ディスク原盤を輻射加熱する加熱手段
と、により構成される故、待機位置と加熱乾燥位置との
間の移動は光ディスク原盤の大略半径に等しい短い距離
で良いため、装置の小型化が図れ、しかも待機位置側の
みでの作業が可能であることから作業者が１人でも作業
を容易に行なえることになる。
また、光ディスク原盤をその下方から加熱する構成とす
ることにより加熱手段を筐体内に収納できるので、装置
の薄型化も図れることになる。
ることにより加熱手段を筐体内に収納できるので、装置
の薄型化も図れることになる。
第１図は本発明の一実施例を示す装置外観図、第２図は
その構造図、第３図は第２図におけるヒータユニットの
拡大断面図、第４図はプロセッサによって実行される加
熱乾燥の処理手順の基本シーケンスを示すフローチャー
ト、第５図は基準温度に対する各半径の温度偏差を示す
特性図、第６図（Ａ）は従来装置の外観図、（Ｂ）はそ
の正断面図である。 主要部分の符号の説明 １……ガラス原盤、２……スピンドル ４……スピンドルモータ ８……スピンドルベース駆動モータ 10,18……排気用チューブ 11……開口部、12……輻射熱遮蔽板 13……ヒータエレメント 14……ヒータユニット 19……放射温度計、21……コントローラ
その構造図、第３図は第２図におけるヒータユニットの
拡大断面図、第４図はプロセッサによって実行される加
熱乾燥の処理手順の基本シーケンスを示すフローチャー
ト、第５図は基準温度に対する各半径の温度偏差を示す
特性図、第６図（Ａ）は従来装置の外観図、（Ｂ）はそ
の正断面図である。 主要部分の符号の説明 １……ガラス原盤、２……スピンドル ４……スピンドルモータ ８……スピンドルベース駆動モータ 10,18……排気用チューブ 11……開口部、12……輻射熱遮蔽板 13……ヒータエレメント 14……ヒータユニット 19……放射温度計、21……コントローラ
Claims (1)
- 【請求項１】フォトレジストが塗布されたガラス原盤か
らなる光ディスク原盤を前記フォトレジストの塗布面が
下面となるように担持して回転駆動する回転駆動手段
と、前記光ディスク原盤を待機させる第１の位置と加熱
乾燥する第２の位置との間で前記回転駆動手段を水平方
向に移送せしめる移送手段と、前記第２の位置において
前記光ディスク原盤のフォトレジスト塗布面の半径領域
の一部と対向するように配置されて前記光ディスク原盤
を輻射加熱する加熱手段と、を備えたことを特徴とする
光ディスク原盤の加熱乾燥装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219982A JPH0749911B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 光ディスク原盤の加熱乾燥装置 |
| US07/322,941 US4897932A (en) | 1988-09-02 | 1989-03-14 | Master optical disk heat-drying apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219982A JPH0749911B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 光ディスク原盤の加熱乾燥装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0268478A JPH0268478A (ja) | 1990-03-07 |
| JPH0749911B2 true JPH0749911B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=16744069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63219982A Expired - Fee Related JPH0749911B2 (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 光ディスク原盤の加熱乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749911B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4749564B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2011-08-17 | 池上通信機株式会社 | チルトロック機構、同機構を備える液晶パネルおよびラックマウント用液晶パネル |
| JP4749731B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2011-08-17 | 池上通信機株式会社 | ラックマウント |
| CN102196705A (zh) | 2010-03-17 | 2011-09-21 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 服务器固定装置组合 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320115U (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-09 | ||
| JPS6370940A (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-31 | Pioneer Electronic Corp | レジスト原盤の熱処理装置 |
-
1988
- 1988-09-02 JP JP63219982A patent/JPH0749911B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0268478A (ja) | 1990-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104040703B (zh) | 具有顶部基板支撑组件的热处理腔室 | |
| KR100241290B1 (ko) | 반도체 처리장치 | |
| TW493216B (en) | Rapid thermal processing (RIP) system with rotating substrate | |
| KR20220116017A (ko) | 개선된 열 균일성 및 프로파일 제어를 위한 선형 램프 어레이 | |
| US5239614A (en) | Substrate heating method utilizing heating element control to achieve horizontal temperature gradient | |
| US5944422A (en) | Apparatus for measuring the processing temperature of workpieces particularly semiconductor wafers | |
| US4967487A (en) | Oven for the curing and cooling of painted objects and method | |
| JPH071149B2 (ja) | 光ディスク原盤の加熱乾燥装置 | |
| JPH0268478A (ja) | 光ディスク原盤の加熱乾燥装置 | |
| JPH0746025B2 (ja) | 光ディスク原盤の加熱乾燥装置 | |
| JPH0749910B2 (ja) | 光ディスク原盤の加熱乾燥装置 | |
| JP4346208B2 (ja) | 温度測定方法、熱処理装置及び方法、並びに、コンピュータ可読媒体 | |
| JP3631921B2 (ja) | 非接触式温度計の較正方法 | |
| US4897932A (en) | Master optical disk heat-drying apparatus | |
| JPH1097999A (ja) | 加熱装置、処理装置、加熱方法及び処理方法 | |
| JP3443779B2 (ja) | 半導体基板の熱処理装置 | |
| CN210745590U (zh) | 一种薄膜加热装置 | |
| JPH0557657B2 (ja) | ||
| JP2000323486A (ja) | ウエハ熱処理装置及びそれを用いたウエハの熱処理方法 | |
| JP3895893B2 (ja) | 基板加熱装置及び基板加熱方法 | |
| JP2668024B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPS6333275B2 (ja) | ||
| JPH073640Y2 (ja) | 加熱ランプ付搬送室 | |
| CN115176338A (zh) | 用于热处理系统的支撑结构 | |
| JP4646354B2 (ja) | 熱処理装置及び方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |