JPH0268943A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0268943A
JPH0268943A JP63220976A JP22097688A JPH0268943A JP H0268943 A JPH0268943 A JP H0268943A JP 63220976 A JP63220976 A JP 63220976A JP 22097688 A JP22097688 A JP 22097688A JP H0268943 A JPH0268943 A JP H0268943A
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JP
Japan
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bonding pad
metal bonding
polycrystal silicon
silicon layer
internal circuit
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JP63220976A
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Shigeo Chatani
茶谷　茂雄
Masahiro Sakuma
佐久間　雅弘
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Matsushita Electronics Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は金属ボンディングパッドを有する半導体装置に
関するものである。
従来の技術 従来の半導体装置入出力部である金属ボンディングパッ
ドの周辺は、内部回路への配線を除いて保護膜と周囲を
接していた。
第２図（ａ）は、従来の半導体装置の入出力部分である
金属ボンディングパッドの上面図である。第２図（ｂ）
は、Ａ−Ａ　’断面図である。すなわち、１はたとえば
Ｎ型のシリコン基板、２は厚い絶縁膜、３は内部回路へ
つづく多結晶シリコン配線、４は層間絶縁膜、５は金属
ボンディングパッド、６は外部接続用ピンと半導体内部
回路を接続する金属線、７は保護膜、８は金属膜と多結
晶シリコン配線を接続させるためのコンタクト窓である
。
熱衝撃等により、半導体装置表面の保護膜７に応力が生
じたとすると、金属ボンディングパッドの側面は、その
応力を強（受ける事となり、変形し、破損する事となる
。
発明が解決しようとする課題 このような従来の構造では、熱衝撃等で半導体装置表面
の保護膜に応力が生じた際、金属ボンディングバットが
変形、破損するという問題点を有していた。本発明は上
記問題点に鑑み、金属ボンディングパッドの変形、破損
を防止する事ができる半導体装置を提　することを目的
とする。
課題を解決するための手段 この問題点を解決するために、本発明は、半導体回路の
入出力部分となる金属ボンディングパッドを包囲して多
結晶シリコン層を環状に形成した構成である。
作用 上記の構成により、半導体装置表面の保護膜に応力が生
じても、その応力は、直接金属ボンディングパッドの側
面に作用せず、多結晶シリコン層によって大部分吸収さ
れることとなる。その結果、金属ボンディングパッドの
変形および破損を防止することが可能である。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
第１図は本発明を示したものである。第１図（ａ）は上
面図、第１図（ｂ）は、Ｂ−Ｂ　’断面図である。
１１はたとえばＮ型のシリコン基板、１２は厚い絶縁膜
、１３は内部回路へつづく多結晶シリコン配線、１４は
層間絶縁膜、１５は金属ボンディングパッド、１６は外
部接続用ビンと半導体内部回路を接続する金属線、１７
は保護膜、１８は金属膜と多結晶シリコン配線を接続す
るためのコンタクト窓、１９は金属ボンディングパッド
１５の周辺に包囲して形成された多結晶シリコン層で、
前記多結晶シリコン配線１３と同時に形成される。
さて、保護膜１７に応力が生じたとしても、それらの大
部分は金属ボンディングパッド１５の側面には作用せず
、周囲に形成された多結晶シリコン層１９により吸収さ
れ、金属ボンディングパッド１５の変形および破損を防
ぐことができる。
本発明はＮ型シリコン基板の場合を例にとったがＰ型シ
リコン基板および相補型ＭＯ３電界効果トランジスタの
場合にも適用できる。
発明の詳細 な説明してきた様に、本発明の半導体装置は表面の保護
膜の応力を金属ボンディングパッドの周辺に包囲して形
成された多結晶シリコン層により吸収し、前記ボンディ
ングパッドの変形、および破損を防止し、かつ信頼性お
よび品質を向上させる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は本発明の実施例半導体装置の上面図、同
図（ｂ）はＢ−Ｂ　’断面図、第２図（ａ）は従来の半
導体装置の上面図、同図（ｂ）は、Ａ−Ａ　”断面図で
ある。 １１・・・・・・Ｎ型シリコン基板、１２・・・・・・
絶縁膜、１３・・・・・・内部回路へつづ（多結晶シリ
コン配線１４・・・・・・層間絶縁膜、１５・・・・・
・金属ボンディングパッド、１６・・・・・・金属線、
１７・・・・・・保護膜、１８・・・・・・金属膜と多
結晶シリコン配線を接続するためのコンタクト窓、１９
・・・・・・多結晶シリコン層。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　ほか１名第２図 （の）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上の絶縁膜面に形成された内部回路接続のた
    めの金属ボンディングパッドを包囲して多結晶シリコン
    層を環状に形成したことを特徴とする半導体装置。
JP63220976A 1988-09-02 1988-09-02 半導体装置 Expired - Lifetime JP2502702B2 (ja)

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JP63220976A JP2502702B2 (ja) 1988-09-02 1988-09-02 半導体装置

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JPH0268943A true JPH0268943A (ja) 1990-03-08
JP2502702B2 JP2502702B2 (ja) 1996-05-29

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ID=16759518

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS617638A (ja) * 1984-06-22 1986-01-14 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置
JPH0217842U (ja) * 1988-07-18 1990-02-06

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS617638A (ja) * 1984-06-22 1986-01-14 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置
JPH0217842U (ja) * 1988-07-18 1990-02-06

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JP2502702B2 (ja) 1996-05-29

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